CN101126893A - 保护图形的形成方法 - Google Patents

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Abstract

提供可以以短时间进行阻焊材料的曝光，而且可以使用与以往相同的阻焊材料利用激光进行曝光的保护图形的形成方法。在印刷配线板3上形成表面被遮盖膜6覆盖的紫外线感光性的阻焊膜7，在阻焊膜7的上方形成遮蔽紫外线且可见光感光性的保护膜8，利用可见光激光10进行曝光，在保护膜8上使保护图形11曝光，用水显像而形成是保护膜8的固化膜、由保护图形11产生的掩膜图形，接着，利用紫外线，以上述掩膜图形作为掩膜，在阻焊膜7上使阻焊膜5曝光，用弱碱显像液进行显像，在印刷配线板3上形成由阻焊膜7的固化膜产生的阻焊图形5。

Description

保护图形的形成方法
技术区域
本发明涉及保护图形(resist pattern)的形成方法，特别涉及在印刷配线基板上进行软钎焊时形成预先设置的阻焊剂(solder resist)时，缩短曝光时间、可以提高生产效率的保护图形的形成方法，以及可以增加在阻焊剂中使用的自由度的保护图形的形成方法。
背景技术
在印刷配线板的制造中，在用于电路形成的抗蚀刻材料或用于电路保护的阻焊材料，使用了感光性的材料。
以往，在将这些保护材料进行图形曝光时，一般是介由形成有遮光性的负图形的玻璃或薄膜等掩膜(以下也称作掩膜版)照射紫外线而显像的施工法。
但是，在使用了掩膜版的图形曝光的场合，为了配合图形而制作多种的掩膜版，就需要费用和时间，适应少量多种是困难的。
近年来，已经知道不通过掩膜版而使用激光使保护材料直接曝光的方法(参照专利文献1)。按照该方法，通过使用激光使保护材料直接曝光，可以在不制作多种掩膜版的情况下在同一基板上形成多种图形。
但是，阻焊材料一般是负型，在进行直接曝光时，图形形成部分的大部分成为曝光部分，非曝光部分很少，因此对于利用激光的直接曝光，存在需要相当长时间的担心。
另外，在利用激光使保护材料直接曝光时，需要使用具有以往的数倍的感光度的保护材料，因而所使用的保护材料受到限制。例如，在将保护膜形成了图形的配线基板或者半导体基片上安装其他部件时，配线基板上接合部分的部件需要具有与树脂或金属的密合性，但在此情况下，几乎没有具有兼具密合性和对激光的感光度的性质的保护材料，而有保护材料选择的自由度低这样的担心。作为其他的例子，在保护膜由抗镀液材料构成时，需要兼具耐化学品性和高感光度的感光性，维持耐化学品性而仅使感光度提高是困难的。作为结果，有保护材料选择的自由度降低这样的担心。
专利文献1：日本专利第2679454号公报
发明内容
本发明鉴于上述的状况，目的在于提供可以缩短保护材料的曝光时间，而且即使是选择对激光的感光度低的保护材料的情况下，也可以形成反映了激光曝光的保护剂的保护图形的形成方法。
解决上述课题的本发明的第1方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，具有：在半导体基片或者配线基板的配线图形上形成对第1感应波长范围的波长的光感应的第1光固化性保护膜的工序；在上述第1光固化性保护膜的上侧形成遮蔽第1感应波长范围的波长的光，并且对第2感应波长范围的波长的光感应的第2光固化性保护膜的工序；在第2光固化性保护膜的将成为掩膜图形的区域扫描包含笫2感应波长范围的波长的激光而曝光的工序；用不使第1光固化性保护膜显像的显像液使上述第2光固化性保护膜显像而形成掩膜图形的工序；用上述第1感应波长范围的波长的光，以上述掩膜图形作为掩膜，使上述第1光固化性保护膜进行图形曝光的工序；以及使上述第1光固化性保护膜显像，在上述半导体基片或形成了配线图形的基板上形成保护图形的工序。
该第1方式中，利用包含不使第1光固化性保护膜曝光的波长，即第2感应波长范围的波长的激光照射使第2光固化性保护膜曝光，通过用不使第1光固化性保护膜显像的显像液使第2光固化性保护膜显像，从而在不损害第1光固化性保护膜，并且不使第1光固化性保护膜的非曝光部分曝光的情况下，形成第1光固化性保护膜的掩膜图形，可以以更短时间进行第1光固化性保护膜的图形形成。
另外，使用了激光的曝光对于第2光固化性保护膜进行，因此可以选择对激光的感光度低的第1保护材料作为第1光固化性保护膜材料。即，在不使第1光固化性保护膜中使用的材料的自由度降低的情况下，可以选择适于本来用途的性质的第1光固化性保护膜，进行反映了激光曝光的保护图形的形成。
本发明的第2方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1方式中记载的保护图形的形成方法中，在上述第1光固化性保护膜的上侧形成第2光固化性保护膜时，使透过第1感应波长范围的波长的光的遮盖膜介于中间形成上述第2光固化性保护膜，使笫1光固化性保护膜显像的工序中，首先通过剥离上述遮盖膜来去除掩膜图形。
该第2方式中，通过去除遮盖膜，可以容易地去除掩膜图形。
本发明的第3方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1方式中记载的保护图形的形成方法中，在上述第1光固化性保护膜的上侧形成第2光固化性保护膜时，使透过第1感应波长范围的波长的光的遮盖膜介于中间形成上述笫2光固化性保护膜，使第1光固化性保护膜显像的工序中，通过剥离遮盖膜而去除掩膜图形，同时去除第1光固化性保护膜的非曝光部分。
该第3方式中，通过去除遮盖膜，可以容易地去除掩膜图形和第1光固化性保护膜的非曝光部分，即非固化部分。
本发明的第4方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第2或第3方式中记载的保护图形的形成方法中，在将上述遮盖膜和第1光固化性保护膜叠层而成的叠层体设置在上述配线图形上后，在上述遮盖膜上形成第2光固化性保护膜。
该第4方式中，使用片状的第1光固化性保护膜，利用层压法能够容易地在半导体基片或者配线基板上设置第1光固化性保护膜，另外，通过使用已有的带遮盖膜的第1光固化性保护膜，可以省去另外设置遮盖膜的费事工作。
本发明的第5方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1～4的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，在将成为掩膜图形的区域扫描包含第2感应波长范围的激光从而使笫2光固化性保护膜的将成为上述掩膜图形的区域曝光时，预先对各配线图形进行位置偏差修正后，扫描包含第2感应波长范围的波长的光的激光，在各配线图形上形成掩膜图形。
该第5方式中，通过进行根据测定的配线基板的变形而修正的激光扫描，进行掩膜图形的曝光，对于具有各种不同变形的多个半导体基片或者形成了配线图形的基板，可以在无偏差的状态下高精度地形成各个掩膜图形。
