CN101017835B - 薄膜晶体管面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。

Description

薄膜晶体管面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)通常包括一对显示板，其具有场发生电极、偏振板和介于两个显示板之间的液晶层。场发生电极在液晶层上产生电场。而且，随着电场强度的变化，液晶分子的排列也变化。例如，当产生电场时，液晶层的液晶分子改变他们的排列，由此还改变穿过液晶层的光的偏振。另外，LCD的偏振板阻断或者传输偏振光，以适当地形成明亮和黑暗区，由此产生要显示的所需图像。

例如，LCD包括显示板，该显示板包括具有开关元件的多个像素、多个显示信号线和具有多级的栅极驱动器，该栅极驱动器将栅极信号传输给显示信号线的栅极线，以导通/截止像素的开关元件。

栅极驱动器的每一级都连接到一个信号线。该级接收栅极导通/截止电压、时钟信号，并将输入的栅极导通/截止电压和时钟信号传输给连接到其上的信号线。

栅极驱动器可以与基板集成，然后栅极线可以延伸成直接连接到栅极驱动器。在这种情况下，为了连接栅极驱动器的栅极线和栅极驱动器的数据线，形成露出栅极线的接触孔，然后使用例如由氧化铟锡(ITO)制成的连接件，通过接触孔使数据线和数据线接触。

作为选择，如果栅极驱动器形成在基板外面，则使用将栅极导通/截止信号线连接到栅极驱动器的各级的焊盘部分，以将栅极导通/截止电压传输到栅极驱动器的各级。在这种情况下，为了将焊盘部分连接到信号线，形成露出信号线的接触孔，然后使用例如由ITO制成的连接件通过接触孔使信号线和栅极驱动器的各级相接触。

而且，当信号线的长度随着LCD的尺寸增加时，信号线的电阻也增加。因此，由于信号线的电阻增加导致出现信号延迟或者电压降。因此，应当使用由具有低电阻率的材料例如铝(Al)制成的配线作为信号线。

例如，当在配线中使用铝(Al)时，信号线可以具有包括Al层和另一层的多层结构。

然而，如果包括Al的信号线直接与LCD的像素电极或者连接件中使用的ITO接触，则Al可能被氧化或者腐蚀。

发明内容

根据本发明的示范性实施例，提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括基板、形成在基板上的第一信号线、形成在第一信号线上并具有露出第一信号一部分的第一接触孔的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的第一半导体、形成在第一半导体和栅绝缘层上的第二信号线及形成在第一半导体上并与第二信号线隔开的漏极电极。TFT阵列面板还包括形成在栅绝缘层上并通过第一接触孔连接到第一信号线的导体、形成在第二信号线、漏极电极和导体上并具有露出漏极电极的第二接触孔的钝化层及形成在钝化层上并通过第二接触孔连接到漏极电极的像素电极。

钝化层还可以包括露出导体一部分的第三接触孔，并且TFT阵列面板还可以包括通过第三接触孔连接到导体的接触辅助件。第一信号线可以包括设置在第一半导体下面的栅极。

TFT阵列面板还可以包括形成在栅绝缘层下面并包括设置在第一半导体下面的栅极的第三信号线，以及连接到导体和第三信号线的栅极驱动电路。

TFT阵列面板还可以包括形成在第一信号线的露出部分和导体之间的第二半导体。第二半导体可以具有和第一接触孔对准的第四接触孔，并且导体可以通过第一接触孔和第四接触孔连接到第一信号线。

除了第四接触孔之外，第二半导体可以具有与导体基本上相同的平面形状。

第一半导体可以朝着第二信号线和漏极电极延伸，并可以具有和下面的第一半导体基本相同的平面形状。

TFT阵列面板还可以包括由与第一信号线相同的层制成并重叠像素电极的存储电极，以及形成在设置在栅绝缘层上的存储电极上的第三半导体。

第一信号线可以包括由铝(Al)或者铝(Al)合金制成的第一导电层。

第一信号线还可以包括设置在第一导电层下面的第二导电层，其包括铬(Cr)、钼(Mo)、铬(Cr)合金或者钼(Mo)合金。

在第一信号线的露出部分可以通过第一接触孔去除第一导电层。

第一接触孔可以露出第一信号线的边界。

根据本发明的示范性实施例，提供一种TFT阵列面板的制造方法。该方法包括在基板上形成第一信号线、在第一信号线上沉积栅绝缘层、在栅绝缘层上沉积本征非晶硅(a-Si)层、在本征非晶硅层上沉积非本征非晶硅(a-Si)层、在非本征a-Si层上形成具有取决于位置的厚度并露出非本征a-Si层的第一部分的光致抗蚀剂膜，以及使用光致抗蚀剂膜作为掩模，同时对非本征a-Si层、本征a-Si层和栅绝缘层构图，来形成非本征半导体、本征半导体和露出第一信号线一部分的第一接触孔。该方法还包括在非本征半导体和通过第一接触孔连接到第一信号线的导体上形成第二信号线和漏极电极，同时在数据线、漏极电极和导体上形成具有露出漏极电极一部分的第二接触孔的钝化层，以及形成通过钝化层上的第二接触孔连接到漏极电极的像素电极。

非本征半导体、本征半导体和第一接触孔的形成可以包括使用光致抗蚀剂膜作为掩模来蚀刻非本征a-Si层的第一部分、下面的本征a-Si层和下面的栅绝缘层，使光致抗蚀剂膜变薄以露出非本征a-Si层的第二部分，去除非本征a-Si层的第二部分、下面的本征a-Si层以及下面的栅绝缘层，并去除剩余的光致抗蚀剂膜。

光致抗蚀剂膜的形成可以包括涂敷光致抗蚀剂，并曝光光致抗蚀剂，以通过具有透光的透明区域、半透明区域和阻光的不透明区域的掩模曝光光致抗蚀剂。透光的透明区域可以对应于非本征a-Si层的第一部分，而半透明区域可以对应于非本征a-Si层的第二部分。

第一接触孔可以设置在非本征a-Si层的第一部分的下面。

第一信号线可以包括由铝(Al)或者铝(Al)合金制成的第一导电层。

第一信号线还可以包括设置在第一导电层下面的第二导电层，其包括铬(Cr)、钼(Mo)、铬(Cr)合金或者钼(Mo)合金，并且该方法还可以包括在形成第一接触孔之后去除第一导电层的露出部分。

