JP7491778B2 - 走査型縮小投影光学系及びこれを用いたレーザ加工装置 - Google Patents
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Description
Pi×(n-1)+Ma+St ≦ DP < Pi×(n+1)-Ma-St
この範囲を超える所定サイズの場合、意図しない隣接する開口(の一部)を通過した前記の閾値を超えたエネルギーを持つレーザ光が、同じく意図しない照射対象物に縮小投影され、反応を誘起してしまう可能性がある。開口の形状が正方形でない場合や、n×m個の一括照射における所定サイズ(DP)の範囲は設計事項である。
本実施例1においては、アレイマスクとして、0.75[mm]角の開口がマトリックス状に配列されているものを用いた。その概念図を図8Aに示す。この概念図においては、レンズアレイとの相対する様子を表すために、フライアイ型のレンズアレイ(1)の直前に配置されたアレイマスク(10)とその開口(101)の位置関係を概念図にて示している。本実施例において用いたアレイマスクの様子は図8Bに示す。
レーザ光は、スキャニングミラー(4)により走査され、そのフォトマスク(6)上の選択された1つの開口(61)に向けて伝搬され、所定サイズの照射エリアで結像する。図10Aはそのビームプロファイル画像である。この所定サイズは、選択されていない隣接するフォトマスク上の開口を介して意図していない照射対象物に照射されると反応が誘起されてしまう閾値以上を持つエネルギー分布の境界(外周・外縁)であり、本実施例においては概ね1[mm](FWHM)である。なお、図10Bは、アレイマスク(10)の開口形状が円形のものを用いた場合の、同じくフォトマスク(6)上のビームプロファイルである。
(1)検査工程
ドナー基板上及びレセプター基板上に実装されている微小素子の位置情報として、設計上の位置情報と画像処理から得た現実の実装位置を取得する。具体的な座標は、微小素子の形状から得られる重心位置とし、座標原点は基板のオリフラの位置を参照して決定した。ここでは、ドナー基板上の位置情報を「位置情報D」、レセプター基板上の位置情報を「位置情報R」とした。
6インチのドナー基板上の領域を実施例1と同様27の分割エリア(「分割エリアD」)に区分する。図14に示すとおり各エリアは、33×11[mm]であり、各分割エリアは便宜上A1~A9、B1~B9、C1~C9として図中に示す。レセプター基板も同様に27の「分割エリアR」として区分し、リフトは対向させる分割エリア間で行われる。
この許容範囲は、図15に示すように、分割エリアD(一点鎖線)の左上端を位置合わせの基準とする場合、フォトマスク上(6)の開口(61)を通過したレーザ光がドナー基板上の40[μm]角の微小素子上で結像するサイズである50[μm]角(図中の破線)が、累積誤差量が最大となる右端の位置にある微小素子(実線)の全面を照射できる限界を基に、任意に設定したものである。なお、図中の二点鎖線の40[μm]角は設計上のドナー基板上の微小素子の実装位置であり、破線の結像サイズに対し、中央に位置している。本実施例においては、分割エリアD内に実装されているいずれの微小素子も、そこでの設計上の位置に対し、累積誤差量が前記許容範囲内(659×0.0075≒4.94)にあるので、この分割工程において、縮小された「修正分割エリアD」を設定する必要はない。
分割エリアDに対向する同サイズの分割エリアRに対し、その分割エリアRに実装されている9075個の微小素子の約1%にあたる無素子箇所(約91ヶ所の不良位置情報R)に向け、分割エリアD内に配列されている微小素子の中のうち、これと対向する位置にある微小素子を、選択的に、1対1にてリフトする。
(3-1) 不良位置情報Dと不良位置情報Rを基板単位にて照合し、無素子箇所(Mr)と不良素子位置(Md)が重複している位置を事前確認する。ここでの確認すべき重複の有無は、図中に示されたドナー基板のX軸方向に並ぶβ列群と、同じくY軸方向に並ぶα列群が交差する位置(計245025ヶ所/基板)における基板単位(27エリア全て)の重複を意味する。なお、他のα’、α’’、α’’’、β’、β’’及びβ’’’列群は、16倍の密度にて実装されているドナー基板上の他の微小素子の配列位置を表す。(図中、α列群は左から3列のみ矢印で図示、β列群は上から2列のみ矢印で図示。他の「’」列群も同様に限定的に矢印にて図示している。)
