TW202314389A - 掃描型縮小投影光學系統、雷射加工裝置、雷射誘導正向轉移裝置、雷射加工方法、雷射誘導正向轉移方法、封裝有照射對象物的基板的製造方法、封裝有微小元件的基板的製造方法、不良部位的去除方法以及再轉印方法 - Google Patents

Abstract

本發明中，藉由掃描型縮小投影光學系統將施體基板上的微小元件以高的位置精度向相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，所述掃描型縮小投影光學系統將橫多模的脈波雷射光經由透鏡陣列型的縮放勻光器、陣列遮罩10、掃描鏡4、光罩6、遠心投影透鏡8於施體基板上以微小區的尺寸成像。作為其實施步驟，包含用以獲取位置資訊的檢查、雷射誘導正向轉移區分割、照射位置選擇、轉印、平台移動的各步驟。藉此，能以低成本提供掃描型縮小投影光學系統、及搭載有其的封裝用或再轉印用的雷射誘導正向轉移裝置等，而且亦可提供其實施方法，所述掃描型縮小投影光學系統不使用大口徑的昂貴的fθ透鏡或遠心縮小投影透鏡，可彌補掃描儀的精度不足，並且將具有均勻且無變動的能量分佈的微小的照射區以廣範圍高精度且高速地掃描。

Description

掃描型縮小投影光學系統及使用其的雷射加工裝置

本發明是有關於一種掃描型縮小投影光學系統及使用其的雷射加工裝置。

作為顯示器等的製造步驟中所用的技術，有下述技術，即：將於施體基板上矩陣狀地配置有多數個的微發光二極體（Light Emitting Diode，LED）等微小元件轉印至受體基板。另外，有將塗佈於施體基板上的導電性、黏著性等的各種功能性膜或材料膜、有機電致發光（Electroluminescence，EL）膜等向受體基板轉印的技術。例如，為雷射誘導正向轉移（Laser Induced Forward Transfer，LIFT）技術、壓印（stamp）技術、輥轉印技術等各種技術。然而，任一技術均難以兼顧所述步驟所要求的高速處理與高的位置精度，雖為高速但產生轉印遺漏或位置偏移等。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2020-4478號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-41500號公報

[發明所欲解決之課題]

因此，申請人開發出了高速且高精度的雷射誘導正向轉移裝置（Laser-induced forward transfer device，LIFT device）（專利文獻1）。然而，對於該雷射誘導正向轉移裝置中所用的藉由使用所述壓印技術或輥轉印技術的轉印裝置所轉印並封裝的施體基板或受體基板上的微小元件等而言，有時存在亦高達1%的不良。因此，對於對該不良部位再轉印微小元件等的技術或使用其的裝置，亦要求兼顧高精度化與高速化兩者。

另外，此種技術不僅可用於從施體基板向受體基板的再轉印，而且亦可用於將位於基板上的不良的微小元件等照射對象物或多餘材料的部分去除，除了藉由轉印微小元件等而進行的封裝步驟以外，亦期待用於不良的去除步驟。

另一方面，與專利文獻1不同，有利用步進重覆（step and repeat）方式的高精度的轉印技術。例如，於對修正對象基板上的不良的微小元件等預先經去除後的無元件部位再次再轉印微小元件等的技術中，使用將透鏡陣列（lens array）組合而成的射束勻光器（beam homogenizer）將準分子雷射光整形為具有均勻能量分佈的雷射光，使用光罩（photo mask）及縮小投影透鏡將該雷射光向位於（再轉印用的）施體基板上的微小元件等進行縮小投影，將該微小元件等向修正對象基板上進行雷射誘導正向轉移。該技術可藉由具有高的位置精度的平台將施體基板上的微小元件等準確地向修正對象基板上進行雷射誘導正向轉移（再轉印），但每一個微小元件的處理時間需要1秒～2秒左右，因此作為有可能產生高達1%的大量不良部位的顯示器等的製造步驟中所用的再轉印裝置，即便參照其生產效率亦不可謂實用。

再者，作為可實現高速化的技術，下述技術已眾所周知，即：藉由將電流掃描儀（galvano scanner）與fθ透鏡組合而成的光學系統，高速掃描雷射光並照射於照射對象物，根據該技術，只要由所述掃描儀所得的位置精度容許，則可將不良的微小元件等高速自修正對象基板去除，但於此後的要求高的位置精度的再轉印中，因精度的極限而有困難。

因此，為了消除由所述掃描儀所得的位置精度的問題，可構建下述高速且位置精度高的掃描型縮小投影光學系統，即：將所掃描的雷射光經由fθ透鏡等向排列於光罩上的開口部選擇性地照射，將所述雷射光縮小投影至位於基板上的規定的照射對象物，由此降低了對掃描儀的掃描精度的依存度。專利文獻2中例示了下述光學系統的例子，即：利用電流鏡（galvano mirror）來掃描Nd:YAG雷射的射束，經由fθ透鏡及光罩進行縮小投影，藉此補償由低的掃描精度引起的施體基板上的照射區的位置偏移。

然而，由於各基板的大型化或進一步的高速處理，需要增大施體基板上的照射區，於短時間將所掃描的雷射光縮小投影至大量的照射對象物。即，需要增大光罩上的可掃描的照射區。此時，需要增大專利文獻2中所用的fθ透鏡或縮小投影透鏡的口徑，且採取遠心（telecentric）的設計而耗費高成本。

進而，為了應對微小元件等照射對象物的極小化或高密度化，補償掃描儀的精度極限自不待言，於施體基板上還需要強度分佈穩定且均勻的極小照射區尺寸的雷射光，以不與鄰接的照射對象物發生干擾。此外，亦期待實現搭載有此種光學系統的代替專利文獻1所記載的裝置的雷射誘導正向轉移裝置或再轉印裝置、不良去除裝置。

因此，本發明的目的在於，以低成本提供一種掃描型縮小投影光學系統、及搭載有該掃描型縮小投影光學系統的封裝用或再轉印用的雷射誘導正向轉移裝置等，進而提供使用該些的其實施方法，所述掃描型縮小投影光學系統不使用大口徑的昂貴的fθ透鏡或遠心縮小投影透鏡，可彌補掃描儀的精度不足，並且將具有均勻且無變動的能量分佈的微小的照射區以廣範圍高精度且高速地掃描。 [解決課題之手段]

第一發明為一種掃描型縮小投影光學系統，可用於雷射加工裝置中，該雷射加工裝置利用下述原理：向於基板上排列有多個的迷你LED或微LED等微小元件、或者藉由塗佈或印刷等而附著於基板上的材料膜或功能性膜等照射對象物照射多模的脈波雷射光，對照射對象物直接誘發反應或者經由位於基板與照射對象物之間的物質誘發反應，並且所述掃描型縮小投影光學系統具有透鏡陣列型的縮放勻光器（zoom homogenizer）、由一軸以上的驅動軸控制裝置掃描的掃描鏡、光罩、及至少像側為遠心的投影透鏡系統作為其構成光學元件，於所述光罩以規定的間距排列有多個進行縮小投影的規定形狀的開口。

進而，所述勻光器為包含第一透鏡陣列及第二透鏡陣列、以及聚光透鏡，且由第二透鏡陣列及聚光透鏡構成無限遠補正光學系統的縮放勻光器，將覆蓋所述光罩上的一個以上的鄰接的開口群的規定尺寸的照射區於所述光罩上成像，尤其補償該照射區的位置及尺寸以及該照射區內的能量強度分佈的變動。

例如，已知振盪狀態的變動會引起雷射光的射束指向穩定性（beam pointing stability）或射束尺寸、進而射束剖面的強度分佈發生變動，所謂「補償變動」是指藉由所述縮放勻光器而於在光罩上成像的照射區內避免所述影響的狀態。作為其結果，可於經光罩投影的施體基板上獲得具有極其高均勻的能量分佈的微小區的成像。

所述規定尺寸為該照射區不到達與所述開口群的周邊鄰接的其他任一開口的尺寸。即，為下述尺寸：於考慮到由掃描鏡的掃描精度所得的光罩上的照射位置精度後，若假設雷射光通過其鄰接的開口照射於基板上的（不意欲照射的）照射對象物，則誘發反應的臨限值以上的能量分佈的邊界（外緣）亦不到達（不波及）與所述照射區內含的開口群鄰接的任一開口。作為例子，於圖1中，由一點鏈線包圍的照射區（DP）例示將包含四個開口（61）的開口群覆蓋的照射區的可容許的最大尺寸，由點線包圍的小的照射區例示覆蓋一個開口的照射區的最小尺寸。圖中，任一照射區的例子均為了表現掃描儀的位置精度所致的偏移而進行雙重圖示。

例如，於如所述圖1所示般開口（正方形）於光罩（6）上排列成矩陣狀的情形時，其中若將各開口的一邊設為Ma、間距設為Pi、由掃描儀所得的光罩上的掃描位置精度設為St，則一攬照射n×n個（n≧1）的照射區（正方形）的規定尺寸的一邊（DP）處於下式的範圍。 Pi×（n－1）＋Ma＋St≦DP＜Pi×（n＋1）－Ma－St 於超過該範圍的規定尺寸的情形時，有可能通過非意欲的鄰接的開口（的一部分）的具有超過所述臨限值的能量的雷射光縮小投影於同樣非意欲的照射對象物，誘發反應。開口的形狀並非正方形的情形、或n×m個的一攬照射的規定尺寸（DP）的範圍為設計事項。

於將具有排列成矩陣狀的開口的光罩用於一攬照射的情形時，若將縮小投影透鏡的縮小倍率設為1/c，則光罩上的開口的間距（Pi）固定於計劃向受體基板上進行雷射誘導正向轉移的照射對象物的間距的c倍。

再者，視縮小投影透鏡的規格不同，開口的個數可選擇如圖2般排列成一列的情況至如所述圖1般排列成矩陣狀的情況的各種設計。該些亦依存於掃描鏡的可掃描範圍。

構成所述第一透鏡陣列及第二透鏡陣列的透鏡元件不限定於複眼（fly eye）型，亦可為圓筒型、球面型。因此，亦有時包含各透鏡陣列正交的透鏡元件的組合。進而，亦有時為追加了第三透鏡陣列的縮放勻光器。