钝化层还可以具有露出导体一部分的第三接触孔，并且形成像素电极可以包括形成通过第三接触孔连接到导体的接触辅助件。

根据本发明的示范性实施例，提供了一种TFT阵列面板的制造方法。该方法包括在基板上形成第一信号线、在第一信号线上沉积栅绝缘层、在栅绝缘层上沉积本征非晶硅(a-Si)层、在本征非晶硅层上沉积非本征非晶硅(a-Si)层、通过蚀刻非本征a-Si层、本征a-Si层和栅绝缘层形成露出一部分第一信号线的第一接触孔、在非本征a-Si层上沉积导电层并形成具有取决于位置的厚度的光致抗蚀剂膜。该方法还包括使用光致抗蚀剂膜作为掩模，通过对导电层、非本征a-Si层和本征a-Si层构图，形成通过第一接触孔连接到第一信号线的导体、第二信号线、漏极电极和下面的接触辅助件和半导体，在数据线、漏极电极和导体上形成具有露出漏极电极一部分的第二接触孔的钝化层，并且在钝化层上形成通过第二接触孔连接到漏极电极的像素电极。

钝化层还可以具有露出导体一部分的第三接触孔，并且形成像素电极可以包括形成通过第三接触孔连接到导体的接触辅助件。

附图说明

结合附图，通过下面的描述可以更详细地理解本发明的示范性实施例，其中：

图1是根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的布置图；

图2是图1所示TFT阵列面板沿着线II-II’-II”-II”’剖取的截面图；

图3是根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的布置图；

图4是图1所示TFT阵列面板沿着线IV-IV’-IV”-IV”’剖取的截面图；

图5、图7、图10和图12是根据本发明的示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图1和图2所示TFT阵列面板的布置图；

图6是图5所示TFT阵列面板沿着线VI-VI’-VI”-VI”’剖取的截面图；

图8是图7所示TFT阵列面板沿着线VIII-VIII’-VIII”-VIII”’剖取的截面图；

图9A到图9F是图7和图8所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图；

图11是图10所示TFT阵列面板沿着线XI-XI’-XI”-XI”’剖取的截面图；

图13是图12所示TFT阵列面板沿着线XIII-XIII’-XIII”-XIII”’剖取的截面图；

图14和图17是根据本发明示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图3和图4所示TFT阵列面板的布置图；

图15是图14所示TFT阵列面板沿着线XV-XV’-XV”-XV”’剖取的截面图；

图16A到图16F是图14和图15所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图；

图18是图17所示TFT阵列面板沿着线XVIII-XVIII’-XVIII”-XVIII”’剖取的截面图；

图19是根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的布置图；

图20是图19所示TFT阵列面板沿着线XX-XX’-XX”-XX”’剖取的截面图；

图21、图23和图26是根据本发明的示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图19和图20所示TFT阵列面板的布置图；

图22是图21所示TFT阵列面板沿着线X XII-X XII’-X XII”-X XII”’剖取的截面图；

图24是图23所示TFT阵列面板沿着线X X IV-X X IV’-X X IV”-X XIV”’剖取的截面图；

图25A到图25F是图23和图24所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图；

图27是图26所示TFT阵列面板沿着线X X VII-X X VII’-X X VII”-X XVII”’剖取的截面图；

图28是根据本发明示范性实施例的LCD的框图；

图29是表示图28所示LCD一部分显示区域的布置图；

图30是表示图28所示LCD一部分驱动区域的布置图；

图31是图30所示TFT阵列面板沿着线X XXI-X X XI’-X X XI”-X XXI”’剖取的截面图；

图32、图33、图35和图36是根据本发明的示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图31所示TFT阵列面板的布置图；

图34A到34F是图33所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图；

图37是表示图28所示LCD一部分显示区域的另一布置图；

图38是表示图28所示LCD一部分显示区域的另一布置图；以及

图39是图37和图38所示TFT阵列面板沿着线X X XI X-X X XI X’-XX XI X”-X X XI X”’剖取的截面图。

具体实施方式

在下文，将参考附图具体描述本发明的示范性实施例。

如本领域的技术人员会认识到，所述的示范性实施例可以以多种不同的方式进行修改，而完全不脱离本发明的精神或者范围。

为了清楚起见，在图中夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中相同的附图标号表示相同的元件。应该理解的是，当称一个元件例如层、膜、区域或者基板在另一个元件上面时，他可以直接在其他元件之上，或者也可以存在插入元件。相反，当称一个元件“直接在另一元件之上”时，则不存在插入元件。

首先，参考图1和2具体描述根据本发明示范性实施例的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。

图1是根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的布置图，而图2是图1所示TFT阵列面板沿着线II-II’-II”-II”’剖取的截面图。

在由例如透明玻璃或者塑料材料制成的绝缘基板110上形成多个栅极线121和多个存储电极线131。

栅极线121传输栅极信号，并基本上以横向方向延伸。每一个栅极线121包括向下突起的多个栅极电极124和具有与其他层或者外部驱动电路接触的大区域的栅极焊盘129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路可以安装在柔性印刷电路板(FPC)膜上，其可以连接到基板110、直接安装在基板110上或者集成到基板110上面。栅极线121可以延伸，以连接到可以集成在基板110上的驱动电路。

给存储电极线131提供预定的电压，并且每一个存储电极线131都包括基本上平行于栅极线121延伸的主干和从主干分叉的多个第一和第二存储电极对133a和133b。每一个存储电极线131都设置在两个相邻栅极线121之间，并且主干靠近两个相邻栅极线121之一。存储电极133a和133b的每一个都具有连接到主干的固定端部分和与其相对设置的自由端部分。第一存储电极133a的固定端部分具有大区域，而其自由端部分分叉成线性的分支和弯曲的分支。然而，存储电极线131可以具有多种形状和布置。

栅极线121和存储电极线131包括设置其上的两个导电膜，下膜和上膜，他们具有不同的物理特性。上层可以由低电阻率金属制成，包括含铝(Al)金属，例如铝(Al)和铝(Al)合金，例如钕化铝(AlNd)，用于减少信号延迟或者电压降。例如，下层可以由例如含钼(Mo)金属的材料制成，例如钼(Mo)或者钼(Mo)合金、铬(Cr)、钽(Ta)或者钛(Ti)，其与其他材料例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)相比具有良好的物理、化学和电接触特性。然而，栅极线121和存储电极线131可以具有例如包括含Al金属的单层结构。

在图2中，对于栅极电极124、存储电极线131和存储电极133a和133b，分别用附加字母p和q表示其下膜和上膜。

栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角在从大约30到大约80度的范围中。

在栅极线121和存储电极线131上形成例如由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成的栅绝缘层140。栅绝缘层140具有露出栅极焊盘129的多个接触孔141。

