CN101013649A - 具有预定的最终压力的粒子光学仪器 - Google Patents

具有预定的最终压力的粒子光学仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN101013649A
CN101013649A CNA2007100079992A CN200710007999A CN101013649A CN 101013649 A CN101013649 A CN 101013649A CN A2007100079992 A CNA2007100079992 A CN A2007100079992A CN 200710007999 A CN200710007999 A CN 200710007999A CN 101013649 A CN101013649 A CN 101013649A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
particle
optical apparatus
gas
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100079992A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101013649B (zh
Inventor
H·N·斯林杰兰德
W·R·诺尔斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FEI Co
Original Assignee
FEI Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=36371031&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101013649(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by FEI Co filed Critical FEI Co
Publication of CN101013649A publication Critical patent/CN101013649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101013649B publication Critical patent/CN101013649B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/301Arrangements enabling beams to pass between regions of different pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
    • H01J37/3056Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18Vacuum control means
    • H01J2237/182Obtaining or maintaining desired pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602Details
    • H01J2237/2605Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
    • H01J2237/2608Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere with environmental specimen chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种具有预定的最终压力的粒子光学仪器,为此,该仪器的真空室通过第一节气阀与一个装有处在已知压力下的气体或蒸气的容器相连接,并通过第二节气阀与真空泵相连接。通过调节与上述的节气阀相关的两个电导率的比率(校准比率)使真空泵的压力达到预定的最终压力。这样,就不需要设置例如真空测量仪和控制装置,从而使该仪器的结构更为紧凑。

Description

具有预定的最终压力的粒子光学仪器
技术领域
本发明涉及一种粒子光学仪器,具有:
一个用于容纳待检样品的真空室,该真空室工作时由一台与其相连接的真空泵抽真空至最终压力,
一个向该真空室输入气体或蒸气的装置,该气体或蒸气是由一个具有已知压力的容器供给的。
上述真空泵与上述真空室相连接呈现第一气体电导率,和用于供给气体的装置呈现第二气体电导率。
背景技术
欧洲专利申请EP 0969494 A1公开过这一类粒子光学仪器。
这种仪器被称为例如SEM(扫描电子显微镜),并用于例如半导体工业以检查和/或分析取自晶片的样品。在SEM中,一种呈高能(例如10千电子伏特)电子束形态的束射线聚焦在样品上并对样品进行扫描,结果,从射线束冲击样品的区域发出二次辐射线例如二次电子、背散射电子(back scattered electrous)和X射线。采用合适的检测器检测上述的二次辐射线,从而获得关于该样品的(与位置相关的)信息。
上述的样品可以是导电的或绝缘的,或者样品含有绝缘部分。由于样品受到粒子例如高能电子的照射,绝缘的样品或样品的绝缘部分也会带电。这种带电会干扰样品的分析和/或检查,因为它会使投射的射线束偏转,从而使射线束的空间定位发生错误。上述的带电也会影响样品中的二次辐射,例如影响到其发射出的二次电子的量,从而改变所测信号的振幅。
当一种气体被送到样品附近时,冲击样品的射线束和二次辐射线都会使该气体发生电离。由这样电离产生的电子和离子将会中和样品上的电荷。这在对含有中和气体的容器施加一个电场的情况下尤其有效。因为这会引起气体增加,从而增多可用于中和样品上的电荷的电子和离子的量。