第二發明為第一發明的掃描型縮小投影光學系統，其中，所述投影透鏡系統包含下述結構，即：含有配置於所述聚光透鏡與光罩之間的像場透鏡、及至少像側為遠心的縮小投影透鏡。

此處，像場透鏡的規格是基於縮放勻光器、聚光透鏡（3）及遠心透鏡的規格而決定，本發明中，其較佳位置為如圖3所示的緊鄰光罩（6）之前。該像場透鏡（5）的焦點距離是以來自縮放勻光器的雷射光（相當於第二透鏡陣列（2）的透鏡單元數的個數的聚光點）可通過放置於像側遠心縮小投影透鏡（8）的入射瞳位置的光闌（7）的曲率設計。

第三發明為第一發明或第二發明的掃描型縮小投影光學系統，其中所述掃描鏡（4）包含雙軸的電流掃描儀。藉此，可向於光罩（6）上排列有多列的開口掃描雷射光的照射區。關於掃描鏡的控制裝置，為利用專用的控制器來進行控制的情形或利用專用的電路板（board）與個人電腦（Personal Computer，PC）的組合來進行控制的情形等各種。均亦可用於脈波雷射光的振盪時機的控制。

第四發明為第一發明至第三發明中任一發明的掃描型縮小投影光學系統，其使用在緊鄰第一透鏡陣列之前或者於第一透鏡陣列與第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩的縮放勻光器，所述陣列遮罩包含將開口與該各透鏡元件相向地排列的開口群，所述開口具有較構成第一透鏡陣列的各透鏡元件的尺寸更小的尺寸。藉此，可於縮小投影有光罩上的開口形狀的施體基板上，去掉透鏡元件間的雜散光所致的虛像，並且可獲得具有穩定且高均勻的能量分佈的極微小的成像。另外，與透鏡元件形狀無關，可獲得與光罩的開口形狀或排列一致的任意形狀的微小成像。

於透鏡元件為圓筒型的情形時，亦可將細長開口的陣列遮罩組合使用。再者，陣列遮罩的位置為於位於緊鄰第一透鏡陣列之前或之後或者第一透鏡陣列與第二透鏡陣列間的範圍內，利用射束輪廓儀（beam profiler）等來確認並且決定光罩上的照射區的設計事項。再者，透鏡元件的個數與陣列遮罩的開口群的個數亦可不一致。例如，可藉由減少陣列遮罩的外周部的開口數從而調整光學系統的數值孔徑（Numerical Apeture，NA）。

作為所述規定尺寸的一例，若將複眼型的第一透鏡陣列的元件尺寸、或配置於緊鄰第一透鏡陣列之前的所述陣列遮罩的開口的尺寸設為dA，第一透鏡陣列的焦點距離設為f1，第二透鏡陣列的焦點距離設為f2，該些第一透鏡陣列及第二透鏡陣列間的距離設為a（此處為a＝f2），另外，將所述聚光透鏡的焦點距離設為fC，構成所述投影透鏡系統的像場透鏡的焦點距離設為fF，該些的透鏡間隔設為b，則於所述光罩上成像的照射區的所述規定尺寸（DP）是由下式表示。

[數1]

然而，該結構中，產生第一透鏡陣列的像差的影響或陣列遮罩所致的繞射而不可謂合適。因此，將第一透鏡陣列向光源側移動，將陣列遮罩放置於第二透鏡陣列的光源側焦點位置附近，由此避免該些問題。進而，亦可提高藉由陣列遮罩切出的脈波雷射光的利用效率。

第五發明為第四發明的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩於其基材的面內，排列多種開口群，所述多種開口群有可將尺寸或形狀或者開口的個數不同的開口群而切換使用。

於陣列遮罩的開口的個數少於第一透鏡陣列的各透鏡元件的個數的情形時，成為具有異形照明的功能的陣列遮罩。將該異形照明用的開口群、及與透鏡陣列的透鏡元件為相同個數的相向的開口群排列於一片基材的陣列遮罩的例子示於圖4。

第六發明為第四發明或第五發明的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩設置於可繞光軸進行微小的旋轉調整包含θ軸的底座。

來自第二透鏡陣列的各透鏡元件的出射光藉由聚光透鏡而於光罩上重合，由此可獲得均勻性高的成像。此處，於陣列遮罩與第二透鏡陣列的相對位置關係方面，垂直於光軸的面內的位置偏移不影響均勻性。然而，若於繞光軸的旋轉方向（θ）偏移，則成像的輪廓模糊，成為多重成像。將其狀況示於圖5（此處使用具有圓形的開口形狀的陣列遮罩）。成像越小，則此種旋轉方向的偏移的影響越變大。

第七發明為第一發明至第六發明中的任一發明的掃描型縮小投影光學系統，其中各種光學元件對應於準分子雷射的振盪波長。

第八發明為一種雷射加工裝置，利用下述原理：向位於基板上的照射對象物照射多模脈波雷射光而誘發反應，且所述雷射加工裝置為下述結構：藉由第一發明至第六發明中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，將自雷射裝置振盪的多模脈波雷射光縮小投影於至少具有X軸及Y軸的驅動軸的平台所保持的基板上。

此處，關於位於基板上的照射對象物，為上文所述的不良的微小元件、或電路基板上的功能性膜的無用部分等各種。另外，此處誘發的「反應」中，包含機械反應、光學反應、電氣反應、磁氣反應及熱反應，但不限定於該些。

第九發明為第八發明的雷射加工裝置，其中所述基板為所述照射對象物位於其表面的施體基板，所述雷射加工裝置為封裝用或再轉印用、或者該些兼用，用於向所述照射對象物自施體基板的背面照射脈波雷射光，藉此將照射對象物選擇性地剝離或分離，向與施體基板相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，更具體而言，所述雷射加工裝置為雷射誘導正向轉移裝置。

另外，所述雷射加工裝置的特徵在於為下述結構，即：所述平台為將施體基板以其背面成為所述脈波雷射光的入射側的朝向加以保持的施體平台，所述雷射加工裝置更具有：受體平台，保持所述受體基板，具有X軸、Y軸、鉛垂方向的Z軸、以及於X-Y平面內旋轉的θ軸，所述掃描型縮小投影光學系統及所述施體平台設置於第一定盤，受體平台設置於第二定盤或基礎定盤，進而，第一定盤與第二定盤分別獨立地設置於基礎定盤上。

此處，所謂將照射對象物選擇性地剝離或分離，於照射對象物為微小元件的情形時，意指將該微小元件自身選擇性地自施體基板剝離，另外，於照射對象物為印刷或一片地塗佈於施體基板上的功能性膜等的情形時，意指使與經由光罩上的開口而縮小投影的雷射光的成像位置及尺寸相當的部分的功能性膜等選擇性地剝離或分離。再者，所述剝離或分離中，亦包含不介有所謂剝蝕製程（ablation process）的情形。

再者，由於任一平台均進行步進重覆動作，即，由於照射雷射光時任一平台均靜止，故而亦於成本面考慮，可謂於與導件之間有物理接觸而穩定的滾動導引方式與空氣軸承（air bearing）方式相比更佳。

另一方面，關於供設置該些平台的第一定盤、第二定盤或基礎定盤的任一定盤，其材質均需要使用鐵鋼、石材或陶瓷材等剛性高的構件。作為石材，較佳為使用花崗岩（花崗石/禦影石）所代表的石材。

根據以上的結構，向受體基板上進行雷射誘導正向轉移的照射對象物的位置精度及其位置穩定性是由該些掃描型縮小投影光學系統與藉由排除了振動的各基板用平台的設置結構抑制了變動的光罩、縮小投影透鏡及施體基板間的相對位置關係、及施體基板上的照射對象物的排列位置精度所決定。

第十發明為第九發明的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述掃描鏡的控制裝置包含下述功能：控制掃描鏡，該掃描鏡向基於預先獲取的所述施體基板上的照射對象物的位置資訊、及向所述受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的資訊而選擇的光罩上的開口掃描脈波雷射的光軸；以及控制脈波雷射光的照射。

尤其於將雷射誘導正向轉移裝置用作再轉印裝置的情形等時，無法否定下述可能性，即：於再轉印用的施體基板上存在無元件部位或封裝有不良元件的不良部位。因此，為了僅對基於雷射誘導正向轉移目標的受體基板與雷射誘導正向轉移源的施體基板各自的不良部位的資訊而選擇的應進行雷射誘導正向轉移的施體基板上的照射對象物，照射來自掃描型縮小投影光學系統的雷射光，而以向與所述選擇的照射對象物相對的光罩上的開口掃描光軸的方式，來控制掃描鏡。

第十一發明為第九發明或第十發明的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台可保持兩個以上的施體基板，且可將其切換使用。

例如，針對塗佈有導電性膏膜的第一施體基板，照射藉由本發明的掃描型縮小投影光學系統所縮小投影的規定尺寸的脈波雷射光，將相當於該尺寸的部分的導電性膏膜向相向的受體基板上的位置進行雷射誘導正向轉移（膏印刷）。繼而，藉由移動施體平台從而將第一施體基板切換為第二施體基板（載體基板），將該載體基板上的微小元件（器件）向受體基板上的同一位置進行雷射誘導正向轉移，經由導電性膏膜將該微小元件（器件）加以固定。

第十二發明為第九發明至第十一發明的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台吊設於第一定盤的下表面。

構成施體平台的軸的設置順序為設計事項，但較佳為自水平設置的第一定盤的下表面，以X軸、Y軸的順序，於包含θ軸的情形時吊設於其下。再者，受體平台的軸構成亦設計為同樣事項。