在栅绝缘层140上形成例如由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体带151。每个半导体带151基本上以纵向方向延伸，并包括朝着栅极电极124分叉出去的多个突起154。半导体带151在栅极线121和存储电极线131附近变宽，使得半导体带151覆盖栅极线121和存储电极线131的很大区域。

在半导体带151上形成多个欧姆接触带161和岛165。例如，欧姆接触161和165优选由重掺杂n型杂质例如磷的n+氢化a-Si制成，或者他们可以由硅化物制成。每个欧姆接触带161包括多个突起163，而突起163和欧姆接触岛165成对设置在半导体带151的突起154上。

半导体带151和欧姆接触161和165的侧面相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角度例如在大约30到大约80度的范围中。

在欧姆接触161和165及栅绝缘层140上形成多个数据线171、多个漏极电极175和多个互连件178。

数据线171传输数据信号，并基本上以纵向方向延伸，以与栅极线121交叉。每个数据线171还与存储电极线131交叉，并在存储电极133a和133b的相邻对之间延伸。每个数据线171包括朝着栅极电极124突起并弯曲成字母J形的多个源极电极173和与其他层或者外部驱动电路接触的数据焊盘179。用于产生数据信号的数据驱动电路可以安装在FPC膜上，其可以连接到基板110、直接安装在基板110上或者集成到基板110上。数据线171可以延伸成连接到可以集成到基板110上的驱动电路。

漏极电极175和数据线171隔开，并相对于栅极线124与源极电极173相对地设置。每个漏极电极175包括宽的端部和窄的端部。宽的端部重叠存储电极线131，而窄的端部被源极电极173部分地围绕。

栅极电极124、源极电极173和漏极电极175与半导体带151的突起154一起形成具有沟道的TFT，该沟道形成在设置在源极电极173和漏极电极175之间的突起154中。

互连件178覆盖通过栅绝缘层140的接触孔141露出的栅极焊盘129，以接触栅极焊盘129。

栅极线171、漏极电极175和互连件178可以由难熔金属例如Cr、Mo、Ta、Ti或者其合金制成。然而，他们可以具有例如包括难熔金属膜和低电阻率膜的多层结构。然而，数据线171、漏极电极175和互连件178可以由多种金属或者导体制成。

数据线171、漏极电极175和互连件178具有倾斜的边缘外形，其倾斜角度的范围是从大约30到大约80度。

欧姆接触161和165只插设在下面的半导体带151和其上面的重叠导体171和175之间，并减少其间的接触电阻。尽管半导体带151在大部分地方比数据线171要窄，但是如上所述，半导体带151的宽度在栅极线121和存储电极线131附近变大，以平滑表面的外形，由此避免数据线171断开。然而，半导体带151包括一些没有被数据线171和漏极电极175覆盖的露出部分，例如设置在源极电极173和漏极电极175之间的部分。

在数据线171、漏极电极175、互连件178和半导体带151的露出部分上形成钝化层180。钝化层180可以由例如无机绝缘体或者有机绝缘体制成，并且他可以具有平坦的顶表面。无机绝缘体的实例包括但不局限于氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有感光性和小于大约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，使得他可以获得有机绝缘体的良好绝缘特性，而避免半导体带151的露出部分被有机绝缘体破坏。而且，由有机绝缘体制成的上层可以具有平坦的表面，以使得钝化层具有平坦的顶表面。

钝化层180具有分别露出互连件178、数据线171的数据焊盘179和漏极电极175的多个接触孔181、182和185。钝化层180和栅绝缘层140具有多个接触孔183a和多个接触孔183b，多个接触孔183a露出第一存储电极133a固定端部分附近的存储电极线131的部分下膜133ap，而多个接触孔183b露出第一存储电极133a自由端部分的线性分支的下膜133bp。

在钝化层180上形成多个像素电极191、多个跨桥83和多个接触辅助件81和82。例如，他们由透明导体如ITO或IZO或者反射导体如银(Ag)、Al或其合金制成。

像素电极191通过接触孔185与漏极电极175物理连接并且电连接，使得像素电极191从漏极电极175接收数据电压。供给数据电压的像素电极191和供给公共电压的相对显示板的公共电极共同产生电场。产生的电场反过来决定设置在两个电极之间的液晶层的液晶分子的取向。像素电极191和公共电极形成被称作“液晶电容器”的电容器，其在TFT关断之后存储施加的电压。

像素电极191和连接到其上的漏极电极175重叠包括存储电极133a和133b的存储电极线131。像素电极191、连接到其上的漏极电极175和存储电极线131形成被称作“存储电容器”的附加电容器，其增加了液晶电容器的存储电容。

跨桥83跨过栅极线121，并分别通过接触孔183a和183b连接到存储电极线131的露出部分和存储电极133b自由端部分的露出的线性分支，他们相对于栅极线121彼此相对设置。包括存储电极133a和133b的存储电极线131及跨桥83可以用来修补栅极线121、数据线171或者TFT中的缺陷。

接触辅助件81和82分别通过接触孔181和182连接到互连件178和数据线171的数据焊盘179。接触辅助件81和82保护互连件178和数据焊盘179，并增强互连件178和数据焊盘179与外部装置之间的粘着力。

互连件178插设在例如由含Al金属制成的下栅极焊盘129和由其上的透明导体例如ITO制成的上接触辅助件181之间，以避免由ITO导致的对Al的腐蚀。

现在，将参考图3和图4具体描述根据本发明另一示范性实施例的TFT阵列面板。

图3是根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的布置图，而图4是图1所示TFT阵列面板沿着线IV-IV’-IV”-IV”’剖取的截面图。

如图3和图4所示，根据本发明示范性实施例的TFT阵列面板的层状结构基本上与图1和图2所示结构相同。

在基板110上形成多个栅极线121和多个存储电极线131。每个栅极线121包括栅极电极124和栅极焊盘129，而每个存储电极线131包括存储电极133a和133b。栅极线121和存储电极线131包括具有良好接触特性的下层和由含Al金属制成的上层。在图3和图4中，分别用附加的字母p和q表示栅极线121和存储电极线131的下层和上层。在栅极线121和存储电极线131上顺序形成具有多个接触孔141的栅极绝缘层140、包括突起154的多个半导体带151、包括突起164的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165。