本发明的第6方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1～5的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，作为第1光固化性保护膜使用具有紫外线感光性的材料，利用紫外线使上述笫1光固化性保护膜曝光，作为第2光固化性保护膜使用具有可见光感光性的材料，利用可见光激光使上述笫2光固化性保护膜曝光。
该笫6方式中，通过在激光照射中使用可见光，不会使对紫外线感应的第1光固化性保护膜曝光，可以只使笫2光固化性保护膜曝光。
本发明的第7方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在笫1～6的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，笫2光固化性保护膜含有氧化钛微粒、碳酸钙微粒和氧化锌微粒中的至少一种。
该第7方式中，对于第2光固化性保护膜，可以容易地附加遮蔽第1感应波长范围的功能、水溶性和可见光感光性。
本发明的第8方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在笫7方式中记载的保护图形的形成方法中，氧化钛微粒、碳酸钙微粒和氧化锌微粒中的至少一种具有平均粒径0.01μm～0.05μm。
该笫8方式中，对于第2光固化性保护膜，可以容易地附加遮蔽笫1感应波长范围的波长的光的功能、水溶性和可见光感光性。
本发明的第9方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1～8的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，在笫2光固化性保护膜中使用可以水显像的材料，使用水作为第2显像液。
该第9方式中，在不损害第1光固化性保护膜的情况下，可以使用水容易地使第2光固化性保护膜显像。
本发明的笫10方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在笫1～9的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，第1光固化性保护膜是阻焊膜。
该第10方式中，使用本发明的保护图形的形成方法，可以对阻焊膜以短时间容易地进行图形形成。
本发明的第11方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1～9的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，第1光固化性保护膜是抗镀膜。
该第11方式中，使用本发明的保护图形的形成方法，可以对抗镀膜以短时间容易地进行图形形成。
本发明的第12方式在于保护图形的形成方法，其特征在于，在第1～9的任一方式中记载的保护图形的形成方法中，第1光固化性保护膜是抗蚀膜。
该第12方式中，使用本发明的保护图形的形成方法，可以对抗蚀膜以短时间容易地进行图形形成。
按照本发明，可以提供可以以短时间进行阻焊材料的曝光，没有保护图形的位置偏差，而且可以使用与以往相同的阻焊材料利用激光进行曝光的保护图形的形成方法。
附图说明
图1是表示使用本发明的保护图形的形成方法制造的阻焊图形的一例的断面简图。
图2是表示本实施方式中本发明保护图形的形成方法的流程的断面简图。
图3是氧化钛微粒的透射光谱。
图4是表示图2中去除阻焊膜的非曝光部分工序的另一例子的断面简图。
图5是表示图2中不用遮盖膜时的利用保护膜的固化膜的掩膜图形的去除方法的断面简图。
图6是表示实施例1中的本发明保护图形的形成方法的流程的断面简图。
图7(a)、(b)和(c)分别表示图6(d)、(f)和(i)中的印刷配线板的上面图。即，在各切断线A-A′、B-B′和C-C′中切断的断面图分别相当于图6(d)、(f)和(i)。
图8是表示比较例1中的保护图形的形成方法的流程的断面简图。
图9是表示比较例2中的保护图形的形成方法的流程的断面简图。
符号说明
1：柔性基板    6：遮盖膜      11：保护图案      16：紫外线激光
2：配线图形    7：阻焊膜      12：紫外线        17：负膜
3：印刷配线板  8：保护膜      13：非曝光部分(非固化部分)
4：开口        9：基准点      14：PE膜
5：阻焊图形    10：可见光激光 15：照射预定位置
具体实施方式
以下，基于附图来说明本发明的实施方式。再者，在各图中，在同一构成元素上附以同一参照符号。
图1表示使用本发明的保护图形的形成方法制造的阻焊图形的一例。
对于在由玻璃布强化环氧树脂或聚酰亚胺树脂等形成的柔性基板1上设置有由铜等导电材料形成的配线图形2的印刷配线板3，形成在配线图形2的安装其他部件的部分具有开口4的阻焊图案5。在开口4部分的露出的配线上钎焊接合其他部件的金属端子。
本发明的保护图形的形成方法，能够应用于图2所示的阻焊图案的形成，可以以短时间进行阻焊材料的曝光，而且可以使用与以往相同的阻焊材料利用激光进行曝光。
在本实施方式中，作为第1光固化性保护膜使用阻焊膜7，作为第2光固化性保护膜使用保护膜8，在印刷配线板3上进行阻焊图形5的形成。基于图2(a)～(h)，表示本实施方式中的保护图形的形成方法的流程。
首先，在图2(a)所示的由树脂等形成的柔性基板1上设置了由铜等导电性材料形成的配线图形2的印刷配线板3上，如图2(b)那样利用层压法设置表面被遮盖膜6覆盖的干膜状的阻焊膜7(第1光固化性保护膜)。在本实施方式中使用的遮盖膜6，以PET等树脂作为主成分，具有可见光和紫外线透过性，是非感光性的，不溶于水，通气性(或者氧透过性)显著小。
阻焊膜7，与以往一样，可以利用适于与其他部件接合的材质，不必要是适于激光照射的材质。在本实施方式中，作为阻焊膜7，使用具有紫外线固化性、不溶于水、利用弱碱性显像液显像的材料(也称作“材料I”)。
作为材料I，可举出例如至少含有聚合物类和/或低聚物类(以下记为成分(I-A))、单体类和/或有机溶剂(以下称作成分(I-B))、以及反应引发剂(以下记为成分(I-C))的材料。
在材料I中，成分(I-A)的聚合物类、低聚物类和成分(I-B)的单体类中，至少一种具有感光基团。由此材料I具有紫外线固化性。作为这样的感光基团，可举出例如具有不饱和键、环氧乙烷键等的感光基团。作为具有不饱和键的感光基团，可举出丙烯酰基、甲基丙烯酰基(以下有时将它们汇总简称为“(甲基)丙烯酰基”)、乙烯基、烯丙基、肉桂酰基等。另外，作为具有环氧乙烷键的感光基团，可举出环氧基等。它们之中，可以含有一种或者二种以上的感光基团，也可以使用二种以上具有一种或者二种以上感光基团的成分(I-A)和成分(I-B)。
