JPH04363849A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH04363849A JPH04363849A JP3137446A JP13744691A JPH04363849A JP H04363849 A JPH04363849 A JP H04363849A JP 3137446 A JP3137446 A JP 3137446A JP 13744691 A JP13744691 A JP 13744691A JP H04363849 A JPH04363849 A JP H04363849A
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- JP
- Japan
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- ion gas
- electron beam
- ion
- electrons
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Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料の表面に加速さ
れた電子を照射し、発生する２次電子を検出することに
より、試料の表面の情報を得る電子ビーム装置に関する
ものである。
れた電子を照射し、発生する２次電子を検出することに
より、試料の表面の情報を得る電子ビーム装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】試料の表面の種々の情報を得るための手
段の一つとして、真空雰囲気中で加速された電子を試料
の表面に照射し、２次的に発生した電子を検知すること
により情報を得るようになされた電子ビーム装置がある
。図３はこの種従来の電子ビーム装置の概略構成を示す
断面図である。１は器壁１ａによって形成される試料室
、２はこの試料室１の下方に設置される試料台、３はこ
の試料台２上に載置される試料で、表面に導電性物質４
が付着されている。５は試料３の表面に加速された電子
を導く対物レンズ、６は電子の照射によって試料３の表
面から発生する２次電子を検知する２次電子検知器であ
る。
段の一つとして、真空雰囲気中で加速された電子を試料
の表面に照射し、２次的に発生した電子を検知すること
により情報を得るようになされた電子ビーム装置がある
。図３はこの種従来の電子ビーム装置の概略構成を示す
断面図である。１は器壁１ａによって形成される試料室
、２はこの試料室１の下方に設置される試料台、３はこ
の試料台２上に載置される試料で、表面に導電性物質４
が付着されている。５は試料３の表面に加速された電子
を導く対物レンズ、６は電子の照射によって試料３の表
面から発生する２次電子を検知する２次電子検知器であ
る。
【０００３】次に、上記のように構成された従来の電子
ビーム装置の動作について説明する。まず、試料３を試
料台２上に載置し、導電性物質４を表面に付着させる。 次に、この試料台２を試料室１内に設置し放置する。そ
の後、加速された電子を試料３の表面に照射させると、
試料３の表面から２次電子が発生する。この２次電子を
２次電子検知器６で検知しこれを分析することによって
、試料３の表面の情報が得られる。なお、この際、試料
３の表面に発生する帯電は、表面に付着された導電性物
質４を伝って除去される。
ビーム装置の動作について説明する。まず、試料３を試
料台２上に載置し、導電性物質４を表面に付着させる。 次に、この試料台２を試料室１内に設置し放置する。そ
の後、加速された電子を試料３の表面に照射させると、
試料３の表面から２次電子が発生する。この２次電子を
２次電子検知器６で検知しこれを分析することによって
、試料３の表面の情報が得られる。なお、この際、試料
３の表面に発生する帯電は、表面に付着された導電性物
質４を伝って除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム装置
は以上のように構成されているので、試料３の表面に電
子ビーム照射により発生する帯電を除去するために、わ
ざわざ試料３の表面に導電性物質４を付着させる手間を
要し、又、付着させることができないような試料につい
ては、正確な情報が得られない等の問題点があった。
は以上のように構成されているので、試料３の表面に電
子ビーム照射により発生する帯電を除去するために、わ
ざわざ試料３の表面に導電性物質４を付着させる手間を
要し、又、付着させることができないような試料につい
ては、正確な情報が得られない等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、試料の表面に導電性物質を付着
させる等の加工を施すことなく、電子の照射により試料
の表面に発生する帯電を除去して、正確な情報を得るこ
とが可能な電子ビーム装置を提供することを目的とする
ものである。
ためになされたもので、試料の表面に導電性物質を付着
させる等の加工を施すことなく、電子の照射により試料
の表面に発生する帯電を除去して、正確な情報を得るこ
とが可能な電子ビーム装置を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電子ビー
ム装置は、試料の表面近傍にイオンガスを噴射するイオ
ンガス噴射装置を具備したものであり、又、上記イオン
ガスを吸引して試料室外に排出するイオンガス吸引装置
を具備したものである。
ム装置は、試料の表面近傍にイオンガスを噴射するイオ
ンガス噴射装置を具備したものであり、又、上記イオン
ガスを吸引して試料室外に排出するイオンガス吸引装置
を具備したものである。
【０００７】
【作用】この発明における電子ビーム装置のイオンガス
噴射装置は、試料の表面にイオンガスを噴射することに
より、試料の表面の帯電を中和して除去し、又、イオン
ガス吸引装置はイオンガス噴射装置によって試料の表面
に噴射されたイオンガスを、試料室外に排出する。
噴射装置は、試料の表面にイオンガスを噴射することに
より、試料の表面の帯電を中和して除去し、又、イオン
ガス吸引装置はイオンガス噴射装置によって試料の表面
