JP6055704B2 - 描画方法及び描画制御装置 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
る配線パターンの演算処理を低減でき、より少ないリソースで高精度な補正処理を実現す
ることができる。なお、前記以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明において明らかにされる。
1)第1の領域H1:第1、第2、第4及び第5の基準アライメントマークA1,A2,A4,A5で囲まれた領域
2)第2の領域H2:第2、第3、第5及び第6の基準アライメントマークA2,A3,A5,A6で囲まれた領域
3)第3の領域H3:第4、第5、第7及び第8の基準アライメントマークA4,A5,A7,A8で囲まれた領域
4)第4の領域H4:第5、第6、第8及び第9の基準アライメントマークA5,A6,A8,A9で囲まれた領域
としている。なお、図1に示した例では、隣接する補正領域では基準アライメントマークを共用しているが、補正領域毎に4個ずつの基準アライメントマークを設けてもよい。
第1ないし第9の基準アライメントマークA1〜A9が格子状に配置されているプリント基板K1(ワーク)に対して4個の前記基準アライメントマークA1,A2,A4,A5、A2,A3,A5,A6、A4,A5,A7,A8、A5,A6,A8,A9を基準に定められる方形領域H1〜H4を1個の補正領域H1〜H4として設定する工程(ステップS3)と、
描画を指定された設計配線パターン(図形Z1))を前記補正領域H1〜H4毎に基本図形で構成される第1の配線パターン(図形Z1)に分割する工程(ステップS4)と、
撮像装置により、前記基準アライメントマークA1〜A9の実際の位置を計測する工程(ステップS5)と、
前記基準アライメントマークA1〜A9の座標情報(第1ないし第9の基準アライメントマークA1〜A9の設計上の座標値)と、計測した前記基準アライメントマークA1〜A9の実際の座標値とから、前記補正領域H1〜H4毎に補正係数HK1〜HK4を生成する工程(ステップS6)と、
前記基準アライメントマークA1〜A9の座標情報(第1ないし第9の基準アライメントマークA1〜A9の設計上の座標値)と、計測した前記基準アライメントマークA1〜A9の実際の座標値とから、計測補正領域Hh1〜Hh4を生成する工程(ステップS7)と、
前記計測補正領域Hh1〜Hh4の輪郭を、Y座標毎のX始点座標とX終点座標として前記補正領域H1〜H4毎に計算した第1ないし第4の輪郭テーブルR1〜R4(補正領域輪郭テーブル)を生成する工程(ステップS8)と、
前記第1の配線パターン(図形Z1)を前記補正領域H1〜H4毎の補正係数HK1〜HK4を用いて補正して第2の配線パターン(図形Zh1)を生成する工程(ステップS9)と、
ベクタデータである前記第2の配線パターン(図形Zh1)をラスタデータである第1の露光パターン(図形Zh1)に前記補正領域H1〜H4毎に変換する工程(ステップS10)と、
前記補正領域H1〜H4毎に、前記第1ないし第4の輪郭テーブルR1〜R4(補正領域輪郭テーブル)を参照して前記第1の露光パターン(図形Zh1)の前記補正領域H1〜H4からはみ出す部分を削除して第2の露光パターンZhh1〜Zhh4を生成する工程(ステップS11)と、
前記補正領域H1〜H4毎に生成された前記第2の露光パターンZhh1〜Zhh4を結合して補正済み露光パターンZR1を生成する工程(ステップS12)と、
前記補正済み露光パターンZR1によりプリント基板K1(ワーク)を露光する工程(ステップS13)と、を備えたことを特徴とし、この構成により、複数の補正領域を設けたプリント基板を露光する場合、基板毎の変形に対応し、補正領域を跨る配線パターンの演算処理を低減でき、より少ないリソースで高精度な補正処理を実現することができる。
H1〜H4 補正領域
Hh1〜Hh4 計測補正領域
HK1〜HK4 補正係数
K1,Kh1 プリント基板(ワーク)
R1〜R4 第1ないし第4の輪郭テーブル
Z1 設計配線パターン、第1の配線パターン(図形)
Zh1 第2の配線パターン(図形)
Zhh1〜Zhh4 第2の露光パターン
ZR1 補正済み露光パターン
ZR1 補正済み露光パターン
Claims (2)
- ベクタデータである設計配線パターンをラスタデータである露光パターンに変換し、互いに直角方向となる二つの方向のそれぞれの座標によって位置が指定される平面を有するワークに描画する描画方法であって、
前記ワークにおいて前記二つの方向に配置されている基準アライメントマークのなかの4個によって定められる方形領域を単位として複数の補正領域を設定する工程と、
前記設計配線パターンを前記補正領域毎に基本図形で構成される第1の配線パターンに分割する工程と、
前記基準アライメントマークの実際の位置を計測する工程と、
前記基準アライメントマークの設計上の座標値と前記計測する工程で得られた実際の座標値とから前記補正領域毎の補正係数を生成する工程と、
前記基準アライメントマークの設計上の座標値と前記計測する工程で得られた実際の座標値とから前記補正領域毎の計測補正領域を生成する工程と、
前記計測補正領域の輪郭を前記二つの方向のうちの一方の方向の座標毎の他方の方向の始点座標と終点座標として計算した情報を格納する補正領域輪郭テーブルを前記計測補正領域毎に生成する工程と、
前記補正領域毎に、対応する前記補正係数を用いて前記第1の配線パターンを補正して第2の配線パターンを生成する工程と、
前記補正領域毎に、前記第2の配線パターンを前記二つの方向のうちの一方の方向の座標毎の他方の方向の始点座標と終点座標とから表される線分の集合となる第1の露光パターンに変換する工程と、
前記補正領域毎に、対応する前記補正領域輪郭テーブルを参照して前記第1の露光パターンの前記補正領域からはみ出す部分を削除して第2の露光パターンを生成する工程と、
前記第2の露光パターンを全て結合して補正済み露光パターンを生成する工程と、
前記補正済み露光パターンにより前記ワークを露光する工程と、
を備えた描画方法。 - ベクタデータである設計配線パターンをラスタデータである露光パターンに変換し、互いに直角方向となる二つの方向のそれぞれの座標によって位置が指定される平面を有するワークに描画する描画制御装置であって、
前記ワークにおいて前記二つの方向に配置されている基準アライメントマークのなかの4個によって定められる方形領域を単位として複数の補正領域を設定する手段と、
前記設計配線パターンを前記補正領域毎に基本図形で構成される第1の配線パターンに分割する手段と、
前記基準アライメントマークの実際の位置を計測する手段と、
前記基準アライメントマークの設計上の座標値と前記計測する手段で得られた実際の座標値とから前記補正領域毎の補正係数を生成する手段と、
前記基準アライメントマークの設計上の座標値と前記計測する手段で得られた実際の座標値とから前記補正領域毎の計測補正領域を生成する手段と、
前記計測補正領域の輪郭を前記二つの方向のうちの一方の方向の座標毎の他方の方向の始点座標と終点座標として計算した情報を格納する補正領域輪郭テーブルを前記計測補正領域毎に生成する手段と、
前記補正領域毎に、対応する前記補正係数を用いて前記第1の配線パターンを補正して第2の配線パターンを生成する手段と、
前記補正領域毎に、前記第2の配線パターンを前記二つの方向のうちの一方の方向の座標毎の他方の方向の始点座標と終点座標とから表される線分の集合となる第1の露光パターンに変換する手段と、
前記補正領域毎に、対応する前記補正領域輪郭テーブルを参照して前記第1の露光パターンの前記補正領域からはみ出す部分を削除して第2の露光パターンを生成する手段と、
前記第2の露光パターンを全て結合して補正済み露光パターンを生成する手段と、
前記補正済み露光パターンにより前記ワークに露光させる手段と、
を備えた描画制御装置。
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