再有，在材料I中，成分(I-A)的聚合物类、低聚物类和成分(I-B)的单体类中，至少任一种具有酸性基团。由此材料I具有碱显像性。作为这样的酸性基团，可举出例如羧酸基、磺酸基等，可以含有它们中的一种或者二种以上的酸性基团，具有一种或者二种以上酸性基团的成分(I-A)和成分(I-B)也可以使用二种以上。
在材料I中，作为成分(I-A)，优选平均分子量2000～30000(特别优选5000～20000)的成分(I-A)。
作为成分(I-A)，可举出具备感光基团和酸性基团两种基团的成分(I-A)，例如使环氧树脂的不饱和羧酸加成物与酸酐反应而得到的成分(I-A)(以下也称为“成分(I-A-i)”)。
在成分(I-A-i)中，作为环氧树脂，可举出线型酚醛清漆型环氧化合物(苯酚线型酚醛清漆型环氧树脂、甲酚线型酚醛清漆型环氧树脂等)、双酚型环氧化合物、三苯基甲烷型环氧树脂等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在成分(I-A-i)中，作为不饱和羧酸，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、肉桂酸、或者饱和或不饱和二元酸酐(例如成分(I-A-i)中的“二元酸酐”等)与1分子中具有1个羟基的(甲基)丙烯酸酯类或不饱和单缩水甘油基化合物的半酯类等。
在成分(I-A-i)中，作为酸酐，可举出二元酸酐(马来酸酐、琥珀酸酐、衣康酸酐、邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、内亚甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基内亚甲基四氢邻苯二甲酸酐、氯菌酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐等)、芳香族多元羧酸酐(偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四甲酸二酐等)、多元羧酸酐衍生物[5-(2，5-二氧代四氢化糠基)-3-甲基-3-环己烯-1，2-二甲酸酐等]等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
作为成分(I-A-i)，相对于环氧树脂的不饱和羧酸加成物(即，环氧树脂和不饱和羧酸的反应物)具有的一个羟基使0.15摩尔以上的酸酐反应是合适的。再有，成分(I-A-i)的酸值优选45～160mgKOH/g，特别优选50～140mgKOH/g。酸值过小时，碱溶解性变差，相反若过大，成为使固化膜的耐碱性、电特性等保护膜的特性下降的主要原因，因此均不优选。
在材料I中，作为其他的成分(I-A)的具体例子，可举出使不饱和单缩水甘油基化合物加成到不饱和羧酸(例如成分(I-A-i)中的“不饱和羧酸”等)和不饱和二元酸酐(例如成分(I-A-i)中的“二元酸酐”等)的共聚物中包含的羧基的一部分上所得的聚合物等。
在材料I的成分(I-B)中，作为单体类，具体地可举出水溶性单体(丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰基吗啉、甲氧基四甘醇丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲基氨基丙基丙烯酸酯、或者对应于上述丙烯酸酯的各甲基丙烯酸酯类等)、非水溶性单体(二甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸四氢化糠酯、丙烯酸环己酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、甘油二缩水甘油醚二丙烯酸酯、甘油三缩水甘油醚三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或者对应于上述丙烯酸酯的各甲基丙烯酸酯类、多元酸和羟基烷基(甲基)丙烯酸酯的单、双、三或者三以上的多酯等)等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在材料I的成分(I-B)中，作为有机溶剂，具体地可举出酮类(甲基乙基酮、环己酮等)、芳香族烃类(甲苯、二甲苯等)、溶纤剂类(溶纤剂、丁基溶纤剂等)、卡必醇类(卡必醇、丁基卡必醇等)、乙酸酯类(乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纤剂、乙酸丁基溶纤剂、乙酸卡必醇酯、丁基卡必醇乙酸酯等)。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在材料I中，作为成分(I-C)，可举出例如通过照射紫外线(具体地说波长200～400nm的光)从而引发光聚合的成分。作为这样的成分(I-C)，具体地可举出2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基1-2-吗啉代丙烷-1-酮(汽巴特种化学品公司制，“イルガキユア907”)、苯偶姻及其烷基醚类(苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚等)、苯乙酮类(苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1，1-二氯苯乙酮等)、蒽醌类(2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌、2-戊基蒽醌等)、噻吨酮类(2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等)、酮缩醇类(苯乙酮二甲基酮缩醇、苄基二甲基酮缩醇等)、二苯甲酮类、以及呫吨酮类等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在材料I中，除此以外，作为添加剂，可以配合一种或者二种以上填充剂、增感剂、着色用颜料、密合性赋予剂、阻聚剂类、环氧化合物、环氧固化剂、反应促进剂(苯甲酸类和叔胺类等)、溶剂(醚类、酯类、酮类等)、消泡剂(硅油等)、流平剂、防流挂剂等。
在材料I的添加剂中，作为填充剂，具体地可举出硫酸钡、氧化硅、滑石、粘土、碳酸钙等。可以含有它们中的一种或者二种以上。作为增感剂，具体地可举出戊基-4-二甲基氨基苯甲酸酯等二甲基氨基苯甲酸酯类、脂肪族胺类等。可以含有它们中的一种或者二种以上。作为着色用颜料，具体地可举出酞菁蓝、酞菁绿、氧化钛、炭黑等。可以含有它们中的一种或者二种以上。作为密合性赋予剂，可举出不饱和磷酸化合物、聚酯型二丙烯酸酯类等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