上面提到的EP 0 969 494 A1公开过一种粒子光学仪器,它具有一个将粒子束聚焦在样品上的粒子光学柱管。用一根气管将惰性气体引到射线束冲击在样品上的区域。在上述柱管与真空室之间设置一个差压抽气孔,以便使仪器在真空室和柱管中以不同的真空度进行工作。这就在样品附近形成了气体压力和压力差。
上述专利申请在其一个实施例中还描述了一种检测器,该检测器在样品与检测器之间形成一个电场,从而引起上述的气体的电荷倍增,并增强了电荷的中和。
上述专利申请在其[0038]段末尾提到通过以从样品室抽出的气体量来平衡进入样品室的气流量以保持真空梯度值。上述专利申请在其[0037]段的末尾还提到可以用一种阀来调节供给气体所用的压力。但是,上述专利申请既没有说明如何测定正确的压力和/或压力差,也没有说明用于调节气流量的准则。
正如技术人员所知,输入气体的压力对于从二次辐射线获得图象对比度具有重要意义,在这方面请见M.Toth等人的论文《关于低真空扫描电子显微术中电子-离子复合的作用》,J.of Microscopy,Vol.205(2002.1),P86~95,更具体地,见P90,图6。
技术人员也知道,电子束在压力超过例如0.7毫巴(1托)的气体中穿过几个毫米会使电子散射到主射线束之外,以致使电子束在其冲击样品的区域发生明显的束径变大,从而降低了仪器的分辨率。在这方面,请看C.Mathieu的论文《在可变真空度的扫描电子显微术中射线束-气体和信号-气体的相互作用》,Scanning Microscopy,Vol.13(1999),No.1,P23~41,更具体地见图6。
因此,重要的是掌握正确的气体压力,该气体压力是在射线束径不发生过度变化的情况下充分去除电荷时的气体压力。
已经通过用真空测量仪测量样品室内的压力并通过调节漏泄阀的电导率按闭合环路控制输入气体的量弄清了样品室内气体压力的调节原理,并应用于例如ESEM(环境扫描电子显微镜)。
上述的EP 0 969 494 A1公开的仪器的缺点是其测量和控制系统相当笨重,妨碍了这种仪器的小型化。
发明内容
本发明的目的是提供一种至少可以克服上述的部分缺点的粒子光学仪器。
为此,本发明的特征在于,上述的第一电导率除以上述的第二电导率的比率是一个被校准比率,该比率被校正到这样一个值,使该真空室具有预定的最终压力。
通过校准第一电导率除以第二电导率的比率,该气体或蒸气的压力将随供给气体或蒸气的容器的压力(线性地)改变。本文所用的“校准”就是“预先调节到预定的值”。如果知道了该容器的压力(例如等于大气压力),那么真空室的压力也就知道了。这就不需要真空测量仪、受控漏泄阀和封闭环路,从而使装置不那么笨重。
第一电导率(从真空室至真空泵,以1/s为单位来表示)的绝对值以及第二电导率(为比率被校准时)的绝对值决定了对真空室抽真空所需的时间。
(2)在本发明的粒子光学仪器的一个实施例中,真空泵的最终压力比真空室的最终压力至少低5倍。
真空室的最终压力也取决于真空泵的最终压力,当真空泵的最终压力比真空室的最终压力至少低5倍时,真空泵的最终压力的微小变化(例如由于泵内所用流体的温度变化造成的变化)可以忽略不计。
(3)在本发明的粒子光学仪器的另一个实施例中,真空室由一种真空密封件的大气密封,该密封件会产生漏泄,供给气体或蒸气的装置所供给的气体或蒸气的量应大于通过真空密封件的漏泄量。通过真空密封件的漏泄可造成真空室内压力变化。选择比通过真空密封件漏泄的电导率大得多的第一电导率(从真空室至真空泵的传导率),可使真空室的压力主要取决于输入的气体量,从而使通过真空密封件的漏泄只产生很小的影响。
选择大的第二电导率的附加好处在于,发生任何的样品除气现象对于真空室的压力都只有微不足道的影响。
(4)在本发明的粒子光学仪器的再一个实施例中,供给气体或蒸气的装置所供给的气体或蒸气的量至少为通过真空密封件的漏泄量的5倍。
(5)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,所述的预定的压力是介于0.1毫巴与50毫巴之间的预定压力。
压力约为0.1毫巴以上就会使样品去除电荷。
几个毫巴至50毫巴之间的分压力可在冰融化温度至室温的温度范围内在不使样品脱水的真空内观察样品,这对于分析例如生物体的组织时是特别有用的。
(6)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,供给气体或蒸气的容器的压力是大气压力。
(7)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,供给气体或蒸气的容器与真空泵的入口相连接。
通过对供给气体或蒸气的容器抽真空,就可以采用直径为1毫米的孔,这就使节气阀不大容易发生例如阻塞现象,而在使用从大气压力下供给气体或蒸气时所需的那种直径小得多的光阑时却容易发生上述现象。
值得注意的是,许多的泵(例如薄膜泵)都具有精确规定的最终压力,人们已知该压力在例如2倍的压力范围内(意思是,用这类泵达到的最低的最终压力与最高的最终压力相差不到2倍),因此,可对供给气体或蒸气的容器抽真空至已知的压力。
还要注意到,粒子光学仪器常要求粒子发射体附近的压力为例如10-5毫巴,常常采用多级的抽空方案来达到上述压力,其中,高真空泵(例如多级涡轮分子泵)的出口与所谓的预真空泵的入口相连接。当采用例如薄膜泵时预真空泵入口处的压力为例如10毫巴。
(8)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,供给气体或蒸气的容器也与另一台泵的出口相连接。
通过将一种泵(例如用于对真空室抽真空的泵)的出口与对供给气体或蒸气的容器抽真空的泵的入口相连接,可使对真空室抽真空的泵属于那种最终压力比真空室低得多的泵类型。
(9)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的蒸气是水蒸汽。
当观察在真空中另外脱水的样品时,采用水蒸汽是有利的。