上述(3-1)又は(3-2)の場合において、再転写に用いられるドナー基板上の微小素子の位置が選択されたあと、1枚目又は2枚目以降のレセプター基板の修正を前述の分割エリアA1から再転写を開始する。スキャニングミラー(4)によりフォトマスク(6)と縮小投影レンズ(8)を介して、レーザ光の光軸をドナー基板上のβの列に沿って走査する。このエリア内にて、選択された位置に、光軸が走査されたタイミングにて発振するエキシマレーザ光により、ドナー基板上の選択された位置に実装されている微小素子は、レセプター基板上の対向する無素子箇所(Mr)に向けてリフトされる。
ドナー基板のエリアA1内の選択された位置にある微小素子によるレセプター基板のエリアA1への修正が終了後、次のエリアA2に対しても同様に修正を行う。エリアの移動は、各基板を保持するステージの移動により任意の順番(例えば、A1~A9→B1~B9→C1~C9)にて全てのエリアにおける修正を行う。なお、各分割エリアの移動時のステージ移動量については、前述の累積誤差量(約+4.95[μm])を相殺するように設定する。修正の必要な全分割エリアへの修正完了後は、このレセプター基板を次に修正するレセプター基板に交換する。
10 アレイマスク
101 開口(アレイマスク上)
2 第2レンズアレイ
3 コンデンサーレンズ
4 スキャニングミラー
5 フィールドレンズ
6 フォトマスク
61 開口(フォトマスク上)
62 フォトマスクの遮蔽部
7 絞り(入射瞳)
8 縮小投影レンズ(像側テレセントリック)
91 ドナー基板
92 レセプター基板
BP ビームプロファイラー
CCD 高倍率カメラ
DP フォトマスク上におけるレーザ光の照射エリア(所定サイズ)
Ed ドナー基板上の微小素子の位置
Er レセプター基板上の微小素子の位置
G、G11、G12、G2 (基礎、第1(柱)、第1(梁)、第2)定盤
La レーザ光
Ma フォトマスク上の開口のサイズ
Md ドナー基板上の不良素子位置
Mr レセプター基板上の無素子箇所
Pi フォトマスク上に配列された開口のピッチ
St フォトマスク上におけるスキャナーの精度
Xd、Xr (ドナー、レセプター基板用)X軸ステージ
Yd、Yr (ドナー、レセプター基板用)Y軸ステージ
Zd、Zr (ドナー、レセプター基板用)Z軸ステージ
α、β (Y軸、X軸に沿って)ドナー基板上に配列される微小素子の列群
δPi 基板上に実装された素子のピッチの誤差
θd、θr (ドナー、レセプター基板用)θ軸回転ステージ
Claims (18)
- 基板上に位置する照射対象物に向けてマルチモードパルスレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置において用いる光学系であって、
レンズアレイ型のズームホモジナイザー、スキャニングミラー、フォトマスク、及び、すくなくとも像側がテレセントリックである投影レンズ系を有し、
当該フォトマスクには、所定のピッチにて所定の形状の開口が複数配列され、
前記ズームホモジナイザーは、第1レンズアレイ及び第2レンズアレイ、並びにコンデンサーレンズを含む構成からなり、前記フォトマスク上の一の開口又は二以上の隣接する開口群をカバーする所定サイズの照射エリアを当該フォトマスク上に結像し、当該照射エリアの位置及びサイズ並びに当該照射エリア内のエネルギー強度分布の変動を補償し、
当該所定サイズは、前記一の開口又は二以上の隣接する開口群に隣接する他のいずれの開口にも当該照射エリアが及ばないサイズであり、
前記スキャニングミラーは、1軸以上の駆動軸制御装置により走査される、
走査型縮小投影光学系。 - 前記投影レンズ系は、フィールドレンズと縮小投影レンズを含み、
当該フィールドレンズは、前記コンデンサーレンズと前記フォトマスクの間に位置する、請求項1に記載の走査型縮小投影光学系。 - 前記スキャニングミラーは2軸のガルバノスキャナーで構成されている、請求項1又は2に記載の走査型縮小投影光学系。
- 第1レンズアレイを構成する各レンズエレメントのサイズより小さいサイズを持つ開口が当該各レンズエレメントに対向して配列されている開口群からなるアレイマスクを、第1レンズアレイの直前又は第1レンズアレイと第2レンズアレイとの間に配置した請求項1乃至3のいずれかに記載の走査型縮小投影光学系。
- 前記アレイマスクは、その基材の面内において、サイズ若しくは形状又は開口の数の異なる開口群を切り替えて使用することを可能とする複数の種類の開口群が配列されている、請求項4に記載の走査型縮小投影光学系。
- 前記アレイマスクは、光軸周りの微小な回転調整を可能とするθ軸を含むマウントに設置されている、請求項4又は5に記載の走査型縮小投影光学系。