在欧姆接触161和165及栅绝缘层140上形成包括源极电极173和数据焊盘179的多个数据线171、多个漏极电极175和多个互连件178，并在其上形成钝化层180。栅绝缘层140和钝化层180具有多个接触孔180、182、183a、183b和185。在钝化层180上形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

然而，与图1和图2所示TFT阵列面板不同的是，去除了通过接触孔141露出的栅极焊盘129的上层129q，以通过接触孔141露出下层129p。而且，每个接触孔141的尺寸大于每个栅极焊盘129的尺寸，以露出栅极焊盘129周围的基板110，并且露出的基板110和栅极焊盘129的下层129p被互连件178覆盖。

在根据本示范性实施例的TFT阵列面板中，去除由含Al金属制成的栅极焊盘129的上层129q，使得可以避免因接触ITO而导致对含Al金属的腐蚀。

图1和图2中所示TFT阵列面板的很多特性可以应用到图3和图4所示TFT阵列面板中。

现在，将参考图5到图13及图1和图2具体描述根据本发明示范性实施例的图1和图2所示TFT阵列面板的制造方法。

图5、图7、图10和图12是根据本发明示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图1和图2中所示TFT阵列面板的布置图。图6是图5所示TFT阵列面板沿着线VI-VI’-VI”-VI”’剖取的截面图，图8是图7所示TFT阵列面板沿着线VIII-VIII’-VIII”-VIII”’剖取的截面图，图11是图10所示TFT阵列面板沿着线XI-XI’-XI”-XI”’剖取的截面图，图13是图12所示TFT阵列面板沿着线X III-X III’-X III”-X III”’剖取的截面图，而图9A到图9F是图7和图8所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图。

参考图5和图6，例如，通过溅射，在绝缘基板110上沉积下导电层，比如Cr、氮化铬(Cr-N)或者Mo，然后在其上沉积含Al金属的上导电层。通过光刻和腐蚀来图案上导电层和下导电层，以形成具有双层结构的多个栅极线121和多个存储电极线131。每个栅极线121包括栅极电极124和栅极焊盘129，而每个存储电极线131包括存储电极133a和133b。在图中，分别用附加的字母p和q表示栅极线121和电极线131的下层和上层。

接下来，如图7和图8所示，在具有栅极线121和存储电极线131的基板上形成具有多个接触孔141的栅绝缘层140、包括突起154的多个(本征)半导体带151和包括突起164的多个非本征半导体带161。

现在，将参考图9A到9F更具体地描述栅绝缘层140、非本征半导体带161和(本征)半导体带151的形成。

参考图9A，例如，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在基板上顺序沉积栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，然后在其上涂敷光致抗蚀剂膜400。

接下来，通过曝光掩模60来曝光光致抗蚀剂膜400，并在图9A的上侧示出了曝光掩模60的实例。

曝光掩模60包括基板61和形成在其上的多个不透明件62。根据曝光掩模60上不透明件62的分布，将曝光掩模60和基板110分割成透光的透明区域A、半透明区域B和挡光的不透明区域C。

在半透明区域B中，不透明件62在其间设置有预定的间隔，其小于用于平版印刷术的曝光装置的分辨率，并被称作狭缝图案。在透光的透明区域A中没有不透明件62，并在整个挡光的不透明区域C中都设置不透明件62。

半透明区域B可以具有格子图案，或者代替狭缝图案可以是具有中透射率或者中厚度的薄膜。

通过掩模60曝光光致抗蚀剂膜400，然后显影曝光的光致抗蚀剂膜400。如图9B所示，显影的光致抗蚀剂膜400具有取决于位置的厚度，以便去除设置在透光的透明区域A中的光致抗蚀剂膜400，减少了设置在半透明区域B中的光致抗蚀剂膜400，而没有去除设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400。

这里，根据随后工艺步骤中的工艺条件调整设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400和设置在半透明区域B中的光致抗蚀剂膜400的厚度比例。例如，设置在半透明区域B中的光致抗蚀剂膜400的厚度可以等于或者小于设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400的厚度的一半。

例如，借助于可回流的光致抗蚀剂还可以获得光致抗蚀剂膜400的取决于位置的厚度。具体地讲，一旦借助于只具有透明区域和不透明区域的通常曝光掩模形成由可回流材料制成的光致抗蚀剂图案，则要进行回流工艺，以流到没有光致抗蚀剂的区域，由此形成薄的部分。

接下来，使用剩余的光致抗蚀剂膜400作为掩模，蚀刻非本征非晶硅(a-Si)层160、本征a-Si层150和栅绝缘层140，以去除设置在透光的透明区域A中的非本征a-Si层160、本征a-Si层150和栅绝缘层140，使得如图9C所示在栅绝缘层140中形成露出栅极焊盘129的接触孔141。

如图9D所示，对光致抗蚀剂膜400进行抛光，使得全部去除设置在透明区域B中的光致抗蚀剂膜400，并使得设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400的厚度变薄。

参考图9E，使用设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400作为掩模，蚀刻非本征a-Si层160和本征a-Si层150，以形成非本征半导体带161和本征半导体带151。

最后，如图9F所示，例如，通过抛光去除设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400。

如上所述，使用一个曝光掩模图案栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，以在栅绝缘层140中形成露出栅极焊盘129的接触孔141，并同时形成非本征半导体带161和本征半导体带151，使得不需要附加的曝光掩模。因此，结果还降低了生产成本。

在非本征半导体带161和164及栅绝缘层140上沉积金属层，然后通过光刻和蚀刻图案化该金属，以形成包括源极电极173和数据焊盘179的数据线171、多个漏极电极175和多个互连件178。

其后，去除掉没有被数据线171和漏极电极175覆盖的非本征半导体带164的露出部分，以完成包括突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165，并露出本征半导体带151的部分。

接下来，通过光刻(和蚀刻)沉积和图案化钝化层180和栅绝缘层140，以形成分别露出互连件178、数据线171的数据焊盘179、第一存储电极133a的固定端部分附近的部分存储电极线131、第一存储电极133a的自由端部分的线性分支部分和漏极电极175的多个接触孔181、182、183a、183和185。

参考图1和图2，例如，通过溅射在钝化层180上沉积ITO或者IZO，并通过光刻和腐蚀来图案化，以形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

现在，将参考图14到图18及图3和图4具体描述根据本发明的本示范性实施例的图3和图4所示TFT阵列面板的制造方法。

图14和图17是根据本发明另一示范性实施例的图3和图4所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的布置图。图15是图14所示TFT阵列面板沿着线X V-X V’-X V”-X V”’剖取的截面图，图18是图17所示TFT阵列面板沿着线XVIII-X VIII’-XVIII”-XVIII”’剖取的截面图，而图16A到图16F是图14和图15所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图。