作为阻聚剂类，具体地可举出氢醌、氢醌一甲醚、1，2，3-苯三酚、叔丁基儿茶酚、吩噻嗪等，可以含有它们中的一种或者二种以上。作为环氧化合物，具体地可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚线型酚醛清漆型环氧树脂、甲酚线型酚醛清漆型环氧树脂、N-缩水甘油基型环氧树脂或者脂环式环氧树脂等一分子中含有二个以上环氧基的环氧化合物等。可以含有它们中的一种或者二种以上。作为环氧固化剂，具体地可举出胺化合物类、咪唑化合物类、羧酸类、酚类、季铵盐类或者含有羟甲基的化合物类等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在材料I的组成中，相对于100重量份成分(I-A)，优选成分(I-B)是30～300(特别优选50～200)重量份，成分(I-C)是0.2～30(特别优选2～20)重量份。
接着，如图2(c)所示，采用层压法在遮盖膜6上设置可以水显像的具有紫外线遮光性和可见光固化性的保护膜8(笫2光固化性保护膜)。
对该保护膜8进行曝光和显像而形成的图形，成为下侧的阻焊膜7的掩膜。因此，在保护膜8的曝光时，为了使位于保护膜8的下侧的紫外线固化性的阻焊膜7不感光，保护膜8具有紫外线遮光性是必要的。
作为在这样的保护膜8中使用的、可水显像的具有紫外线遮光性和可见光固化性的材料(也称为“材料II”)，可举出例如至少含有聚合物类和/或低聚物类(以下称为成分(II-A))、单体类(以下称为成分(II-B))、反应引发剂(以下称为成分(II-C))、以及紫外线遮光性材料(以下称为成分(II-D))的材料。
在材料II中，作为成分(II-A)，可举出水溶性树脂。作为这样的成分(II-A)，可以列举在重复聚合单位中具有亲水基和/或亲水性化学结构的树脂。作为亲水基，可举出例如羟基、羟甲基、酸性基(羧基、磺酸基等)及其盐(羧酸盐、磺酸盐等)、碱性基(氨基等)及其盐(铵等)。可以含有它们中的一种或者二种以上的亲水基。作为亲水性化学结构，可举出醚键(氧化烯等)、酯键、酰胺键、酸酰胺键、乙内酰脲骨架、吡咯烷酮骨架等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
具体地说，作为成分(II-A)，可举出例如下述的合成树脂、天然高分子类及半合成树脂等。即，作为成分(II-A)中的合成树脂，可举出聚乙烯醇(PVA)、聚甲基乙烯基醚、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯醇缩丁醛、聚环氧乙烷、水溶性酚醛树脂、水溶性三聚氰胺树脂、水溶性聚酯树脂、水溶性聚酰胺树脂等，优选水溶性聚酯树脂、水溶性聚酰胺树脂等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的PVA，优选例如聚合度100～5000(特别优选500～2500)的PVA。聚合度若过低，成膜性有时会降低。相反聚合度若过高，有时不能充分地得到显像性。再有，作为PVA，优选皂化度60mol％以上(特别优选70mol％以上)的PVA。皂化度若过低，有时不能充分地得到显像性。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的聚甲基乙烯基醚，优选例如分子量20000～5000000(特别优选100000～1000000)的聚甲基乙烯基醚。分子量若过小，有时不能充分地得到固化膜的强度。相反分子量若过大，有时不能充分地得到显像性。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的聚乙烯基吡咯烷酮，优选例如分子量5000～5000000(特别优选500000～1500000)的聚乙烯基吡咯烷酮。分子量若过小，有时不能充分地得到固化膜的强度。相反分子量若过大，有时不能充分地得到显像性。
作为其为成分(IIA)的合成树脂的一例的聚乙烯醇缩丁醛，优选例如丁基化度5～40(特别优选10～20)mol％的聚乙烯醇缩丁醛。丁基化度若过低，有时显像性会下降。相反若过高，显像性有时会降低。作为平均聚合度，优选100～3000(特别优选600～2000)。平均聚合度若过小，耐显像性有时会降低。相反，若过大，显像性有时会降低。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的聚环氧乙烷，优选例如分子量20000～5000000(特别优选100000～1000000)的聚环氧乙烷。分子量若过小，有时不能充分地得到固化膜的强度。相反分子量若过大，有时不能充分地得到显像性。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的水溶性酚醛树脂，可举出例如甲酚型酚醛树脂。在合成树脂中，所谓水溶性三聚氰胺树脂，例如可举出高羟甲基化三聚氰胺(六羟甲基三聚氰胺、五羟甲基三聚氰胺等)。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的水溶性聚酯树脂，例如可举出由二元酸和二醇类得到的水溶性聚酯树脂。作为二元酸，可举出例如马来酸、邻苯二甲酸、衣康酸等，作为二醇类，可举出乙二醇本身、二甘醇等。具体地说，作为水溶性聚酯树脂，可以使用例如アロンメルトPES-1000、アロンメルトPES-2000(均为东亚合成株式会社制)等市售品。
作为其为成分(II-A)的合成树脂的一例的水溶性聚酰胺树脂，例如可举出用环氧乙烷等使聚酰胺树脂改性的水溶性聚酰胺树脂。具体地说，作为水溶性聚酰胺树脂，可以使用例如AQ尼龙A-90、AQ尼龙P-70(均为东丽株式会社制)等市售品。
在成分(II-A)中，作为天然树脂，例如可举出淀粉、糊精、蛋白质(明胶、骨胶、酪蛋白等)。在天然高分子类中，作为淀粉和糊精，优选分子量10000～500000(特别优选20000～200000)的淀粉和糊精。作为蛋白质，优选分子量5000～50000(特别优选10000～20000)的蛋白质。分子量若过小，成膜性有时会降低。相反分子量若过大，显像性有时会降低。
在成分(II-A)中，作为半合成树脂，例如可举出改性纤维素(甲基纤维素、羟乙基纤维素等)。作为羟乙基纤维素，优选例如聚合度50～1000(特别优选200～700)的羟乙基纤维素。聚合度若过小，涂膜强度变得不足，相反若过大，显像性有时会降低。
再者，作为成分(II-A)，可以使用具有感光基团的水溶性树脂(以下，有时简称为“感光性水溶性树脂”)。在使用感光性水溶性树脂时，有耐显像性提高的效果。
