CN100561637C - 等离子显示面板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种等离子显示面板的制造方法。其中的成膜装置具有：在形成有显示电极和电介质层的前面基板(3)的形成有电介质层的面上形成保护膜的蒸镀室(21)；在蒸镀室(21)内搬送前面基板(3)的传送部(25)；向蒸镀室(21)内导入含H2O的气体的气体导入部(29a、29b)；测量比蒸镀室(21)的成膜空间的中央更向所述前面基板(3)的传送方向的下游侧的蒸镀室(21)内的规定的气体的分压的分压检测部(29c)；以控制在分压检测部(29c)的气体的分压的方式从气体导入部(29a、29b)导入含H2O的气体。

Description

等离子显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及等离子显示面板(在下文中简记为“PDP”)的制造方法，尤其涉及稳定地控制作为PDP的保护膜应用的金属氧化膜的电子发射特性的技术。
技术背景
近年来，在用于个人电脑、电视等的图像显示的彩色显示设备中，液晶显示面板(LCD)、场致发射显示面板(FED)、PDP等的平板显示面板，作为能够实现大型薄型的面板的显示设备而引人关注，尤其PDP具备具有高速响应性、高视场角等突出特征。
PDP具有前面板和后面板相对配置并且其周缘部利用密封部件密封的结构，在形成于前面板和后面板之间的放电空间中，封入有氖(Ne)和氙(Xe)等放电气体。
前面板具备：由形成于玻璃基板的带状的扫描电极和维持电极构成的多个显示电极对；覆盖显示电极对的电介质层；覆盖电介质层的保护膜。显示电极对分别由透明电极和形成于该透明电极之上的金属材料的总线电极构成。
另一方面，背面板具备：形成在玻璃基板上的带状的多个地址电极；覆盖地址电极的基底电介质层；按照每个地址电极分割在基底电介质层上形成的放电空间的隔壁；在隔壁间的基底电介质层上和隔壁侧面形成的红色、绿色、蓝色的荧光体层。
前面板和后面板以显示电极对和地址电极正交的方式相对配置，并在这些电极交叉的交叉部形成有放电室(cell)，放电室排列成矩阵状，具有在显示电极对的方向排列的红色、绿色、蓝色的荧光体层的3个放电室形成用于彩色显示的像素，PDP通过在扫描电极和地址电极之间、以及在扫描电极和维持电极之间施加规定的电压，产生气体放电，并利用该气体放电产生的紫外线激发荧光体层发光，来显示彩色图象
在这种结构的PDP中，需要保护膜的耐溅射特性好、二次电子发射系数高等，例如，一般采用氧化镁(MgO)薄膜的保护膜。利用这些耐溅射特性、二次电子发射特性，可以防止电介质层的溅射并且降低放电电压。
保护膜利用电子束蒸镀法、基于等离子枪的成膜法等形成，根据不同成膜方法、成膜条件等膜的特性有着显著的不同。已知有作为保护膜的氧化镁(MgO)薄膜的二次电子发射特性，由于在成膜过程中杂质混入而发生变化。原因是如果在膜中氧元素缺失或者有杂质例如包含在氧化镁(MgO)原料或气氛气体中的水(H2O)产生的氢H2分子等混入膜中，则氧化镁(MgO)膜内的Mg原子和O原子的结合产生混乱。即，是因为产生未结合键(dangling bond)，对氧化镁(MgO)的能带产生影响，二次电子的发射状态改变。
由这样的观点，已公开有以下的例子(例如参照专利文献1)：在利用电子束蒸镀法形成作为保护膜的氧化镁(MgO)薄膜时，通过把包含有氧气、水(H2O)等的气体导入蒸镀室并且把各种气体的分压控制在一定范围，稳定制造膜特性好的保护膜。
然而，在如参考文献1所提到的一边传送基板一边连续地形成保护膜的成膜装置中，使整个蒸镀室成为均匀的气氛是困难的。尤其，在导入包含作为杂质的水(H2O)的气体时，由于蒸镀室内的温度分布、电子束引起的水(H2O)的分解等的影响，在蒸镀室内的水(H2O)分子的具有着分布，存在不能稳定控制膜质的问题。结果，不能稳定地控制保护膜的电子发射特性，作为PDP产生不能点亮或点灯不良的问题。