参考图14和图15，在绝缘基板110上顺序沉积下导电层和上导电层，并通过光刻和腐蚀进行构图，以形成具有双层结构的多个栅极线121和多个存储电极线131。每个栅极线121包括多个栅极电极124和栅极焊盘129，而每个存储电极线131包括多个存储电极133a和133b。在图中，分别用附加的字母p和q表示栅极线121和存储电极线131的下层和上层。

其后，在具有栅极线121和存储电极线131的基板上形成具有多个接触孔141的栅绝缘层140、包括突起154的多个(本征)半导体带151和包括突起164的多个非本征半导体带161。接下来，去除通过接触孔141露出的栅极焊盘129的上层129q，以露出其下层129p。

现在，将参考图16A到16F更具体地描述图14和图15中所示栅绝缘层140、非本征半导体带161和(本征)半导体带151的形成。

参考图16A，在基板上顺序沉积栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，然后在其上涂敷光致抗蚀剂膜400。

如图16B所示，通过包括基板61和多个不透明件62的曝光掩模60曝光光致抗蚀剂膜400，然后显影曝光的光致抗蚀剂膜400，使得几乎去除掉设置在透光的透明区域A中的光致抗蚀剂膜400，减少设置在半透明区域B中的光致抗蚀剂膜400，而几乎不去除设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400。

这里，与图9A所示曝光掩模不同的是，图16A所示透光的透明区域A的宽度稍微大于栅极焊盘129的宽度。

接下来，如图16C所示，使用剩余的光致抗蚀剂膜400作为掩模蚀刻非本征a-Si层160、本征a-Si层150和栅绝缘层140，以在透光的透明区域A中形成露出栅极焊盘129的接触孔141。其后，去除通过接触孔141露出的栅极焊盘129的上层129q，以露出栅极焊盘129的下层129p的部分。

如图16D所示，对光致抗蚀剂膜400进行抛光，使得完全去除设置在半透明区域B中的光致抗蚀剂膜400，并使得设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400的厚度变薄。

如图16E所示，接下来，使用设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400作为掩模蚀刻非本征a-Si层160和本征a-Si层150，以形成非本征半导体带161和本征半导体带151。

最后，如图16F所示，例如，通过抛光去除设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400。

如上所述，使用一个曝光掩模图案化栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，以在栅绝缘层140中形成露出栅极焊盘129的接触孔141，并同时形成非本征半导体带161和本征半导体带151。而且，可以去除掉包含Al并容易被氧化或者腐蚀的栅极焊盘129的上层129q，使得可以避免Al的腐蚀。

通过光刻和腐蚀来沉积和图案化金属层，以形成包括源极电极173和数据焊盘179的多个数据线171、多个漏极电极175和多个互连件178。其后，去除没有被数据线171和漏极电极175覆盖的非本征半导体带164的露出部分，以完成包括突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165，并露出本征半导体带151的部分。

接下来，通过光刻(和腐蚀)来沉积和图案化钝化层180和栅绝缘层140，以形成如图17和18所示的多个接触孔181、182、183a、183b和185。

最后，在如图3和如4所示钝化层上形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

现在，将参考图19和20具体描述根据本发明的另一示范性实施例的TFT阵列面板。

图19是根据本发明另一示范性实施例的TFT阵列面板的布置图，而图20是图19所示TFT阵列面板沿着线X X-X X’-X X”-X X”’剖取的截面图。

如图19和20所示，根据本示范性实施例的TFT阵列面板基本上类似于图1和图2所示的层状结构。

在基板110上形成包括多个栅极电极124和多个栅极焊盘129的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131。栅极线121和存储电极线131包括含Al金属，例如Al和Al合金。

在栅极线121和存储电极线131上顺序形成具有多个接触孔141的栅绝缘层140、包括突起154的多个半导体带151、包括突起164的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛。

在欧姆接触161和165及栅绝缘层140上形成包括源极电极173和数据焊盘179的多个数据线171、多个漏极电极175及多个互连件178，并在其上形成钝化层180。

栅绝缘层140和钝化层180具有多个接触孔181、182、183a、183b和185。

在钝化层180上形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

然而，与图1和图2所示TFT阵列面板不同的是，图19和图20所示TFT阵列面板包括设置在存储电极133a和133b上并由与数据线171的相同层制成的多个加强件176a和176b。

而且，多个欧姆接触岛166a和166b及多个半导体岛156a和156b设置在加强件176a和176b下面，并具有基本上和加强件176a和176b相同的平面形状。

加强件176a和176b阻止含Al的存储电极133a和133b与欧姆接触岛166a和166b及半导体岛156a和156b露出和腐蚀。而且，多个欧姆接触岛168和多个半导体岛158设置在互连件178下面，并基本上具有和互连件178相同的平面形状。

半导体带151还具有基本上与数据线171和漏极电极175及欧姆接触161和165相同的平面形状。然而，半导体带151的突起154包括一些没有被数据线171和漏极电极175覆盖的露出部分，例如设置在源极电极173和漏极电极175之间的部分。

接触孔141通过彼此具有基本上相同的平面形状的半导体岛158和欧姆接触岛168延伸，使得设置在其上的互连件178连接到栅极焊盘129。栅极线121和存储电极线131具有含Al的单层。而且，钝化层180具有包括下无机层180p和上有机层180q的双层结构。上有机层180q具有基本上平坦的表面。

图1和图2所示TFT阵列面板的很多特性可以应用到图19和图20所示TFT阵列面板。

现在，将参考图21到27及图19和图20具体描述根据本发明的另一示范性实施例的图19和图20所示TFT阵列面板的制造方法。

图21、图23和图26是根据本发明另一示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图19和图20中所示TFT阵列面板的布置图。图22是图21所示TFT阵列面板沿着线XXII-XXII’-XXII”-XXII”’剖取的截面图，图24是图23所示TFT阵列面板沿着线X X IV-X X IV’-X X IV”-X X IV”’剖取的截面图，而图27是图26所示TFT阵列面板沿着线X X VII-X X VII’-X X VII”-X X VII”’剖取的截面图。图25A到图25F是图23和图24所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图。

例如，通过溅射在基板上沉积含Al金属层，例如Al和Al合金，然后图案金属层，以形成包括多个栅极电极124和栅极焊盘129的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131。

