CN101097406A

CN101097406A - 描图系统

Info

Publication number: CN101097406A
Application number: CNA2007101125292A
Authority: CN
Inventors: 三好久司
Original assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-06-26
Filing date: 2007-06-20
Publication date: 2008-01-02
Anticipated expiration: 2027-06-20
Also published as: JP2008003504A; TW200801581A; KR101446485B1; JP5339671B2; KR20070122371A; TWI430053B; CN101097406B

Abstract

本发明提供描图系统，从而对应于基板等的被描图体的变形而适当地修正描图位置，可对应于各种制造行程之同时，形成精度佳的描图图案。在使用DMD等的光调变组件的描图装置中，使用CCD而量测四个对准孔(M0～M3)的位置。根据藉由将预设的基准矩形(Z0)做2×2的分割而定出的基准分割区域(DV0～DV3)，以及由所量测的四个对准孔(M0～M3)所定出的变形矩形(Z)做2×2的分割而定出的变形分割区域(DM0～DM3)，算出各分割区域的偏移量、旋转角、尺寸比。然后，根据偏移量、旋转角及尺寸比而修正属于该基准分割区域的描图资料。

Description

描图系统

技术领域

本发明是有关于一种以作为原版的光罩(レクチル)或直接地对印刷基板或矽晶等的被描图体形成电路图案等的图案的描图装置。特别是对应于基板的变形而修正描图位置。

背景技术

在基板等的被描图体的制程中，对于涂布了光阻等的感光材料的被描图体实施为了形成图案的描图处理。经过了显像处理、蚀刻或镀膜处理、光阻剥离等的制程，在被描图体上形成图案。例如，在使用使LCD、DMD、SLM(Spatial Light Modulators)等光调变组件做二维排列的光调变单元的描图装置中，使光调变单元形成的照射区域(以下称曝光区域)对于基板做相对性的扫描，同时对应于描图图案以既定的时序控制各光调变组件。

由于基板本身由热处理、堆积等因素而变形，设有对准调整用的标记，在基板变形的状态下，根据所量测的定位标记，修正图案的描图位置。设定在基板的四角构成矩形的对准标记，根据实际量测到的对准标记的位置，算出基板变形所造成的重心位置的偏移以及描图区域的旋转倾斜角等。然后，根据算出的资料修正描图位置(参照专利文献1、2)

专利文献1日本特开2005-300628号公报

专利文献2日本特开2000-122303号公报

发明内容

由于基板变形的状态是不均一的，各描图区域的中心附近以及其以外，例如在边界附近，基板的变形方向、变形量等的变形状态是不同的。因此，大约相同尺寸的描图图案在基板上分割成复数块(多倒角)描图的情况下，在对描图区域整体以代表性的修正量修正描图位置时，若不将描图位置修正为适当的位置，则无法形成精度佳的图案。

本发明的描图系统为对应于基板的变形而适当地修正，同时在形成阶层性的描图图案之际，可维持各描图(倒角)图案的区域形状的描图系统。描图系统包括光源与根据具有基于对于被描图体而制定的坐标系的坐标位置的描图资料而调变来自光源的照明光的至少一个光调变组件。例如可修正具有成为向量资料的位置坐标信息的描图资料的位置坐标，转换成光栅资料而实施描图处理。又，光调变组件可为DMD、LCD等复数个光调变组件做二维规则性的排列而形成。

为了修正描图位置，在基板上设定有设定在被描图体上的四个量测用指针的位置，而构成矩形(以下称基准矩形)的顶点。描图系统包括在被扫瞄体变形的状态下可做量测的量测装置、修正描图资料的位置坐标而产生描图资料(修正描图资料)的修正装置、控制光调变组件的描图处理装置，其根据修正描图资料而形成描图图案。