(10)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的气体是空气。
(11)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的样品分析包括用带电粒子束照射样品。
(12)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的带电粒子束是聚焦的带电荷粒子束。
(13)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的带电粒子束是电子束。
采用聚焦的电子束对样品进行扫描,可产生分辨率比普通光学显微镜高得多的样品图象。
(14)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,上述的带电粒子束是离子束。
正如技术人员所知,聚焦的离子束会引起局部溅射,从而使被离子束照射的表面发生局部改变。
(15)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,所供给的气体含有一种用于材料沉积的先质材料。
通过供给含有用于材料沉积的先质材料的气体可实现局部的材料沉积。所述的先质材料是例如TEOS(原硅酸四乙酯,用于沉积SiO2)、C10H8(用于沉积碳)、W(CO)6(用于沉积钨),这些材料可被带电粒子束分解,然后在样品上形成局部沉积层。这种技术可用于例如通过局部沉积导电材料来改变半导体的电路。
(16)在本发明的粒子光学仪器的又一个实施例中,所供给的气体是蚀刻性气体。
通入蚀刻性气体可以清除样品的表面,然后检查或分析原先不在表面的部位。
值得注意的是,已知许多的蚀刻性气体对于用例如电子束或离子束照射的表面有强的蚀刻作用,例如XeF2,l2或H2O,在上述照射时它们分解成官能团,所形成的官能团会引起局部腐蚀。这种技术可用于例如通过局部去除导电材料来改变半导体电路。
附图简述
下面按照附图来说明本发明,图中相当的标号呈现相应的零部件。
图1简单示出本发明的一种粒子光学仪器,其中,输入真空室的气体来自一个处于大气压力下的容器。
图2简单示出本发明的一种粒子光学仪器,其中,输入真空室的气体来自一个处于负压下的容器。
优选实施例说明
图1简单示出本发明的一种粒子光学仪器,其中,输入真空室的气体来自一种处于大气压力下的容器。
安装在真空室104上面的粒子光学柱管102产生一种呈聚焦电子束状态的带电粒子束112。上述的粒子光学柱管102由例如真空泵(未示出)来抽真空,并由控制器106加以控制。电子被聚焦在安放样品114的真空室内的样品位置附近。上述控制室106也控制聚焦电子束对样品的扫描。以二次电子检测器形式的检测器108探测来自样品114的二次辐射,检测器108的信号传输到控制器106,在这里进行处理并将其转换成可显示样品114的图象的监控器110的信号。技术人员所知的上述二次电子检测器是例如背散射电子检测器,Everhart-Thornley检测器和气态二次电子检测器。
真空室104通过软管132和泵颈缩134与真空泵130相连接,这些抽真空装置的电导率由C11/s值来量化。
真空室104也与供给气体或蒸气的装置120相连接。该供给气体或蒸气的装置120包含一个漏泄阀122、一根毛细管124和一个孔126。这些供气装置120的电导率以C21/s值来量化,它从具有已知压力的容器128供出气体或蒸气,所述的容器128装有处于大气压Patm下的空气与水蒸汽的混合物。假定泵的最终压力比真空室的最终压力低得多,那么真空室的最终压力Pcham应为
Pcham=(C2/C1)·Patm
式中的C2/C1值可通过例如校准漏泄阀的电导率来校准,或者也可通过选择合适的毛细管124的长度来校准。所述的校准可在制造过程中在工厂进行校准,或者在使用现场进行。
校准时可临时将一个真空测量仪与真空室104相连接。通过例如从真空室暂卸下粒子光学柱管102并通过通常由粒子光学柱管占据的孔连接上述的真空测量仪,就可使校准工作简化进行。作为一个替代方案,校准工作可通过仿制能足够精确地控制C1和C2的零件来进行,例如采用具有已知长度和内径的毛细管作为管道,和/或采用具有已知小孔尺寸的孔。
值得注意的是,虽然这里所说的供给气体或蒸气的容器是处于大气压力下的容器,但是也可以将它做成盛有已知压力下的气体或蒸气的气密密封的容器。
图2简单示出本发明的一种粒子光学仪器,其中供给真空室的气体来自一个负压下的容器。可将图2看作是从图1衍生而来。由泵206、204和202的级联通过真空管222对粒子光学柱管102抽真空。要指出的是,这些泵可以是独立的泵,但是,也可将两个或多个泵组合成一个机械泵组,例如泵202是独立的预真空泵,而泵204和206则是两组多级涡轮分子泵。
泵202将气体从容器B泵送至处于大气压下的场合A。容器B的压力十分稳定,因为这主要取决于所谓的泵202的压缩比或返流量例如100倍,从而使容器B的压力稳定在10毫巴,同理,泵204以例如100倍的压缩比将气体从容器C泵送至容器B,从而使容器C的压力稳定在0.1毫巴。最后,泵206对粒子光学柱管抽真空至工作压力为例如10-5毫巴。
来自容器B的气体会通过缩颈(孔)210经软管220漏入真空室104,而真空室104同时由泵204通过软管220和节气阀(孔)212抽真空。上述节气阀的电导率之比要校准到其值可使真空室104的最终压力达到所需压力例如0.5毫巴。
要注意的是,从容器C泵送至容器B的气体量将强烈影响容器B的压力,因为该压力主要取决于泵202的最终压力,供给的气体是形成泵202的最终压力的气体。
还应注意到,从处于负压下的容器例如容器B供给气体或蒸气,便可以使用节气阀,这比较从大气压力下供给空气要不那么容易发生例如阻塞现象,因为在此情况下达到一定的漏泄率(以巴·1/s为单位来表示)具有比在大气压力下供给气体或蒸气高得多的电导率(以1/s为单位来表示),而采用例如较大的孔和/或较大的毛细管直径可达到那么高的电导率,这就不大容易发生例如阻塞的情况。