【专利文献1】特开2005-50804号公报
发明内容
本发明的PDP的制造方法，是把形成有显示电极和电介质层的基板搬入成膜室内，并且一边传送基板一边在基板的形成有电介质层的面上连续形成金属氧化膜的PDP的制造方法，在形成金属氧化膜时，测量成膜室内的比成膜室的成膜空间的中央更向基板传送方向的下游侧的规定气体的分压，并且根据测量的分压向成膜室导入含H2O的气体。
基于如此的制造方法，能够以高的成膜速度在PDP的基板上形成电子发射特性被稳定控制的优质的金属氧化膜的保护膜。
附图说明
图1是表示交流面放电型PDP的结构的立体图。
图2是表示本发明的实施方式的PDP的制造装置的结构的侧剖面图。
图3是表示图2的A部分的详细情况的侧剖面图。
图4是表示作为本发明的实施方式的制造方法的实施例而制作的PDP的放电延迟时间和水(H2O)分压之间的关系的图。
图5是表示作为相对本发明的实施方式的制造方法的实施例的比较例而制作的PDP的放电延迟时间和水(H2O)分压之间的关系的图。
符号说明
1PDP(等离子显示面板)；2前面板；3前面基板；4扫描电极；4a，5a透明电极；4b，5b总线电极；5维持电极；6显示电极；7电介质层；8保护膜；9背面板；10背面基板；11地址电极；12基底电介质层；13隔壁；14R，14G，14B荧光体层；15放电空间；16放电室；20成膜装置；21蒸镀室；22基板搬入室；23基板搬出室；24a，24，24c真空排气系统；25传送部；26a，26b，26c，26d分隔壁；27a，27b基板加热部；28a蒸镀源；28b炉膛；28c电子枪；28d电子束；28e蒸汽流；28g，28h闸门；29a，29b气体导入部；29c分压检测部；30基板保持夹具。
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施方式的PDP的制造方法。
(实施方式)
图1是表示本发明的实施方式的交流面放电型PDP的结构的立体图。PDP的结构是：在玻璃制前面板和后面板上分别正交配置有行电极、列电极，由成为像素(pixel)的行电极和列电极的交点以及位于两基板间的隔壁形成放电空间。
在图1中，PDP1的前面板2具备：由在例如玻璃那样的透明的绝缘性的前面基板3的成为主面的一方的面上形成的扫描电极4和维持电极5构成的显示电极6；覆盖显示电极6的电介质层7；进一步覆盖电介质层7的例如基于氧化镁(MgO)薄膜的保护膜8。扫描电极4和维持电极5具有在透明电极4a、5a上以降低电阻为目的层积了由金属材料例如Ag等组成的总线电极4b、5b的结构。
另外，背面板9分别具备：由形成在例如玻璃那样的绝缘性的背面基板10的一方的面上的地址电极11；覆盖地址电极11的基底电介质层12；配置在基底电介质层12上的相邻的地址电极11之间的隔壁13；在各隔壁13之间涂敷形成的发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光的荧光体层14R、14G、14B。
前面板2和背面板9夹着隔壁13，以使显示电极6和地址电极11正交的方式相对配置。PDP1的图象显示区域以外的周缘部由密封构件(未图示)密封。在前面板2和背面板9之间形成的放电空间15，以约66.5KPa(500Torr)的压力封入例如在氖气(Ne)中混合了10％的氙气(Xe)的混合稀有气体。进一步，放电空间15的显示电极6和地址电极11的交叉部分作为放电室16(单位发光区域)而动作。