第十三發明為第八發明的雷射加工裝置、或第九發明至第十二發明中任一發明的雷射誘導正向轉移裝置，其特徵在於，所述雷射裝置為準分子雷射裝置。

第十四發明為一種雷射誘導正向轉移方法，用於使用第九發明至第十三發明中任一發明所記載的搭載有掃描型縮小投影光學系統的本發明的雷射誘導正向轉移裝置，將施體基板上的照射對象物封裝或再轉印於相向的受體基板上，且所述雷射誘導正向轉移方法包含：檢查步驟，預先獲取作為施體基板上的照射對象物的位置資訊的「位置資訊D」、及作為照射對象物向受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的「位置資訊R」；分割步驟，將施體基板上的區域劃分為規定尺寸的「分割區D」；選擇步驟，基於位置資訊D及位置資訊R，選擇進行雷射誘導正向轉移的分割區D內的照射對象物的位置；轉印步驟，藉由通過（經由縮小投影透鏡）與所述選擇的照射對象物的位置相對的光罩上的開口而照射於施體基板的雷射光，將分割區D內的所選擇的照射對象物，向為方便起見而規定為與其相向的受體基板上的區的「分割區R」進行雷射誘導正向轉移；以及移動步驟，於該轉印步驟後，將施體基板及受體基板移動至下一雷射誘導正向轉移區域，之後重覆轉印步驟與移動步驟，以受體基板的計劃雷射誘導正向轉移的全區域為對象，將施體基板上的所選擇的照射對象物向受體基板上進行封裝或再轉印。

於檢查步驟中，所封裝的照射對象物的位置資訊的獲取方法為各種，但設為藉由對所有或藉由取樣所得的兩個以上的各個照射對象物的圖像進行處理從而獲得的各自的重心座標等為設計事項。而且，該些座標的原點位置的決定亦為設計事項。關於位置資訊D及/或位置資訊R，可使用與本雷射誘導正向轉移裝置無關的獨立的檢查裝置進行檢查，並於本雷射誘導正向轉移裝置的控制裝置經由通信機構獲取其結果，亦可利用本雷射誘導正向轉移裝置，基於施體基板與受體基板的定位（對準）時的測定結果，根據設計上的數值而算出。再者，該檢查步驟雖亦取決於封裝或再轉印的總節拍時間，但較理想為於分割步驟之前實施。

所謂分割區D內的所選擇的照射對象物的位置，於將本雷射誘導正向轉移方法用於封裝用的情形時，為與相向的分割區R內的雷射誘導正向轉移計劃位置相對的所有的施體基板上的照射對象物（其中，不良部位除外）的位置，於用於再轉印用的情形時，為與受體基板上的不良部位（無元件部位）相對的施體基板上的照射對象物（其中，不良部位（無元件部位）除外）的位置。

轉印步驟中，包含不停止掃描鏡的掃描而與將光軸掃描至所述選擇的照射對象物的位置的時刻同步地振盪脈波雷射光的情形、及反覆進行掃描與停止的情形的任一者。

進而，位置資訊D中，可當然包含正常封裝於施體基板的作為照射對象物的微小元件或可正常剝離或分離的照射對象物的位置座標，而且亦包含被識別為不良或缺損的照射對象物的位置座標（作為異常位置資訊）。將本雷射誘導正向轉移方法用於再轉印用的情形時的位置資訊R亦同樣。

分割區D的最大尺寸依存於構成本雷射誘導正向轉移裝置所搭載的掃描型縮小投影光學系統的縮小投影透鏡。尤其遠心縮小投影透鏡鑒於其製造成本而開口數及倍率受到限制，故而視該些的規格不同，有時藉由一次掃描可進行雷射誘導正向轉移的光罩上或施體基板上的區域受到限制。

本雷射誘導正向轉移方法中，無論將本雷射誘導正向轉移裝置用於封裝用還是用於再轉印用，均於施體基板的區域設定所述分割區D，藉由保持該些施體基板及受體基板的各平台的步進重覆動作而使該些施體基板及受體基板移動，於該些平台的停止時避免振動而高精度地進行雷射誘導正向轉移。

第十五發明為第十四發明的雷射誘導正向轉移方法，其中關於施體基板上的照射對象物的設計上的封裝間距，於將本雷射誘導正向轉移方法用於封裝用的情形時，相對於由位置資訊R所算出的設計上的封裝間距，為1倍、1/2倍、1/3倍…般的1以上的整數分之一倍，或者於用作再轉印用的情形時，相對於針對已封裝的受體基板上的照射對象物的設計上的封裝間距，為1倍、1/2倍、1/3倍…般的1以上的整數分之一倍。

再者，設受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置為X×Y的矩陣狀的排列的情形亦包含下述情形，即：相向的同一尺寸的施體基板上的封裝間距於X列中為1/n倍，於Y列中為1/m倍（n及m為1以上的不同整數）。

第十六發明首先設想下述情形，即：於由檢查步驟中獲取的位置資訊D所算出的施體基板上的照射對象物的現實的封裝間距、與同樣地由位置資訊R所算出的受體基板上的封裝間距之間，（於考慮到與施體基板上的封裝密度的差異後），於基板間有誤差。關於該受體基板上的封裝間距，於將本雷射誘導正向轉移方法用於封裝用的情形時，是由照射對象物的雷射誘導正向轉移計劃位置（設計上的位置）而算出，於用於再轉印用的情形時，為已封裝的照射對象物的現實的封裝間距。

參照施體基板的製造步驟，即便為於施體基板上不存在不良元件或無元件部位的施體基板，所封裝的照射對象物的現實的封裝間距亦有時相對於設計上的封裝間距而具有誤差（δPi）。而且，其原因在於可設想下述情形，即：即便所述誤差不因同一基板上的場所而傾向性地變動，亦於施體基板的製造批次間、或施體基板間具有差（具有誤差）。此時，與分割區D所內含的照射對象物的個數相應地累計誤差δPi。

因此，第十六發明為第十五發明的雷射誘導正向轉移方法，其中將移動步驟中的各基板的移動量設為將所述「累計誤差量」抵消的移動量。

第十六發明中，於欲使用誤差（δPi）具有一定以上的大小的施體基板對分割區D內的照射對象物進行雷射誘導正向轉移的情形時，視所述區內的照射對象物的位置（自基準位置起的照射對象物的個數）不同，有時彼處的累計誤差量於雷射誘導正向轉移位置精度上超過容許範圍。於施體基板上的照射對象物的封裝密度高且間距窄的情形時，不僅是受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置、與要雷射誘導正向轉移的施體基板上的照射對象物的位置偏移，而且通過光罩上的開口的雷射光於施體基板上成像的計劃位置、與應受其照射的照射對象物的位置的偏移尤其成問題。

因此，第十七發明中，以施體基板上的鄰接的照射對象物的間隔為上限，且考慮到向施體基板上的照射對象物照射的雷射光的照射尺寸與照射對象物的尺寸之差、及該些的位置偏移對雷射誘導正向轉移位置精度造成的影響後，規定可容許的累計誤差量的範圍，於在分割區D內的累計誤差量達到最大的位置（例如以左上端為基準的情形時的右下端）超過該容許範圍的情形時，將第十六發明的分割步驟中的分割區D的尺寸進一步縮小至所述位置的累計誤差量收容於所述容許範圍以內的尺寸，設為「修正分割區D」。

而且，將所述修正分割區D內的所選擇的照射對象物，向相向的受體基板上的同樣地為方便起見而規定為同尺寸的「修正分割區R」內進行封裝或再轉印。然後，為了向下一修正分割區R進行雷射誘導正向轉移，實施藉由平台來移動施體基板及受體基板的移動步驟。此時，以抵消所述累計誤差量的方式調整各平台的移動量。

再者，於規定所述累計誤差量的容許範圍時，可設想存在下述情形：即便於一個分割區D內，未產生超過上文所述的最大值的累計誤差量的情形時，亦對受體基板全體按照施體基板上的（或受體基板上的）設計上的間距反覆進行移動步驟，結果超過所述最大值，或者預先進行模擬並規定所述容許範圍（修正分割區D的尺寸）。

第十八發明為第十七發明的雷射誘導正向轉移方法，其中以位置資訊D、位置資訊R、所述分割區D的尺寸及所述容許範圍作為參數，藉由模擬程式以受體基板全域的封裝或再轉印所需要的時間達到最短的方式來決定所述修正分割區D的尺寸、各平台的移動量的組合及各步驟的實施順序而進行。 [發明的效果]

本發明能以低成本來實現掃描型縮小光學系統、搭載有該掃描型縮小光學系統的不良去除裝置、或者封裝用或再轉印用的雷射誘導正向轉移裝置，所述掃描型縮小光學系統不使用大口徑的fθ透鏡或遠心投影透鏡，彌補掃描鏡的掃描精度不足，並且將具有均勻且無變動的能量分佈的微小且穩定的照射區向排列於光罩上的開口高速掃描，高均勻且高精度地縮小投影於照射對象物上。

以下，使用具體的例子及圖對本發明的實施形態加以說明。再者，以下的說明中，亦有時為了方便而使用上文所述的概念圖等。 [實施例1]

本實施例1中，表示下述雷射誘導正向轉移裝置的實施例，所述雷射誘導正向轉移裝置將於尺寸為6吋的施體基板上以矩陣狀無不良地排列的尺寸為30×60[μm]（X軸×Y軸）的作為微小元件（微LED元件）的照射對象物，以222×225個的合計49950個以矩陣狀對相同尺寸的受體基板進行封裝。封裝於受體基板上的該約5萬個微小元件所要求的雷射誘導正向轉移位置精度為±2[μm]，各軸向的間距為450[μm]。再者，於施體基板上，以相對於計劃向受體基板進行雷射誘導正向轉移的位置的封裝間距而為1/2倍的間距，無不良（不存在無元件部位）地排列有微小元件，其總數為約20萬個。而且，與鄰接的微小元件的距離（間隔）為X：195[μm]、Y：165[μm]。本實施例中為了簡單，將受體基板尺寸與施體基板設為相同尺寸，且微小元件的排列間距於X軸、Y軸均設為相同，均為設計事項。

首先，將本發明的實施的雷射誘導正向轉移裝置的外觀的一例示於圖6A。該外觀圖的結構可對應於55吋尺寸以上的受體基板。另外，將主要構成部位的配置的概念圖示於圖6B。再者，圖6B中省略雷射裝置、各種控制裝置、其他各光學元件的底座等的圖示，X軸、Y軸及Z軸方向示於圖中。關於第一定盤（G11、G12）及第二定盤（G2），全部設為使用花崗岩（granite）的石定盤。而且，關於基礎定盤（G），使用剛性高的鐵。