值得一提的是,虽然从上面所述来看,电导率的绝对值似乎不重要,其实并非这样。对于快速抽空时间来说,重要的是泵的电导率应是高的电导率,而且该电导率必须高到足以抑制任何向真空室的漏泄,这一点在采用例如滑动支承座作为真空密封时尤其重要,因为这种类型的密封比用例如合成橡胶的密封有更大的漏泄。
作为一个类似方案,可采用含有两个电阻器的分压器:虽然其分压比仅取决于电阻之比,但是,时间常数(类似于抽气时间)和漏泄电流(类似于真空泄漏率)的影响取决于两个并联电阻器的电阻。
图3简单示出本发明的粒子光学仪器的优选实施例。
图3可看成是从图2衍生的。其真空室具有一个可在下部105上滑动的上部107,该上部107和下部105一起构成真空密封件,这种滑动支承式的真空密封件是例如欧洲专利申请EP05076474中公开过的那种。真空室由泵204通过节气阀(孔)212抽真空,呈聚焦电子束形态的带电粒子束112也通过上述孔212进入真空室。通过毛细管供给来自容器B的气体,所述的容器B与一种例如薄膜泵式的泵202相连接,该泵的最终压力为例如10毫巴。
显然,在不背离本发明范围的情况下,可将许多的修改和变化应用于上面所述的各个实施例。

Claims (16)

1.一种粒子光学仪器,它具有:
一个用于容纳待检样品(114)的真空室(104),该真空室工作时由与其连接的真空泵(130,204)抽真空至最终压力;
一个用于将气体或蒸气输入该真空室(104)的装置(120),该气体或蒸气是由一个具有已知压力的容器128,B)供给的;
上述真空泵与上述真空室相连接呈现第一气体电导率,
用于输入气体的装置呈现第二气体电导率;
其特征在于
上述的第一电导率除以上述第二电导率的比率是一个被校准比率,该比率被校准到使真空室(104)具有预定的最终压力的值。
2.根据权利要求1的粒子光学仪器,其特征在于,上述真空泵(130,204)的最终压力比上述真空室的最终压力至少低5倍。
3.根据权利要求1或2的粒子光学仪器,其特征在于,上述真空泵采用一真空密封件对大气密封,由于该真空密封件会造成泄漏,故上述供给气体或蒸气的装置输入气体或蒸气的量要大于通过密封件的漏泄量。
4.根据权利要求3的粒子光学仪器,其特征在于,上述的供给气体或蒸气的装置供给气体或蒸气的量至少比流过上述密封件的漏泄量大5倍。
5.根据上述权利要求中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的预定压力为介于0.1至50毫巴之间的预定压力。
6.根据上述权利要求中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的供给气体或蒸气的容器的压力为大气压力。
7.根据权利要求1~5中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的供给气体或蒸气的容器与一台真空泵的入口相连接。
8.根据权利要求7的粒子光学仪器,其特征在于,上述的供给气体或蒸气的容器也与另一台真空泵的出口相连接。
9.根据上述权利要求中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的蒸气是水蒸汽。
10.根据权利要求1~8中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的气体为空气。
11.根据上述权利要求中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述样品的分析包含用一带电荷的粒子束照射上述样品。
12.根据权利要求11的粒子光学仪器,其特征在于,上述的带电荷粒子束是一种聚焦的带电荷粒子束。
13.根据权利要求11或12的粒子光学仪器,其特征在于,上述的带电粒子束是一种电子束。
14.根据权利要求11或12的粒子光学仪器,其特征在于,上述的带电荷粒子束是一种离子束。
15.根据权利要求11~14中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的所供给的气体含有用于材料沉积的先质材料。
16.根据权利要求11~14中任一项的粒子光学仪器,其特征在于,上述的所供给的气体包含蚀刻气体。
CN2007100079992A 2006-02-01 2007-02-01 具有预定的最终压力的粒子光学仪器 Active CN101013649B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US76419206P 2006-02-01 2006-02-01
US60/764192 2006-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101013649A true CN101013649A (zh) 2007-08-08
CN101013649B CN101013649B (zh) 2010-09-29

Family

ID=36371031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100079992A Active CN101013649B (zh) 2006-02-01 2007-02-01 具有预定的最终压力的粒子光学仪器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9153414B2 (zh)
EP (2) EP1816668A2 (zh)
JP (1) JP2007207758A (zh)
CN (1) CN101013649B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10593513B2 (en) 2018-07-18 2020-03-17 Taiwan Electron Microscope Instrument Corporation Membrane assembly, examination container and electron microscope