下面说明上述的PDP1的制造方法。关于前面板2，首先，在前面基板3上带状地形成扫描电极4和维持电极5。具体地，在前面基板3上通过利用了蒸镀、溅射等的成膜工艺形成例如ITO等透明导电性膜，然后利用光刻法等进行图形化形成透明电极4a、5a。进一步以在其上层积的形式，由利用了印刷法、蒸镀等的成膜工艺形成由例如银(Ag)等元素构成的膜之后，采取光刻法等进行图形化形成总线电极4b、5b。这样能够获得包括扫描电极4和维持电极5的显示电极6。
接下来，用电介质层7覆盖由上述方式形成的电极6。电介质层7，在涂敷了利用例如屏幕印刷法包含有铅基玻璃材料的浆后，利用加热烘干形成。作为含有铅基玻璃的浆，使用例如PbO(70wt％)-B2O3(15wt％)-SiO2(10wt％)-Al2O3(5wt％)的玻璃材料，和由乙基纤维素溶解于10％的α-松油醇的粘合剂组成的有机材料的混合物。然后，用由例如氧化镁(MgO)组成的金属氧化膜的保护膜8覆盖在显示电极6上形成的电介质层7。关于保护膜8的形成方法，与使用的成膜装置一起，在以下做更为详细的说明。
另一方面，关于背面板9，首先，在背面基板10上形成多个带状的地址电极11。具体地，在背面基板10的一方的表面上，通过利用了印刷法、蒸镀法等的成膜工艺形成基于例如银(Ag)等导电性材料的膜，然后利用光刻法等进行图形化形成地址电极11。利用基底电介质层12覆盖该地址电极11，进一步，在基底电介质层12上、地址电极11之间平行配置形成隔壁13。然后，通过在各隔壁13之间的凹槽内涂敷由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)用的荧光体粒子和有机粘合剂组成的浆状的荧光体墨水，然后对其进行烘焙燃尽有机物，形成附着有荧光体粒子的荧光体层14R、14G、14B。
利用上述方法制造的前面板2和背面板9，以前面板2的显示电极6与背面板9的地址电极11正交的方式重叠。并且，在周缘插入含有低熔点玻璃的密封部件，对其进行烘烤形成密封层(未图示)来进行密封。然后，通过首先把放电空间15抽成高真空然后以预定的压力封入放电气体，来制造完成PDP1。
接下来，对基于氧化镁(MgO)的金属氧化膜的保护膜8的工艺参照图2进行说明，图2是表示本发明的实施方式的PDP的制造装置的结构的侧剖面图。
如图2所示，成膜装置20设置有成为用于通过蒸镀在PDP1的前面基板3上形成保护膜8的成膜室的蒸镀室21。另外，在蒸镀室21的前后具备：用于在投入前面基板3前预热前面基板3并且进行预排气的基板搬入室22，和用于对在蒸镀室21完成蒸镀后取出的前面基板3进行冷却的基板搬出室23。
这些基板搬入室22、蒸镀室21、基板搬出室23分别被设成密封的结构以使内部能够成为真空氛围。按照各室分别设置有真空排气系统24a、24b、24c。另外，贯穿基板搬入室22、蒸镀室21、基板搬出室23，设置有包括传送辊、金属丝、链等的传送部25。另外，在外部大气和基板搬入室22之间，基板搬入室22和蒸镀室21之间，蒸镀室21和基板搬出室23之间，基极搬出室23和外部大气之间，利用能够分别开闭的隔壁26a、26b、26c、26d进行隔离。
通过传送部25的驱动和隔壁26a、26b、26c、26d的开闭的联动，对基板搬入室22，蒸镀室21和基板搬出室23各自的真空度的变化进行抑制。把形成至电介质层7的前面基板3从外部通过隔壁26a导入成膜装置20的基板搬入室22，依次通过蒸镀室21、基板搬出室23，进行在各个室的规定的处理，并搬出到成膜装置20的外部。这样，能够进行对多片前面基板3连续成膜氧化镁(MgO)薄膜的单张处理。给前面基板3加热的基板加热部27a、27b分别设置在基板搬入室22和蒸镀室21。而且，前面基板3的传送，通常在被保持在被称为盘(tray)的基板保持夹具30的状态下进行。
下面，对蒸镀室21即成膜室进行说明。在蒸镀室21中，在与真空排气系统24b连接的密封容器21a内，设置有：主要成为蒸镀源28a的加入有氧化镁(MgO)的粒子的炉膛28b、电子枪28c和施加磁场的偏转磁场(未图示)。通过利用由偏转磁场产生的磁场使从电子枪28c发射的电子束28d偏向并照射蒸镀源28a，投入热量从蒸镀源28a产生蒸汽流28e。
这时前面基板3被设置到具有开口的基板支持用的基板保持夹具30上，利用传送部25从图2的左侧向图2的右侧移动。此时，使切断蒸汽流28e的闸门28g、28h移动并且使基板保持夹具30的下侧保持开启状态，蒸汽流28e通过基板保持夹其30的开口部在前面基板3的表面附着、成膜，连续形成预定形状、膜厚的氧化镁(MgO)薄膜的保护膜8。在这种情况下，前面基板3利用采用了红外线灯等加热器的基板加热部27a、27b加热到规定温度。
另外，如图2所示，在作为本发明的实施方式的PDP的制造装置的成膜装置中，在位于蒸镀室21之中的基板搬出室23侧下游侧突出部21c的周边配置向蒸镀室21的气体导入部29a、29b，和蒸镀室21的分压检测部29c。这样，在本发明的实施方式中，利用分压检测部29c检测从作为成膜室的蒸镀室21的成膜空间的中央向前面基板3的传送方向的下游侧的蒸镀室21的分压。而且，作为分压检测部29c使用例如四极质量分析仪。
如上所述，在形成保护膜8的情况下，作为保护膜8的氧化镁(MgO)物理特性因其成膜过程中的氧的不足、或杂质的混入等而产生变化。这是因为，如果膜中缺氧、或者包含于原料、氛围气体中的水(H2O)产生的H原子、H2分子、OH分子等杂质混入膜中，则氧化镁(MgO)薄膜内的Mg原子和O原子的结合产生混乱，即，由于该混乱产生未结合键(dangling bond)影响氧化镁(MgO)的能带，二次电子发射的状态改变。于是通过将氧气、水(H2O)等导入蒸镀室21，抑制这些未结合键的产生。
在本发明的实施方式中，根据从在位于蒸镀室21内的基板搬出室23侧的下游侧突出部21c附近配置的分压检测仪29c得到的结果，进行导入蒸镀室21的氧气、水(H2O)的导入量的控制。即，在本发明的实施方式中，特别在成膜过程中的成膜接近完成的时间，控制基于氧的缺乏、杂质的混入等的氧化镁(MgO)膜的物理特性。
在控制蒸镀室21的气氛来成膜的情况下，要实现气氛在蒸镀室21整体都相同是困难的。即，位于具有蒸镀源28a的炉膛28b的蒸镀室21的中央部，和基板搬入室22或基板搬出室23侧附近的蒸镀室21的左右端部的气氛不同。尤其很明确的是：接近成膜完成时间，前面基板3运动到蒸镀室21内的靠近基板搬出室23的位置，由子蒸镀室21内气体气氛的差异，对保护膜8的特性有影响的膜的物理特性有较大变化。因此，为了使得保护膜8的特性稳定，需要在成膜处理过程中合理控制气体状态。
本发明的发明者研究的结果，确认：使用蒸镀室21的特别是接近成膜完成的时间的包含水(H2O)的气体的分压，作为用于合理控制成膜室即蒸镀室21内的气体状态的参数，通过一边把该分压保持在一定范围内一边进行成膜，能够形成稳定的性能优良的氧化镁(MgO)薄膜。在这里，“分压”指蒸镀室21内的，作为炉膛28b和前面基板3之间的空间的成膜区的接近成膜完成的时段的分压。另外，接近成膜完成的时间指这样一段时间范围：从成膜厚度达到所需氧化镁(MgO)薄膜厚度的一半的时间到成膜完成为止的时间。
在成为成膜室的蒸镀室21中，设置有至少大于等于1个的能够导入上述各种气体的气体导入部29a、29b，以控制接近成膜完成的时间的蒸镀室21中的气氛。可以利用气体导入部29a导入例如氧气，利用另外的气体导入部29b导入含例如水(H2O)的气体。而且，为了测量蒸镀室21内的接近成膜完成时间的前述气体的分压，在基板搬出室23侧的下游侧突出部21c周边设置有包括例如四极质量分析仪的分压检测部29c。