在本发明中，藉由分割基准矩形而定出复数个分割区域(以下称基准分割区域)，同时以量测到的四个量测用指针做为顶点，藉由分割基准矩形变形的四角形(以下称变形矩形)而定出矩形状复数个分割区域(以下称变形分割区域)。即，在四点的量测用指针的全体性描图区域中，分别对基准矩形、变形矩形定出复数个描图区域。每个分割的区域成为描图图案区域。然后，修正装置在各基准分割区域中修正在各区域内的描图资料的位置坐标。而且，修正装置修正描图资料的位置坐标，而根据以基准分割区域为准的变形状态将各变形分割区域修正为矩形区域。在此处的变形状态为相对于基准分割区域的中心位置、重心位置的偏移、旋转程度及尺寸比等所表示的变形量。藉由使变形的分割描图区域成为矩形状的描图位置修正，及使在形成阶层性的图案的情况下，也不会产生图形的偏差。又，由于根据各区域的误差而修正，整体性的描图区域的局部性的误差量也对应于分割区域的数量n而变成1/n，修正的精度提升。形成于各描图区域的描图图案可为重复描图(倒角)的相同尺寸，对每个重复的图案进行修正处理。在此情况下，在向量资料中包含有哪个描图图案的配置坐标以及邻接的图案间的间隔(间距)。

例如，以各变形分割区域的四个顶点假设为四个变形分割用指针，同时以基准分割矩形的四个顶点假设为四个基准分割用指针，而修正描图资料。又，修正装置算出作为上述变形量的上述中心位置的偏移量、旋转量、尺寸比至少其中之一，而修正描图资料的位置坐标。例如相对于基准分割区域的变形分割区域的中心位置的偏移量、相对于基准分割区域的变形分割区域的旋转角以及相对于基准分割区域的变形分割区域的尺寸比，而修正描图资料的位置坐标。

虽然尺寸比的选取方式有各种方式，考虑将变形分割区域修正为矩形，例如变形分割区域的相向的一对边的长度的平均与对应的基准分割区域的一对边的长度的比而求得。另一方面，在基板的制造中，有反复描图(曝光)行程几次而形成堆积性图案的情况。在此情况下，由于在后一行程中也是重叠相同的图案，最好将变形分割区域修正成同一尺寸的矩形。因此，修正装置相对于基准分割区域的变形分割区域的中心位置的偏移量、相对于基准分割区域的变形分割区域的旋转角以及相对于基准矩形的变形矩形的尺寸比，而修正描图资料的位置坐标。

本发明的描图资料修正装置包括：一量测装置，如构成基准矩形的顶点，在被描图体变形的状态下，可量测在上述被描图体上预设的四个量测用指针的位置；一修正装置，根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的矩形状复数个变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料，其中上述修正装置修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

本发明的程序包括下列功能：使一量测装置产生作用，在被描图体变形的状态下，可量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；使一修正装置产生作用，根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的矩形状复数个变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料；使上述修正装置产生作用而修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于变形分割区域的以各基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

本发明的描图资料修正方法包括下列步骤：在被描图体变形的状态下，量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的复数个变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料；修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

本发明的基板制造方法，包括下列步骤：1)在空白的基板上涂布感光材料；2)对于涂布后的基板进行描图处理；3)对于描图处理后的基板进行显像处理；4)对于显像处理后的基板进行蚀刻或镀膜处理；5)对于蚀刻或镀膜处理后的基板进行感光材料的剥离处理；其中在描图处理中，由上述之描图资料修正方法修正描图资料。

