CN101014534B - SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法 - Google Patents

SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101014534B
CN101014534B CN2005800294593A CN200580029459A CN101014534B CN 101014534 B CN101014534 B CN 101014534B CN 2005800294593 A CN2005800294593 A CN 2005800294593A CN 200580029459 A CN200580029459 A CN 200580029459A CN 101014534 B CN101014534 B CN 101014534B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sio
powder
deposition material
raw material
hydrogen content
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800294593A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101014534A (zh
Inventor
木崎信吾
西冈和雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osaka Titanium Technologies Co Ltd
Original Assignee
Osaka Titanium Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osaka Titanium Technologies Co Ltd filed Critical Osaka Titanium Technologies Co Ltd
Publication of CN101014534A publication Critical patent/CN101014534A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101014534B publication Critical patent/CN101014534B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10Glass or silica

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

一种SiO或SiO蒸镀材料,其特征在于氢气含量在120ppm以上,或者一种SiO蒸镀材料,其特征在于,氢气含量在150ppm以上,在向基质蒸镀SiO时,可以加快成膜速度,可以有效地形成SiO蒸镀膜。通过使这些原料用Si粉末的氢气含量在30ppm以上,在制造SiO时,可以加快升华速度,可以以低成本且高效率地制造。这样,本发明的SiO制造方法可以作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料或具有SiO蒸镀膜的锂电池用电极材料的蒸镀材料的制造方法广泛使用。