还设置有控制部(未图示)，其用于以基于来自该分压检测部29c的信息、使蒸镀室21内的气体的分压在一定范围内的方式，对来自气体导入部29a、29b的气体导入量和基于真空排气系统24b的排气量进行控制。由这些结构，能够把作为成膜室的蒸镀室21接近成膜完成的时间的气氛气体例如包含氧气、水蒸气等的气体的分压控制成保持在一定范围内的状态，进行氧化镁(MgO)膜的蒸镀。
而且，上述的图2所示的用于形成本发明的实施方式的PDP保护膜的成膜装置20中，表示了仅设置了1个分压检测部29c的例子。然而，本发明并不局限于此，也可以设置多个分压检测部29c。在设置多个分压检测部29c时，如果配置成相对载置前面基板3的基板保持夹具30的传送方向垂直，并且相对传送方向在水平方向平行，则能够提高分压检测的测量精度。
如图3所示，配置分压检测部29c的位置，优选设置在，以下游侧隔断壁28h向下游侧突出部21c侧移动、氧化镁(MgO)膜能够成膜的状态下的下游侧隔断壁28h的右侧端部为基准，更靠近下游侧突出部21c侧。
下面将详细叙述成膜工艺的步骤。首先，在作为成膜室的蒸镀室21中，通过采用了红外线灯等的基板加热部27b对前面基板3进行加热，并使其始终保持在预定的温度上，加热温度设定在从约100℃到约400℃的温度范围内，使得预先形成在前面基板3上的显示电极6、电介质层7等不会热劣化。然后，在上游侧隔断壁28g和下游侧隔断壁28h关闭的状态下，把电子束28d从电子枪28c向蒸镀源28a进行照射，进行蒸镀源28a内含的杂质气体的排气，利用真空排气系统24b排除杂质气体后，从气体导入部29a、29b导入气体。如上所述，导入的气体，例如，为了防止氧化镁(MgO)膜中的氧缺失采用包含氧气的气体，为了主动把杂质混入膜中，采用含水的气体。然后，这些气体被控制，使得在蒸镀室21的成膜区中，在基板运动方向的下游侧，其分压也保持在规定范围内。在利用真空排气系统24b排尽杂质气体后，从气体导入部29a、29b导入气体，一边用控制部(未图示)控制气体导入量和抽气量以达到气体导入和抽气的平衡。然后，被传送的前面基板3移动到规定区域时，使上游侧隔断壁28g和下游侧隔断壁28h移动，基板保持夹具30的下侧打开，使氧化镁(MgO)蒸汽流28e向前面基板3喷射并成膜于其上。
结果，特别是在成膜后期形成的氧化镁(MgO)薄膜的表层部分未结合键的量被控制，能够形成由2次电子发射特性良好的氧化镁(MgO)薄膜构成的保护膜8。
实施例
以下，对采用本发明的实施方式的PDP的制造方法，成膜保护膜、实验性的制造一个PDP并进行价的例子进行说明。在表1中表示本实施了例的成膜装置的条件。
表一
  蒸镀时基板温度   300℃
  前面基板传送速率   800mm/min
  电子枪发射电流   480mA
  到达压力(真空排气系统24b入口) 小于等于2.0×10<sup>-4</sup>Pa
  蒸镀时成膜室内压力(真空排气系统24b入口) 2.0×10<sup>-2</sup>Pa
  H<sub>2</sub>O的分压调整范围   5.0×10<sup>-4</sup>Pa～3.0×10<sup>-3</sup>Pa
  OH的分压调整范围   1.5×10<sup>-4</sup>Pa～2.0×10<sup>-3</sup>Pa
表一中，由气体引入部29a、29b引入氧气和水(H2O)来保持水(H2O)的分压或OH分子的分压不变，来制造具有氧化镁(MgO)膜的保护膜8的前面板2。
这样，把分压保持在一定范围，作为成膜室的蒸镀室21内真空度(压力)的大小保持在一定范围，从使成膜速度一定、高效获得优质膜的观点来看是优选条件。此时，能够对图2所示的成膜装置20的蒸镀室21，进一步设置用来检测成膜区的真空度的真空度检测部(未图示)。只要与从真空度检测部获得的真空度的信息一起，来控制来自气体导入部29a、29b的气体导入量和真空排气系统24b的排气量，把蒸镀室21内的气体的分压保持在一定范围内，且真空度也保持在预定的范围内即可。