另外，較理想為於各定盤間或各定盤與各平台之間，具有用以對其設置角度（正交/平行）進行微調整的旋轉調整機構。具體而言，較佳為上文所述的專利文獻1所記載的旋轉調整機構。進而，較理想為將監視各基板的位置的高倍率相機設置於與保持該基板的平台等振動系統不同的部位。

本實施例1中所用的雷射裝置為將振盪波長設為248[nm]的準分子雷射。出射的雷射光的空間分佈大致為8×24[mm]，射束擴展角為1×3[mrad]。均為（縱×橫）的表述，且數值為半高全寬（Full Width at Half Maximum，FWHM）。再者，準分子雷射的規格為各種，輸出的差異、重覆頻率的差異、射束尺寸的差異、射束擴展角的差異等自不待言，亦存在出射的雷射光為縱長（使所述縱與橫顛倒）的雷射，藉由進行光學系統的追加、省略或設計變更，本實施例中可使用的準分子雷射大量存在。另外，雷射裝置雖亦取決於其大小，但亦有時設置於與通常設置雷射誘導正向轉移裝置的平台群的基礎不同的定盤之上。

來自準分子雷射的出射光入射至望遠鏡（telescope）光學系統，向其前方的縮放勻光器傳播。此處，縮放勻光器如圖6B所示，以其光軸沿著X軸的方式配置於第一定盤（G11）上。而且，即將入射至該縮放勻光器之前的雷射光由望遠鏡光學系統調整為大致成為平行光，不依存於縮放勻光器的位置而大致以相同尺寸沿著X軸入射至該縮放勻光器。本實施例中，其尺寸大致為25×25[mm]（Z×Y）。

構成本實施例的縮放勻光器的各透鏡陣列（1、2）如圖7所示的概念圖所示，是於相對於光軸而垂直的Y-Z面內，將兩片一組的單軸圓柱透鏡陣列以直角組合而成。雷射光入射至初段的組的第一透鏡陣列（1），一方面聚光一方面通過放置於後段的第二透鏡陣列（2）的光源側焦點位置附近的陣列遮罩（10），依序傳播至第二透鏡陣列（2）、聚光透鏡（3）。 本實施例1中，作為陣列遮罩，使用將0.75[mm]見方的開口排列成矩陣狀的遮罩。將其概念圖示於圖8A。該概念圖中，為了表示與透鏡陣列相對的狀況，以概念圖來表示配置於緊鄰複眼型的透鏡陣列（1）之前的陣列遮罩（10）與其開口（101）的位置關係。本實施例中所用的陣列遮罩的狀況示於圖8B。

關於自縮放勻光器至施體基板的各光學元件的配置，將其概念圖示於圖9。詳細的配置位置為設計事項。自所述縮放勻光器出射的雷射光由雙軸構成的掃描鏡（4）及其控制裝置掃描，向像場透鏡（5）傳播，於光罩（6）上成像。

光罩（6）上的成像面為以陣列遮罩（10）的開口（101）為物體面且包含第二透鏡陣列（2）及聚光透鏡（3）的無限遠補正光學系統的像面。 雷射光由掃描鏡（4）進行掃描，向所述光罩（6）上的所選擇的一個開口（61）傳播，以規定尺寸的照射區成像。圖10A為其射束輪廓圖像。該規定尺寸為具有若經由未選擇的鄰接的光罩上的開口向未意欲的照射對象物照射則誘發反應的臨限值以上的能量分佈的邊界（外周、外緣），本實施例中大致為1[mm]（FWHM）。再者，圖10B為使用開口形狀為圓形的陣列遮罩（10）的情形時的同樣的光罩（6）上的射束輪廓。

關於本實施例1的光罩（6），使用在合成石英板以鍍鉻描繪有（施加有）圖案的光罩。圖11中表示其概念圖。雷射光通過未實施鍍鉻的顯示為白色的窗部分（61），且由實施有鍍鉻的有色部分（62）阻斷。開口的尺寸為60×100[μm]，其於X軸向以間距600[μm]的間隔配置有74個開口，且於Y軸向以相同間距配置有25個開口，合計配置有1850個。另外，實施鍍鉻的面為雷射光的出射側，另一方面，預先於入射側施加有248[nm]用的抗反射膜。進而，亦可代替鍍鉻而使用鋁蒸鍍或介電體多層膜。

再者，光罩（6）及陣列遮罩（10）分別固定於專用的底座（省略圖示），該底座具有共計六軸的調整機構，所述六軸為於X軸、Y軸、Z軸方向分別移動的W軸、U軸、V軸，以及YZ面內的（繞光軸的）旋轉軸的R軸（θ軸）、調整相對於V軸的傾斜度的TV軸及調整相對於U軸的傾斜度的TU軸。

再者，通過縮放勻光器的雷射光（的光軸）由掃描鏡（4）對光罩上的開口部進行高速掃描，準分子雷射裝置與將其光軸掃描至各開口的位置的時機同步地進行脈波振盪。

通過光罩圖案的雷射光經由光闌（7）而傳播至具有3/4的縮小倍率的像側遠心投影透鏡（8），繼而朝向施體基板（91），縮小投影至自其背面封裝有表面（下表面）的尺寸為30×60[μm]（X×Y）的微小元件的位置。圖12為該投影的雷射光的射束輪廓圖像。受到所掃描的雷射光的照射的施體基板上的微小元件以間距450[μm]逐漸向相向的受體基板上以矩陣狀進行雷射誘導正向轉移，並封裝。

經雷射誘導正向轉移的30×60[μm]的照射對象物的個數為相當於光罩上的上文所述的74×25開口的個數，其雷射誘導正向轉移範圍為約33×11[mm]。

再者，縮小投影透鏡（8）為像側遠心，亦可設為下述結構，即：除了藉由保持其的Z軸驅動的平台等進行調整以外，還追加施體基板的Z軸方向的調整功能（Z軸平台（Zd）），支持於光吸收層進行成像。然而，必須考慮對施體平台的加重負荷增加所致的雷射誘導正向轉移位置精度的降低。

另外，於調整施體基板表面與光吸收層等的邊界面的成像位置時，有效的是使用共焦射束輪廓儀（BP）進行即時監視，所述共焦射束輪廓儀（BP）於攝像面具有相對於光罩面及縮小投影透鏡處於共軛關係的平面。本實施例1中，即時且以高解析度監視於施體基板表面與微小元件的邊界面縮小投影的雷射光的空間強度分佈。

向光罩（6）上的所有開口掃描雷射光，向成像位置經調整的施體基板上所排列的微小元件依次照射雷射光。藉此，相當於光罩上的開口數的1850個微小元件向受體基板上的相同數量的雷射誘導正向轉移計劃位置封裝。再者，該1850處雷射誘導正向轉移區域相當於將受體基板於X軸方向一分為三（A～C）、於Y軸方向一分為九（1～9）而合計劃分為27個（A1～A9、B1～B9、C1～C9）時的一個區。其尺寸為由掃描鏡的掃描角及縮小投影透鏡的開口徑所決定的約33×11[mm]。對該一個區的雷射誘導正向轉移完成後，將施體基板及受體基板移動至下一雷射誘導正向轉移區。例如，於X軸方向移動33.3[mm]，於Y軸方向移動11.25[mm]。然後，再次進行1850處的雷射誘導正向轉移，以後對雷射誘導正向轉移計劃位置全體重覆所述操作，完成自施體基板向受體基板的49950個微小元件的封裝。於施體基板上，如上文所述，以向受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的間距的1/2倍的高密度無不良地封裝有微小元件，故而藉由一片施體基板，可進行向四片受體基板的封裝。

再者，視雷射光向施體基板上的各開口的成像尺寸與其能量密度的關係，於可將雷射光向光罩上的照射區的規定尺寸（DP）例如設為圖1中一點鏈線所示般可一攬照射四個開口的尺寸的情形時，可將封裝所耗費的時間設為約1/4。

另外，如圖13所示，於使用形狀為晶圓形狀，且於其有效區全體封裝有微小元件的施體基板的情形等時，亦可設定沿著該微小元件的封裝區的雷射誘導正向轉移區（圖中為斜線所示的區），使掃描鏡的掃描範圍與其一致而進行掃描，藉此進行位於角落的微小元件的雷射誘導正向轉移。

以上為將施體基板上的微小元件向相向的受體基板上封裝的雷射誘導正向轉移裝置、及封裝方法的具體例。 [實施例2]

本實施例2中，使用本發明的修正用的雷射誘導正向轉移裝置來表示修正例，所述修正例向修正對象的6吋的受體基板（以下，於本實施例2中簡稱為「受體基板」）的相當於約1%的不良部位進行再轉印，所述受體基板若無轉印不良，則以與鄰接元件為200[μm]的間距矩陣狀地封裝有495×495＝245025個40[μm]見方的微小元件。另外，與受體基板同樣地，關於排列於6吋的修正用施體基板（以下，於本實施例中簡稱為「施體基板」）上的用於再轉印（修正）的微小元件，亦分佈有高達約1%的無元件部位（及不良部位）。再者，於本實施例2的施體基板上，以相對於在受體基板上封裝的微小元件的設計上的封裝間距而設計上為1/4倍的間距即50[μm]排列有微小元件，其總數為390萬以上。因此，與鄰接的微小元件的間隔為10[μm]。除此以外，本實施例2的雷射誘導正向轉移裝置所搭載的掃描型縮小投影光學系統的構成概略或裝置的結構與實施例1相同，但各光學元件的規格或其配置位置、及由該些所決定的射束輪廓形狀為設計事項。

於本實施例2的光罩（6）上，如圖1所示，較由縮小投影透鏡（8）的倍率（1/4倍）及微小元件尺寸（40[μm]見方）決定的形狀大一圈的200[μm]見方的開口（Ma）以800[μm]間距（Pi）排列成165個×55個的矩陣。該排列對應於封裝於受體基板的微小元件的排列。藉由掃描型縮小投影光學系統於該光罩上成像的照射區的尺寸為與本實施例1同樣的約1[mm]見方，為可不與光罩上鄰接的開口干擾而進行照射的尺寸。通過該開口的雷射光經由像側遠心縮小投影透鏡（8）向施體基板（9）上的用於再轉印（修正）的微小元件成像。

與掃描鏡（4）的動作同步地進行脈波振盪的具有所述照射區尺寸的準分子雷射光照射於光罩（6）上的200[μm]見方的開口。通過該開口的雷射光通過1/4倍的縮小倍率的像側遠心投影透鏡（8），自施體基板的背面朝向排列於該施體基板的微小元件，不與以10[μm]的間隔鄰接的微小元件發生干擾而進行照射。本實施例中，所照射的脈波雷射光以較該微小元件尺寸大一圈的50[μm]見方於施體基板的表面（下表面）成像，誘發反應，將位於該位置的微小元件向受體基板上的無元件部位進行雷射誘導正向轉移。

以下，分各步驟來表示具體的用於再轉印（修正）的雷射誘導正向轉移方法。 （1）檢查步驟 作為封裝於施體基板上及受體基板上的微小元件的位置資訊，獲取設計上的位置資訊及由圖像處理所得的現實的封裝位置。具體的座標設為由微小元件的形狀所得的重心位置，座標原點是參照基板的定向平面（orientation flat）的位置而決定。除此，將施體基板上的位置資訊設為「位置資訊D」，受體基板上的位置資訊設為「位置資訊R」。

位置資訊D包含不應用於再轉印的被認定為不良的微小元件、及原本未封裝的無元件部位。該些的位置座標是由鄰接的微小元件而算出，作為「不良位置資訊D」而獲取。位置資訊R的「不良位置資訊R」亦同樣。

另外，本實施例中，排列於施體基板上的微小元件的設計上的間距為封裝於受體基板上的微小元件的設計上的間距的1/4倍，其現實的間距於施體基板間、進而與受體基板之間具有誤差。因此，預先根據位置資訊D及位置資訊R來算出該誤差。本實施例中為了簡單，位置資訊R設為設計上的間距，施體基板的間距相對於該間距的誤差δPi的值為+0.0075[μm]。

（2）分割步驟 與實施例1同樣地，將6吋的施體基板上的區域劃分為27個分割區（「分割區D」）。如圖14所示，各區為33[mm]×11[mm]，為方便起見，各分割區作為A1～A9、B1～B9、C1～C9而示於圖中。受體基板亦同樣地劃分為27個「分割區R」，雷射誘導正向轉移是於相向的分割區之間進行。

再者，與實施例1同樣地，該分割區D的尺寸為由縮小投影透鏡的有效開口徑、由其他規格所限制的光罩的尺寸、及同樣的縮小投影倍率所決定的設計事項。

此處，將對分割區D所內含的照射對象物的長軸（X軸）方向的數660（-1）個乘以所述誤差δPi所得的作為累計誤差量而可容許的範圍設定為±5[μm]。 該容許範圍如圖15所示，於以分割區D（一點鏈線）的左上端作為對位基準的情形時，是基於下述極限而任意設定，即：可照射通過光罩上（6）的開口（61）的雷射光於施體基板上的40[μm]見方的微小元件上成像的尺寸即50[μm]見方（圖中的虛線）的累計誤差量達到最大的位於右端位置的微小元件（實線）的全面。再者，圖中的二點鏈線的40[μm]見方為設計上的施體基板上的微小元件的封裝位置，相對於虛線的成像尺寸而位於中央。本實施例中，封裝於分割區D內的任一微小元件均相對於彼處的設計上的位置而累計誤差量在所述容許範圍內（659×0.0075≈4.94），故而於該分割步驟中，無須設定縮小的「修正分割區D」。

（3）選擇步驟 針對與分割區D相向的相同尺寸的分割區R，朝向相當於封裝於該分割區R的9075個微小元件的約1%的無元件部位（約91處不良位置資訊R），將排列於分割區D內的微小元件中位於與其相向的位置的微小元件選擇性地以一對一進行雷射誘導正向轉移。

然而，有可能亦封裝於分割區D內的微小元件（660×220＝145200個）中，存在相當於約1%的1452個不良元件，該些（不良位置資訊D）與不良位置資訊R重疊。圖16中表示該狀況。此處，想像穿過施體基板來觀察受體基板。示出排列於施體基板上的微小元件的排列的一部分區。該圖中，將分割區A1中虛線所包圍的左上的附近放大表示，圖示位於該區內的施體基板上的微小元件的排列狀況。

此處，為方便起見，以中空的四邊形（Mr）來表示預先藉由去除步驟自受體基板去除了不良元件的無元件部位的位置，以黑色的四邊形（Er）來表示同樣地正常封裝於受體基板的微小元件的位置，此外以灰色的四邊形（Ed）來表示以受體基板的16倍高密度排列的施體基板上的微小元件的位置（與Er或Mr重疊的位置的Ed省略圖示）。如上文所述，施體基板上的微小元件Ed的間距為50[μm]，受體基板上的微小元件Er的間距為200[μm]。

首先，先對藉由用於修正的施體基板對第一片受體基板進行修正的情形加以說明。 （3-1）以基板單位來對照不良位置資訊D與不良位置資訊R，事先確認無元件部位（Mr）與不良元件位置（Md）重疊的位置。此處應確認的重疊的有無意指圖中所示的沿施體基板的X軸方向排列的β列群、與同樣地沿Y軸方向排列的α列群交叉的位置（共計245025處/基板）的基板單位（27個區全部）的重疊。再者，其他的α'、α''、α'''、β'、β''及β'''列群表示以16倍的密度封裝的施體基板上的其他微小元件的排列位置（圖中，α列群自左向右以箭頭圖示僅3列，β列群自上而下以箭頭圖示僅2列。其他的「'」列群亦同樣限定性地以箭頭圖示）。

若無重疊，則作為選擇步驟，選擇與無元件部位（Mr）相對的施體基板上的微小元件的位置（Ed）。確認到重疊的情形將於後述。

（3-2）另一方面，於藉由已用於修正的施體基板、與（第一片或）第二片以後的受體基板的組合來進行修正的情形時，將對原本施體基板所具有的約1%的不良元件的位置資訊（Md）進一步加上因以往用於再轉印故而微小元件缺損的已使用位置資訊的所有位置資訊（1%的Md＋已使用Md）、與受體基板上的無元件部位的分佈位置資訊（Mr）進行對照，事先確認有無重疊。其結果若無重疊，則作為選擇步驟，選擇與無元件部位（Mr）相對的施體基板上的微小元件的位置（Ed）。

（4）轉印步驟 於上述（3-1）或（3-2）的情形時，選擇用於再轉印的施體基板上的微小元件的位置後，從上文所述的分割區A1開始再轉印，進行第一片或第二片以後的受體基板的修正。藉由掃描鏡（4）經由光罩（6）及縮小投影透鏡（8）將雷射光的光軸沿著施體基板上的β的列進行掃描。於該區內，藉由以對所選擇的位置掃描光軸的時機振盪的準分子雷射光，將封裝於施體基板上的所選擇的位置的微小元件向受體基板上的相向的無元件部位（Mr）進行雷射誘導正向轉移。

（5）移動步驟 利用位於施體基板的區A1內的所選擇的位置的微小元件對受體基板的區A1進行的修正結束後，對接下來的區A2同樣地進行修正。關於區的移動，藉由保持各基板的平台的移動以任意順序（例如，A1～A9→B1～B9→C1～C9）進行所有區的修正。再者，關於各分割區的移動時的平台移動量，以抵消上文所述的累計誤差量（約＋4.95[μm]）的方式設定。對需要修正的所有分割區完成修正後，將該受體基板更換為接下來要修正的受體基板。

另一方面，於上文所述的（3-1）或（3-2）的以基板單位進行的對照中，於確認到有重疊的情形時，將對照對象的列群由α變更為α'列群或由β變更為β'列群，於變更後的列群的組合（經變更的列群的交點）下，與上文所述的（3-1）或（3-2）同樣地以基板單位進行對照而確認是否無重疊。此時，可實現的列群的組合為15種。於以基板單位發現無重疊的列群的組合的情形時，基於該組合而選擇與無元件部位（Mr）相對的施體基板上的微小元件的位置（Ed）。再者，於轉印步驟之前，進行與該列群的組合相應的基板的移動。圖17中，表示各分割區（A1）間的再轉印時的基板間的位置的狀況。

另外，於上文所述的（3-1）或（3-2）的基板單位的對照中，15種組合均未發現無重疊的列群組合的情形時，以窄的相向的分割區單位而非廣的基板單位來進行對照。例如，限定於受體基板的區A1及與其相向的施體基板的區A1來進行對照。若其結果為於α列群與β列群交叉的位置無重疊，則直接進入轉印步驟，若有重疊，則至少於相向的各基板的分割區（A1）內，探索無重疊的其他列群的組合（例如α'列群與β''列群）。該組合最多存在16種。於所發現的無重疊的列群的組合下，利用施體基板的分割區A1完成受體基板的分割區A1的修正後，對接下來的區A2經由同樣的對照於無重疊的列群組合下修正受體基板的區A2。以後，針對施體A3與受體A3、施體A4與受體A4…重疊所述操作。再者，例如僅於分割區B5彼此間之間有重疊，除了該區以外以基板單位無重疊的情形時，無須其以前與以後的區限定的對照。

於上文所述的相向的分割區彼此的對照（A1與A1、B1與B1…）中，於未發現無重疊的列群組合的情形時，於該時間點排除所述限定，從將作為對照對象的施體基板上的區限定於與其相向的分割區彼此的對照，向與施體基板的其他26個分割區的對照，以區單位來探索無重疊的列群的組合。於圖18中表示該狀況。此處，於施體基板的分割區C5與受體基板的分割區A3的組合下，例如利用α'''群與β'''群的交叉位置進行再轉印。然而，需注意下述方面，即：必須考慮反映出直至變更該對照對象的分割區的時間為止已用於修正的微小元件的缺損位置的不良位置資訊（Md），於分割區之間探索無重疊的列群的組合。此外，需要亦綜合考慮用於頻繁的列群移動或向相向的分割區的移動的平台移動所需要的時間，來研究（計算）是否可實現妥當的節拍時間。根據其計算結果，適當進行重疊的對照範圍的選擇或施體基板的更換時期的判斷。

再者，只要雷射光對受體基板上的直接照射不產生不良影響，則亦產生以下等選項，即：無論不良位置資訊有無重疊，均進行轉印步驟，例如針對因重疊而並未再轉印的無元件部位，利用不同的施體基板進行第二次以後的修正。進而，亦可基於節拍時間的模擬將各基板的對照、與各分割區的對照適時組合，進而，亦可基於檢查步驟中預先獲取的各基板的位置資訊，預先規定所模擬的節拍時間最短的各對照方法或其範圍的組合。

於如本實施例般以分割區R為單位進行再轉印的情形時，即，以光罩上的開口數（165×55個）為單位使具有約30個/秒的掃描速度的掃描鏡一次性掃描進行再轉印的情形時，若基板間並無不良位置的重疊，則每一分割區的（約90部位的）修正所需要的時間為約3秒，即便考慮對27個分割區進行該操作的時間、及用於分割區移動的各基板的移動時間，自設置基板至修正結束為止所需要的時間亦大致為90秒左右。

與使用一個部位的微小元件的再轉印需要約1秒的上文所述的先前裝置的情形的約2450秒的節拍時間相比較，能以壓倒性的速度進行高達1%的不良元件的修正。另外，即便考慮對照（確認重疊）所需要的計算時間、及用以避免重疊的所述列群移動及分割區移動所需要的平台的移動時間，亦可維持本實施例的節拍時間的壓倒性的優越性。

再者，於不將分割區限於相向的分割區而隨機對照的情形、或考慮累計誤差量的情形時，可藉由以檢查步驟中獲取的位置資訊D、位置資訊R、所述分割區D的尺寸及所述累計誤差量的容許範圍作為參數的模擬程式，以受體基板全域的封裝或再轉印所需要的時間達到最短的方式決定所述修正分割區D的尺寸、各平台的移動量的組合及各步驟的實施順序，進行各步驟的最適化。

以上，對本發明的實施形態進行了詳述，但另一方面，若以不同視點來表現本發明，則如下述（1）～（38）般。 （1）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述掃描型縮小投影光學系統具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩。 （2）一種雷射加工裝置，利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。 （3）一種雷射誘導正向轉移裝置，用於向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。 （4）一種雷射加工方法，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工方法的特徵在於，使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （5）一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於，使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （6）一種封裝有照射對象物的基板的製造方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造方法的特徵在於，使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （7）如（6）記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述照射對象物為微小元件。 （8）如（7）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述微小元件為微LED。 （9）如（7）或（8）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述微小元件於所述施體基板上配置成矩陣狀。 （10）如（6）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述照射對象物為膜。 （11）如（10）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述膜為具有導電性的膜或具有黏著性的膜。 （12）如（10）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述膜為有機電致發光膜。 （13）一種封裝有微小元件的基板的製造方法，具有下述步驟：向設有膜的第一施體基板照射雷射光，使所述膜自所述第一施體基板向受體基板移動，獲得封裝有膜的基板；以及向設有微小元件的第二施體基板照射雷射光，使所述微小元件自所述第二施體基板向封裝有所述膜的基板的膜上移動，且所述封裝有微小元件的基板的製造方法的特徵在於，使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述膜或所述微小元件照射雷射光。 （14）一種不良部位的去除方法，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除方法的特徵在於，使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。 （15）一種再轉印方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印方法的特徵在於，所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域、及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域，所述再轉印方法使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。 （16）一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於，設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域，所述雷射誘導正向轉移方法使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板移動。 （17）一種雷射加工方法，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工方法的特徵在於，所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （18）一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於，所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （19）一種封裝有照射對象物的基板的製造方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造方法的特徵在於，所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （20）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有第一透鏡陣列、第二透鏡陣列、掃描鏡及光罩。 （21）如（20）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是使透鏡元件排列而成。 （22）如（21）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述透鏡元件為複眼型、圓筒型或球面型。 （23）如（20）至（22）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是將單軸圓柱透鏡以直角組合而成。 （24）如（20）至（23）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中於緊鄰所述第一透鏡陣列之前配置有陣列遮罩。 （25）如（20）至（24）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中於所述第一透鏡陣列與所述第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩。 （26）如（24）或（25）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有開口群。 （27）如（26）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口為圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀。 （28）如（26）或（27）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口的尺寸小於所述透鏡元件的尺寸。 （29）如（24）至（28）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有至少兩種開口群。 （30）如（29）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。 （31）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統僅像側為遠心。 （32）一種不良部位的去除方法，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除方法的特徵在於， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。 （33）如（32）所記載的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀的開口。 （34）如（32）或（33）所記載的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有開口配置成矩陣狀的區域。 （35）如（32）至（34）中任一項所記載的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有至少兩種開口群。 （36）如（35）所記載的不良部位的去除方法，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。 （37）一種再轉印方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印方法的特徵在於， 所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域、及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。 （38）一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於， 設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板移動。