根据本发明，对应于基板等被描图体的变形而适当地修正描图位置，可对应于各种制程，同时可形成精度佳的描图图案。

附图说明

图1为第一实施型态的描图系统的示意立体图。

图2为设于描图装置的曝光单元的示意图。

图3为表示曝光区域的相对移动，即曝光区域的扫瞄的图。

图4为描图系统的方块图。

图5为成为基准的描图区域全体与变形后的描图区域的图。

图6为分割成为基准的描图区域全体的分割区域与变形后的分割区域的图。

图7为修正成为矩形状的变形分割区域的图。

图8为修正成为矩形状的变形分割区域的图。

图9为描图处理的流程图。

图10基板变形前的基准矩形的图。

图11为基板变形后的变形矩形的图。

图12为在第二实施型态中，在尺寸比为一定时的变形分割区域的修正。

标号说明

10～描图装置；20～曝光单元；21～光源；22～DMD(光调变单元)；30～描图控制部：30A～控制单元；32～系统控制电路；34～DMD控制部；38～台座位置控制部；40～对准标记检测部；42～数据演算部；43～资料缓冲区；SW～基板(被描图体)；EA～曝光区域；Xij～微面镜；Yij～微小区域(曝光区域)；Z0、Z’0～基准矩形；Z、Z’～四角形(变形矩形)；DV0～DV3～基准分割区域；DM0～DM3～变形分割区域；SM0～SM3～修正成矩形状的变形分割区域；SM’0～SM’3～修正成矩形状的变形分割区域；M0～M3～量测对准孔(量测用指针)；PP～描图位置；PD’～修正位置；X～X坐标；Y～Y坐标。

具体实施方式

以下参照图式说明本发明之实施形态。

图1为本实施形态的描图系统的示意的立体图。图2为设于描图装置的曝光单元的示意图。图3为表示曝光区域EA的相对移动，即曝光区域EA的扫描的示意图。

描图系统包括描图装置10。描图装置10为对表面涂布有光阻等的感光材料的基板SW照射光线而形成电路图案的装置，包括闸门状构造体12及基台14。在基台14上搭载着支持X-Y台座18的X-Y台座驱动机构19，在X-Y台座18上设置基板SW。在闸门状构造体12上设有在基板SW的表面上形成电路图案的曝光单元20，配合X-Y台座18的移动而使曝光单元20动作。

又，描图系统包括控制X-Y台座18的移动及曝光单元20的动作的描图控制部30。描图控制部30系由控制单元30A、键盘30B、以及监视器30C所构成，操作员设定曝光条件等。基板SW为例如硅晶圆、薄膜、玻璃基板或铺铜多层板，在实施预烤处理及光阻的涂布等处理后的空白状态下，搭载于X-Y台座18上。于此，在基板SW的表面上形成负型的光阻。

在SW基板上，供对准调整描图位置的对准孔AM系形成于基板SW的四角。在闸门状构造体12上，用来检测对准孔AM位置的CCD13安装成朝向基板SW的方向，根据X-Y台座18的移动而检测出对准孔AM。对于基板SW，制订出相互垂直的X-Y坐标，根据X-Y坐标而进行对准调整。于此，将主扫瞄方向定为X方向，副扫瞄方向定为Y方向。

如图2所示，曝光单元20包括光源21、DMD(Digital Micro-mirrorDevice)22以及作为曝光用光学系的照明光学系24、成像光学系26，在光源21与DMD22之间配置照明光学系24，在DMD22与基板SW之间配置成像光学系26。半导体雷射等的光源21连续地放射一定强度的光束，放射的光被导入照明光学系24。照明光学系24系由扩散板24A与准直透镜24B构成，当光束LB通过照明光学系24时，由全体性照明DMD22的光束形成光。而且，不仅是图2所示的DMD22，复数个DMD系沿主扫瞄方向(X方向)配置，从光源22放射的光束经由光纤(未图标)传递至各DMD。

DMD22为微米(μm)等级的微小的微面镜成数组状配置的光调变单元，各微小镜面藉由静电场的作用而旋转变动。在本实施例中，DMD22为M×N个微小镜面配置成数组状而形成，以下系以对应于配列(i，j)的位置的微面镜以「Xij」(1≤i≤M，1≤j≤N)表示。例如，由1024×768的微面镜构成DMD22。

微面镜Xij系以将来自光源21的光束LB朝基板SW的曝光面SU的方向反射的第一姿势与朝曝光面SU外的方向反射的第二姿势其中之一的姿势而定位，根据来自控制单元30A的控制讯号作姿势的切换。在微面镜Xij以第一姿势定位的情况下，在微面镜Xij上反射的光被导向成像光学系26。示意地表示的成像光学系26系由二个凸透镜与反射透镜(未图标)构成，通过成像光学系26的光照射于形成有光阻层的曝光面SU的既定区域。

另一方面，微面镜Xij以第二姿势定位的情况下，由微面镜Xij反射的光被导向光吸收板(未图标)，光未照射到曝光面SU上。以下以微面镜Xii在第一姿势支持的状态为ON状态，以第二姿势支持的状态为OFF状态。