作为上述感光基团，可举出在上述材料I中例示的感光基团。例如，作为其为成分(II-A)的一例的感光性水溶性树脂，可举出下述的含(甲基)丙烯酰基的树脂、含环氧基的树脂、含乙烯基的树脂等。在感光性水溶性树脂中，作为含(甲基)丙烯酰基的树脂，可举出使不饱和脂肪酸与水溶性树脂反应所得的树脂。作为水溶性树脂，可列举例如多元醇树脂(PVA、聚乙烯醇缩丁醛树脂等)、聚酯树脂等。作为不饱和脂肪酸，例如可举出α，β-不饱和脂肪酸(丙烯酸、甲基丙烯酸等)、衣康酸、肉桂酸等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
具体地说，在感光性水溶性树脂中，作为含(甲基)丙烯酰基的树脂，可举出在PVA中加成α，β-不饱和脂肪酸而成的树脂。α，β-不饱和脂肪酸，可以加成PVA中的羟基的例如5～40mol％(特别是10～30mol％)。不饱和脂肪酸的加成量若过少，有时使耐显像性提高的效果会降低，相反若过多，显像性有时会降低。作为聚合度，可以是100～5000(特别是500～2500)等。
作为其他的含(甲基)丙烯酰基的树脂，可举出在羟基纤维素中加成α，β-不饱和脂肪酸而成的含(甲基)丙烯酰基的树脂。α，β-不饱和脂肪酸可以加成羟基纤维素中的羟基的例如5～25mol％(特别是10～20mol％)。不饱和脂肪酸的氧化量若过少，使耐显像性提高的效果有时会变低，相反若过多，显像性有时会降低。作为聚合度，可以是20～1000(特别是50～500)等。
作为其为感光性水溶性树脂的一例的含环氧基的树脂，可举出使环氧化合物与水溶性树脂反应而得到的含环氧基的树脂。作为水溶性树脂，例如可举出PVA、聚酯树脂等。可以含有它们中的一种或者二种以上。作为环氧化合物，例如可举出表氯醇等。
具体地说，可举出在PVA中使表氯醇加成而得到的含环氧基的树脂。表氯醇在PVA中可以加成羟基的例如5～40(特别是10～30)mol％。表氯醇的加成量若过少，使耐显像性提高的效果有时会降低，相反若过多，显像性有时会降低。作为聚合度，可以是100～5000(特别是500～2500)等。
作为其他的含环氧基的树脂，可举出1，3-二缩水甘油基乙内酰脲、1-缩水甘油基乙内酰脲等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
作为其为感光性水溶性树脂的一例的含乙烯基的树脂，可举出在羟乙基纤维素中将氯乙烯加成而得到的含乙烯基的树脂。氯乙烯可以加成羟基纤维素的羟基的例如5～30(特别是10～20)mol％。氯乙烯的加成量若过少，使耐显像性提高的效果有时会降低。相反若过量，显像性有时会降低。作为聚合度可以是50～1000(特别是200～700)等。
在材料II中，作为成分(II-B)，可举出具有感光基团的成分。作为感光基团，可举出在上述材料I中例示的感光基团。例如，作为成分(II-B)，可举出单官能(甲基)丙烯酸酯类(即，单官能丙烯酸酯类和/或单官能甲基丙烯酸酯类)以及多官能(甲基)丙烯酸酯类。可以含有它们中的一种或者二种以上。在成分(II-B)中，作为单官能(甲基)丙烯酸酯类，可举出例如下式(化-1)表示的单官能(甲基)丙烯酸酯。
Figure A20071014163100181
(化-1)
[式中，R1表示烷基或脂环族烃基，R2表示氢或甲基]。
在R1中，作为烷基，可举出C1～C12的烷基。作为脂环族烃基，可举出单或多环烷基、或者单或多环烯基等。再者，烷基或者脂环族烃基可以具有取代基(羟基、烷氧基、羧基等)。
具体地说，在成分(II-B)中，作为单官能(甲基)丙烯酸酯类，可举出(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
在成分(II-B)中，作为多官能(甲基)丙烯酸酯类，可举出多元醇和(甲基)丙烯酸的部分酯化物或者过酯化物等。作为多元醇，例如可举出二醇类(乙二醇、二甘醇等)、甘油类(甘油本身等)、其他三醇类(三羟甲基丙烷等)、四醇类(季戊四醇等)、五醇类(山梨醇、甘露醇等)、六醇类(二季戊四醇等)。可以含有它们中的一种或者二种以上。
具体地说，在成分(II-B)中，作为多官能(甲基)丙烯酸酯类，可举出二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、三(甲基)丙烯酸三羟甲基丙烷酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。可以含有它们中的一种或者二种以上。
作为成分(II-B)的其他的具体例子，例如可举出脂环式型的物质。作为脂环式型的物质，可举出环己烯化氧系物质。具体地可举出下述式(化-2)～(化-6)表示的物质。再者，作为式(化-6)表示的物质，优选式中M是2～50(特别是2～30)的整数。
Figure A20071014163100191
(化-2)
Figure A20071014163100192
(化-3)
(化-4)
Figure A20071014163100194
(化-5)
(化-6)
作为成分(II-B)的其他的具体例子，可举出下述式(化-7)和(化-8)表示的物质。
Figure A20071014163100196
(化-7)
Figure A20071014163100197
(化-8)
可以含有上述化学式所示的物质中的一种或者二种以上。
作为成分(II-B)的另外的具体例子，可举出在水溶性单体[成分(I-B)中例示的物质等]。
作为成分(II-B)，感光基团的个数是2个以上(特别是3～6个)，从耐显像性的观点看优选。再有，在常温下是液体，特别是成为成分(II-A)的溶剂的物质，从涂布性方面来看优选。具体地说，作为这样的成分(II-B)，特别优选具有3～6个感光基团的物质，特别是二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
在材料II中，作为成分(II-C)，可举出通过照射可见光(例如波长400～800nm的光)而引发光自由基聚合的成分。作为这样的成分(II-C)，可举出在可见光范围具有大的吸收的成分，具体地可举出2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙炔基]-4，6-双(三氯甲基)-s-三嗪(三和ケミカル公司制，“TME-三嗪”)等三氯甲基-s-三嗪类，苄基、α-萘基、acenaphthane、4，4′-二甲氧基苄基、4，4′-二环苄基等苄基化合物，樟脑醌等醌化合物，2-氯噻吨酮、2，4-二乙氧基噻吨酮、甲基噻吨酮等噻吨酮化合物，三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦系化合物，二茂钛化合物等。优选地可举出2，4，6-三(三氯甲基)-s-三嗪和3，3′-羰基双(7-二乙基氨基)香豆素(增感色素)的组合等。