此时，作为把真空度调整在一定范围内的方法，如果使用例如氩、氦那样的稀有气体、氮气等惰性气体，则能够不影响成膜的氧化镁(MgO)薄膜的物理特性地，对真空度进行调节。一般，由于惰性气体由于不与氧化镁(MgO)薄膜起化学反应，能够不影响其物理特性地只对真空度进行调节，所以是优选。
使用具有在前述条件下成膜的氧化镁(MgO)薄膜的保护膜8的前面板2试验制成PDP，并进行写入放电特性的评估。作为写入放电特性的评估，测量了写入放电时的放电延迟时间。
在本实施例中，对利用分压检测部29c控制水(H2O)的分压、和OH分子的分压而成膜的PDP来测量放电延迟时间。放电延迟时间设为：从在地址期间在扫描电极4和地址电极11间施加电压到放电发生为止的时间，把放电发光的100次的峰值平均化。另外，放电延迟时间量以高清晰度显示的PDP(42英寸)中的值为基准被规格化。
图4是表示作为本发明的实施方式的制造方法的实施例而制作的PDP的放电延迟时间量和制造装置中的水(H2O)的分压的关系的图。图5是表示作为其比较例而制作的PDP的放电延迟时间量和制造装置的水(H2O)分压之间的关系的图。
图4是以下情况时的结果：作为本发明的实施方式，如图2中所示，把分压检测部29c安装在成为前面基板3的传送方向的下游侧的蒸镀室21的下游侧突出部21c侧，即从成膜室中搬出前面基板3的搬出口侧，以使水(H2O)的分压成为规定值的方式从气体导入部29a、29b中的任意一个导入水(H2O)。此时，氧气从气体导入部29a、29b中另一方被导入。在图2中，表示了把气体导入部29a、29b设置在作为分压检测部29c的附近的下游侧突出部21c侧的例子，图4的实验结果，也一并表示了从蒸镀室21的基板传送方向的上游侧进行水(H2O)导入的结果。
如图4所示，如果把分压检测部29c安装在蒸镀室21的下游侧突出部21c侧即前面基板3的传送方向的下游侧，以水(H2O)的分压成为规定值的方式导入水(H2O)，则在水(H2O)的分压和放电延迟量之间与水(H2O)的导入位置无关地存在关联。即，具有规定的延迟放电时间量的保护膜8，能够通过在蒸镀室21的下游侧检测水(H2O)分压，以使该分压成为一定的方式从蒸镀室21上游和下游的任一个导入水(H2O)来获得。因此，通过控制水(H2O)的分压能够实现具有期望的放电延迟时间量的保护膜8。
另一方面，在图5中，表示把分压检测部设置在蒸镀室21的前面基板3的传送方向的上游侧时的结果。如图5所示，放电延迟时间量和水(H2O)分压没有关联。即，表示在蒸镀室上游侧检测分压时，通过导入水(H2O)来控制保护膜8的物理特性是不可能的。
由这些结果可知，支配PDP的放电特性的保护膜8的二次电子发射特性，受到保护膜8的表层部分的特性也就是成膜的后期的成膜条件的影响，并且能够利用成膜该表层部分的附近的蒸镀室的气体分压来进行控制。
而且，在本发明中，如图4所示，将控制的水(H2O)的分压的优选范围设为大于等于6.0×10-4Pa小于等于2×10-3Pa。即，对于以高清晰度显示的PDP为基准时的规格放电延迟时间量超过4.5、水(H2O)的分压低于6.0×10-4Pa来说，即使在标准清晰度的PDP中，放电延迟时间量也会增加很大，因此在地址期间无放电发生，放电室不点亮。另一方面，在放电延迟时间过小、水(H2O)的分压超过2×10-3Pa时相反产生电量泄漏，也不点亮。
在分辨率是高分辨率类型时，优选把水(H2O)的分压控制在大于等于1.2×10-3Pa小于等于2×10-3Pa。
另外，在图4，5中，表示了成膜保护膜时控制水(H2O)的分压的情况，但也可以通过以控制OH分子的分压来代替水(H2O)分压的方式导入水(H2O)来控制保护膜的二次电子的发射特性，从而控制PDP的放电延迟时间。在控制OH分子的分压的情况下，在高清晰度的PDP中，优选其分压范围大于等于2.0×10-4Pa小于等于1.6×10-3Pa。