另外，若進一步以其他視點來表現本發明，則如下述（U1）至（U58）般。 （U1）一種掃描型縮小投影光學系統，為用於雷射加工裝置中的光學系統，所述雷射加工裝置利用下述原理：向位於基板上的照射對象物照射多模脈波雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有透鏡陣列型的縮放勻光器、掃描鏡、光罩及至少像側為遠心的投影透鏡系統， 於該光罩以規定的間距排列有多個規定形狀的開口， 所述縮放勻光器包含具有第一透鏡陣列及第二透鏡陣列、以及聚光透鏡的結構，所述縮放勻光器將覆蓋所述光罩上的一個以上的鄰接的開口群的規定尺寸的照射區於該光罩上成像，所述縮放勻光器補償該照射區的位置及尺寸以及該照射區內的能量強度分佈的變動， 該規定尺寸為該照射區不到達與所述開口群鄰接的其他任一開口的尺寸， 所述掃描鏡由一軸以上的驅動軸控制裝置進行掃描。 （U2）如（U1）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述投影透鏡系統包含像場透鏡及縮小投影透鏡， 該像場透鏡位於所述聚光透鏡與所述光罩之間。 （U3）如（U1）或（U2）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述掃描鏡包含雙軸的電流掃描儀。 （U4）如（U1）或（U2）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中於緊鄰第一透鏡陣列之前或者第一透鏡陣列與第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩，該陣列遮罩包含將開口與該各透鏡元件相向地排列的開口群，所述開口具有較構成第一透鏡陣列的各透鏡元件的尺寸更小的尺寸。 （U5）如（U4）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩於其基材的面內，排列有多種開口群，所述多種開口群可切換使用尺寸或形狀或開口的個數不同的開口群。 （U6）如（U4）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩設置於可繞光軸進行微小的旋轉調整的包含θ軸的底座。 （U7）如（U1）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述多模脈波雷射光為準分子雷射光。 （U8）一種雷射加工裝置，利用下述原理：向位於基板上的照射對象物照射多模脈波雷射光而誘發反應，且所述雷射加工裝置包含： 雷射裝置，振盪所述多模脈波雷射光； （U1）至（U6）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統；以及 平台，保持所述基板，至少具有X軸及Y軸的驅動軸。 （U9）一種雷射誘導正向轉移裝置，具備（U8）所記載的雷射加工裝置， 所述基板為所述照射對象物位於其表面的施體基板， 所述雷射誘導正向轉移裝置為封裝用或再轉印用、或者該些兼用，用於向該照射對象物自該施體基板的背面照射所述脈波雷射光，藉此使該照射對象物選擇性地剝離或分離，向與該施體基板相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，且所述雷射誘導正向轉移裝置為下述結構： 所述平台為將該施體基板以其背面成為所述脈波雷射光的入射側的朝向加以保持的施體平台， 所述雷射誘導正向轉移裝置更具有：受體平台，保持所述受體基板，具有X軸、Y軸、鉛垂方向的Z軸，以及於X-Y平面內具有θ軸， 所述掃描型縮小投影光學系統及所述施體平台設置於第一定盤， 所述受體平台設置於第二定盤或基礎定盤， 第一定盤與第二定盤分別獨立地設置於基礎定盤上。 （U10）如（U9）所記載的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述掃描鏡的控制裝置包含下述功能：控制掃描鏡，該掃描鏡向基於預先獲取的所述施體基板上的照射對象物的位置資訊、及向所述受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的資訊而選擇的所述光罩上的開口掃描光軸；以及控制脈波雷射光的照射。 （U11）如（U9）所記載的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台保持兩個以上的施體基板，將其切換使用。 （U12）如（U9）所記載的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台吊設於第一定盤的下表面。 （U13）如（U8）所記載的雷射加工裝置，其特徵在於，所述雷射裝置為準分子雷射裝置。 （U14）一種雷射誘導正向轉移系統，使用（U9）至（U12）中任一項所記載的雷射誘導正向轉移裝置，將施體基板上的照射對象物向相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，且所述系統包含： 檢查機構，獲取施體基板上的照射對象物的位置資訊D，以及作為照射對象物向受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的位置資訊R； 分割機構，將施體基板上的區域劃分為規定尺寸的分割區D； 選擇機構，基於位置資訊D及位置資訊R，選擇分割區D內的應進行雷射誘導正向轉移的照射對象物的位置；以及 移動機構，移動該所選擇的照射對象物經去除的施體基板及/或轉印有該所選擇的照射對象物的受體基板， 以受體基板的全區域或一部分區域作為對象進行封裝或再轉印。 （U15）如（U14）所記載的雷射誘導正向轉移系統，其中相對於在受體基板上封裝的照射對象物的設計上的封裝間距，施體基板上的照射對象物的設計上的封裝間距為1以上的整數分之一倍。 （U16）如（U15）所記載的雷射誘導正向轉移系統，其中於由位置資訊D所算出的照射對象物的現實的封裝間距、與由位置資訊R所算出的設計上的封裝間距R之間有誤差的情形時， 所述移動步驟中的各基板的移動量為將與分割區D所內含的照射對象物的個數相應的累計誤差量抵消的移動量。 （U17）如（U16）所記載的雷射誘導正向轉移系統，其中於所述累計誤差量超過以施體基板上的鄰接的照射對象物間的間隔為上限的任意的容許範圍的情形時， 所述分割步驟為將所述分割區D的尺寸縮小而設為修正分割區D的分割步驟， 所述移動步驟中的各基板的移動量為將於該修正分割區D內累計的誤差量抵消的移動量。 （U18）如（U17）所記載的雷射誘導正向轉移系統，其中藉由以位置資訊D、位置資訊R、所述分割區D的尺寸及所述容許範圍作為參數的模擬程式，以受體基板全域的封裝或再轉印所需要的時間達到最短的方式，來決定所述修正分割區D的尺寸、各平台的移動量的組合及各機構的功能順序而進行。 （U19）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩。 （U20）一種雷射加工裝置，利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述雷射加工裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。 （U21）一種雷射誘導正向轉移裝置，用於向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且 所述雷射誘導正向轉移裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。 （U22）一種雷射加工系統，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工系統的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （U23）一種系統方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述系統方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （U24）一種封裝有照射對象物的基板的製造系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造系統的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。 （U25）如（U24）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述照射對象物為微小元件。 （U26）如（U25）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述微小元件為微LED。 （U27）如（U25）或（U26）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述微小元件於所述施體基板上矩陣狀地配置。 （U28）如（U24）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述照射對象物為膜。 （U29）如（U28）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述膜為具有導電性的膜或具有黏著性的膜。 （U30）如（U28）所記載的封裝有照射對象物的基板的製造系統，其中所述膜為有機電致發光膜。 （U31）一種封裝有微小元件的基板的製造系統，具有： 向設有膜的第一施體基板照射雷射光，使所述膜自所述第一施體基板向受體基板移動，獲得封裝有膜的基板的機構；以及 向設有微小元件的第二施體基板照射雷射光，使所述微小元件自所述第二施體基板向封裝有所述膜的基板的膜上移動的機構，且所述封裝有微小元件的基板的製造系統的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述膜或所述微小元件照射雷射光。 （U32）一種不良部位的去除系統，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除系統的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。 （U33）一種再轉印系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印系統的特徵在於， 所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域、及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。 （U34）一種雷射誘導正向轉移系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移系統的特徵在於， 設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板移動。 （U35）一種雷射加工系統，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工系統的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （U36）一種雷射誘導正向轉移系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移系統的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （U37）一種封裝有照射對象物的基板的製造系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造系統的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。 （U38）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有第一透鏡陣列、第二透鏡陣列、掃描鏡及光罩。 （U39）如（U38）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是使透鏡元件排列而成。 （U40）如（U39）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述透鏡元件為複眼型、圓筒型或球面型。 （U41）如（U38）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是將單軸圓柱透鏡以直角組合而成。 （U42）如（U38）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中於緊鄰所述第一透鏡陣列之前配置有陣列遮罩。 （U43）如（U38）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中於所述第一透鏡陣列與所述第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩。 （U44）如（U42）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有開口群。 （U45）如（U44）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口為圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀。 （U46）如（U44）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口的尺寸小於所述透鏡元件的尺寸。 （U47）如（U42）至（U46）中任一項所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有至少兩種開口群。 （U48）如（U47）所記載的掃描型縮小投影光學系統，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。 （U49）一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統僅像側為遠心。 （U50）一種不良部位的去除系統，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除系統的特徵在於， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。 （U51）如（U50）所記載的不良部位的去除系統，其中所述光罩具有圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀的開口。 （U52）如（U50）所記載的不良部位的去除系統，其中所述光罩具有開口配置成矩陣狀的區域。 （U53）如（U50）至（U52）中任一項所記載的不良部位的去除系統，其中所述光罩具有至少兩種開口群。 （U54）如（U53）所記載的不良部位的去除系統，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。 （U55）一種再轉印系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印系統的特徵在於， 所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域、及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。 （U56）一種雷射誘導正向轉移系統，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移系統的特徵在於， 設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板移動。 （U57）一種雷射誘導正向轉移裝置，為封裝用或再轉印用、或該些兼用，用於向照射對象物位於表面的施體基板的該照射對象物自該施體基板的背面照射所述脈波雷射光，藉此將該照射對象物選擇性地剝離或分離，向與該施體基板相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，且所述雷射誘導正向轉移裝置為下述結構： 所述平台為將該施體基板以其背面成為所述脈波雷射光的入射側的朝向加以保持的施體平台， 所述雷射誘導正向轉移裝置更具有：受體平台，保持所述受體基板，具有X軸、Y軸、鉛垂方向的Z軸，以及於X-Y平面內具有θ軸， 所述掃描型縮小投影光學系統及所述施體平台設置於第一定盤， 所述受體平台設置於第二定盤或基礎定盤， 第一定盤與第二定盤分別獨立地設置於基礎定盤上。 （U58）一種雷射誘導正向轉移系統，將施體基板上的照射對象物向相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，且包含： 檢查機構，獲取施體基板上的照射對象物的位置資訊D、及作為照射對象物向受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的位置資訊R； 分割機構，將施體基板上的區域劃分為規定尺寸的分割區D； 選擇機構，基於位置資訊D及位置資訊R，選擇分割區D內的應進行雷射誘導正向轉移的照射對象物的位置； 轉印機構，藉由通過與該所選擇的照射對象物的位置相對的光罩上的開口而照射的雷射光，將分割區D內的該所選擇的照射對象物向相向的分割區R進行雷射誘導正向轉移；以及 移動機構，移動該所選擇的照射對象物經去除的施體基板及/或轉印有該所選擇的照射對象物的受體基板， 以受體基板的全區域或一部分區域作為對象進行封裝或再轉印。

各形態中，具有像側遠心縮小投影透鏡的投影透鏡系統、使平台移動的機構、發出準分子雷射光的雷射光的光源等可較佳地適用。

再者，可將上文所述的多個實施形態的各構成要件細分化，將經細分化的構成要件各自單獨或組合導入至該些（1）至（38）及（U1）至（U58）。例如，各種透鏡的使用形態及配置、雷射光的種類、雷射加工裝置中的各種結構及控制方法、光罩的種類及形狀、開口部的形狀及配置、照射對象物的種類及形狀、雷射舉離（laser lift-off）的反應機制、光學系統的機制等為代表例。

另外，各種機構可各個機構具有各個功能，亦可一個機構具有多個功能。 [產業上的可利用性]

本發明可用於微LED顯示器的製造步驟的一部分。

1:第一透鏡陣列 2:第二透鏡陣列 3:聚光透鏡 4:掃描鏡 5:像場透鏡 6:光罩 7:光闌 8:像側遠心縮小投影透鏡 10:陣列遮罩 61:開口、窗部分 62:有色部分 91:施體基板 101:開口 A1～A9、B1～B9、C1～C9:分割區 BP:共焦射束輪廓儀 DP:規定尺寸 Ed、Er:微小元件的位置 G:基礎定盤 G2:第二定盤 G11、G12:第一定盤 Ma:各開口的一邊 Md:不良元件位置 Mr:無元件部位的位置 Pi:間距 St:掃描位置精度 Zd:Z軸平台 α、α'、α''、α'''、β、β'、β''及β''':列

圖1為例示將開口排列成矩陣狀的光罩的狀況的概念圖。 圖2為例示將開口排列成一列的光罩的狀況的概念圖。 圖3為例示配置有掃描型縮小投影光學系統的構成元件的狀況的概念圖（無陣列遮罩）。 圖4為例示排列有多個開口群的陣列遮罩的狀況的概略圖。 圖5為光罩上的（θ軸偏移）照射區的射束輪廓儀圖像。 圖6A為搭載有掃描型縮小投影光學系統的雷射誘導正向轉移裝置的概略概念圖（立體）。 圖6B為搭載有掃描型縮小投影光學系統的雷射誘導正向轉移裝置的概略概念圖。 圖7為縮放勻光器的元件構成的概念圖。 圖8A為陣列遮罩的概念圖。 圖8B為陣列遮罩的照片。 圖9為與自縮放勻光器至施體基板的各光學元件的配置有關的概念圖。 圖10A為表示插入矩形陣列遮罩時的光罩上的成像狀態的射束輪廓圖像。 圖10B為表示插入圓形陣列遮罩時的光罩上的成像狀態的射束輪廓圖像。 圖11為用於實施例1的光罩的概念圖。 圖12為縮小投影於施體基板上的雷射光的射束輪廓圖像。 圖13為於施體基板的有效區全體封裝有微小元件的區的狀況的概念圖。 圖14為將6吋的施體基板上的區域劃分為27個分割區的狀況的概念圖。 圖15為表示施體基板上的位置與累計誤差量的關係的概念圖。 圖16為表示不良位置資訊D與不良位置資訊R重疊的狀況的概念圖。 圖17為表示使相對的各基板的分割區分別相向而進行雷射誘導正向轉移的狀況的概念圖。 圖18為表示使不相對的各基板分割區分別相向而進行雷射誘導正向轉移的狀況的概念圖。

1:第一透鏡陣列

2:第二透鏡陣列

3:聚光透鏡

4:掃描鏡

5:像場透鏡

6:光罩

8:像側遠心縮小投影透鏡

10:陣列遮罩

91:施體基板

BP:共焦射束輪廓儀

G:基礎定盤

G2:第二定盤

G11、G12:第一定盤

Xd、Xr:X軸

Yd、Yr:Y軸

Zd、Zr:Z軸

θd、θr:θ軸

Claims (56)