在材料II中，成分(II-D)，优选透过可见光、遮蔽紫外线的物质。具体地说，作为成分(II-D)，可举出氧化钛、碳酸钙、氧化锌等，可以含有它们中的一种或者二种以上。再者，作为氧化钛，金红石型、锐钛矿型都可以使用。碳酸钙与氧化钛相比，在紫外线遮蔽性上差一些，但在可见光的透过性上具有优异的特性。优选氧化钛和氧化锌。遮光性材料，优选微粒状形态(粒径为0.0001μm～0.5μm，特别是0.01μm～0.05μm)。
图3是使用漆涂料作为分散介质时的氧化钛微粒的透射光谱。图中，a是对于具有0.2μm的平均粒径的微粒测定的结果，b是对于具有0.03～0.05μm的平均粒径的微粒测定的结果，c是对于具有0.01～0.03μm的平均粒径的微粒测定的结果。如其所示可知以下倾向，粒径越大，越遮蔽可见光(波长约400nm以上的光)，但粒径越小，可见光越透过，越遮蔽紫外线(波长不到约350nm的光)。从这样的实验结果，本申请发明人发现，为了满足可见光的透过性和紫外线的遮蔽性，只要微粒的平均粒径大小是0.5μm以下，特别是0.05μm以下即可。
在材料II中，可以配合一种或者2种以上的材料I中例示的添加剂，即填充剂、增感剂、着色用颜料、密合性赋予剂、阻聚剂类、环氧化合物、环氧固化剂、反应促进剂(苯甲酸系和叔胺系等)、溶剂(醚类、酯类、酮类等)、消泡剂(硅油等)、流平剂、防流挂剂等。
再者，作为材料II的添加剂中的增感剂，优选通过与成分(II-C)并用，比成分(II-C)单独时更使光聚合活化的增感剂，具体地优选甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸异戊酯、正丁胺、三乙胺等胺系化合物、三乙基正丁基膦等膦类、噻吨系、呫吨系、酮系、硫代吡喃盐系、base styryl系、部花青系、3-取代香豆素系、3，4-取代香豆素系、花青系、吖啶系、噻嗪系、吩噻嗪系、蒽系、晕苯系、苯并蒽系、苝系、酮基香豆素系、富马碱系、硼酸酯系等。可以含有它们中的1种或者2种以上。
在材料II的组成中，相对于100重量份成分(II-A)，优选成分(II-B)是50～300(特别是80～150)重量份，成分(II-C)是1～20(特别是6～10)重量份，以及成分(II-D)是40～100(特别是50～80)重量份。
上述那样制备的材料II，通常可见光的透射率是60％以上，且紫外线的透射率是不足40％。
接着，由上述材料II形成的保护膜8形成保护图形。本发明的保护图形的形成方法，利用激光进行曝光从而形成掩膜图形，因此可以根据各个柔性基板1的变形来调整激光照射位置，进行高精密的曝光。
以往，在介由形成了遮光性的负图形的玻璃或薄膜进行图形形成时，使曝光位置对应于由基板的变形产生的各配线图形2的位置偏差是困难的。另外，不能对应于由基板的变形产生的配线图形2的纵横比的变化及x轴和y轴所成角度的变化等。
如以下所说明那样，本发明中通过调整激光照射位置来形成保护图形，可以解决在上述的以往的图形形成中的课题，进行高精密的曝光。
在本实施方式中，为了根据各个柔性基板1的实际的位置来调整激光照射位置进行曝光，在曝光前进行变形的测定。测定在多个地方预先设置的基准点9的坐标，从与基准位置的误差能够求出变形的值。
将所求出的变形的值输入激光曝光的控制装置，使其反映于基准的激光照射控制数据，调整激光照射位置，如图2(d)那样进行激光曝光。
可见光固化性的保护膜8的曝光，使用可见光激光10进行。此时，位于保护膜8的下方的阻焊膜7是紫外线感光性材料，对于可见光实质上不感光。在本实施方式中，作为可见光使用400～800nm的可见光，例如由g射线或氩激光(488nm)及FD-Nd/YAG激光(532nm)等激光产生的可见光。
已曝光的保护膜8使用水进行显像。更详细地说，通过将10～80℃、优选10～30℃的水喷射10～300秒、优选10～60秒进行显像。在图2(e)中示出保护膜8用水显像过的状态。再者，阻焊膜7具有碱显像性，因此作为在此使用的显像液的水，对阻焊膜7不给予影响。
通过水显像而形成了保护图形11后，如图2(f)所示，在印刷配线板3上的整个面上照射紫外线12。在这种情况下，具有紫外线遮光性的保护图形11成为阻焊膜7的掩膜图形，因此阻焊膜7的保护图形11下的部分，成为非曝光部分(非固化部分)13，在其他部分，阻焊膜7固化。由此，能够形成阻焊图形5。
用于紫外线照射的光源、紫外线的照射量等条件，选择适合于阻焊膜7的条件。具体地说，在本实施方式中，作为紫外线使用波长200～400nm的光，例如由低·中·(超)高压水银灯、氙灯或者金属卤化物灯、激光器等产生的紫外线。
紫外线12照射后，通过剥离非感光性的遮盖膜6，如图2(g)所示，去除保护图形11，然后用碱性显像液使阻焊膜7显像，借此去除非曝光部分13，如图2(h)所示，可以形成阻焊图形5。作为碱性显像液，例如可举出0.5～3％碳酸钠水溶液等。
按照以上的流程，通过对阻焊膜7进行图形形成，不需要在各曝光图形上制造一个曝光掩膜板或者曝光掩膜片。其结果，曝光精度的提高以及阻焊膜的曝光时间的缩短是可能的，而且能够防止保护图形的位置偏差。另外，阻焊材料，原封不动地使用以往使用的材料，即使是对激光的感光度低的阻焊材料，也可以反映激光曝光，进行保护图形的形成。即，可以在不使用于第1光固化性保护膜的材料的自由度降低的情况下，来选择适于本来用途的性质的第1光固化性保护膜，进行反映了激光曝光的保护图形的形成。
再者，印刷配线板3、第1光固化性保护膜、第2光固化性保护膜、以及片材等的种类、材质、结构及设置方法等不限于本实施方式中所示的例子。
例如，在本实施方式中，作为印刷配线板3，使用在柔性基板1上设置由铜等导电材料构成的配线图形2的印刷配线板，但也可以是刚性基板，另外，导电材料也可以是铝、金等。再有，也可以是一面或者两面印刷配线板、或者单层或多层印刷配线板的任一种。
另外，在本实施方式中，作为第1光固化性保护膜使用阻焊膜7，以可适应于使用了钎料等的倒装片式接合等的阻焊膜的图形形成工艺为例进行说明，但本发明的保护图形的形成方法，也可以在为了适用于其他工艺的其他保护图形(抗蚀图形、抗镀图形、玻璃掩膜等)的形成中使用。但是，本发明的保护图形的形成方法，如阻焊膜的曝光那样，对曝光面积的比例相对于非曝光面积的比例显著多的场合是适合的。
在本实施方式中，第1光固化性保护膜使用了用弱碱显像液显像的干膜状的阻焊膜，但也可以是酸显像型的保护膜，也可以通过将液状或者溶胶状的抗蚀剂涂布、印刷、喷涂等来设置。使用酸显像型的笫1光固化性保护膜时，选择用第2光固化性保护膜的显像液无法显像的材料。