に噴射されたイオンガスを、試料室外に排出する。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１における電子ビーム装置
の概略構成を示す断面図である。図において、試料室１
、器壁１ａ、試料台２、試料３、対物レンズ５および２
次電子検知器６は図３に示す従来装置のものと同様であ
る。７は試料３の表面にイオンガスを噴射するイオンガ
ス噴射装置で、イオンガスの噴射量は調整バルブ８によ
って調整されている。
る。図１はこの発明の実施例１における電子ビーム装置
の概略構成を示す断面図である。図において、試料室１
、器壁１ａ、試料台２、試料３、対物レンズ５および２
次電子検知器６は図３に示す従来装置のものと同様であ
る。７は試料３の表面にイオンガスを噴射するイオンガ
ス噴射装置で、イオンガスの噴射量は調整バルブ８によ
って調整されている。
【０００９】次に、上記のように構成された実施例１に
おける電子ビーム装置の動作について説明する。まず、
従来装置と同様に試料３を試料台２上に載置し、これを
試料室１内に設置して放置する。その後、加速された電
子を試料３の表面に照射させると、試料３の表面から２
次電子が発生する。この２次電子を２次電子検知器６で
検知しこれを分析することによって、試料３の表面の情
報が得られる。なお、この動作と並行して、イオンガス
噴射装置７から試料３の表面にイオンガスが噴射されて
いるので、このイオンガスにより表面に発生する帯電は
中和されて除去される。又、帯電の中和の度合によりイ
オンガスの噴射量は調整バルブ８により調整されている
。
おける電子ビーム装置の動作について説明する。まず、
従来装置と同様に試料３を試料台２上に載置し、これを
試料室１内に設置して放置する。その後、加速された電
子を試料３の表面に照射させると、試料３の表面から２
次電子が発生する。この２次電子を２次電子検知器６で
検知しこれを分析することによって、試料３の表面の情
報が得られる。なお、この動作と並行して、イオンガス
噴射装置７から試料３の表面にイオンガスが噴射されて
いるので、このイオンガスにより表面に発生する帯電は
中和されて除去される。又、帯電の中和の度合によりイ
オンガスの噴射量は調整バルブ８により調整されている
。
【００１０】実施例２．図２はこの発明の実施例２にお
けるイオンビーム装置の概略構成を示す断面図である。 図において、試料室１、器壁１ａ、試料台２、試料３、
対物レンズ５、２次電子検知器６、イオンガス噴射装置
７および調整バルブ８は図１における実施例１の装置と
同様である。９は試料３の表面近傍に吸入口９ａを有し
、イオンガスを吸引して試料室１の外部に排出するイオ
ンガス吸引装置である。
けるイオンビーム装置の概略構成を示す断面図である。 図において、試料室１、器壁１ａ、試料台２、試料３、
対物レンズ５、２次電子検知器６、イオンガス噴射装置
７および調整バルブ８は図１における実施例１の装置と
同様である。９は試料３の表面近傍に吸入口９ａを有し
、イオンガスを吸引して試料室１の外部に排出するイオ
ンガス吸引装置である。
【００１１】上記のように構成された実施例２における
電子ビーム装置においても、実施例１における装置と同
様に動作して、試料３の表面の情報が得られるとともに
、表面に発生した帯電もイオンガスによって中和され除
去される。そして、イオンガス吸引装置９によってイオ
ンガスを試料室１の外部に排出しているので、試料室１
内の真空度の低下が防止され良好に動作を継続すること
ができる。
電子ビーム装置においても、実施例１における装置と同
様に動作して、試料３の表面の情報が得られるとともに
、表面に発生した帯電もイオンガスによって中和され除
去される。そして、イオンガス吸引装置９によってイオ
ンガスを試料室１の外部に排出しているので、試料室１
内の真空度の低下が防止され良好に動作を継続すること
ができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば試料の
表面近傍にイオンガスを噴射するイオンガス噴射装置を
具備し、又、イオンガスを吸引して試料室外に排出する
イオンガス排出装置を具備することにより、試料の表面
に導電性物質を付着させる等の加工を施すことなく、電
子の照射により試料の表面に発生する帯電を除去すると
ともに試料室内の真空度を維持して正確な情報を得るこ
とが可能な電子ビーム装置を提供することができる。
表面近傍にイオンガスを噴射するイオンガス噴射装置を
具備し、又、イオンガスを吸引して試料室外に排出する
イオンガス排出装置を具備することにより、試料の表面
に導電性物質を付着させる等の加工を施すことなく、電
子の照射により試料の表面に発生する帯電を除去すると
ともに試料室内の真空度を維持して正確な情報を得るこ
とが可能な電子ビーム装置を提供することができる。
【図１】この発明の実施例１における電子ビーム装置の
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図２】この発明の実施例２における電子ビーム装置の
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図３】従来の電子ビーム装置の概略構成を示す断面図
である。
である。
１ 試料室
２ 試料台
３ 試料
６ ２次電子検知器
７ イオンガス噴射装置
９ イオンガス吸引装置
Claims (2)
- 【請求項１】 試料室内に取着された試料の表面に加
速された電子を照射し、上記試料の表面から２次的に発
生する電子を検知することにより、上記試料の表面の情
報を得るようにした電子ビーム装置において、上記試料
の表面近傍にイオンガスを噴射するイオンガス噴射装置
を具備したことを特徴とする電子ビーム装置。 - 【請求項２】 試料の表面近傍に吸入口を有し上記イ
オンガスを吸引して上記試料室外に排出するイオンガス
吸引装置を具備したことを特徴とする請求項１記載の電