参考图23和图24，形成栅绝缘层140、包括突起154的多个半导体带151、多个半导体岛156a、156b和158、包括突起163的多个欧姆接触带161和多个非本征半导体岛165、166a、166b、168和169，并且通过一个平版印刷术步骤和几个蚀刻步骤同时形成包括多个源极电极173和数据焊盘179的多个数据线171、多个漏极电极175、多个互连件178和多个加强件176a和176b。

这里，非本征半导体岛168、半导体岛158和栅绝缘层140具有露出部分栅极焊盘129的多个接触孔141。

现在，将参考图25到图25F更具体地描述图23和图24所示TFT阵列面板的形成。

参考图25A，例如，通过化学气相沉积(CVD)在基板上顺序沉积栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160。接下来，蚀刻非本征a-Si层160、本征a-Si层150和栅绝缘层140，以形成如图25B所示露出部分栅极焊盘129的多个接触孔141。

例如，通过溅射沉积如图25C所示的数据金属层170，并在数据导电层170上形成如图25D所示光致抗蚀剂膜410。

这里，光致抗蚀剂膜410具有取决于位置的厚度，使得设置在挡光的不透光区域F中的光致抗蚀剂膜410的厚度最厚，设置在半透明区域E中的光致抗蚀剂膜410的厚度比设置在挡光的不透明区域F中的光致抗蚀剂膜410的薄，而设置在透光的透明区域D中的光致抗蚀剂膜410的厚度接近于零。

参考图25E，通过使用光致抗蚀剂膜410作为掩模，蚀刻透光的透明区域D中露出的数据金属层170，以形成多个数据导体174、多个加强件176a和176b和多个互连件178。其后，蚀刻透光的透明区域D中露出的非本征a-Si层160和本征a-Si层150，以形成多个非本征半导体带164、多个非本征半导体岛166a、166b和168、包括多个突起154的本征半导体带151和多个本征半导体岛56a、156b和158。

接下来，如图25F所示，对光致抗蚀剂膜410进行抛光，使得完全去除掉设置在半透明区域E中的光致抗蚀剂膜，使得设置在挡光的不透明区域F中的光致抗蚀剂膜的厚度变薄。

其后，借助于挡光的不透明区域F中的剩余光致抗蚀剂膜410作为掩模蚀刻数据导体174，以形成包括多个源极电极173和多个漏极电极175的多个数据线171，并同时露出在源极电极173和漏极电极175之间的非本征半导体带164的下面部分。

最后，蚀刻源极电极173和漏极电极175之间露出的非本征半导体带164，以形成欧姆接触161和165，并露出本征半导体带154的部分。

接下来，通过光刻(和腐蚀)来沉积和图案化钝化层180和栅绝缘层140，以形成如图26和图27所示的多个接触孔181、182、183a、183b和185。

最后，如图19和20所示，在钝化层上形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

现在，将参考图28具体描述根据本发明另一示范性实施例的LCD。

图28是根据本发明示范性实施例的LCD的框图。

如图28所示，根据本发明示范性实施例的LCD包括液晶面板组件300、连接到组件300的数据驱动器500、连接到数据驱动器500的灰度电压发生器和控制组件300和数据驱动器500的信号控制器。

液晶面板组件300包括彼此相对的TFT阵列面板和公共电极面板，以及介于两个显示板之间的LC层。TFT阵列面板包括与图像显示直接相关的显示区域DA和与栅极驱动器相关的控制区域CA。

在显示区域DA中，形成多个栅极线G1-Gn、多个数据线D1-Dm、多个存储电极线、多个像素电极和多个TFT。

在控制区域CA中，栅极驱动器产生栅极信号，而多个信号传输线将来自外部的各种信号传输到栅极驱动器。栅极驱动器可以是包括多个顺序连接的级的移位寄存器。

现在，将参考图29到图31具体描述图28所示LCD的TFT阵列面板。

图29是表示图28所示LCD的显示区域的一部分的布置图，图30是表示图28所示LCD的驱动区域的一部分的布置图，而图31是图30所示TFT阵列面板沿着线X X XI-X X XI’-X X XI”-X X XI”’剖取的截面图。

显示单元DA的层状结构基本上与图1和图2中所示的类似，因此主要描述控制区域CA。

参考图30，控制区域CA包括对应于移位寄存器的一个级并产生栅极信号的多个电路部分610和传输各种信号的多个信号传输线。电路部分610包括多个TFT和多个连接线。TFT通过连接线彼此连接，并且TFT通过连接线连接到信号传输线。

现在，将描述TFT阵列面板的层状结构。

显示区域DA中的多个栅极线121和多个存储电极线131及控制区域CA中的多个栅极层信号传输线形成在绝缘基板110上。

每个栅极线121包括多个栅极电极124，并延伸到控制区域CA，以直接连接到那里，因此，没有栅极焊盘。

栅极层信号传输线125-128传输信号，比如电压，其需要控制电路部分610，并从外部输入，并基本上以纵向方向延伸。

如图1和图2所示，栅极线121、存储电极线131和栅极层信号传输线125-128具有包括下层和设置在下层上的上层的双层结构。在图31中，分别用附加字母p和q表示每个下膜和每个上膜。

在栅极线12、存储电极线131和栅极层信号传输线125-128上形成栅绝缘层140。栅绝缘层140具有分别露出栅极层信号传输线125、127和128的部分的多个接触孔142a、142b和142c。

在栅绝缘层140上，形成多个半导体带151，并在其上的显示区域DA中形成包括突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165。

在欧姆接触161和165及栅绝缘层140上，在显示区域DA中形成多个数据线171和多个漏极电极175，并在控制区域CA中形成多个数据层信号传输线172a、172b和172c。

每个数据线171包括多个源极电极173和数据焊盘179。

像栅极层信号传输线125-128一样，数据层信号传输线172a-172c传输信号，比如电压，其需要控制电路部分610，并从外部输入，并基本上以纵向方向延伸。数据层信号传输线172a-172c包括延伸到接触孔142a-142c的多个突起172a1、172b1和172c1，以通过接触孔142a-142c被连接到栅极层信号传输线125、127和128。数据层信号传输线172a和172b的部分包括朝着电路部分610延伸的多个延伸172a2和172b2，以被连接到电路部分610。

在数据线171、漏极电极175、数据层信号传输线172a-172c和半导体带151的露出部分上形成钝化层180。钝化层180包括分别露出数据焊盘179和漏极电极175的多个接触孔182和185。钝化层180和栅绝缘层140具有露出第一存储电极133a的固定端部分附近的存储电极线131的部分下膜133ap的多个接触孔183a，以及露出第一存储电极133a的自由端部分的线性分支的下膜133bp的多个接触孔183b。