第2光固化性保护膜也与第1光固化性保护膜同样地使用液状或者溶胶状的抗蚀剂，采用涂布、印刷、喷涂等进行设置，另外，也可以使用用酸显像的材料。在将用酸显像的材料用于第2光固化性保护膜时，第1光固化性保护膜使用具有用酸不显像的耐酸性的材料。即，第1光固化性保护膜和第2光固化性保护膜各自使用用不同的显像液显像的材料是重要的。
关于作为第1保护材料或者第2保护材料能够采用的酸显像性材料，以下作详细说明。
作为酸显像性材料，至少由聚合物类和/或低聚物类、和单体类和/或有机溶剂构成的树脂组合物，可举出只包含以下的成分(i)或成分(ii)的树脂组合物，或者包含成分(i)和成分(ii)的树脂组合物。
所谓成分(i)，是聚合物类和/或低聚物类具有碱性结构，所谓成分(ii)，是聚合物类、低聚物类、以及单体类的至少任一种具有碱性基。
在上述成分(i)的情况下，作为聚合物类、低聚物类，例如可举出三聚氰胺系树脂(三聚氰胺树脂、三聚氰胺·醇酸树脂、三聚氰胺苯并胍胺树脂、三聚氰胺甲醛树脂、三聚氰胺·酚醛树脂、三聚氰胺·尿素树脂等)、苯胺树脂等，可以含有它们中的一种或者2种以上。
在上述成分(ii)的情况下，作为碱性基，例如可举出伯氨基、仲氨基和叔氨基、以及季铵基等，可以含有它们中的一种或者2种以上的碱性基。作为碱性基，优选仲氨基和叔氨基。
在上述成分(ii)的情况下，作为聚合物类、低聚物类、单体类，例如可举出在具有酸性基的成分(I-A)中将酸性基替代成上述碱性基的物质，在具有酸性基的成分(I-B)的单体类中将酸性基替代成上述碱性基的物质，在成分(II-A)内具有碱性基的物质以及在不具有酸性基的成分(I-B)和(II-B)的单体类中将上述碱性基加成的物质等。可以含有它们中的一种或者2种以上。
在酸显像性材料中，可以配合一种以上的在上述材料I和II中例示的添加剂。
作为既是酸显像性材料又是紫外线固化性的材料，在至少由上述聚合物类和/或低聚物类以及单体类和/或有机溶剂构成的树脂组合物中，可举出聚合物类、低聚物类和单体类的至少一个还具备感光基团(例如，在上述材料I中所述的感光基团)，而且还配合了成分(I-C)的材料。
另外，作为既是酸显像性材料又是紫外线遮光性且可见光固化性的材料，在至少由上述聚合物类和/或低聚物类及单体类和/或有机溶剂构成的树脂组合物中，可举出还配合了成分(II-C)和(II-D)的树脂组合物。
作为酸显像液，例如可举出有机酸(苹果酸等)、无机酸(磷酸等)等。
在本发明中，第2光固化性保护膜是由遮蔽笫1光固化性保护膜感光的波长的光的材料构成的。即，在第2光固化性保护膜中不能使用对在笫1光固化性保护膜的曝光中使用的波长感光的材料，而且用与第1光固化性保护膜的曝光相同的波长的光不能使第2光固化性保护膜曝光。因而，第1光固化性保护膜选择具有第1光固化性保护膜所必需的性质的材料，可以使用适合于该材料的波长的光进行曝光。另外，第2光固化性保护膜选择能将与在笫1光固化性保护膜的曝光中使用的波长不同的波长的光，并且第2光固化性保护膜不遮光的波长的光用于曝光的材料，进行曝光。
鉴于这种事实，不限于上述实施方式，作为其他的上述实施方式，可举出以下的实施方式。例如，在第1光固化性保护膜(阻焊膜7)中使用具有可以水显像的紫外线遮光性且可见光固化性的材料(材料II等)，在第2光固化性保护膜(保护膜8)中使用具有可见光遮光性且紫外线固化性，不溶于、用弱碱性显像液进行显像的材料，形成各自的光固化性保护膜，在笫1光固化性保护膜的曝光中可以使用可见光，在笫2光固化性保护膜的曝光中可以使用紫外线。
再者，作为赋予可见光遮光性且紫外线固化性的方法，可举出在感光性材料中配合着色颜料(特别炭黑等)的方法等。
本实施方式中的遮盖膜，虽然使用了具有可见光和紫外线透过性的遮盖膜，但也可以是仅使用于将第1光固化性保护膜固化的感应波长范围的光(例如紫外线)透过的遮盖膜。再有，在本实施方式中，遮盖膜虽然使用预先设置在第1光固化性保护膜(阻焊膜)上的遮盖膜，但也可以使用没有被遮盖膜覆盖的第1光固化性保护膜，将遮盖膜层压，或者也可以层压形成了第2光固化性保护膜的遮盖膜。另外，也可以采用涂布、印刷、喷涂等将液状或者溶胶状的遮盖膜的原料设置在第1光固化性保护膜上等，分别设置第1光固化性保护膜和遮盖膜。在此情况下，遮盖膜如本实施方式中所示，可以进行剥离而去除，但也可以使用药品等进行去除。去除遮盖膜的药品，使用由不侵入保护膜、配线、基板等的材料构成的药品。
在本实施方式中，通过显像去除已图形曝光的第1光固化性保护膜的非曝光部分，但也可以如图4所示，在剥离遮盖膜6时将阻焊膜(第1光固化性保护膜)的非曝光部分13的一部分或者全部粘着在遮盖膜6上，与遮盖膜6一起除掉。
另外，也可以不使用遮盖膜。在不使用遮盖膜的情况下，如图5所示，可以与第1光固化性保护膜显像的同时去除保护图形11。
在将遮盖膜和保护膜分别设置的情况下，或不使用遮盖膜的情况下，对由气氛引起的保护膜的品质劣化的对策是必要的。
实施例
以下，使用图6和图7，根据实施例具体地说明本发明。
实施例1
首先，使用150目聚酯丝网将已均匀分散的下述配合组成1)的树脂组合物印刷在厚100μm的PE膜14上，在80℃干燥15分钟。这样，在PE膜14上形成了第2光固化性保护膜8。此后，在该第2光固化性保护膜8的上面层叠厚25μm的PET遮盖膜6。这样，制成由PE膜14、第2光固化性保护膜8和PET遮盖膜6构成的3层体(参照图6(a))。
另一方面，将下述配合组成2)的碱显像型的阻焊剂丝网印刷在已形成配线图形2的印刷配线板3上，在印刷配线板3上形成了第1光固化性保护膜7(参照图6(b))。
接着，使PET遮盖膜6介于中间，在上述印刷配线板3上的第1光固化性保护膜7上叠层上述3层体。然后，剥离处于图6(c)中所示的叠层体的最上层的PE膜14，使第2光固化性保护膜8露出(参照图6(d)和图7(a))。在激光器照射位置15上对其照射432nm的激光10(参照图7(a))，描绘规定的图形(参照图6(e))。描绘时间是20秒。接着，用流水进行20秒显像，形成了笫2光固化保护图形11(参照图7(b))。
此后，使用高压水银灯，从上方向印刷配线板全面地照射紫外线12(参照图6(f))，在第1光固化性保护膜中，仅残留保护图形11下的非曝光部分30，使其他的部分固化(图6(g))。紫外线12的照射时间是30秒。接着，将笫2光固化保护图形11与PET遮盖膜6一起剥离(参照图6(h))。然后，用30℃的1％碳酸钠水溶液，在第1光固化性保护膜中，将非曝光部分13显像去除。
这样得到由具有与第2光固化保护图形11相反的图形的第1光固化保护图形5被覆的印刷配线板(参照图6(i)和图7(c))。
在该实施例1中，利用激光器10的描绘时间短到20秒，并且用另外的装置进行由高压水银灯产生的紫外线12照射，因此生产效率极优异。再有，因为是利用激光器10的描绘，所以能够实施由测长产生的修正。其结果，在基板上的正确位置形成(被覆)保护图形5，位置精度极优异。再者，本实施例中，作为各光固化保护膜的材料使用以下的1)、2)的配合组成的材料，但即使含有能够作为上述的本发明的光固化保护膜使用的另外的成分也得到同样的结果。