1. 一種掃描型縮小投影光學系統，為用於雷射加工裝置中的光學系統，所述雷射加工裝置利用下述原理：向位於基板上的照射對象物照射多模脈波雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有透鏡陣列型的縮放勻光器、掃描鏡、光罩及至少像側為遠心的投影透鏡系統， 於所述光罩以規定的間距排列有多個規定形狀的開口， 所述縮放勻光器包含具有第一透鏡陣列及第二透鏡陣列、以及聚光透鏡的結構，所述縮放勻光器將覆蓋所述光罩上的一個以上的鄰接的開口群的規定尺寸的照射區於所述光罩上成像，所述縮放勻光器補償所述照射區的位置及尺寸以及所述照射區內的能量強度分佈的變動， 所述規定尺寸為所述照射區不到達與所述開口群鄰接的其他任一開口的尺寸， 所述掃描鏡由一軸以上的驅動軸控制裝置進行掃描。
2. 如請求項1所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述投影透鏡系統包含像場透鏡及縮小投影透鏡， 所述像場透鏡位於所述聚光透鏡與所述光罩之間。
3. 如請求項1或請求項2所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述掃描鏡包含雙軸的電流掃描儀。
4. 如請求項1或請求項2所述的掃描型縮小投影光學系統，其中於緊鄰第一透鏡陣列之前或者第一透鏡陣列與第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩，所述陣列遮罩包含將開口與所述各透鏡元件相向地排列的開口群，所述開口具有較構成第一透鏡陣列的各透鏡元件的尺寸更小的尺寸。
5. 如請求項4所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩於所述基材的面內，排列有多種開口群，所述多種開口群能夠將尺寸或形狀或開口的個數不同的開口群切換而使用。
6. 如請求項4所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩設置於能夠繞光軸進行微小的旋轉調整的包含θ軸的底座。
7. 如請求項1所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述多模脈波雷射光為準分子雷射光。
8. 一種雷射加工裝置，利用下述原理：向位於基板上的照射對象物照射多模脈波雷射光而誘發反應，且所述雷射加工裝置包含： 雷射裝置，振盪所述多模脈波雷射光； 如請求項1至請求項6中任一項所述的掃描型縮小投影光學系統；以及 平台，保持所述基板，至少具有X軸及Y軸的驅動軸。
9. 一種雷射誘導正向轉移裝置，包括如請求項8所述的雷射加工裝置， 所述基板為所述照射對象物位於其表面的施體基板， 所述雷射誘導正向轉移裝置為封裝用或再轉印用、或者封裝與再轉印兼用，用於向所述照射對象物自所述施體基板的背面照射所述脈波雷射光，藉此將所述照射對象物選擇性地剝離或分離，向與所述施體基板相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，其中， 所述平台為將所述施體基板以其背面成為所述脈波雷射光的入射側的朝向加以保持的施體平台， 所述雷射誘導正向轉移裝置更具有：受體平台，保持所述受體基板，具有X軸、Y軸、鉛垂方向的Z軸，以及於X-Y平面內具有θ軸， 所述掃描型縮小投影光學系統及所述施體平台設置於第一定盤， 所述受體平台設置於第二定盤或基礎定盤， 第一定盤與第二定盤分別獨立地設置於基礎定盤上。
10. 如請求項9所述的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述掃描鏡的控制裝置包含下述功能：控制掃描鏡，所述掃描鏡向基於預先獲取的所述施體基板上的照射對象物的位置資訊及向所述受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的資訊而選擇的所述光罩上的開口掃描光軸；以及控制脈波雷射光的照射。
11. 如請求項9所述的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台保持兩個以上的施體基板，將其切換使用。
12. 如請求項9所述的雷射誘導正向轉移裝置，其中所述施體平台吊設於第一定盤的下表面。
13. 如請求項8所述的雷射加工裝置，其中所述雷射裝置為準分子雷射裝置。
14. 一種雷射誘導正向轉移方法，使用如請求項9至請求項12中任一項所述的雷射誘導正向轉移裝置，將施體基板上的照射對象物向相向的受體基板上進行雷射誘導正向轉移，且所述雷射誘導正向轉移方法包含： 檢查步驟，獲取施體基板上的照射對象物的位置資訊D，以及作為照射對象物向受體基板上的雷射誘導正向轉移計劃位置的位置資訊R； 分割步驟，將施體基板上的區域劃分為規定尺寸的分割區D； 選擇步驟，基於位置資訊D及位置資訊R，選擇分割區D內的應進行雷射誘導正向轉移的照射對象物的位置； 轉印步驟，藉由通過與所述選擇的照射對象物的位置相對的光罩上的開口而照射的雷射光，將分割區D內的所述選擇的照射對象物向相向的分割區R進行雷射誘導正向轉移；以及 移動步驟，於所述轉印步驟後，移動施體基板及/或受體基板， 之後重覆所述轉印步驟與所述移動步驟，以受體基板的全區域或一部分區域作為對象進行封裝或再轉印。
15. 如請求項14所述的雷射誘導正向轉移方法，其中相對於在受體基板上封裝的照射對象物的設計上的封裝間距，施體基板上的照射對象物的設計上的封裝間距為1以上的整數分之一倍。
16. 如請求項15所述的雷射誘導正向轉移方法，其中於由位置資訊D所算出的照射對象物的現實的封裝間距、與由位置資訊R所算出的設計上的封裝間距R之間有誤差的情形時， 所述移動步驟中的各基板的移動量為將與分割區D所內含的照射對象物的個數相應的累計誤差量抵消的移動量。
17. 如請求項16所述的雷射誘導正向轉移方法，其中於所述累計誤差量超過以施體基板上的鄰接的照射對象物間的間隔為上限的任意的容許範圍的情形時， 所述分割步驟為將所述分割區D的尺寸縮小而設為修正分割區D的分割步驟， 所述移動步驟中的各基板的移動量為將於所述修正分割區D內累計的誤差量抵消的移動量。
18. 如請求項17所述的雷射誘導正向轉移方法，其中藉由以位置資訊D、位置資訊R、所述分割區D的尺寸及所述容許範圍作為參數的模擬程式，以受體基板全域的封裝或再轉印所需要的時間達到最短的方式，決定所述修正分割區D的尺寸、各平台的移動量的組合及各步驟的實施順序而進行。
19. 一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩。
20. 一種雷射加工裝置，利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述雷射加工裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。
21. 一種雷射誘導正向轉移裝置，用於向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且 所述雷射誘導正向轉移裝置具有振盪所述雷射光的雷射裝置、無限遠補正光學系統及掃描鏡。
22. 一種雷射加工方法，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。
23. 一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。
24. 一種封裝有照射對象物的基板的製造方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述照射對象物照射雷射光。
25. 如請求項24所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述照射對象物為微小元件。
26. 如請求項25所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述微小元件為微發光二極體。
27. 如請求項25或請求項26所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述微小元件於所述施體基板上配置成矩陣狀。
28. 如請求項24所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述照射對象物為膜。
29. 如請求項28所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述膜為具有導電性的膜或具有黏著性的膜。
30. 如請求項28所述的封裝有照射對象物的基板的製造方法，其中所述膜為有機電致發光膜。
31. 一種封裝有微小元件的基板的製造方法，具有下述步驟： 向設有膜的第一施體基板照射雷射光，使所述膜自所述第一施體基板向受體基板移動，獲得封裝有膜的基板；以及 向設有微小元件的第二施體基板照射雷射光，使所述微小元件自所述第二施體基板向封裝有所述膜的基板的膜上移動，且所述封裝有微小元件的基板的製造方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述膜或所述微小元件照射雷射光。
32. 一種不良部位的去除方法，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除方法的特徵在於， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。
33. 一種再轉印方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印方法的特徵在於， 所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。
34. 一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於， 設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域， 使用具有無限遠補正光學系統、掃描鏡及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象向所述受體基板移動。
35. 一種雷射加工方法，向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且所述雷射加工方法的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。
36. 一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。
37. 一種封裝有照射對象物的基板的製造方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述封裝有照射對象物的基板的製造方法的特徵在於， 所述雷射光由掃描鏡進行掃描，於光罩上作為無限遠補正光學系統的像面而成像，通過所述光罩的所述雷射光縮小投影於所述照射對象物。
38. 一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統具有第一透鏡陣列、第二透鏡陣列、掃描鏡及光罩。
39. 如請求項38所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是使透鏡元件排列而成。
40. 如請求項39所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述透鏡元件為複眼型、圓筒型或球面型。
41. 如請求項38所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述第一透鏡陣列或所述第二透鏡陣列是將單軸圓柱透鏡以直角組合而成。
42. 如請求項38所述的掃描型縮小投影光學系統，其中於緊鄰所述第一透鏡陣列之前配置有陣列遮罩。
43. 如請求項38所述的掃描型縮小投影光學系統，其中於所述第一透鏡陣列與所述第二透鏡陣列之間配置有陣列遮罩。
44. 如請求項42所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有開口群。
45. 如請求項44所述的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口為圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀。
46. 如請求項44所述的掃描型縮小投影光學系統，其中形成所述開口群的開口的尺寸小於所述透鏡元件的尺寸。
47. 如請求項42至請求項46中任一項所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述陣列遮罩具有至少兩種開口群。
48. 如請求項47所述的掃描型縮小投影光學系統，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。
49. 一種掃描型縮小投影光學系統，用於雷射加工裝置中，所述雷射加工裝置利用下述原理：向照射對象物照射雷射光而誘發反應，且 所述掃描型縮小投影光學系統僅像側為遠心。
50. 一種不良部位的去除方法，向具有不良部位的施體基板的所述不良部位照射雷射光，將所述不良部位自所述施體基板去除，且所述不良部位的去除方法的特徵在於， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良部位照射雷射光。
51. 如請求項50所述的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有圓形狀、橢圓形狀、正方形狀或長方形狀的開口。
52. 如請求項50所述的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有開口配置成矩陣狀的區域。
53. 如請求項50至請求項52中任一項所述的不良部位的去除方法，其中所述光罩具有至少兩種開口群。
54. 如請求項53所述的不良部位的去除方法，其中所述至少兩種開口群各自的形成開口群的開口的尺寸、開口的形狀、開口的個數或開口的配置不同。
55. 一種再轉印方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述再轉印方法的特徵在於， 所述受體基板具有預先封裝有所述照射對象物的區域，以及未於封裝計劃區域封裝有照射對象物的不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向設於所述施體基板的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板的所述不良區域移動。
56. 一種雷射誘導正向轉移方法，向設有照射對象物的施體基板照射雷射光，使所述照射對象物自所述施體基板向受體基板移動，且所述雷射誘導正向轉移方法的特徵在於， 設於所述施體基板的所述照射對象物具有不良區域， 使用具有電流掃描儀及光罩的掃描型縮小投影光學系統，向所述不良區域以外的照射對象物照射雷射光，使所述照射對象物向所述受體基板移動。

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