成像光学系26的倍率由于在此定为1倍，一个微面镜Xij的照射区域Yij的尺寸(宽、高)与微面镜Xij的尺寸相同。对应于微面镜Xij的副扫瞄方向(Y方向)的高度以h表示，对应于扫瞄方向(X方向)的宽度以l表示，而具有l×h的尺寸的照射区域(以下称微小区域)。微面镜Xij为正方形(h＝l)，又，相对于图案的线宽，微面镜Xij的尺寸非常微小，一片的长度定为数μm～数十μm。

DMD22的尺寸系根据电视机的显示规格而定，对应于DMD22的主扫瞄方向为横方向，对应于副扫瞄方向为纵方向，宽度(横方向长度)及高度(纵方向长度)系分别以「W」、「K」表示，DMD22的长宽比(横纵比W∶K)定为3∶4。

在X-Y台座18停止的状态下，所有的微面镜为ON的状态的情况下，在曝光面SU上，照射出具有既定尺寸的区域EA(以下称此区域为曝光区域)。由于成像光学系26的倍率为1倍，D×R＝K×W(＝(M×h)×(N×l))的关系成立。

在DMD22中，由于微面镜Xij系个别独立控制ON/OFF，照射DMD22全体的光变成由各微面镜选择性地反射的光的光束所构成的光。结果，在曝光面SU上，在曝光区域EA所在的任意区域Ew上，照射对应于形成在该处的所有电路图案的光。根据光栅扫瞄，X-Y台座18以既定的速度移动，随着此移动，曝光区域EA系沿主扫瞄方向(X方向)在曝光面SU上以既定速度移动，电路图案系沿主扫瞄方向(X方向)形成。

X-Y台座18以既定速度移动的期间，使微小区域的照射位置Yij错开，即使其重叠而实行曝光动作。即，在既定的曝光动作时间间隔(曝光周期)中反复而实施使开始投射光的微面镜Xij的ON切换控制，同时排列于X方向上的数字微镜依次在向既定的区域投射光之际，决定曝光动作时间间隔以及扫瞄速度，使依次照射的微小区域的位置部分地重叠(overlap)。于此，对应于微面镜Xij的微小区域Yij的宽度1的区间1在比曝光区域EA移动所需的时间短的时间间隔中实施曝光动作。

藉由如此的曝光动作的时序控制，基板SW以既定的速度做相对性的移动，曝光区域EA每前进距离d(＜1)则反复进行曝光区域的动作。又，在一次的曝光动作中，微面镜被控制使各微面镜ON状态持续的时间比曝光区域EA前进距离d所需的时间短。于此，曝光区域EA前进距离Ld(＜d)的时间中微面镜维持在ON状态，曝光区域EA移动其余的距离的期间，各微面镜维持在OFF状态。

沿着一个扫瞄带SB完成扫瞄后，X-Y台座18在Y方向(副扫瞄方向)移动距离D，而相对移动下一扫瞄带(参照图3)。曝光区域EA往复且扫瞄所有的扫瞄带时，扫瞄处理完毕。在扫瞄处理后，实施显像处理、蚀刻或镀膜、光阻剥离处理等，制造出形成电路图案的基板。

图4为描图系统的方块图。

描图控制部30的控制单元30A包括系统控制电路32、DMD控制电路34、台座位置控制部38、对齐标记检测部40、数据演算部42以及光源控制部44。包含CPU、RAM、ROM等的系统控制电路32控制描图装置10全体，将控制讯号送出至将光从光源21放出的光源控制部44，同时对于DMD控制部34输出供控制曝光时序的控制讯号。DMD控制部34根据预先储存于ROM中的描图处理用程序而控制DMD22。

电路图案资料为向量资料(CAM资料)而从工作站(未图标)输入至控制单元30A的数据输入部41，而记忆在属于暂存性内存的资料缓冲区43中。当图案数据送至数据演算部42时，向量数据对应于光栅扫瞄而转换成光栅资料，而输送至DMD控制部34。向量资料为具有描图图案的位置坐标信息，具有根据X-Y坐标系的位置坐标资料。光栅数据为表示微面镜的ON/OFF其中之一的二进制数据，表示成电路图案的二维位图案。