而且，在上述的说明中，作为导入蒸镀室21内的气体，是氧气、含水气体、惰性气体等，但这些气体并不局限于100％的纯度，也可以是比较容易得到的例如约99.9％纯度的包含一部分杂质的气体。
而且，成膜装置20不被仅限制在上述结构，也可以采用例如，与前面基板3的温度曲线的设定条件对应，在基板搬入室22和蒸镀室21之间，至少有1个用于加热前面基板3的基板加热室的结构。或者，在蒸镀室21和基板搬出室23之间具有至少1个基板冷却室的结构等。进而，对于为了灵活调整而在各室间设置缓冲室的结构，单独设置用于加热、冷却的室的结构，具有以批处理的方式进行成膜的结构的结构等，也能够得到与上述的说明相同的效果。
另外，在上所的说明中，举例说明了这样一种方法：在蒸镀室21内的对前面基板3的氧化镁(MgO)薄膜的蒸镀，一边传送前面基板3一边进行。但也可以在前面基板3的传送停止、静止的状态下进行。
另外，在把多种气体导入作为成膜室的蒸镀室21的情况下，作为其导入方法，可以采用按照各个气体设置气体导入部29a、29b，然后从其导入的方法，和预先另外设置混合多种气体的混合室，在该混合室混合气体之后通过气体导入部29a导入的方法等。
而且，在上述的本发明的实施方式中，以通过以氧化镁(MgO)为原料利用蒸镀形成保护膜8的例子进行了说明，但本发明的实施方式的制造方法并不局限于氧化镁(MgO)的蒸镀，在成膜多种金属氧化膜的情况下也能取得同样的效果。
如上述说明，根据本发明的PDP的制造方法，在成膜装置的成膜室具有气体导入部和分压检测部，分压检测部测量成膜装置的成膜室内的，邻近成膜结束时的气体分压，以控制该分压的方式导入包含水(H2O)的气体。其结果，能够形成有稳定电子发射特性的优质保护膜，实现显示品质优良的PDP。
根据本发明，能够实现在保护膜成膜时控制二次电子的发射特性的制造方法，并用作大画面、高清晰度且显示品质优秀的等离子显示装置的制造方法。

Claims (6)

1.一种等离子显示面板的制造方法，是把形成有显示电极和电介质层的基板搬入成膜室内，并且一边传送基板一边在所述基板的形成有所述电介质层的面上连续形成金属氧化膜的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成所述金属氧化膜时，测量所述成膜室内的比所述成膜室的成膜空间的中央更向所述基板传送方向的下游侧的气体的分压，并且根据所述分压向所述成膜室导入含H2O的气体。
2.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化膜是氧化镁膜。
3.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，所述成膜室内的气体中，H2O、OH中的至少一种的气体的分压被测量。
4.根据权利要求3所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，以所述H2O的分压大于等于6.0×10-4Pa小于等于2.0×10-3Pa的方式控制包含所述H2O的气体的导入。
5.根据权利要求4所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，所述H2O的分压大于等于1.2×10-3Pa小于等于2.0×10-3Pa。
6.根据权利要求3所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于，以所述OH的分压大于等于2.0×10-4Pa小于等于1.6×10-3Pa的方式，控制包括所述H2O的气体的导入。
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