在钝化层180上形成多个像素电极191、多个跨桥83和多个接触辅助件81和82。

如上所述，在电路部分610中形成TFT和连接线，TFT具有和在显示区域DA中形成的TFT基本相同的层状结构，而连接线由和栅极线121或者数据线171相同的层制成。栅极层连接线和数据层连接线可以通过形成在栅绝缘层140中的接触孔彼此连接。

因此，栅层信号传输线125、127和128及数据层信号传输线172a-172c通过接触孔181a、181b和181c彼此直接连接，而没有由和像素电极191相同的材料制成的附加连接件连接。因此，可以避免ITO或者IZO和Al或者Al合金直接接触产生的含Al金属的氧化和腐蚀。

图1和图2所示TFT阵列面板的很多特性可以应用到图29到图31所示TFT阵列面板。

现在将参考图32到图36和图29到图31具体描述根据本发明另一示范性实施例的图29到图31所示TFT阵列面板的制造方法。

图32、图33、图35和图36是根据本发明示范性实施例，在其制造方法的中间步骤中，图31中所示TFT阵列面板的布置图，而图34A到34F是图33所示TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的截面图。

参考图32，在绝缘基板110上形成包括多个栅极电极124和栅极焊盘129的多个栅极线121、包括存储电极133a和133b的多个存储电极线和多个栅极层信号传输线125、126、127和128。栅极线121、存储电极线131和栅层信号传输线125-128具有包括上层和下层的双层结构，在图中，分别用附加字母p和q表示上层和下层。

接下来，如图33所示，形成具有多个接触孔141的栅绝缘层140、包括突起154的多个(本征)半导体带151和包括突起164的多个非本征半导体带161。

现在，将参考图34A到34F更具体地描述图33所示TFT阵列面板的形成。

参考图34A，例如，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板上顺序沉积栅绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，然后在其上涂敷光致抗蚀剂膜400。

接下来，通过曝光掩模60来曝光光致抗蚀剂膜400，并显影曝光的光致抗蚀剂膜400。曝光和显影的光致抗蚀剂膜400具有如图34B所示取决于位置的厚度。光致抗蚀剂膜400包括透光的透明区域A、半透明区域B和挡光的不透明区域C。

接下来，使用光致抗蚀剂膜400作为掩模，蚀刻非本征a-Si层160、本征a-Si层150和栅绝缘层140，以形成露出的部分栅极层信号传输线125、127和128的接触孔142a-142c，如图34C所示。

参考图34D，对光致抗蚀剂膜400进行抛光，使得完全去除掉设置在半透明区域B中光致抗蚀剂膜400，并使得设置在挡光的不透明区域C中的光致抗蚀剂膜400的厚度变薄。

接下来，使用设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400作为掩模蚀刻非本征a-Si层160和本征a-Si层150，以形成包括突起164的非本征半导体带161和包括突起154的本征半导体带151，如图34E所示。

最后，例如通过抛光，去除掉设置在挡光的不透明区域C中的剩余光致抗蚀剂膜400，如图34F所示。

参考图35，形成包括多个源极电极173和数据焊盘179的多个数据线171、多个漏极电极175和栅极驱动器600的多个数据层信号传输线172a、172b和172c。这里，通过接触孔142a-142c将数据线171的突起172a1、172b1和172c1连接到露出的栅极层信号传输线125、127和128。

其后，去除掉没有被数据线171和漏极电极175覆盖的非本征半导体带164的露出部分，以完成包括突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165，并露出本征半导体带151的部分。

接下来，通过光刻(和腐蚀)来沉积和图案化钝化层180和栅绝缘层140，以形成分别露出数据线171的数据焊盘179、第一存储电极133a的固定端部分附近的存储电极线131的部分、第一存储电极133a的自由端部分的线性分支的部分和漏极电极175露出的多个接触孔182、183a、183b和185，如图36所示。

最后，如图29和图31所示，在钝化层180上形成多个像素电极191、多个接触辅助件81和82及多个跨桥83。

现在，将参考图37到图39具体描述根据本发明另一示范性实施例的图28所示TFT阵列面板。

图37是表示图28所示LCD的显示区域的一部分的另一布置图，图38是表示图28所示LCD的显示区域的一部分的另一布置图，而图39是图37和图38所示TFT阵列面板沿着线X X XI X-X X XI X’-X X XI X”-X X XIX”’剖取的截面图。

如图37到图39所示，根据本示范性实施例的TFT阵列面板的层状结构基本上和图29到图31所示相同。

控制区域CA包括产生栅极信号的多个电路部分610和传输各种信号的多个信号传输线。

显示区域DA中的多个栅极线121和多个存储电极线131及控制区域CA中的多个栅层信号传输线形成在绝缘基板110上。

例如，栅极线121和存储电极线131具有由含Al金属例如Al或者Al合金比如AlNd制成的单层结构，用于减少信号延迟或者电压降。

在栅极线121、存储电极线131和栅层信号传输线125-128上，形成具有露出栅层信号传输线125、127和128的部分的多个接触孔141的栅绝缘层140。包括突起163的多个半导体带151和多个欧姆接触带161及多个欧姆接触岛165形成在其上的显示区域DA中。

在显示区域DA中形成多个数据线171和多个漏极电极175，并在欧姆接触161和165及栅绝缘层140上的控制区域CA中形成多个数据层信号传输线172a、172b和172c。

每个数据线171包括多个源极电极173和数据焊盘179，并且数据层信号传输线172a-172c包括多个突起172a1、172b1和172c1，他们延伸到接触孔142a-142c，以通过接触孔142a-142c被连接到栅层信号传输线125、127和128。

在栅极线171、漏极电极175、数据层信号传输线172a-172c及半导体带151的露出部分上形成钝化层180。钝化层180包括分别露出数据焊盘179和漏极电极175的多个接触孔182和185。钝化层180和栅绝缘层140具有分别露出第一存储电极133a的固定端部分附近的部分存储电极线131、第一存储电极133a的自由端部分的部分线性分支和漏极电极175的多个接触孔183a和183b。

