JP2014165284A - 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を保持して移動するステージと、前記ステージに保持された基板のショット領域の計測対象箇所の高さを第1計測点及び第2計測点において計測する計測部と、前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御する制御部と、を有し、前記基板の1つのショット領域を露光するために前記ステージを移動させる期間は、前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、前記制御部は、前記計測部が前記加速期間に前記第1計測点において計測した前記計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果PL6に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記計測部が前記等速期間に前記第2計測点において計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得する。
【選択図】図5
Description
Comp=(Foc2−Foc1)−(Stg2−Stg1) ・・・(1)
式(1)において、Compは、新たな補正値であり、Foc1及びFoc2は、基板ステージ105の等速期間に計測可能な計測点で計測した計測対象箇所の高さの計測結果である。また、Stg1及びStg2は、計測対象箇所の高さを計測したときの基板ステージ105のZ軸方向の位置である。なお、Foc1及びFoc2の計測対象箇所は、同一である。
Claims (9)
- マスクと基板とを走査しながら前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージに保持された基板のショット領域の計測対象箇所の高さを第1計測点及び第2計測点において計測する計測部と、
前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御する制御部と、を有し、
前記基板の1つのショット領域を露光するために前記ステージを移動させる期間は、前記1つのショット領域を前記露光領域に近づけながら前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記加速期間に続いて前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、
前記制御部は、前記計測部が前記加速期間に前記第1計測点において計測した前記計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記計測部が前記等速期間に前記第2計測点において計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得することを特徴とする露光装置。 - 前記制御部は、前記計測部が前記等速期間に前記第2計測点において計測した前記計測対象箇所の高さと前記マスクのパターンの結像面との高さとの差分が閾値を超えた場合に、前記新たな補正値を取得することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記閾値は、前記等速期間における前記ステージの速度及び前記ステージに保持された基板の焦点深度の少なくとも一方に基づいて決定されていることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記計測部が前記等速期間に前記第2計測点において計測した前記計測対象箇所の高さ、及び、前記第2計測点において前記計測対象箇所の高さを計測したときの前記ステージの前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記新たな補正値を求めることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記差分が前記閾値を超えた回数が予め定められた回数を超えた場合に、前記新たな補正値を取得することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板のショット領域のうち前記差分が前記閾値を超えたショット領域への前記マスクのパターンの転写を中止することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記補正値を記憶する記憶部を更に有し、
前記制御部は、前記新たな補正値を取得するたびに、前記記憶部に記憶された補正値を前記新たな補正値に更新することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - マスクと基板とを走査しながら前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光方法であって、
前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御するステップを有し、
前記基板の1つのショット領域を露光するために前記基板を保持するステージを移動させる期間は、前記1つのショット領域を前記露光領域に近づけながら前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記加速期間に続いて前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、
前記ステップでは、前記加速期間に計測した前記基板のショット領域の計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記等速期間に計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得することを特徴とする露光方法。 - 請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光した前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019008029A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019101187A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
KR20200001501A (ko) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 |
JP2022531800A (ja) * | 2019-05-09 | 2022-07-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像デバイス向けの自動焦点方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5734344B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
JP6688330B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2020-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、決定方法および物品製造方法 |
JP2023088697A (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186129A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JP2000003869A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法 |
JP2000114162A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2001332471A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003100627A (ja) * | 2002-08-28 | 2003-04-04 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
US20030193655A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-16 | Hideki Ina | Exposure apparatus and method |
US20040135981A1 (en) * | 2003-01-06 | 2004-07-15 | Hideki Ina | Exposure apparatus and method |
JP2005203649A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2008016828A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2011238707A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
2013
- 2013-02-22 JP JP2013033869A patent/JP6071628B2/ja active Active
-
2014
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186129A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JP2000114162A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000003869A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-01-07 | Nikon Corp | 走査露光方法、走査型露光装置、及び前記方法を用いるデバイス製造方法 |
JP2001332471A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Canon Inc | 露光装置 |
US20030193655A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-16 | Hideki Ina | Exposure apparatus and method |
JP2003100627A (ja) * | 2002-08-28 | 2003-04-04 | Nikon Corp | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 |
US20040135981A1 (en) * | 2003-01-06 | 2004-07-15 | Hideki Ina | Exposure apparatus and method |
JP2005203649A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2008016828A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2011238707A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
KR20180030431A (ko) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치 및 물품 제조 방법 |
US10209631B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-02-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
US10481508B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
KR102222673B1 (ko) * | 2016-09-15 | 2021-03-05 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치 및 물품 제조 방법 |
JP2019008029A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019101187A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
KR20200001501A (ko) * | 2018-06-27 | 2020-01-06 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 |
KR102520864B1 (ko) | 2018-06-27 | 2023-04-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 |
JP2022531800A (ja) * | 2019-05-09 | 2022-07-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像デバイス向けの自動焦点方法 |
JP7397096B2 (ja) | 2019-05-09 | 2023-12-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像デバイス向けの自動焦点方法 |
US11947185B2 (en) | 2019-05-09 | 2024-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Autofocusing method for an imaging device |
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