JPS60117532A - イオン照射装置 - Google Patents
イオン照射装置Info
- Publication number
- JPS60117532A JPS60117532A JP58225047A JP22504783A JPS60117532A JP S60117532 A JPS60117532 A JP S60117532A JP 58225047 A JP58225047 A JP 58225047A JP 22504783 A JP22504783 A JP 22504783A JP S60117532 A JPS60117532 A JP S60117532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- target
- ion
- emitted
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は二次イオン質量分析装置とかイオンエツチング
装置のような試料をイオンビームで照射する装置に関す
る。
装置のような試料をイオンビームで照射する装置に関す
る。
口・従来技術
Ｊ二記したような装置で試料をイオンビームで照射する
と、試料からは二次イオンが放出されると共に二次電子
も放出される。試料が電気絶縁性の桐材である場合、こ
の二次電子放出によって試料が帯電し、絶縁体の漏洩雷
流入二次雷子雷疏とが釣合うようになる捷で試料電位が
上昇してイオンビーム、の試料面への入射を妨げ二次イ
オンの検出ができなくなったシ、イオンエツチングの進
行が妨げられる。このだめ従来は試料照射用のイオンビ
ーム（−次イオンビーム）を発生するイオン銃の他に試
料面を電子線で照射して試料の帯電を中和するために電
子銃を配置していた。
と、試料からは二次イオンが放出されると共に二次電子
も放出される。試料が電気絶縁性の桐材である場合、こ
の二次電子放出によって試料が帯電し、絶縁体の漏洩雷
流入二次雷子雷疏とが釣合うようになる捷で試料電位が
上昇してイオンビーム、の試料面への入射を妨げ二次イ
オンの検出ができなくなったシ、イオンエツチングの進
行が妨げられる。このだめ従来は試料照射用のイオンビ
ーム（−次イオンビーム）を発生するイオン銃の他に試
料面を電子線で照射して試料の帯電を中和するために電
子銃を配置していた。
八日 的
本発明はイオンビームで試料を照射する装置において、
別途試料照射用の電子銃を設けることなく、絶縁体試料
の帯電を防止することを目的とする。
別途試料照射用の電子銃を設けることなく、絶縁体試料
の帯電を防止することを目的とする。
二、構 成
本発明装置は試料を照射する一次イオンビームに広りを
与えて試料の傍に配置されたターゲットをも一次イオン
で照射するようにし、ターゲットが一次イオンで照射さ
れることによってターゲットから放出される二次電子を
試料面に入射させて試料の帯電を中和するようになって
いる点に特徴を有する。
与えて試料の傍に配置されたターゲットをも一次イオン
で照射するようにし、ターゲットが一次イオンで照射さ
れることによってターゲットから放出される二次電子を
試料面に入射させて試料の帯電を中和するようになって
いる点に特徴を有する。
ホ、実施例
図は二次イオン質量分析装置に本発明を適用した実施例
を示す。１はイオン銃で、導入されたガスをイオン化す
るイオン化室Ｃと生成されたイオンを加速しイオンビー
ムを形成する加速電極及びレンズ系ＴＪよりなっている
。Ｂはイオン銃１によって形成された一部イオンビーム
である。２は試料で試料ホルダ３」―にセットされ、試
別ホルダ３はアースされる。４はターゲットで、その表
面は試ｆｔ ２の上面側方に位置し垂直より稍斜上向き
に配置される。ターゲット４は電圧源５の電圧をポ電 テンソヨメータ６で分圧した適当術圧が印加しである。
を示す。１はイオン銃で、導入されたガスをイオン化す
るイオン化室Ｃと生成されたイオンを加速しイオンビー
ムを形成する加速電極及びレンズ系ＴＪよりなっている
。Ｂはイオン銃１によって形成された一部イオンビーム
である。２は試料で試料ホルダ３」―にセットされ、試
別ホルダ３はアースされる。４はターゲットで、その表
面は試ｆｔ ２の上面側方に位置し垂直より稍斜上向き
に配置される。ターゲット４は電圧源５の電圧をポ電 テンソヨメータ６で分圧した適当術圧が印加しである。
イオンビーＡ Ｂは図のように広っており、試別２と共
に傍のターゲット４の表面も照射する。
に傍のターゲット４の表面も照射する。
ターゲット４の表面は金等よりなっており、イオン照射
によって二次電子を放出する。図にｅと書かれた放射線
がこの二次電子を示す。
によって二次電子を放出する。図にｅと書かれた放射線
がこの二次電子を示す。
試料２は一部イオンＢの照射を受けると、試料表面の構
成原子は入射イオンと電荷を交換して二次イオンと々っ
て試料表面から放出される。しかし−次イオンの照射に
よって試料面からは二次電子も放出されるので、試別が
絶縁性の物質であるときは正に帯電する。従って一部イ
オンが正イオンであると反撥されて試料面に殆んと入射
できなくなり、入射しても二次イオンを放出させるだけ
のエネルギーがなくなって１−まう。こ＼において本発
明では、ターゲット４から二次電子ｅが放出されており
、ターゲットは負電位に保っであるので、ターゲット４
から放出された二次電子ｅは正に弗電した試ｘニー＋
２の表面に吸引され、試別の帯電を中和する。
成原子は入射イオンと電荷を交換して二次イオンと々っ
て試料表面から放出される。しかし−次イオンの照射に
よって試料面からは二次電子も放出されるので、試別が
絶縁性の物質であるときは正に帯電する。従って一部イ
オンが正イオンであると反撥されて試料面に殆んと入射
できなくなり、入射しても二次イオンを放出させるだけ
のエネルギーがなくなって１−まう。こ＼において本発
明では、ターゲット４から二次電子ｅが放出されており
、ターゲットは負電位に保っであるので、ターゲット４
から放出された二次電子ｅは正に弗電した試ｘニー＋
２の表面に吸引され、試別の帯電を中和する。
二次電子は二次電子を放出させた励起線のエネルギーを
上限とするエネルギー分布を持っている。
上限とするエネルギー分布を持っている。
このため試料が正に帯電しても試ネ」から出た二次電子
のうちの一部だけが試別に引戻されるのであり、残りは
装置の器壁等に入射してし甘う。従ってこのようにして
失われた二次電子をターゲット４から放出される二次電