在DMD控制部34中，光栅资料系配合曝光区域EA的相对位置在既定的时序中依次读出。即，根据读出的二维点阵资料与从位置控制部38送出的曝光区域EA的相对位置信息，将控制微面镜ON/OFF的控制讯号输出至DMD22。台座位置控制部38系控制具备马达(未图标)的X-Y台座驱动机构19，藉此控制X-Y台座18的移动速度等。又，台座位置控制部38系检测相对于曝光区域EA的X-Y台座18的相对性位置。

从CCD13读出的对准孔AM的检测讯号被输送至对准标记检测部40，藉此检测出对准孔AM的位置信息，对准孔AM的位置信息系经由资料缓冲区43输送至资料演算部42。在资料演算部42，根据对准孔AM的位置信息，修正向量资料的位置坐标，根据修正后的向量资料而产生光栅资料。

图5为表示做为基准的描图区域全体与变形后的描图区域的图。图6表示分割做为基准的描图区域全体的分割区域与变形后的描图区域的分割区域的图。第7、8图为表示修正为矩形状的变形分割区域的图。使用第5～8图而说明描图位置的修正程序。

当在基板SW的一个描图区域全体形成对准孔时，沿X-Y坐标系构成平行的矩形Z0(基准矩形)的顶点，而定出四个对准孔H0～H3的位置。于此，矩形Z0系以虚线表示。

当涂布了光阻的基板SW被置于X-Y台座18而进行描图处理时，由于热等原因使基板SW变形，对准孔H0～H3的位置偏移，于此，从X-Y坐标系见到的变形后的对准孔(以下称量测对准孔)以符号「M0～M3」表示，以量测对准孔M0～M3作为顶点所构成的四角形Z(变形矩形)以实线表示。但是，在图5中为了简单地说明，将变形程度夸大而描述，但实际的变形量是微小的。

如图6所示，由于在基板SW上形成复数个描图图案，基准矩形Z0系以2×2的方式平均分割，而定出四个描图区域DV0～DV3(以下称基准分割区域)。成为矩形的基准分割区域的尺寸系相应于描图区域的尺寸，各区域的四个顶点的位置坐标的资料当作向量资料与CAM资料而输入。在图6中，表示出基准分割区域DV0的顶点PD0～PD3。

另一方面，对于基板变形后的变形矩形Z，根据量测对准孔M0～M3的位置坐标，而定出变形后的各基准分割区域。连结变形矩形Z的各边中点的直线而定出四个的描图区域DM0～DM3(以下称变形分割区域)。在图6中，变形描图区域DM0～DM3的位置、形状、尺寸与基准描图区域DV0～DV3不一致。变形描图区域DM0的顶点于此以「PM0～PM3」表示。

在本实施型态中，描图资料的坐标位置在每个基准分割区域被修正。然后，坐标位置的修正量系藉由将坐标位置所属的基准分割区域与对应于该区域的变形分割区域做对比而算出。具体而言，算出相对于基准分割区域的变形分割区域的中心位置的偏移量、相对于基准分割区域的变形分割区域的旋转角以及相对于基准分割区域的变形分割区域的尺寸比，根据个别求出成为对象的描图资料的坐标位置的偏移量、旋转角及尺寸比而修正。

根据该修正，各变形分割区域系修正为配合该位置的变形程度的矩形(长方形)。尺寸比系适用各描图区域的代表性的长度，例如，在各变形描图区域的相向的一对边不平行的情况下，该描图区域的代表性长度系沿变形描图区域而定出。由于各描图区域以计算出的既定的尺寸比做修正，所以当描图位置设定在基准描图区域全体的情况下，变形描图区域修正成矩形。

在图7中，以变形分割区域DM0的相向的一对边MT1、MT2个别的长度的平均值作为沿着变形分割区域距离M0的DT1、DT2(参照图6)的长度(大小)，以与基准分割区域DV0的对应的边DT1(DT2)的长度的比作为尺寸比。同样地，以变形分割区域DM0的相向的一对边MT3、MT4的长度的平均与基准分割区域DV0的对应的边DT3(DT4)的长度比作为尺寸比。然后，根据偏移量、旋转角以及尺寸比将描图位置PP修正为描图位置PP’。若修正基准分割区域DV0内的所有的描图位置，变形分割区域DM0系变换成长方形区域SM0(以中心线表示)内的坐标位置。

如此的描图位置的修正即使对于其它变形分割区域DM1、DM2、DM3内的描图位置也可实施。在图8中，表示变形分割区域DM0～DM3修正成的长方形区域SM0～SM3。

图9为描图处理的流程图。图10为表示基板变形前的基准矩形的图。图11为表示基板变形后的变形矩形的图。

在步骤S101中，来自工作站等的作为描图资料的向量资料被送至描图系统30，而暂时性地储存于资料缓冲区43中。于此，包含向量资料以及分割扫瞄区域的位置资料以及尺寸的信息。具体而言，输入基准分割区域的四个顶点的位置坐标。在步骤S102中，在对准标记检测部40中，检测出所量测的对准孔的位置坐标。然后，在步骤S103中，根据所量测的对准孔的位置坐标，算出变形分割区域的顶点的位置坐标。

在图10中，表示出预设的基准矩形N0的对准孔的位置坐标A0(axo，ayo)、A1(ax1，ay1)、A2(ax2，ay2)、A3(ax3，ay3)，以及藉由将基准矩形分割成2×2而构成定出的基准分割区域中的一个基准分割区域NV0的顶点的四个分割位置坐标B00(bxoo，byoo)、B01(bxo1，byo1)、B02(bxo2，byo2)、B03(bxo3，byo3)。

另一方面，在图11中，表示出变形矩形N的量测的对准孔的位置坐标C0(cxo，cyo)、C1(cx1，cy1)、C2(cx2，cy2)、C3(cx3，cy3)，以及藉由将基准矩形分割成2×2而构成定出的基准分割区域中的一个变形分割区域MV0的顶点的四个分割位置坐标D00(dxoo，dyoo)、D01(dxo1，dyo1)、D02(dxo2，dyo2)、D03(dxo3，dyo3)。

各基准分割区域的位置坐标系预先包含于向量资料中。另一方面，构成各变形分割区域的顶点的四个位置坐标系根据量测到的对准孔的位置坐标C0～C3而求出。构成一个变形分割区域MV0的顶点的四个位置坐标系以下列的式子求得。

dxoo＝cxo (1)

dyoo＝cyo (2)

dxo1＝(cxo+cx1)/2 (3)

dyo1＝(cyo+cy1)/2 (4)

dxo2＝(cxo+cx1+cx2+cx3)/4 (5)

dyo2＝(cyo+cy1+cy2+cy3)/4 (6)

dxo3＝(cxo+cx3)/2 (7)

dyo3＝(cyo+cy3)/2 (8)

实施步骤S103后，进入步骤S104。

在步骤S104中，判断描图资料的位置坐标属于哪个基准分割区域中，根据对于所属于的基准分割区域所算出的尺寸比、偏移量及旋转角，修正描图资料的位置坐标。然后，修正后的描图资料被储存于资料缓冲区43中。

图11所示的变形分割区域MV0的尺寸比系以下列的式子求得。scx表示沿X方向的变形分割区域MV0的长度，表示一对相向的边Q1、Q2的平均。同样地，scy表示沿Y方向的变形分割区域MV0的平均长度。

scx＝S1/S2 (9)

在此

S1＝((J1²+J2²)^1/2+(J3²+J4²)^1/2)/2

S2＝((L1²+L2²)^1/2+(L3²+L4²)^1/2)/2

J1＝(dxo1-dxo2)

J2＝(dyo1-dyo2)

J3＝(dxoo-dxo3)

J4＝(dyoo-dyo3)

L1＝(bxo1-bxo2)

L2＝(byo1-byo2)

L3＝(bxoo-bxo3)

L4＝(byoo-byo3)

scy＝SS1/SS2 (10)