子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137446A JPH04363849A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137446A JPH04363849A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363849A true JPH04363849A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15198811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3137446A Pending JPH04363849A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04363849A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969494A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
| DE10260601A1 (de) * | 2002-12-23 | 2004-06-24 | Infineon Technologies Ag | Elektronenstrahlvorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Oberflächenladung auf einer Oberfläche in einer Elektronenstrahleinrichtung |
| EP1455379A2 (en) * | 1998-07-03 | 2004-09-08 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
| JP2007066789A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Horon:Kk | チャージ防止装置およびチャージ防止方法 |
| US7906762B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-03-15 | Fei Company | Compact scanning electron microscope |
| US8598524B2 (en) | 2006-06-07 | 2013-12-03 | Fei Company | Slider bearing for use with an apparatus comprising a vacuum chamber |
| US9153414B2 (en) | 2006-02-01 | 2015-10-06 | Fei Company | Particle optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3137446A patent/JPH04363849A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969494A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
| EP1455379A2 (en) * | 1998-07-03 | 2004-09-08 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
| EP1455379A3 (en) * | 1998-07-03 | 2004-09-15 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Apparatus and method for examining specimen with a charged particle beam |
| DE10260601A1 (de) * | 2002-12-23 | 2004-06-24 | Infineon Technologies Ag | Elektronenstrahlvorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Oberflächenladung auf einer Oberfläche in einer Elektronenstrahleinrichtung |
| JP2007066789A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Horon:Kk | チャージ防止装置およびチャージ防止方法 |
| US9153414B2 (en) | 2006-02-01 | 2015-10-06 | Fei Company | Particle optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
| US7906762B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-03-15 | Fei Company | Compact scanning electron microscope |
| US8309921B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-11-13 | Fei Company | Compact scanning electron microscope |
| US8598524B2 (en) | 2006-06-07 | 2013-12-03 | Fei Company | Slider bearing for use with an apparatus comprising a vacuum chamber |
| US9025018B2 (en) | 2006-06-07 | 2015-05-05 | Fei Company | User interface for an electron microscope |
| US9865427B2 (en) | 2006-06-07 | 2018-01-09 | Fei Company | User interface for an electron microscope |
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