Description

SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
技术领域
本发明涉及用于制造作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料适用的、进而也可以作为锂电池用电极材料适用的SiO蒸镀膜的SiO蒸镀材料、SiO的制造方法及用于制造SiO而采用的Si原料。
背景技术
通常,在食品加工的领域包装食品等的情况下,氧或水蒸气、芳香性气体等通过透过包装材料使油脂、维生素或蛋白质氧化,而使食品等营养成分降低,引起食品等退色和变色等变质,或者引起食品等风味的劣化或异臭的吸收。进而,在处理医疗用品和医药品的领域,关于医疗用品和医药品,对这样的变质或劣化设置了高标准,需要气体阻隔性高的包装材料。
以往,具有铝箔或铝蒸镀膜的包装材料作为气体阻隔性高的包装用材料使用,但在该焚烧处理中,铝洗脱,变得容易损坏焚烧炉。另外,在循环使用这些包装材料时,难以进行铝成分与作为基质的树脂薄膜或纸等之间的分离。进而,这些包装用材料由于不透明,所以经常不能充分确认内容物的变质或劣化等。
近年来,具有气体阻隔性高而且透明性出色的SiO蒸镀膜的包装用材料正受到广泛关注。在此,SiO蒸镀膜是指硅石系蒸镀膜,用SiOx表示其组成的情况下,X的值为1<X<2。在将SiO蒸镀膜作为包装用阻隔性使用的情况下,优选为1.4<X<1.8。另外,透明性是指在将向透明的树脂薄膜蒸镀SiO蒸镀膜作为包装用材料时,SiO蒸镀膜对光的透过没有影响,包装内容物可以从外观很好地观察。
通常,上述可以成膜为SiO蒸镀膜的蒸镀材料可以通过加热Si与SiO2的混合物,使从该混合物升华的SiO气体作为SiO的块在析出基质上析出,用破碎或研磨等使得到的析出SiO成形来制造。一直以来,提出了各种作为这样的蒸镀材料的制造方法。
在特开2002-97567号公报中,提出了可以抑制在基质上蒸镀时的飞溅现象的高体积密度、具有高硬度特性的SiO蒸镀材料及其制造方法。如果利用提出的制造方法,加热平均粒度10μm的金属硅(Si)和硅氧化物粉末的摩尔比为1∶1的的混合物或固体SiO,利用使其蒸发的原料室和使气体SiO在析出基质上析出的析出室构成的制造装置,将原料室保持在低于SiO的升华温度的规定温度,脱气处理之后,进一步提高温度,使SiO升华,使其在析出基质上析出。
但是,用提出的制造方法得到的SiO蒸镀材料由于在基质上蒸镀时的成膜速度慢,生产率低,所以制造成本变高。所以,具有从该SiO蒸镀材料形成的SiO蒸镀膜的包装材料不能避免材料成本的提高。
另外,在特开2003-246670号公报中提出了,在加热温度1300℃、压力10Pa以下的真空气氛下进行烧结体的样品的热重量测定时,蒸发残渣成为测定前的样品的质量的4%以下的SiO的烧结体及其制造方法。那么,在制造该SiO烧结体时,为了加快成膜速度,在压力成形粒径250μm以上SiO颗粒之后,或者边加压边在非氧气气氛下烧结。
但是,特开2003-246670号公报中公开的SiO烧结体尽管比以往的SiO蒸镀材料可以加快成膜速度,但作为包装材料用蒸镀材料,成本降低尚不充分,需要进一步降低制造成本。
发明内容
本发明目的在于提供在基质上成膜透明性和阻隔性出色的SiO时可以加快成膜速度的SiO蒸镀材料及其原料用Si粉末,同时还提供可以有效地制造该SiO的方法。
本发明人等为了解决上述问题,反复进行了各种试验,结果发现在基质上蒸镀SiO蒸镀膜时,如果SiO蒸镀材料中含有的氢气浓度变高,成膜速度会极大地提高。另外,还发现在SiO的制造中,原料金属硅粉末(SiO原料用Si粉末)的氢气含量也显著影响产生SiO的氢气含量。
本发明基于以上发现完成了本发明,其目的在于提供下述(1)~(4)的SiO、SiO蒸镀材料和SiO原料用Si粉末以及SiO的制造方法。
(1)一种SiO,其特征在于,
氢气含量为120ppm以上。
(2)一种SiO蒸镀材料,其特征在于,
氢气含量为120ppm以上或150ppm以上。
(3)一种SiO的原料用Si粉末,其特征在于,
氢气含量为30ppm以上。
(4)一种SiO的制造方法,其特征在于,
混合氢气含量为30ppm以上的Si粉末与SiO2粉末,加热到1250~1350℃,使其气化,然后使其在析出基质上析出。