在此

SS1＝((JJ1²+JJ2²)^1/2+(JJ3²+JJ4²)^1/2)/2

SS2＝((LL1²+LL2²)^1/2+(LL3²+LL4²)^1/2)/2

JJ1＝(dxo1-dxoo)

JJ2＝(dyo1-dyoo)

JJ3＝(dxo2-dxo3)

JJ4＝(dyo2-dyo3)

LL1＝(bxo1-bxoo)

LL2＝(byo1-byoo)

LL3＝(bxo2-bxo3)

LL4＝(byo2-byo3)

接着，偏差量系以下列的式子求得。但是，offx，offy系表示变形分割区域MV0的中心位置的偏差量。

offx＝A1/4-A2/4 (11)

在此

A1＝dxoo+dxo1+dxo2+dxo3

A2＝bxoo+bxo1+bxo2+bxo3

offy＝AA1/4-AA2/4 (12)

在此

AA1＝dyoo+dyo1+dyo2+dyo3

AA2＝byoo+byo1+byo2+byo3

然后，旋转角系以下列的式子求得。在此th表示旋转角。

th＝arctan(W1/W2)-arctan(WW1/WW2)(13)

在此

W1＝B1+B2+B3+B4

B1＝dxoo-dxo1

B2＝dyo1-dyo2

B3＝dxo3-dxo2

B4＝dyoo-dyo3

W2＝C1+C2+C3+C4

C1＝dyo1-dyoo

C2＝dxo1-dxo2

C3＝dyo2-dyo3

C4＝dxoo-dxo3

WW1＝BB1+BB2+BB3+BB4

BB1＝bxoo-dxo1

BB2＝byo1-byo2

BB3＝bxo3-bxo2

BB4＝byoo-byo3

WW2＝CC1+CC2+CC3+CC4

CC1＝byo1-byoo

CC2＝bxo1-bxo2

CC3＝byo2-byo3

CC4＝bxoo-bxo3

关于向量资料的修正处理，首先，对于具有起点与终点的坐标信息的向量资料，起点坐标仅修正偏移量offx，offy。接着，以修正后的起点做为基准，使在X、Y轴方向的至新的终点长度为原来的长度分别乘上尺寸比scx、scy的长度，而暂时求得新的终点的坐标。然后，以暂时的起点、终点构成的修正后的向量资料相对于原来的向量资料仅旋转旋转角th，而求得最终的终点。

如此的描图数据的位置修正系对各描图数据实施。然后，在步骤S105中，根据修正后的向量资料产生光栅资料，根据光栅数据控制DMD22ON/OFF。

根据以上的实施型态，根据藉由将预设的基准矩形Z0做2×2的分割而定出的基准分割区域DV0～DV3，以及由所量测的四个对准孔M0～M3所定出的变形矩形Z做2×2的分割而定出的变形分割区域DM0～DM3，算出各分割区域的偏移量、旋转角、尺寸比。然后，属于该基准分割区域的描图资料根据偏移量、旋转角及尺寸比而修正，实施修正而将变形分割区域修正成矩形。分割由四个对准孔构成的描图区域，由于在各描图区域进行修正处理，根据每个分割部分所分散的误差量而修正描图位置，进行精度佳的修正。又，由于在维持矩形的状态下修正描图位置，也可使用于阶层性使图案重复的基板制造工程。

接着，针对第二实施型态做说明。在第二实施型态中，从基板整体的变形程度算出尺寸比，使各描图图案的尺寸相同。除此以外的构造与第一实施型态实质上是相同的。

图12表示在尺寸比为一定时的变形分割区域的修正。

对于预设于基板SW的基准矩形Z’0，量测藉由基板变形而构成变形矩形Z的顶点的四个量测对准孔M’0～M’3的位置坐标。然后，将变形矩形Z’分割成四个而定出变形分割区域(未图标)，根据将基准矩形Z’0分割成四个的基准分割区域(未图标)，算出描图位置的偏移量、旋转角及尺寸比。