1)配合组成：
100重量份丙烯酸酯低聚物(日本化药制“ZAA-178”)、25重量份二季戊四醇六丙烯酸酯(单体)、10重量份三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(单体)、2.5重量份三嗪系反应引发剂(三和ケミカル制“TEM-三嗪”)、0.15重量份双酮基香豆素(增感色素，山本化成制“KCD”)、20重量份超微粒氧化钛(紫外线遮蔽剂，平均粒径0.03μm，石原产业制“TTO-55”)、0.5重量份数聚二甲基硅氧烷(消泡剂，信越有机硅制“KS-66”)。
2)配合组成：
150重量份四氢化邻苯二甲酸酐改性三苯基甲烷型环氧丙烯酸酯低聚物(日本化药制“TCR-104”)、25重量份二季戊四醇六丙烯酸酯(单体)、20重量份2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基］-2-吗啉代丙烷-1-酮(汽巴特种化学品公司制“イルガキユア907”)、30重量份三缩水甘油基异氰脲酸酯(日产化学制“TEPIC”)、4重量份三聚氰胺(日产化学制三聚氰胺)、150重量份硫酸钡(堺化学制“バリフアイン100”)、0.5重量份聚二甲基硅氧烷(消泡剂，信越有机硅制“KS-66”)、0.05重量份绿色颜料。
比较例1
以下，根据图8来说明比较例1。
将上述配合组成2)的碱显像型的阻焊剂丝网印刷在已形成配线图形2的印刷配线板3上，形成了第1光固化性保护膜7。
接着，对该第1光固化性保护膜7，在与实施例1的第1光固化保护图形5相同的图形区域描绘(照射)365nm的紫外线激光16。描绘时间是2分30秒。
此后，用30℃的1％碳酸钠水溶液，将笫1光固化性保护膜中，因为前期未照射激光而未固化从而残留的非曝光部分13进行显像去除，得到由第1光固化保护图形5被覆的印刷配线板(参照图8(c))。
在该对比例1中，因为是利用紫外线激光16描绘，所以位置精度优异，但描绘时间长到2分30秒，生产效率差。
比较例2
以下，根据图9来说明比较例2。
将上述配合组成2)的碱显像型的阻焊剂丝网印刷在已形成配线图案2的印刷配线板3上，形成了第1光固化性保护膜7。
接着，使具有与实施例1的第2光固化保护图形11相同的图形的负膜17密合在该第1光固化性保护膜7上。然后，介由该负膜17，用高压水银灯在第1光固化性保护膜7上全面地照射紫外线12。照射时间是30秒。
此后，用30℃的1％碳酸钠水溶液将笫1光固化性保护膜7的非曝光部分13进行显像去除，得到由第1光固化保护图形5被覆的印刷配线板(参照图9(c))。
在该比较例2中，因为是利用高压水银灯的全面照射，所以生产效率优异，但因为负膜17的温湿度引起的尺寸变化等，第1光固化保护图形5相对于基板上的配线图形2的位置变得不正确，位置精度变差。

Claims (13)

1.保护图形的形成方法，其特征在于，具有：
在半导体基片或配线基板的配线图形上形成对第1感应波长范围的波长的光感应的第1光固化性保护膜的工序；
在上述第1光固化性保护膜的上侧形成遮蔽第1感应波长范围的波长的光，且对第2感应波长范围的波长的光感应的第2光固化性保护膜的工序；
在第2光固化性保护膜的将成为掩膜图形的区域扫描包含第2感应波长范围的波长的光的激光而曝光的工序；
用不使第1光固化性保护膜显像的显像液使上述第2光固化性保护膜显像而形成掩膜图形的工序；
用上述第1感应波长范围的波长的光，以上述掩膜图形作为掩膜，使上述第1光固化性保护膜进行图形曝光的工序；和
使上述第1光固化性保护膜显像，在上述半导体基片或形成了配线图形的基板上形成保护图形的工序。
2.权利要求1所述的保护图形的形成方法，其特征在于，
在上述第1光固化性保护膜的上侧形成第2光固化性保护膜时，使透过第1感应波长范围的波长的光的遮盖膜介于中间形成上述第2光固化性保护膜，
在使第1光固化性保护膜显像的工序中，首先通过剥离上述遮盖膜而去除掩膜图形。
3.权利要求1所述的保护图形的形成方法，其特征在于，
在上述第1光固化性保护膜的上侧形成第2光固化性保护膜时，使透过第1感应波长范围的波长的光的遮盖膜介于中间形成上述第2光固化性保护膜，
在使第1光固化性保护膜显像的工序中，通过剥离遮盖膜而去除掩膜图形，同时去除第1光固化性保护膜的非曝光部分。
4.权利要求2所述的保护图形的形成方法，其特征在于，
在将叠层上述遮盖膜和第1光固化性保护膜而成的叠层体设置在上述配线图形上后，在上述遮盖膜上形成第2光固化性保护膜。
5.权利要求3所述的保护图形的形成方法，其特征在于，
在将叠层上述遮盖膜和第1光固化性保护膜而成的叠层体设置在上述配线图形上后，在上述遮盖膜上形成第2光固化性保护膜。
6.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，在将成为掩膜图形的区域扫描含有第2感应波长范围的激光，使上述第2光固化性保护膜的将成为上述掩膜图形的区域曝光时，在预先对各配线图形进行位置偏差修正后，扫描含有第2感应波长范围的波长的光的激光，在各配线图形上形成掩膜图形。
7.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，作为第1光固化性保护膜使用具有紫外线感光性的材料，利用紫外线使上述第1光固化性保护膜曝光，作为第2光固化性保护膜使用具有可见光感光性的材料，利用可见光使上述第2光固化性保护膜曝光。
8.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，第2光固化性保护膜含有氧化钛微粒、碳酸钙微粒和氧化锌微粒中的至少一种。
9.权利要求8所述的保护图形的形成方法，其特征在于，氧化钛微粒、碳酸钙微粒和氧化锌微粒中的至少一种具有平均粒径0.01μm～0.05μm。
10.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，在第2光固化性保护膜中使用可以水显像的材料，使用水作为第2显像液。
11.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，第1光固化性保护膜是阻焊膜。
12.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，第1光固化性保护膜是抗镀膜。
13.权利要求1～5中任一项所述的保护图形的形成方法，其特征在于，第1光固化性保护膜是抗蚀膜。
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