利用本发明的SiO和SiO蒸镀材料,在基质上蒸镀时,通过提高其含有的氢气浓度可以飞跃地提高SiO的成膜速度,可以降低制造成本。另外,利用本发明的原料用Si粉末,可以有效地制造具有适当的氢气含量的SiO或SiO蒸镀材料。
在以上说明中,对作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料使用的情况进行了说明,但本发明的SiO和SiO蒸镀材料还可以作为电池用电极材料(例如二次电池的负极材料)适用。
附图说明
图1是表示本发明的SiO粉末的制造方法中使用的制造装置的结构例的图。
图2是表示SiO蒸镀材料中的氢气含量与SiO的升华速度的关系的图。
具体实施方式
对于上述规定的本发明的SiO或SiO蒸镀材料、其SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法,对其内容进行说明。
通常,SiO或SiO蒸镀材料蒸镀于基质时,氢气含量与成膜速度的关系如后述的实施例(例如表1)所示,以往的SiO蒸镀材料的氢气含量为不到50~120ppm,所以成膜速度停留在
Figure G05829459320070305D000031
,但与此相对,本发明的SiO可以通过使氢气含量为120ppm而成为,进而通过使氢气含量成为以往的SiO蒸镀材料的约3倍的220ppm,可以飞跃地加快成膜速度成为
在此,在基质上蒸镀SiO蒸镀材料时的成膜速度通过如下所述测定:由析出SiO准备直径19mm、长20mm的样品,使用离子镀装置,在EB输出300W、初期压力4×10-4Pa的基础上照射60秒的情况下,作为每1秒成膜的膜厚值显示。
接着,关于成为原料的Si粉末的氢气含量,以往一直使用的Si粉末的氢气含量为10~小于30ppm,与此相对,作为本发明的原料用Si粉末只要其氢气含量为30ppm以上即可以采用。
换言之,只要将氢气含量30ppm以上的Si粉末作为原料制造SiO或SiO蒸镀材料,在制造后SiO的氢气含量可以成为120ppm以上。这种情况下,为了制造均质的SiO或SiO蒸镀材料,最好进一步使原料用Si粉末的氢气含量为50ppm以上。
对原料用Si粉末的粒径没有特别限定,通常使用的粒径即可,优选平均粒径为1~40μm。进而,如果使原料用Si粉末为微粉末,则在含有氢气的惰性气体气氛中热处理时,在粉末粒内氢气的浓度不均变少,同时可以减短处理时间,所以有效。
本发明的SiO或Si粉末的氢气含量的测定可以在使样品干燥后,使用升温脱气分析装置(TDS),以0.5℃/sec升温,利用碎片质谱法(MassFragment)法测定。
本发明的含有氢气的SiO可以通过1∶1比例配合成为其原料的含有氢气的Si粉末和SiO2粉末,将混合和造粒后干燥的原料加入制造装置的原料容器中,在惰性气体气氛或真空中升温加热,使升华的气体SiO在析出基质上析出,利用切断、研磨等对得到的析出SiO进行修整形状,来制造。
图1是表示本发明的SiO的制造中使用的装置结构例的图。装置结构为在原料室1的上部组合析出室2,这些都被设置于真空室3内。上述原料室1,在圆筒体的中央设置圆筒的原料容器4,在其周围配置例如电加热器构成的加热源5而成。上述真空室3中设有未图示的真空装置等,向图中的箭头方向吸引气体或真空吸引,使其减压。
进而,上述析出室2中设有用于在圆筒状的内表面蒸镀在原料室1中升华的气态的SiO的不锈钢构成的析出基质6。
使用上述图1所示的制造装置,向原料容器4中填入混合含有氢气的Si粉末或Si微粉末与SiO2粉末并已造粒的原料(以下,“混合造粒原料”)7,在惰性气体气氛或真空中加热,利用反应产生、升华SiO。产生的气态SiO从原料室1上升,进入析出室2,蒸镀在析出基质6的内表面,形成析出SiO8。然后,从装置取出析出SiO8,形状已被修整,成为SiO或SiO蒸镀材料。
对制造装置内的真空度没有特别限定,通常在制造SiO蒸镀材料时,只要使用惯用的条件即可。
对于升温、加热和升华的条件,首先与通常的SiO的制造条件相同,对制造装置的原料容器4中加入的混合造粒原料7从室温升温到800~1200℃,维持2小时以上,将混合粒干燥和脱气,接着加热到1250~1350℃,在使其气化之后就是使其升华之后,使气态的SiO在维持200~600℃温度的析出基质6的内周面析出。