子を試オー１に入射させることによって正の帯電を中和
するのである。ターゲットから放出される二次電子もエ
ネルギー分布を有するから、一般にはターゲットを適当
な正電位にしておくと、試ネ・１が丁度０電位になった
とき、ターゲソ１−４から試料２に向う電子減速電界に
抗してターゲットから試料に入射する二次電子の量と試
別から放出される二次電子の量とが釣合う。
のうちの一部だけが試別に引戻されるのであり、残りは
装置の器壁等に入射してし甘う。従ってこのようにして
失われた二次電子をターゲット４から放出される二次電
子を試オー１に入射させることによって正の帯電を中和
するのである。ターゲットから放出される二次電子もエ
ネルギー分布を有するから、一般にはターゲットを適当
な正電位にしておくと、試ネ・１が丁度０電位になった
とき、ターゲソ１−４から試料２に向う電子減速電界に
抗してターゲットから試料に入射する二次電子の量と試
別から放出される二次電子の量とが釣合う。
しかしこの場合のターゲット４の電位は一部イオンのエ
ネルギー及び試料によって異るので、実験的に試料の分
析感度が最良であるように設定するのがよい。
ネルギー及び試料によって異るので、実験的に試料の分
析感度が最良であるように設定するのがよい。
７は試別２の斜上方に配置されたイ゛オン引出し電極で
ボテン／ヨメータ６によって負電位に保持されており、
試料２から放出された正の二次イオンを吸引している。
ボテン／ヨメータ６によって負電位に保持されており、
試料２から放出された正の二次イオンを吸引している。
試料２から放出された二次イオンは試料と引出し電極グ
との間で加速されてエネルギーフィルタ８に入射し、一
定のエネルギーを持った二次イオンだけが質量分析計９
に入射する。ターゲット４からも二次イオンが放出され
ているが、二次イオンのエネルギーはそのイオンの母体
物質内での結合エネルギーによって異り、ターゲットと
試料とでは二次イオンのエネルギーが異ッテいるので、
エネルギーフイルり８にＪ二って両者は選別されて試別
から放出された二次イオンのみが質量分析計に導入され
る。
との間で加速されてエネルギーフィルタ８に入射し、一
定のエネルギーを持った二次イオンだけが質量分析計９
に入射する。ターゲット４からも二次イオンが放出され
ているが、二次イオンのエネルギーはそのイオンの母体
物質内での結合エネルギーによって異り、ターゲットと
試料とでは二次イオンのエネルギーが異ッテいるので、
エネルギーフイルり８にＪ二って両者は選別されて試別
から放出された二次イオンのみが質量分析計に導入され
る。
へ２効 果
本発明によれば電子銃が不要で、電子銃に比し構造的に
甚だ簡単であり、電子銃に比し保守の手間も殆んどか＼
らないターゲットを試料側方に配置するだけで、絶縁性
試別の帯電を防雨できる。
甚だ簡単であり、電子銃に比し保守の手間も殆んどか＼
らないターゲットを試料側方に配置するだけで、絶縁性
試別の帯電を防雨できる。
図面は本発明の一実施例装置のＩＩ面図である。
］・・イオン銃、Ｂ・・・−次イオンビーム、２・・・
試料、４−・・・ターゲット、７・・・イオン引出し電
極、８・・・エネルギーフィルタ、９・・・質量分析計
。 代理人 弁理士 組 浩 介
試料、４−・・・ターゲット、７・・・イオン引出し電
極、８・・・エネルギーフィルタ、９・・・質量分析計
。 代理人 弁理士 組 浩 介
Claims (1)
- 稍広りを持った一次イオンビームを形成するイオン銃を
有し、試料側方で上記−次イオンビームが入射できる位
置にターゲットを配置し、同ターゲットから放出された
二次電子が試料面に入射できるようにしたことを特徴と
するイオン照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225047A JPS60117532A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | イオン照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225047A JPS60117532A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | イオン照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117532A true JPS60117532A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16823204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225047A Pending JPS60117532A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | イオン照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602051A1 (fr) * | 1986-07-23 | 1988-01-29 | Cameca | Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique |
| EP0468521A2 (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for irradiating low-energy electrons |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58225047A patent/JPS60117532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602051A1 (fr) * | 1986-07-23 | 1988-01-29 | Cameca | Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique |
| EP0468521A2 (en) * | 1990-07-26 | 1992-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for irradiating low-energy electrons |
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