TWI688984B (zh) * 2018-02-23 2020-03-21 台灣電鏡儀器股份有限公司 薄膜組件、檢驗容器以及電子顯微鏡
US10607808B2 (en) 2017-09-13 2020-03-31 Taiwan Electron Microscope Instrument Corporation Examination container and electron microscope
TWI705476B (zh) * 2018-02-23 2020-09-21 台灣電鏡儀器股份有限公司 檢驗容器以及電子顯微鏡
CN113302482A (zh) * 2018-11-23 2021-08-24 株式会社理学 单晶x射线构造解析试样的吸藏装置以及吸藏方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5033873B2 (ja) * 2006-06-07 2012-09-26 エフ イー アイ カンパニ 真空チャンバを有する機器とともに使用されるスライダベアリング
WO2008098084A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-14 Fei Company High pressure charged particle beam system
US8510075B2 (en) * 2008-09-24 2013-08-13 Electric Power Research Institute, Inc. Emmissivity test instrument for overhead electrical transmission and distribution
US9679741B2 (en) 2010-11-09 2017-06-13 Fei Company Environmental cell for charged particle beam system
JP6047508B2 (ja) * 2014-01-27 2016-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料画像取得方法、およびプログラム記録媒体
AU2016282065A1 (en) * 2015-06-23 2018-02-08 Aurora Labs Limited Plasma driven particle propagation apparatus and pumping method
JP6097863B2 (ja) * 2016-05-16 2017-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、試料画像取得方法、およびプログラム記録媒体

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585349A (en) * 1963-04-15 1971-06-15 Rohr Corp Nonvacuum environmentally controlled electron beam
DE2819165A1 (de) 1978-05-02 1979-11-15 Siemens Ag Rasterelektronenmikroskop
JPH0652700B2 (ja) * 1981-09-26 1994-07-06 富士通株式会社 電子ビーム露光装置における電子ビーム露光方法
US4584479A (en) * 1982-10-19 1986-04-22 Varian Associates, Inc. Envelope apparatus for localized vacuum processing
DE3332248A1 (de) 1983-09-07 1985-03-21 Lutz-Achim Dipl.-Ing. 7000 Stuttgart Gäng System zum ableiten von probenaufladungen bei rasterelektronenmikroskopischen untersuchungen
US4698236A (en) * 1984-10-26 1987-10-06 Ion Beam Systems, Inc. Augmented carbonaceous substrate alteration
US4758721A (en) * 1986-12-29 1988-07-19 Isotope Purifiers Ltd. Thermal cycle recirculating pump for isotope purifier
US4818326A (en) * 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US5103102A (en) * 1989-02-24 1992-04-07 Micrion Corporation Localized vacuum apparatus and method
JPH03194838A (ja) 1989-12-22 1991-08-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 帯電防止方法及び該方法に使用する帯電防止装置
US5527596A (en) * 1990-09-27 1996-06-18 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product
JP3226315B2 (ja) * 1991-03-20 2001-11-05 キヤノン株式会社 微細加工方法及び微細加工装置