钝化层180具有包括下无机层180p和上有机层180q的双层结构。上有机层180q具有基本上平坦的表面。然而，钝化层180可以具有单层结构。

在钝化层180上形成多个像素电极191、多个跨桥83和多个接触辅助件82。

然而，与图29到图31所示TFT阵列面板不同的是，图37到图39所示TFT阵列面板包括设置在存储电极133a和133b上并由与数据线171相同的层制成的多个加强件176a和176b、设置在加强件176a和176b下面并具有和加强件176a和176b基本上相同平面形状的多个欧姆接触岛166a和166b及多个半导体岛156a和156b。半导体带151还具有与数据线171、漏极电极175及欧姆接触161和1651基本上相同的平面形状。然而，半导体带151的突起154包括一些没有被数据线171和漏极电极175覆盖的露出部分，比如设置在源极电极173和漏极电极175之间的部分。

图29到31中所示TFT阵列面板的很多特性可以应用到图37到图39所示TFT阵列面板。

根据本示范性实施例的TFT阵列面板的制造方法基本与图21到图27所示TFT阵列面板的类似。

以与栅极线121相同的步骤形成栅层信号传输线125-128，并以与数据线171相同的步骤形成数据层信号传输线172a-172c。而且，接触孔142a-142c形成为如图14和图15所示的接触孔141。

已经描述了本发明的示范性实施例，还应当注意的是，对本领域技术人员显而易见，本发明可以作出各种修改，而不脱离由所附权利要求的边界和界限所限定的本发明的精神和范围。

Claims (19)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

第一信号线，形成在该基板上；

栅绝缘层，形成在该第一信号线上，该栅绝缘层具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；

第一半导体，形成在该栅绝缘层上；

第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；

漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开；

导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到该第一信号线；

钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，该钝化层具有露出该漏极电极的第二接触孔；和

像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中该钝化层还包括露出该导体一部分的第三接触孔，

该TFT阵列面板还包括通过该第三接触孔连接到该导体的接触辅助件，并且

该第一信号线包括设置在该第一半导体下面的栅极。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

第三信号线，形成在该栅绝缘层下面，并包括设置在该第一半导体下面的栅极；和

栅极驱动电路，连接到该导体和该第三信号线。

4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在该第一信号线的该露出部分和该导体之间的第二半导体，

其中，该第二半导体具有与该第一接触孔对准的第四接触孔，该导体通过该第一接触孔和该第四接触孔连接到该第一信号线，并且该第二半导体除了该第四接触孔之外与该导体具有基本上相同的平面形状。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中该第一半导体朝着该第二信号线和该漏极电极延伸，并与其下面的第一半导体具有基本上相同的平面形状。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

存储电极，由与该第一信号线相同的层制成，并重叠该像素电极；和

第三半导体，形成在设置于该栅绝缘层上的该存储电极上。

7.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中该第一信号线包括第一导电层，该第一导电层由选自于铝和铝合金组成的组中的材料制成。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中该第一信号线还包括设置在该第一导电层下面的第二导电层，该第二导电层由选自于铬、钼、铬合金和钼合金组成的组中的材料制成。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中通过该第一接触孔在该第一信号线的该露出部分处去除掉该第一导电层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中该第一接触孔露出该第一信号线的边界。

11.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：

在基板上形成第一信号线；

在该第一信号线上沉积栅绝缘层；

在该栅绝缘层上沉积本征非晶硅层；

在该本征非晶硅层上沉积非本征非晶硅层；

在该非本征非晶硅层上形成光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜具有取决于位置的厚度，并露出该非本征非晶硅层的第一部分；

使用该光致抗蚀剂膜作为掩模，通过对该非本征非晶硅层、该本征非晶硅层和该栅绝缘层构图，同时形成非本征半导体和本征半导体及露出该第一信号线一部分的第一接触孔；

在该非本征半导体上形成第二信号线和漏极电极，并同时形成通过该第一接触孔连接到该第一信号线的导体；

在该数据线、该漏极电极和该导体上形成具有露出该漏极电极一部分的第二接触孔的钝化层；并且

在该钝化层上形成通过该第二接触孔连接到该漏极电极的像素电极。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成该非本征半导体、该本征半导体和该第一接触孔包括：

使用该光致抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻该非本征非晶硅层的第一部分、其下面的本征a-Si层和其下面的栅绝缘层；

使该光致抗蚀剂膜变薄，以露出该非本征非晶硅层的第二部分；

去除掉该非本征a-Si层的第二部分、其下面的本征非晶硅层和其下面的栅绝缘层；并且

去除掉剩余的光致抗蚀剂膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成该光致抗蚀剂膜包括：

涂敷光致抗蚀剂；并且

通过具有透光的透明区域、半透明区域和挡光的不透明区域的掩模曝光该光致抗蚀剂，

其中该透光的透明区域对应于该非本征非晶硅层的该第一部分，并且该半透明区域对应于该非本征非晶硅层的该第二部分。

14.如权利要求13所述的方法，其中该第一接触孔设置在该非本征非晶硅层的该第一部分下面。

15.如权利要求11所述的方法，其中该第一信号线包括由选自于铝和铝合金组成的组中的材料制成的第一导电层。

16.如权利要求15所述的方法，其中该第一信号线还包括设置在该第一导电层下面的第二导电层，该第二导电层由选自于铬、钼、铬合金和钼合金组成的组中的材料制成，并且

还包括在形成该第一接触孔之后，去除该第一导电层的该露出部分。

17.如权利要求14所述的方法，其中该钝化层还包括露出该导体一部分的第三接触孔，并且

形成该像素电极包括形成通过该第三接触孔连接到该导体的接触辅助件。

18.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：

在基板上形成第一信号线；

在该第一信号线上沉积栅绝缘层；

在该栅绝缘层上沉积本征非晶硅层；

在该本征非晶硅层上沉积非本征非晶硅层；

通过蚀刻该非本征非晶硅层、该本征非晶硅层和该栅绝缘层，形成露出该第一信号线一部分的第一接触孔；

在该非本征非晶硅层上沉积导电层；

形成具有取决于位置的厚度的光致抗蚀剂膜；

使用该光致抗蚀剂膜作为掩模，通过对该导电层、该非本征非晶硅层和该本征非晶硅层构图，形成通过该第一接触孔连接到该第一信号线的导体、第二信号线、漏极电极和其下面的接触辅助件与半导体；

在该数据线、该漏极电极和该导体上形成具有露出该漏极电极一部分的第二接触孔的钝化层；并且

在该钝化层上形成通过该第二接触孔连接到该漏极电极的像素电极。

19.如权利要求18所述的方法，其中该钝化层还包括露出该导体一部分的第三接触孔，并且形成该像素电极包括形成通过该第三接触孔连接到该导体的接触辅助件。

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