针对偏移量、旋转角，与第一实施型态相同，算出关于各变形分割区域的中心位置的偏移量、旋转角。另一方面，针对尺寸比，不个别求出四个分割区域的尺寸比，而是算出相对于基准矩形Z’0的变形矩形Z的尺寸比。具体而言，从基准矩形Z’0的四个顶点H0～H3与所量测的对准孔M0～M3的位置坐标求得。由此，形成矩形状的四个分割区域SM’0～SM’3。由于对各分割区域使用相同的尺寸比，可阶层性地形成相同尺寸的描图图案。

根据向量资料以外的描图资料而做修正亦可。又，可适用于DMD以外的所谓的LCD的光调变组件。甚至也可适用于以AOM等的光调变组件扫瞄激光束的描图装置。又，关于将分割区域修正成矩形状的处理，亦可藉由尺寸比、偏移量及旋转角以外的参数等实施。

Claims

1.一种描图系统，该描图系统包括：

光源；

至少一光调变组件，其对于被描图体，根据具有基于所规定的坐标系的位置坐标的描图资料，而调变来自上述光源的照明光；

量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；

修正装置，其根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的矩形状复数个变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料；以及

描图处理装置，其控制上述光调变组件，根据修正描图资料形成描图图案，其中上述修正装置修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

2.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述修正装置，以各变形分割区域的四个顶点假定为四个变形分割用指针，同时以上述基准分割矩形的四个顶点假定为四个基准分割用指针，根据上述四个变形分割用指针与上述四个基准分割用指针，修正描图资料的位置坐标。

3.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述修正装置算出作为上述变形量的上述中心位置的偏移量、旋转量、尺寸比至少其中之一，而修正描图资料的位置坐标。

4.如权利要求3所述的描图系统，其中，上述尺寸比为上述变形分割区域的相向的一对边的长度的平均与对应的基准分割区域的一对边的长度的比。

5.如权利要求3所述的描图系统，其中，上述修正装置系根据对应于上述基准分割区域的上述变形分割区域的中心位置的偏移量、对应于上述基准分割区域的上述变形分割区域的旋转角以及对应于上述基准分割区域的上述变形分割区域的尺寸比，而修正描图资料的位置坐标。

6.如权利要求3所述的描图系统，其中，上述修正装置系根据对应于上述基准分割区域的上述变形分割区域的中心位置的偏移量、对应于上述基准分割区域的上述变形分割区域的旋转角以及对应于上述基准矩形的上述变形矩形的尺寸比，而修正描图资料的位置坐标。

7.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述光调变组件系由二维规则性排列的复数个光调变组件所构成。

8.如权利要求1所述的描图系统，其中，上述描图资料为向量资料。

9.一种描图资料修正装置，该描图资料修正装置包括：

量测装置，其在被描图体变形的状态下，可量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；以及

修正装置，其根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的复数个变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料，

其中，上述修正装置修正描图图案的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以各基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

10.一种程序，该程序包括下列功能：

使量测装置产生作用，在被描图体变形的状态下，可量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；

使修正装置产生作用，根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的复数个矩形状变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料；以及

使上述修正装置产生作用而修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

11.一种描图资料修正方法，描图资料修正方法包括下列步骤：

在被描图体变形的状态下，量测在上述被描图体上预设的构成基准矩形的顶点的四个量测用指针的位置；

根据藉由分割上述基准矩形而定出的复数个基准分割区域以及藉由分割以所量测的上述四个量测用指针做为顶点的变形矩形而定出的复数个矩形状变形分割区域，在各基准分割区域中，修正描图资料的位置坐标而产生修正描图资料；以及

修正描图资料的位置坐标，使得根据对应于各变形分割区域的以基准分割区域为准的变形量修正矩形区域。

12.一种基板的制造方法，该制造方法包括下列步骤：

1)在空白的基板上涂布感光材料；

2)对于涂布后的基板进行描图处理；

3)对于描图处理后的基板进行显像处理；

4)对于显像处理后的基板进行蚀刻或镀膜处理；以及

5)对于蚀刻或镀膜处理后的基板进行感光材料的剥离处理，

其中，在描图处理中，藉由申请专利范围第11项所述之描图资料修正方法修正描图资料。