JPH04363849A (ja) 1991-06-10 1992-12-16 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム装置
US5672816A (en) * 1992-03-13 1997-09-30 Park Scientific Instruments Large stage system for scanning probe microscopes and other instruments
US5396067A (en) * 1992-06-11 1995-03-07 Nikon Corporation Scan type electron microscope
JP3310136B2 (ja) 1994-09-17 2002-07-29 株式会社東芝 荷電ビーム装置
JPH08138603A (ja) 1994-11-09 1996-05-31 Hitachi Ltd 低真空雰囲気形走査電子顕微鏡
US6193802B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US6045618A (en) * 1995-09-25 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US6187072B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
JPH10134751A (ja) 1996-10-29 1998-05-22 Nikon Corp 環境制御型の走査型電子顕微鏡
US5869833A (en) 1997-01-16 1999-02-09 Kla-Tencor Corporation Electron beam dose control for scanning electron microscopy and critical dimension measurement instruments
JPH10223574A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Hitachi Ltd 加工観察装置
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
DE19851622A1 (de) * 1998-11-09 2000-05-18 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Untersuchen und/oder zum Modifizieren von Oberflächenstrukturen einer Probe
EP0969494A1 (en) 1998-07-03 2000-01-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam
EP0969493A1 (en) * 1998-07-03 2000-01-05 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam
JP3739573B2 (ja) * 1998-07-27 2006-01-25 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 フォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる装置
US6465795B1 (en) * 2000-03-28 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Charge neutralization of electron beam systems
DE10032607B4 (de) * 2000-07-07 2004-08-12 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät
EP1271604A4 (en) * 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE
US6670608B1 (en) * 2001-09-13 2003-12-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Gas sampling system for a mass spectrometer
JP4288694B2 (ja) * 2001-12-20 2009-07-01 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
EP1439564B1 (en) * 2003-01-16 2016-07-27 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device for inspecting or structuring a specimen
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
EP1639621A4 (en) * 2003-06-07 2008-01-09 Edward W Sheehan ION enrichment APERATURE ARRAYS
JP2005222748A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Sii Nanotechnology Inc チャンバー内に排気管を備えた集束イオンビーム装置。
NL1026547C2 (nl) * 2004-07-01 2006-01-03 Fei Co Apparaat voor het evacueren van een sample.