这样得到的析出SiO含有120ppm~1%(10000ppm)的氢气。
本发明的制造方法中,通过加热、使氢气含量为30ppm以上的Si粉末与SiO2末的混合造粒原料气化,可以得到氢气含量为120ppm以上的SiO。利用本发明的制造方法,通过原料用Si粉末的氢气含量,得到的SiO的氢气含量成为高浓度。这是因为Si的很强的氢键力引起Si粉末中含有的氢气残留。如上所述,如果使用升温脱气分析装置(TDS),可以分别测定Si粉末的氢气含量和得到的SiO的氢气含量。
图2是表示SiO蒸镀材料中的氢气含量与SiO的升华速度的关系的图。如同图所示,SiO的氢气含量为120ppm以上(用点线包围的A的部分)时,与以往的氢气含量构成的SiO(用点线包围的B部分)相比可知,SiO的升华速度变快。
特别可知,SiO的氢气含量为150ppm以上的情况下,其升华温度飞跃地提高。
图2所示的SiO的升华速度被表示为:从析出到析出基质的SiO的块采取样品0.5g,使用差示热天平,在压力1Pa的条件、升温速度为20℃/min从室温升温到1200℃进而以升温速度为10℃/min升温到1300℃之后,保持3小时,伴随SiO升华的每秒的减量率(%)。
从图2所示的关系可知,以往的SiO蒸镀材料含有氢气60~110ppm,其升华速度从0.015%/sec到0.018%/sec。与此相对,本发明的SiO的氢气的含量为120ppm以上,升华速度可以确保为0.019%/sec以上。
如上所述,如果氢气含量为150ppm以上,可以进一步飞跃地加快升华速度,例如氢气含量如果为250ppm左右,则变成以往的SiO升华速度的约2倍,可以使其成为0.030%/sec左右。
可以通过机械地破碎高纯度硅晶片,使用球磨机等进一步粉碎得到的Si粉末过筛,在含有1%以上的氢气的惰性气体气氛中,在温度500℃以上保持3小时进行热处理得到本发明的含有氢气的原料用Si粉末,可以利用惰性气体中的氢气含量和加热温度、处理时间控制氢气含量。
以上对可以用于本发明的含有氢气的SiO和原料用Si粉末以及SiO的制造方法进行了说明,作为SiO的其他制造方法,可以考虑制造含有氢气的SiO2粉末的方法。其次,还可以考虑在作为以往的SiO蒸镀材料的原料的混合造粒原料中的Si中含有氢气的方法。
另外,作为该SiO的其他制造方法,使用以往的混合造粒原料,使其在SiO的制造过程中含有氢气的方法。即,在含有氢气的惰性气体气氛或氢气气氛中升温和加热、升华,使SiO析出的方法。
实施例
以下利用实施例对本发明的SiO和SiO蒸镀材料所发挥的效果进行说明。
在含有氢气的Ar气体气氛中,以加热温度500~600℃热处理平均粒径10μm的Si粉末,制作氢气含量不同的Si粉末。
将得到的Si粉末与SiO2粉末混合,作为已造粒的混合造粒原料,使用图1所示的SiO制造装置,加热被投入到原料容器中的混合造粒原料到1250~1350℃,使其升华,在析出基质上析出SiO。从取出的析出SiO制作氢气含量不同的SiO的样品,用破碎、研磨等成形得到的SiO,作为供试用SiO蒸镀材料。
准备5种蒸镀材料(本发明例:3种,比较例:2种)作为供试用,使用离子镀装置,在树脂薄膜上使其蒸镀,测定其成膜速度。如上所述,使用离子镀装置,将EB输出设为300W,将成膜速度作为在初期压力4×10-4Pa的条件下照射60秒时的每秒的形成膜厚进行测定。
表1表示SiO蒸镀材料中的氢气含量与测定的成膜速度的关系。从表1的结果可知,与比较例的SiO的氢气含量(70ppm,110ppm)比较,在本发明例中通过使氢气含量为120ppm以上,向树脂薄膜的成膜速度变快,进而即使在本发明例中,也是越提高氢气含量,成膜速度越飞跃地变快。
[表1]
产业上的可利用性
利用本发明的SiO或SiO蒸镀材料,通过高浓度含有氢气,在向基质上蒸镀SiO时,可以加快成膜速度,可以有效地形成SiO蒸镀膜。另外,如果使用本发明的含有氢气的原料用Si粉末,在制造可以适用于本发明的SiO或SiO蒸镀材料时,可以加快升华速度,可以以低成本而且高效率制造。由此,本发明的SiO的制造方法可以作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料或具有SiO蒸镀膜的锂电池用电极材料的制造方法,被广泛利用。

Claims (3)

1.一种SiO,其特征在于,
氢气含量为120ppm以上。
2.一种SiO蒸镀材料,其特征在于,
氢气含量为120ppm以上。
3.根据权利要求2所述的SiO蒸镀材料,其特征在于,
氢气含量为150ppm以上。
CN2005800294593A 2004-09-01 2005-08-09 SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法 Expired - Fee Related CN101014534B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP253733/2004 2004-09-01
JP2004253733 2004-09-01
PCT/JP2005/014552 WO2006025194A1 (ja) 2004-09-01 2005-08-09 SiO蒸着材、SiO原料用Si粉末およびSiOの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101014534A CN101014534A (zh) 2007-08-08
CN101014534B true CN101014534B (zh) 2011-05-18

Family

ID=35999854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800294593A Expired - Fee Related CN101014534B (zh) 2004-09-01 2005-08-09 SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070259113A1 (zh)
EP (1) EP1792874A4 (zh)
JP (1) JP4594314B2 (zh)
CN (1) CN101014534B (zh)
WO (1) WO2006025194A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4374330B2 (ja) * 2005-06-16 2009-12-02 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ 一酸化珪素系蒸着材料及びその製造方法
US20080215076A1 (en) * 2005-11-14 2008-09-04 Sentinel Group, Llc Gastro-intestinal therapeutic device and method
US7947377B2 (en) * 2007-06-20 2011-05-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Powder mixture to be made into evaporation source material for use in ion plating, evaporation source material for use in ion plating and method of producing the same, and gas barrier sheet and method of producing the same
JP4809926B2 (ja) * 2009-10-22 2011-11-09 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ リチウムイオン二次電池用負極活物質
JP5379026B2 (ja) * 2010-01-07 2013-12-25 信越化学工業株式会社 非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物及び非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物の製造方法並びにリチウムイオン二次電池及び電気化学キャパシタ
US9601228B2 (en) 2011-05-16 2017-03-21 Envia Systems, Inc. Silicon oxide based high capacity anode materials for lithium ion batteries
US10553871B2 (en) 2012-05-04 2020-02-04 Zenlabs Energy, Inc. Battery cell engineering and design to reach high energy
US9780358B2 (en) 2012-05-04 2017-10-03 Zenlabs Energy, Inc. Battery designs with high capacity anode materials and cathode materials
US10020491B2 (en) 2013-04-16 2018-07-10 Zenlabs Energy, Inc. Silicon-based active materials for lithium ion batteries and synthesis with solution processing
US10886526B2 (en) 2013-06-13 2021-01-05 Zenlabs Energy, Inc. Silicon-silicon oxide-carbon composites for lithium battery electrodes and methods for forming the composites
US11476494B2 (en) 2013-08-16 2022-10-18 Zenlabs Energy, Inc. Lithium ion batteries with high capacity anode active material and good cycling for consumer electronics
DE102014007354B4 (de) * 2014-05-19 2019-05-29 Viridis.iQ GmbH Verfahren zum Aufbereiten von Rückständen aus der mechanischen Bearbeitung von Siliziumprodukten
CN106744985B (zh) * 2016-12-30 2019-01-08 天津惠利科技股份有限公司 一氧化硅纳米材料及其制备方法
CN108793169A (zh) * 2017-03-27 2018-11-13 储晞 一种回收利用金刚线切割硅料副产硅泥的方法装置和系统
US11094925B2 (en) 2017-12-22 2021-08-17 Zenlabs Energy, Inc. Electrodes with silicon oxide active materials for lithium ion cells achieving high capacity, high energy density and long cycle life performance
EP4215484A1 (en) * 2020-09-16 2023-07-26 OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd. Silicon monoxide gas generating material and silicon monoxide gas continuous generation method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1188335A (zh) * 1996-11-29 1998-07-22 精工电子有限公司 非水电解质二次电池及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD233748A3 (de) * 1983-12-30 1986-03-12 Torgau Flachglas Aufdampfmaterial zur erzielung extrem hoher aufdampfraten
JPS6227318A (ja) * 1985-07-29 1987-02-05 Kawasaki Steel Corp Sio微粉末の製造方法およびその装置
JP3191320B2 (ja) * 1991-05-30 2001-07-23 東洋紡績株式会社 プラスチック被覆用材料および被覆プラスチックフィルム
JPH0925111A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 低酸素けい素造粒物、その製造方法および窒化けい素の製造方法
JP3760498B2 (ja) * 1996-01-24 2006-03-29 東亞合成株式会社 Si−H結合含有シリカ誘導体微粒子およびその製造方法
US5985229A (en) * 1995-09-21 1999-11-16 Toagosei Co., Ltd. Solid silica derivative and process for producing the same
JP3865033B2 (ja) * 2000-02-04 2007-01-10 信越化学工業株式会社 酸化珪素粉末の連続製造方法及び連続製造装置
JP3488419B2 (ja) * 2000-08-31 2004-01-19 住友チタニウム株式会社 一酸化けい素蒸着材料の製造方法
EP1318207A4 (en) * 2000-08-31 2006-08-16 Sumitomo Titanium Corp SILICON MONOXIDE-GAS PHASE SEPARATING MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, RAW MATERIAL FOR THE PRODUCTION AND DEVICE FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP3951107B2 (ja) * 2001-12-26 2007-08-01 信越化学工業株式会社 多孔質酸化珪素粉末
DE10353995A1 (de) * 2003-11-19 2005-06-09 Degussa Ag Nanoskaliges, kristallines Siliciumpulver
EP1783847B1 (en) * 2004-07-29 2013-12-25 OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd. SiO POWDER FOR SECONDARY BATTERY

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1188335A (zh) * 1996-11-29 1998-07-22 精工电子有限公司 非水电解质二次电池及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H. Wiggers et al..Silicon Particle Formation by Pyrolysis of Silane in a Hot Wall Gasphase Reactor.《Chem. Eng. Technol.》.2001,第24卷(第3期),261-264. *

Also Published As

Publication number Publication date
US20070259113A1 (en) 2007-11-08
JP4594314B2 (ja) 2010-12-08
JPWO2006025194A1 (ja) 2008-05-08
EP1792874A4 (en) 2009-07-22
WO2006025194A1 (ja) 2006-03-09
EP1792874A1 (en) 2007-06-06
CN101014534A (zh) 2007-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101014534B (zh) SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
TW583326B (en) Silicon monoxide vapor deposition material, and process, and apparatus for producing the same
FR2652288A1 (fr) Controle de la teneur en oxygene dans un materiau de tantale.
JP2013117070A (ja) ナトリウム/モリブデン粉末圧縮体およびその同じものを製造するための方法
US7736613B2 (en) Modification process of synthetic silica powder and its quartz glass product
JP2013536316A (ja) カリウム/モリブデン複合金属粉末、粉末ブレンド、その生成物、及び光電池セルを製造する方法
CN101010444A (zh) SiO蒸镀材料、原料用Si粉末及SiO蒸镀材料的制造方法
CN110156474A (zh) 一种多孔钽基氧氮化物陶瓷及其制备方法
JP2002030305A (ja) チタン及びチタン合金を含む焼結体の製造方法
CN110256084A (zh) 一种α相氮化硅陶瓷粉体的制备方法
WO1987005285A1 (en) Process for manufacturing glass
JP4858723B2 (ja) フィルム蒸着用ペレット体の製造方法
KR100852533B1 (ko) SiO증착재, SiO 원료용 Si분말 및 SiO의제조방법
JP2001250990A5 (zh)
JP4898014B2 (ja) 合成石英粉の製造方法および石英ガラスルツボの製造方法
JPH0567593B2 (zh)
KR100852534B1 (ko) SiO증착재, 원료용 Si분말 및 SiO증착재의제조방법
US7481963B2 (en) Method of reducing magnesium loss during sintering of aluminum oxide articles
JPH02302370A (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
JPS62153107A (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法
RU2720427C1 (ru) Способ получения огнеупорных изделий из керамического материала на основе ниобата калия-натрия
JPH02307813A (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法
WO2015037462A1 (ja) 酸化ケイ素の焼結体の製造方法及び酸化ケイ素の焼結体
JPH0348253B2 (zh)
JPH01264971A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110518

Termination date: 20150809

EXPY Termination of patent right or utility model