- 前記マルチモードパルスレーザ光はエキシマレーザ光である請求項1乃至6のいずれかに記載の走査型縮小投影光学系。
- 基板上に位置する照射対象物に向けてマルチモードパルスレーザ光を照射し、反応を誘起させることを利用したレーザ加工装置であって、
前記マルチモードパルスレーザ光を発振するレーザ装置と、
請求項1乃至6のいずれかに記載の走査型縮小投影光学系と、
前記基板を保持する、少なくともX軸とY軸の駆動軸を有するステージと、
を含むレーザ加工装置。 - 前記基板はその表面に前記照射対象物が位置するドナー基板であり、
当該照射対象物に向けて当該ドナー基板の裏面から前記パルスレーザ光を照射することにより当該照射対象物を選択的に剥離又は分離し、当該ドナー基板と対向するレセプター基板上にリフトするための実装用若しくは再転写用、又はこれら兼用のリフト装置であって、
前記ステージは、当該ドナー基板をその裏面が前記パルスレーザ光の入射側となる向きにて保持するドナーステージであり、
さらに、前記レセプター基板を保持する、X軸、Y軸、鉛直方向のZ軸、及びX-Y平面内にθ軸を有するレセプターステージを有し、
前記走査型縮小投影光学系と前記ドナーステージは第1定盤に設置され、
前記レセプターステージは第2定盤又は基礎定盤に設置され、
第1定盤と第2定盤は、それぞれが独立して基礎定盤上に設置されている構造
である、請求項8に記載のリフト装置。 - 前記スキャニングミラーの制御装置は、あらかじめ取得した前記ドナー基板上の照射対象物の位置情報、及び前記レセプター基板上へのリフト予定位置の情報に基づき選択された、前記フォトマスク上の開口に向け光軸を走査するスキャニングミラーの制御とパルスレーザ光の照射を制御する機能を含む、請求項9に記載のリフト装置。
- 前記ドナーステージは、二以上のドナー基板を保持し、これらを切り替えて使用する、請求項9又は10に記載のリフト装置。
- 前記ドナーステージは、第1定盤の下面に吊設された、請求項9乃至11のいずれかに記載のリフト装置。
- 前記レーザ装置はエキシマレーザ装置であることを特徴とする、請求項8に記載のレーザ加工装置、又は請求項9乃至12のいずれかに記載のリフト装置。
- 請求項9乃至13のいずれかに記載のリフト装置を用いて、ドナー基板上の照射対象物を対向するレセプター基板上にリフトする方法であって、
ドナー基板上の照射対象物の位置情報D、及びレセプター基板上への照射対象物のリフト予定位置である位置情報Rを取得する検査工程と、
ドナー基板上の領域を、所定のサイズの分割エリアDに区分する分割工程と、
位置情報D及び位置情報Rに基づき、分割エリアD内のリフトすべき照射対象物の位置を選択する選択工程と、
当該選択された照射対象物の位置に相対するフォトマスク上の開口を通過し照射されるレーザ光により、分割エリアD内の当該選択された照射対象物を対向する分割エリアRにリフトする転写工程と、
当該転写工程後、ドナー基板及び/又はレセプター基板を移動する移動工程と、
を含み、以降、前記転写工程と当該移動工程とを繰り返し、レセプター基板の全領域又は一部領域を対象に実装又は再転写を行うリフト方法。 - ドナー基板上の照射対象物の設計上の実装ピッチは、レセプター基板上に実装される照射対象物の設計上の実装ピッチに対し、1以上の整数分の1倍である、請求項14に記載のリフト方法。
- 位置情報Dから算出される照射対象物の現実の実装ピッチと、位置情報Rから算出される設計上の実装ピッチRとの間において誤差がある場合において、
前記移動工程における各基板の移動量は、分割エリアDに内包される照射対象物の数に応じた累積誤差量を相殺する移動量である請求項15に記載のリフト方法。 - 前記累積誤差量が、ドナー基板上の隣接する照射対象物間の間隔を上限とする任意の許容範囲を超える場合であって、
前記分割工程は、前記分割エリアDのサイズを縮小し、修正分割エリアDとする分割工程であり、
前記移動工程における各基板の移動量は、当該修正分割エリアD内において累積する誤差量を相殺する移動量である請求項16に記載のリフト方法。 - 位置情報D、位置情報R、前記分割エリアDのサイズ、及び前記許容範囲をパラメータとしたシミュレーションプログラムにより、レセプター基板全域の実装又は再転写に要する時間が最短となるよう前記修正分割エリアDのサイズ、各ステージの移動量の組み合わせ、及び各工程の実施順を決定して行う、請求項17に記載のリフト方法。
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