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US7301157B2 (en) * 2005-09-28 2007-11-27 Fei Company Cluster tool for microscopic processing of samples
NL1030295C2 (nl) 2005-10-28 2007-05-03 Fei Co Hermetisch afgesloten behuizing met elektrische doorvoer.
CN101461026B (zh) 2006-06-07 2012-01-18 Fei公司 与包含真空室的装置一起使用的滑动轴承
JP5033873B2 (ja) 2006-06-07 2012-09-26 エフ イー アイ カンパニ 真空チャンバを有する機器とともに使用されるスライダベアリング

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10607808B2 (en) 2017-09-13 2020-03-31 Taiwan Electron Microscope Instrument Corporation Examination container and electron microscope
TWI688984B (zh) * 2018-02-23 2020-03-21 台灣電鏡儀器股份有限公司 薄膜組件、檢驗容器以及電子顯微鏡
TWI705476B (zh) * 2018-02-23 2020-09-21 台灣電鏡儀器股份有限公司 檢驗容器以及電子顯微鏡
US10593513B2 (en) 2018-07-18 2020-03-17 Taiwan Electron Microscope Instrument Corporation Membrane assembly, examination container and electron microscope
CN113302482A (zh) * 2018-11-23 2021-08-24 株式会社理学 单晶x射线构造解析试样的吸藏装置以及吸藏方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1816669A3 (en) 2009-05-27
US20070176102A1 (en) 2007-08-02
EP1816669A2 (en) 2007-08-08
EP1816668A2 (en) 2007-08-08
JP2007207758A (ja) 2007-08-16
US9153414B2 (en) 2015-10-06
EP1816669B1 (en) 2011-07-20
CN101013649B (zh) 2010-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101013649B (zh) 具有预定的最终压力的粒子光学仪器
JP3993094B2 (ja) シートビーム式検査装置
CN101545874B (zh) 用于粒子光学设备的环境室
US9406480B2 (en) Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
EP2522992A2 (en) Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
EP2182546B1 (en) Scanning transmission electron microscope using gas amplification
CN106783493B (zh) 一种真空气氛处理装置、样品观测系统及方法
US6653631B2 (en) Apparatus and method for defect detection using charged particle beam
JP4939235B2 (ja) シートビーム式検査装置
JP2008210715A (ja) 荷電粒子線装置及びこれを用いた試料表面観察方法
EP3096343B1 (en) Method of imaging a sample with charged particle beam using an imaging gas
JP2008010269A (ja) 低真空電子光学系画像生成装置および低真空電子光学系画像生成方法
KR102552225B1 (ko) 주사 전자 현미경
Tang et al. An experimental model of beam broadening in the variable pressure scanning electron microscope
US20230402251A1 (en) Gas injection subsystem for use in an inspection system to inspect a sample by use of charged particles and inspection system having such gas injection subsystem
Park et al. Low-carbon steel ultra-high-vacuum Schottky emitter electron gun with double O-rings for axis adjustment
JPWO2002001596A1 (ja) 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
Banbury A versatile ultrahigh vacuum scanning electron microscope
Barrie Low Energy, Large Angle Electron Impact Spectroscopy
Park Veeco advances helium leak detector technology

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant