CN100541794C - 具有量子点光转换的闪光模块 - Google Patents

具有量子点光转换的闪光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN100541794C
CN100541794C CNB2005101301416A CN200510130141A CN100541794C CN 100541794 C CN100541794 C CN 100541794C CN B2005101301416 A CNB2005101301416 A CN B2005101301416A CN 200510130141 A CN200510130141 A CN 200510130141A CN 100541794 C CN100541794 C CN 100541794C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
quantum dot
flash module
light source
wavelength conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005101301416A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1812092A (zh
Inventor
蔡美莺
李健欣
伍启元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yuanxin Optoelectronics Co ltd
Epistar Corp
Original Assignee
Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd filed Critical Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Publication of CN1812092A publication Critical patent/CN1812092A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100541794C publication Critical patent/CN100541794C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564—Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0567—Solid-state light source, e.g. LED, laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有量子点光转换的闪光模块。该闪光模块包括发射第一主光的第一光源，并将第一波长转换覆层放置在第一光源上，以提供第一颜色光。第一波长转换覆层包括分散在基体材料中的第一组多个量子点。该闪光模块还包括提供第二颜色光的第二光源。

Description

具有量子点光转换的闪光模块
技术领域
本发明涉及发光二极管(“LED”)器件，更具体地说，涉及混合多个LED的光以产生白光的LED器件。
背景技术
光是成像的基础，并且光的特性影响最终图像质量。例如，成像使用的光源的颜色可以影响图像的色调。常常用颜色的色温和颜色的显色指数(“CRI”)来刻画光源的颜色的特征。色温是由光源提供的光与处于某温度的黑体辐射体发射的光相比的指数。例如，100瓦的白炽灯具有约2870开氏度的色温，其意思是说由白炽灯发射出的光是与被加热到2870开氏度的黑体大约相同的颜色。
对于确定摄影中使用的正确的胶片类型，以及对于指定用于成像应用的正确光源，色温是有用的。例如，在与具有5,500开氏度色温的光源(例如，日光或来自闪光灯的光)一起使用时，日光型胶片是颜色平衡的(即，在图像中将精确再现物体的颜色)。在与具有约3,200开氏度色温的光源(其是常常被描述为“暖色”的橙色光)一起使用时，钨胶片是颜色均衡的。舞台照明、泛光照明和家庭照明一般是暖光源。如果这种光源用来照亮用日光型胶片成像的物体，则该图像常常会显示出橙色。类似地，如果钨胶片用来对用闪光灯或者日光照亮的物体成像，则图像会看上去发蓝。
然而，相同色温的光源在发光质量方面可能变化很大。一种可能具有连续的光谱，而另一种只在少数几个窄谱段中发光，但是二者具有相同的色温。确定光源质量的一种有用参数是其CRI。为了确定CRI值，观察者在待评价的光源照明下并且在具有相同色温的黑体源(例如，白炽灯)的光线照明下观察8种标准蜡笔色(pastel color)。大约说来，通过将观察者在这两种光源下对这些颜色显示的差异程度的估计求平均，从而计算出CRI。CRI只可以用于比较具有相同色温的两个光源。其用来表示发射相同颜色光的光源之间的质量差别。可获得的最高CRI为100。
自1950年起，电子闪光管就已被摄影者用来在胶片上成像或者用数字成像设备成像时照亮物体。一般的闪光管具有诸如氙气之类的气体或气体组合，并且在管内两端具有电极，在管的中间具有金属触发板。电压被施加到电极来电离闪光管中的气体。电子流过电离的气体，并且激发气体离子，从而发射出可见光。所发射的光一般位于与气体中的原子跃迁级相对应的非常窄的波段中。因此，从闪光管发出的光本质上是确定的。
LED是在电流流过时能够发光的半导体器件。LED被用在多种应用中，例如，电子显示器、交通信号和荧光灯广告牌。LED发射单色光。对基本上是单色光源的光输出的特征进行刻画的一种方法是利用发射光的半高全宽(“FWHM”)值。FWHM是从最大(峰值)发射一半处截取的光谱宽度。LED发射的光的FWHM落在较窄的范围内，一般约为20～50纳米(“nm”)。在某些应用中，荧光粉被涂覆到LED来展宽FWHM，并且使发射光的峰值波长移位。
LED闪光模块(例如，在照相机、数码相机和诸如移动电话、个人数字助理之类的包含照相机的设备中使用的，或者与这些设备一起使用的)使用荧光转换的LED来创造“白”闪光。LED闪光模块一般具有一个或多个这样的蓝LED(主发射器)，这种蓝LED上沉积有荧光粉(次发射器)。闪光的光谱内容由荧光粉的次发射和LED的主发射确定。使用这些技术，闪光模块获得在约3500开氏度到约8500开氏度范围内的色温。然而，CRI通常仅约65。期望LED闪光模块能够提供具有较高CRI的白光。
发明内容
一种闪光模块包括第一光源、第二光源和第三光源。该第一光源发射第一主光，并且在第一光源上设置有第一波长转换覆层，以提供第一颜色光。该第一波长转换覆层包括基体材料和分散在所述基体材料中的第一组多个量子点。第二光源提供第二颜色光。第三光源提供第三颜色光。该闪光模块混合来自所述第一光源、所述第二光源和所述第三光源的光，以提供白光。
附图说明
图1A是用在本发明实施例中的具有波长转换覆层102的发光器件100的侧视图。
图1B是用作本发明实施例中的另一发光器件的侧视图，该发光器件具有与传统荧光层结合的波长转换覆层。
图2示出了根据本发明实施例的闪光模块。
图3示出了根据本发明实施例的成像系统的框图。
图4A是根据本发明的一个实施例，具有照相机、透镜、光电探测器和闪光模块的成像系统的立体图。
图4B是被集成在移动电话中的根据本发明另一实施例的成像系统的立体图。
具体实施方式
图1A是用在本发明实施例中的具有波长转换覆层102的发光器件100的侧视图。发光器件包括安装在基板106、载体或头部上的光源104，例如LED芯片。可替换地，使用诸如半导体垂直腔表面发射激光器VCSEL之类的另一类光源。光源104被焊接或者以其他方式附接(“冲模附接”)到第一电触盘108，线焊110将光源104的电极(未示出)附接到第二电触盘112。电触盘108、112被连接到电流源，该电流源在某些实施例中是可变电流源。
光源104包括发射相对较窄范围光的LED(未示出)。在某些实施例中，该LED是具有小于450nm中心波长的蓝LED。在其他实施例中，该LED具有小于400nm的中心波长，在另一些实施例中，该LED是紫外光(“UV”)LED。对主发射的中心波长进行选择，以便激发发光器件100的波长转换覆层102中的量子点114、116、118，这取决于为量子点114、116和118选择的材料。为了图示，放大了量子点的尺寸。
波长转换覆层102包括分散在基体材料122中的多个量子点114、116和118。合适的基体材料一般对LED发射的光的波长透明，并且对量子点114、116和118发射的光的波长也透明。基体材料的示例包括聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、溶胶-凝胶、UV固化树脂和诸如环氧树酯之类的热固性树脂。波长转换覆层102被以涂膜(film-coated)、喷膜(film-cast)、刷膜(flim-drawn)、浇膜(film-molded)或其他方式涂覆到光源104上。在某些实施例中，这些量子点的某些或全部用材料来涂覆以增强与基体材料的相容性，并且/或者防止基体材料中的量子点的凝聚或聚集，并且/或者稳定量子点和/或增加它们的次发射。
量子点上的涂覆可以是有机帽(cap)、壳(shell)，或者由玻璃材料(例如，二氧化硅纳米颗粒)制成的帽。有机帽可以使用Ag2S和Cd(OH)2而被形成在量子点上，其中Cd2+优选地在高pH下钝化。然后，通过将有机染料附加到量子点的钝化的表面上，从而执行量子点的表面修正。例如，CdSe表面表面活性剂是不稳定的，并且可以通过依次添加Se+和Cd2+而被替换，其可以生长来使种子(即，原始量子点)更大。对于富Cd2+表面，该表面可以用Ph-Se-来处理，并且有机涂覆被共价链接到该表面。这种分子粒子的隔离被称作“盖帽(capped)”。已知的盖帽分子的类型包括Michelle液、基于硫的硫封端(sulpher-based thio-termination)、磷酸盐封端、氮封端(例如，吡啶和吡嗪)，以及由多链配位体(multi-strandedligand)制成的Dendron帽。
壳是内核材料(量子点)上的涂覆。一般来说，形成壳的涂覆材料是基于氧化物或基于硫化物的。壳/核材料的示例包括TiO2/CdS、ZnO/CdSe、ZnS/CdS和SnO2/CdSe。CdSe核材料也可以用ZnS、ZnSe或CdS涂覆，这极大地提高了CdSe的光转换效率。
量子点114、116和118都是非常小的无机晶体材料粒子(一般为纳米尺寸)，例如硒化镉(“CdSe”)、硫化锌(“ZnS”)、碲化镉(“CdTe”)、硫化镉(“CdS”)、磷化镉(“CdPo”)、硒化锌(“ZnSe”)、碲化锌(“ZnTe”)、磷化锌(“ZnPo”)、硫化镁(“MgS”)、硒化镁(“MgSe”)、碲化镁(“MgTe”)、硒化铅(“PbSe”)、硫化铅(“PbS”)、碲化铅(“PbTe”)、硫化汞(“HgS”)、硒化汞(“HgSe”)、碲化汞(“HgTe”)、硫化硒镉(“Cd(s1-XSeX)”)，或者由金属氧化物族制成，例如BaTiO3、PbZrO3、PbZrzTi1-zO3、BaXSr1-XTiO3、LaMnO3、CaMnO3、OrLa1-XCaXMnO3。例如，CdSe的量子点一般在约1.9nm(其在约465nm±10nm处发光)到约6.7nm之间(其在约640nm±10nm处发光)。量子点的次发射的波长取决于其组分和大小。
通常，根据大小精心选择量子点，以在被适当照明时，这些量子点的聚集发射出单色光。在传统应用中，量子点的窄发射波段正是所期望的，因为其提供了很强的特征颜色。在光谱的可见光部分发光的量子点(包括核-壳类型的量子点)可从纽约Troy的EVIDENT TECHNOLOGIES公司获得。
然而，波长转换覆层102中的量子点114、116和118被选择为具有不同的次发射波长，以从发光器件100产生宽广的发射。在某些实施例中，在波长转换覆层中，量子点与传统的荧光材料组合，以提高器件的输出光谱中在间隙或下降部分(dip)中的光输出。在其他实施例中，在波长转换覆层中，量子点与传统的荧光材料组合来扩展LED的波长范围，例如，扩展红LED的波长，使其超过用传统的红光发射荧光粉所能获得波长。在另外的实施例中，量子点的分布被用来拓宽其中传统的荧光粉不能很好工作的LED的输出，例如，结合蓝光发射LED使用蓝光发射量子点来拓宽发射波长。这种器件在需要良好CRI的器件中是有用的，因为它们提供了其中本来较弱或缺失的颜色，基本上“填充”了组合的红-绿-蓝LED器件的光谱。尽管常常相对于大小来分类量子点以获得特定的特征颜色，但是在本发明实施例中，大小的分布被用来拓宽从量子点输出的光。
在一个实施例中，量子点由相同材料制成，但是大小不同。制作相同材料不同大小的量子点是所期望的，因为所有的量子点可以由相同波长的光激发，并且选择LED的主发射的波长，以便激发波长转换覆层中的量子点。
波长转换覆层102可选地包括分散在基体122中的传统荧光粒子124、126。传统的荧光粒子由在用具有不同(一般更短)波长的光照明(激发)时发光的光致发光材料制成。由蓝光激发的红光发射荧光粉的示例包括：CaS:Eu2+，Mn2+(650nm)；SrS:Eu2+(610nm)；(Zn，Cd)S:Ag+(600nm)；Mg4GeO55:Mn4+(650nm)；和ZnSe:Cu，C1(620～630)。由蓝光激发的橙色光发射荧光粉的示例是ZnSeS:Cu，Cl(590～600nm)。由蓝光激发的绿黄光发射荧光粉的示例是CaS:Ce3+(520～580nm)。由蓝光激发的绿光发射荧光粉的示例包括ZnS:Cu+(550nm)；SrGa2S4:Eu2+(535nm)；钇铝石榴石(″YAG″):Ce3+(550nm)；和BaSrGa4S7:Eu(540nm)。由UV光(约365～420nm)激发的蓝光发射荧光粉的示例是BaAl16Mg2O27(″BAM″)(450nm)。由UV光激发的绿光发射荧光粉的示例是ZnS:Cu，Al(540nm)。由UV光激发的红光发射荧光粉的示例包括：Y2O2S:Eu(628nm)和Mg4GeO55F:Mn(650nm)。
荧光粒子124和126的直径典型地是从约1微米到80微米，更典型地是从约5微米到约30微米。非量子荧光粉可以是具有或不具有硅石涂覆的荧光粒子。荧光粒子上的硅石涂覆在荧光粒子与基体材料混和时减少了荧光粒子的聚团或结块。荧光粒子聚团或结块可导致具有非均匀颜色分布的发光器件。
在具体实施例中，蓝LED用来激发传统的荧光粉，并且UV LED用来激发量子点。在某些实施例中，UV LED具有包括量子点的波长转换覆层，所述量子点填充和/或扩展一个或多个具有传统荧光粉的蓝LED的波长。例如，想要具有在从600nm到650nm的范围上提供光的红LED的闪光模块。这可以通过将例如下述两种传统的荧光粉组合来获得：其中，一种荧光粉具有约630nm的峰值发射，而另一种具有610nm的峰值发射，并且每种的半高全宽都大于50nm。然而，使用传统的荧光粉是难以将发射扩展到光谱的深红部分。具有所选出的材料和(一种或多种)大小的量子点被用来向红LED的发射提供深红成分。可替换地，在大于650nm的波长上发射的量子点被包括在UV LED上的覆层中，该UV LED与包括(一种或多种)红光发射荧光粉的波长转换LED器件一同工作。
另一个示例是使用量子点来实现用蓝LED的宽蓝光发射。在具有日光色温的约6,500开氏度的色温上，相对而言，几乎不需要蓝光。在使用红∶绿∶蓝LED的闪光模块中，使用3∶6∶1比率来产生约6,500开氏度的色温。即，绿LED的峰值输出功率为6个任意单位，红LED的峰值输出功率为3个任意单位，并且蓝LED的峰值输出功率为1个任意单位。尽管易于产生蓝光，但是它常常在相当窄的波段上，这影响闪光模块所能实现的CRI，尤其是在某些色温处。
考虑由蓝LED激发的红荧光粉的例子，波长转换覆层具有峰值波长为610nm的第一荧光粉和峰值波长为630nm的第二荧光粉，使用量子点可以提高和/或扩展发射光谱的长波长端。例如，对于50nm的FWHM，在655nm(630nm加上FWHM的一半)上的发射强度是在630nm上的强度的一半。添加在655nm或更长波长上发射的量子点提高了长波发射，对于某些色温，这提供了更高的CRI。在一种实施例中，使用具有离散大小组的量子点，例如，在640、660和680nm上具有发射峰值的量子点。
在替换实施例中，量子点具有基本连续的大小分布，例如从约4.0nm到约4.8nm。在具体的实施例中，大小分布被挑选来满足光谱的(一个或多个)部分，例如，在量子点的发射与荧光粉的发射相互重叠的区域中较小，而在几乎不与(一种或多种)传统荧光粉的发射重叠的区域中较大。在某些实施例中，选择大小分布时要考虑不同大小的量子点的量子产率(转换效率)的变化。在另一种实施例中，多个量子点包括不同材料的量子点，其中，每种材料由来自LED的主波长光激发。在另一个实施例中，量子点的大小和量子点的材料在波长转换覆层中变化。
不像传统荧光粉的吸收谱，对于微米范围内的粒子大小基本为常量，特定材料的量子点的吸收谱随粒子大小而变。在某些情形中，大(例如，红光发射)量子点会吸收从较小(例如，蓝光发射)量子点发射的光，这会减少从在波长转换覆层中具有蓝光发射量子点和红光发射量子点的LED器件输出的蓝光。因此，当设计用在闪光模块或者其他白光应用中的红光、绿光、蓝光或其他颜色的LED器件时，希望将量子点与在大体相同的光谱部分中发射的荧光粉组合起来。
在具体实施例中，LED在光谱的可见光部分发光，并且波长转换覆层102允许来自该LED的某些光对发光器件100的整个发射光谱作出贡献。
在替换实施方式中，波长转换覆层102基本上是完全覆盖的，并且没有什么可感知数量的光透过该波长转换覆层。在某些实施例中，LED被稍稍覆盖，使得一部分主发射(即，来自蓝LED的蓝光)被包括在波长转换LED的总的组合发射中。在另一个实施例中，LED是UV LED，其发射人类可见范围之外的UV光。在该情形中，一般希望将所有UV主辐射都转换为次辐射，因为主UV辐射不会对LED器件100的可见发射光谱作出贡献，并且未经转换的UV光可能是有害的。
UV LED尤其适于照亮具有多种量子点材料的波长转换覆层，因为UV光具有足够短的波长来激发很多种量子点材料，并且光的波长越短，量子点吸收得越强。这使得即便低效的UV LED也能适于用作具有包括不同类型量子点的波长转换覆层的发光器件中的光源。在挑选量子点材料时，UV光源也提供了更大的设计自由度。
根据替换实施例，用来激发发光器件的波长转换覆层中的量子点的LED具有不大于400nm的峰值波长。一般来说，量子点在较短波长上具有较高的吸收率，从而用较短波长的光源产生更强的次辐射。然而，具有400nm波长的光处于可见光谱的边缘，并且未被波长转换覆层吸收的主辐射不对发光器件阵列的CRI作出大的贡献。在某些实施例中，当使用具有约400nm的峰值波长的光源时，希望使用蓝光次发射器(例如，蓝量子点或蓝荧光粉)来提高总的组合发射的CRI。
图1B是根据本发明另一实施例的发光器件100′的侧视图，该发光器件具有与第二波长转换覆层130结合的第一波长转换覆层102′。第二波长转换覆层130是分散在基体中的传统荧光材料层。在具体实施例中，第二波长转换覆层130包括(一种或多种)波长转换材料，它们发射具有不被波长转换覆层102′中的量子点114′、116′和118′强烈吸收的(一个或多个波长)的第二辐射。第二波长转换覆层130稍稍覆盖在光源104上，以允许主光传输通过第二波长转换覆层130来激发波长转换覆层102′中的量子点114′、116′和118′。
在另一实施例中，上层波长转换覆层包括(一种或多种)传统荧光粉，而下层波长转换覆层包括发射基本不被上层波长转换覆层吸收的光的量子点。在另一实施例中，光是可见光，传输通过传统荧光粉层的光的某个部分也传输通过波长转换涂覆，并且对发光器件100′的组合发射光谱作出贡献。希望由下层波长转换覆层发射的转换后的(次)光基本不被上层波长转换覆层吸收。
在量子点和光源之间设置传统的荧光粉层避免了荧光粉再次吸收来自量子点的次辐射。可替换地，发射具有较长峰值波长的量子点被设置在具有较短峰值波长的量子点的“下面”(即，在光源和其他量子点之间)，以避免较长波长量子点再次吸收较短波长的次发射。
图2示出了根据本发明实施例的闪光模块200。多个LED器件202、204和206用来从闪光模块200产生基本为白光的光。每个LED器件包括LED芯片203、205和207，这些LED器件被用焊线212、214、216电连接到载体210。为了图示简单，省略了焊盘和电迹线。第一LED器件202是蓝LED、蓝光波长转换LED或UV LED。第二LED器件204是绿LED或者黄绿波长转换LED，并且第三LED器件206是红光波长转换LED。在具体实施例中，每个LED器件202、204和206被独立偏置，使得自每个器件输出的光被有选择地控制，以获得红∶绿∶蓝光的期望比率。在具体实施例中，红∶绿∶蓝光的比率为3∶6∶1。
这些LED器件中至少有一个包括基本发射该LED的颜色的量子点。例如，红光波长转换LED器件206包括具有峰值发射波长和FWHM的红光发射荧光粉，还包括具有比红光发射荧光粉的峰值发射波长高约FWHM一半或更高的峰值发射波长的量子点。这扩展了红光波长转换LED的光谱，以提高闪光模块200发射的闪光的CRI。可替换地，其他LED器件也包括量子点。在具体实施例中，这些LED器件中的每个都包括量子点。
蓝光量子点提供使用蓝光发射荧光粉难以获得的对蓝LED的光的谱扩展。量子点材料常常表现出相对靠近(在某些情形中约为25nm)发射峰的吸收峰(局部最大值)。因此，来自蓝光发射LED的主光被转换为波长比其长约25nm的其他蓝光(向上转换)。发射光谱的这种展宽提高了由闪光模块200发射的闪光的CRI。
在工作中，红光、绿光和蓝LED器件联合工作，使得来自闪光模块的光看起来为白光。换言之，红、绿和蓝光被混合来提供具有期望的色温和高CRI的闪光模块的光。在具体实施例中，通过在闪光期间调整提供给红、绿和蓝LED中每一个的相对偏置(电流)，从而可从约3,500开氏度到约8,500开氏度调整闪光模块的色温。在一个具体实施例中，量子点在闪光模块的一个或多个LED器件的覆层中与荧光材料组合起来，以产生CRI大于65的、从约3,500开氏度到约8,500开氏度的可选色温。在一个具体实施例中，闪光模块产生CRI大于80的、从约3,500开氏度到约8,500开氏度的可选色温。在另一实施例中，闪光模块是可控的，以提供CRI至少为95的、约6,500开氏度的选定色温。例如，如果期望较冷色温，相对于到蓝和绿LED器件的电流增加到红LED器件的电流。尽管色温被降低，但是其中具有相对较多红光的光常常被称作“暖光”。量子点与传统荧光粉的组合提供了具有高CRI的来自闪光模块的组合总发射。
多种量子点由较广范围的波长激发。例如，可以获得由蓝光激发的量子点，而这些量子点也是由UV光激发的量子点。在需要宽范围输出波长的闪光模块或其他发光系统中使用量子点能够发射出不同颜色。通过选择适当的量子点，能够获得具有期望的色温并且具有高CRI的组合(混合的)光输出。例如，通过选择由在一个或多个有色发光器件(例如，蓝、绿或红LED，或者具有颜色转换的LED)中具有量子点的闪光模块产生的颜色光谱来匹配日光，使得能够拍摄出具有真实颜色的图像。通过控制量子点的大小和/或材料，从而可以选择光谱。
在具体实施方式中，闪光模块具有蓝光发射LED、与蓝光发射量子点相结合的蓝光发射LED、与蓝光发射量子点和/或蓝光发射荧光粉相结合的UV LED；与(一种或多种)绿光和/或黄绿光发射荧光粉、以及可选地与绿光发射量子点相结合的蓝光发射LED或UV LED；以及与一种或多种红光发射荧光粉、以及可选地与红光发射量子点相结合的蓝光发射LED或UV LED。在闪光模块中提供3个具有三种不同颜色(即，蓝、绿和红)的分离光源是所期望的，因为可以独立控制每种颜色来产生所选色温。或者，闪光模块在第一光源中组合两种颜色(例如，蓝和绿)，并且还具有红光光源。到第一和第二光源的电流被独立控制来实现所期望的色温。
图3示出了根据本发明实施例的成像系统300的框图。成像系统300包括照相机312和闪光模块314。闪光模块314包括一种或多种所选颜色的一个或多个发光器件，例如，红、绿和/或蓝发光LED器件。至少一个发光器件具有带多个量子点的波长转换覆层。
在一个实施例中，闪光模块包括红光或红光转换LED R1、R2、RN，蓝光或蓝光转换LED B1、B2、BN，以及绿光或绿光转换LED G1、G2、GN每种中的至少一个。在某些实施例中，至少这些有色LED之一包括与荧光粉相结合的量子点。或者，其他LED(例如蓝LED或UV LED)包括发射一种或多种颜色的量子点来填充或扩展红、蓝和/或绿LED的光谱。成像元件328(例如透镜和/或反射镜)可选被包括在闪光模块中，以控制来自闪光模块的光的空间分布。
照相机312是数码相机，其包括光电探测器阵列322。环境光LA从透镜715被成像到光电探测器阵列上。来自光电探测器阵列的(一个或多个)电信号被耦合到处理器324。处理器324通过链路317被耦合到驱动器318，该驱动器将独立选出的电流(“驱动信号”)SR、SG、SB提供给关联的光发射器。驱动器被包含在闪光单元的闪光模块314中，或者可选地被包含在照相机或者外部模块中。驱动器318包括由控制电路326控制的一系列可变电流源。LED的光量(“光输出”)取决于提供给其的电流(即，驱动信号电平)。改变对应的光发射器的驱动信号，使得能够通过有选择地并且独立地改变自可控光源(LED)输出的光量，从而有选择地调节来自闪光模块314的光的光谱分布。处理器324还在照相机快门被激活时在触发链路上提供触发信号来启动闪光模块314的闪光LF。
在一个实施例中，(一个或多个)电信号指示出环境光LA和自物体713反射的反射光LR的色温。可替换地，照相机是胶片型照相机，并且分离的光电探测器320测量来自物体313的光。分离的光电探测器320位于照相机的外部，或者可替换地与照相机集成在一起。在替换或其他实施例中，提供了手动调节部分330，以允许用户根据由光电探测器测量出的环境光LA来设置闪光模块314以产生所期望的色温，或者调节由处理器324另外建立的色温。例如，用户可能希望降低由光电探测器测量出的色温，以向对象313的图像添加较暖的色调。在其他实施例中，成像系统不包括光电探测器，并且闪光模块的色温被手动设置。
在放电(闪光)期间提供给红LED的电流SR决定红LED向总的组合发射贡献多少红光。例如，如果红LED被稍稍打开，总的组合发射的色温就比红LED被猛烈打开时的色温高。在具体实施例中，有选择地调节到红LED的电流产生从约5,500开氏度(该色温适于用于日光型胶片)到约3,200开氏度(该色温适于用于灯光型胶片)的色温。
通过向红LED和其他LED提供其他数量的电流，从而实现其他色温。在其他应用中，选择所期望的闪光模块的总组合发射的色温以达到预期的摄影效果，例如，通过降低色温而使模特的肤色“更暖”。LED的其他颜色被可选地添加以进一步控制闪光模块的色温(更具体地说，CRI)。
图4A是根据本发明实施例的成像系统410的立体图，该成像系统具有照相机412、透镜415、光电探测器420和闪光模块414。可替换地，照相机包括用于成像的光电探测器阵列，并且光电探测器420被省略。图4B是被集成在移动电话442中的根据本发明另一实施例的成像系统440的立体图。移动电话包括闪光模块444和成像透镜446，闪光模块444具有至少一个发光器件，该发光器件包括多种类型的量子点。成像透镜将对象的图像聚焦到移动电话内的光电探测器阵列(未示出)上。光电探测器阵列可选地被用来测量对象或者环境光的色温。移动电话442可选地包括控制部分，用于手动设置闪光模块444的色温。
尽管已详细描述了本发明的优选实施例，但是，对于本领域的技术人员来说，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的范围的情况下，可以对这些实施方式作出修改和改变。
本专利申请是由Janet Bee Yin Chua、Kok Chin Pan、Kee Yean Ng、Kheng Leng Tan和Tajul Arosh Baroky于2004年10月14日提交的序列号为No.10/966,534、题为“DEVICE AND METHOD FOR EMITTINGOUTPUT LIGHT USING QUANTUM DOTS AND NON-QUANTUMFLUORESCENT MATERIAL”的共有美国专利申请(其公开为了一切目的整体通过引用结合于此)的部分继续。本专利申请也是由Kian ShinLee、Janet Bee Yin Chua、Yue Hoong Lau、Teoh The Seah和Joon ChokLee于2003年12月18日提交的序列号为No.10/742,310、题为“FLASHLIGHTING FOR IMAGE ACQUISITION”的共有美国专利申请(其公开为了一切目的整体通过引用结合于此)的部分继续。

Claims (12)

1.一种闪光模块，包括：
第一光源，其发射第一主光，并且将第一波长转换覆层设置在所述第一光源上，以提供第一颜色光，所述第一波长转换覆层包括，
基体材料，和
分散在所述基体材料中的第一组多个量子点；
第二光源，其提供第二颜色光；以及
第三光源，其提供第三颜色光，
其中，所述闪光模块混合来自所述第一光源、所述第二光源和所述第三光源的光，以提供白光。
2.如权利要求1所述的闪光模块，其中，所述第一波长转换覆层还包括发射具有第一峰值波长和半高全宽的第一光的荧光粉，所述第一组多个量子点发射具有第二峰值波长的第二光，所述第一峰值波长和所述第二峰值波长之间的差至少为所述半高全宽的一半。
3.如权利要求1所述的闪光模块，其中，所述第一波长转换覆层还包括发射具有第一峰值波长的第一光的第一荧光粉和发射具有第二峰值波长的第二光的第二荧光粉，所述第一组多个量子点发射具有第三峰值波长的第三光，所述第三峰值波长在所述第一峰值波长和所述第二峰值波长之间。
4.如权利要求1所述的闪光模块，其中，所述第一波长转换覆层包括红光发射荧光粉，所述第二光源包括第二波长转换覆层，所述第二波长转换覆层包括绿光发射荧光粉和黄绿光发射荧光粉中的至少一种，并且其中，所述第三颜色光是蓝光。
5.如权利要求4所述的闪光模块，其中，所述第三光源包括蓝光发光二极管。
6.如权利要求5所述的闪光模块，其中，所述第三光源还包括第三波长转换覆层，所述第三波长转换覆层包括第二组多个量子点。
7.如权利要求6所述的闪光模块，其中，所述第二组多个量子点发射蓝光。
8.如权利要求4所述的闪光模块，其中，所述第三光源包括紫外光发光二极管和第三波长转换覆层。
9.如权利要求4所述的闪光模块，其中，所述第三波长转换覆层包括蓝光发光荧光粉。
10.如权利要求9所述的闪光模块，其中，所述第三波长转换覆层还包括蓝光发光量子点。
11.如权利要求1所述的闪光模块，其中，以第一选定电流驱动所述第一光源，以第二选定电流驱动所述第二光源，并且以第三选定电流驱动所述第三光源，以提供所选色温的白光。
12.如权利要求11所述的闪光模块，其中，所述第一选定电流、所述第二选定电流和所述第三选定电流中的每一个都是可独立调节的。
CNB2005101301416A 2004-12-10 2005-12-12 具有量子点光转换的闪光模块 Active CN100541794C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/010,206 US7318651B2 (en) 2003-12-18 2004-12-10 Flash module with quantum dot light conversion
US11/010,206 2004-12-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1812092A CN1812092A (zh) 2006-08-02
CN100541794C true CN100541794C (zh) 2009-09-16

Family

ID=36580326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101301416A Active CN100541794C (zh) 2004-12-10 2005-12-12 具有量子点光转换的闪光模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7318651B2 (zh)
CN (1) CN100541794C (zh)
DE (1) DE102005045106A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733593A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 晶科电子（广州）有限公司 基于量子点的白光led器件及其制作方法

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US7318651B2 (en) 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
US7646029B2 (en) * 2004-07-08 2010-01-12 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. LED package methods and systems
JP2006154523A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 撮影装置
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7522211B2 (en) * 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light
EP1694047B1 (de) * 2005-02-16 2020-03-18 X-Rite Switzerland GmbH Beleuchtungseinrichtung für ein Farbmessgerät
US7482608B2 (en) * 2005-04-20 2009-01-27 Iso-Science Laboratories, Inc. Nuclear powered quantum dot light source
US7551848B2 (en) * 2005-05-10 2009-06-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photographic light system, imaging device and method for providing different types of photographic light using a single multifunctional light module
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
CN101138104B (zh) * 2005-06-23 2011-08-24 伦斯勒工业学院 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计
WO2007009010A2 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Evident Technologies, Inc. Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes and powdered phosphors
EP1919000A1 (en) * 2005-08-05 2008-05-07 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2007143197A2 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
JP5057682B2 (ja) * 2006-03-30 2012-10-24 株式会社東芝 照明装置、撮像装置及び携帯端末
WO2007117672A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device
KR100783251B1 (ko) * 2006-04-10 2007-12-06 삼성전기주식회사 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
WO2008021962A2 (en) 2006-08-11 2008-02-21 Massachusetts Institute Of Technology Blue light emitting semiconductor nanocrystals and devices
WO2008063658A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
WO2008063652A1 (en) 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
JP5399923B2 (ja) 2007-01-24 2014-01-29 レイブンブリック，エルエルシー 温度応答切換型光ダウンコンバーティングフィルタ
US8363307B2 (en) * 2007-02-28 2013-01-29 Ravenbrick, Llc Multicolor light emitting device incorporating tunable quantum confinement devices
US7936500B2 (en) * 2007-03-02 2011-05-03 Ravenbrick Llc Wavelength-specific optical switch
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
JP5346448B2 (ja) * 2007-06-07 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置およびそれを搭載したカメラ付き携帯電話
US8232563B2 (en) * 2007-06-14 2012-07-31 Epistar Corporation Light-emitting device
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
KR101265393B1 (ko) 2007-07-11 2013-05-20 라벤브릭 엘엘씨 열적 절환식 반사형 광학 셔터
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US7547114B2 (en) 2007-07-30 2009-06-16 Ylx Corp. Multicolor illumination device using moving plate with wavelength conversion materials
TWI345671B (en) * 2007-08-10 2011-07-21 Au Optronics Corp Thin film transistor, pixel structure and liquid crystal display panel
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
CN101868738B (zh) * 2007-09-19 2013-05-15 雷文布里克有限责任公司 包含纳米线栅的低辐射率窗膜和涂层
US9135837B2 (en) * 2007-11-16 2015-09-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Illumination assembly having multiple reflective cavities each with a single emitter
US8169685B2 (en) 2007-12-20 2012-05-01 Ravenbrick, Llc Thermally switched absorptive window shutter
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
US8598798B2 (en) * 2008-03-28 2013-12-03 Core Wireless Licensing S.A.R.L Camera flash with reconfigurable emission spectrum
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
WO2009123763A2 (en) 2008-04-03 2009-10-08 Qd Vision, Inc. Light-emitting device including quantum dots
CN102066992B (zh) * 2008-04-23 2013-11-13 雷文布里克有限责任公司 反射性和热反射性表面的眩光管理
JP2011519159A (ja) * 2008-04-23 2011-06-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP2011524064A (ja) * 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
TW200950135A (en) * 2008-05-26 2009-12-01 wei-hong Luo Composite material for inorganic phosphor and white LED
US9116302B2 (en) * 2008-06-19 2015-08-25 Ravenbrick Llc Optical metapolarizer device
TWI499076B (zh) * 2008-07-03 2015-09-01 Samsung Electronics Co Ltd 波長轉換之發光二極體晶片及包含該發光二極體晶片之發光裝置
KR101266205B1 (ko) * 2008-07-08 2013-05-21 우시오덴키 가부시키가이샤 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
US8301002B2 (en) * 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8665414B2 (en) * 2008-08-20 2014-03-04 Ravenbrick Llc Methods for fabricating thermochromic filters
KR100982990B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 파장변환플레이트 및 이를 이용한 발광장치
WO2010030173A1 (en) * 2008-09-10 2010-03-18 Eldolab Holding B.V. Lighting assembly for an image capturing system comprising led elements
DE102008050643B4 (de) * 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
CN102460238A (zh) 2009-04-10 2012-05-16 雷文布里克有限责任公司 结合有宾主型结构的热切换滤光器
EP2424814A4 (en) 2009-04-28 2016-06-01 Qd Vision Inc OPTICAL MATERIALS, OPTICAL COMPONENTS AND METHOD
CN105713599B (zh) 2009-08-14 2018-09-11 三星电子株式会社 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
CN102597848B (zh) 2009-10-17 2016-06-01 Qd视光有限公司 光学元件、包括其的产品、以及用于制造其的方法
US8867132B2 (en) * 2009-10-30 2014-10-21 Ravenbrick Llc Thermochromic filters and stopband filters for use with same
WO2011062708A2 (en) * 2009-11-17 2011-05-26 Ravenbrick Llc Thermally switched optical filter incorporating a refractive optical structure
EP2528989B1 (en) 2010-01-28 2015-03-04 Yissum Research and Development Company of The Hebrew University of Jerusalem Phosphor-nanoparticle combinations
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
CN103038701B (zh) * 2010-03-29 2017-01-18 雷文布里克有限责任公司 聚合物稳定的热致液晶装置
KR20100043168A (ko) * 2010-04-09 2010-04-28 엔엘티테크주식회사 백색광 엘이디를 이용한 조명기구
EP2576934A4 (en) 2010-06-01 2014-01-01 Ravenbrick Llc MULTIFUNCTIONAL CONSTRUCTION PART
US8147093B2 (en) * 2010-06-14 2012-04-03 Bridgelux Light source having LEDs of selected spectral output, and method for constructing same
US20110317397A1 (en) * 2010-06-23 2011-12-29 Soraa, Inc. Quantum dot wavelength conversion for hermetically sealed optical devices
US8210698B2 (en) * 2010-07-28 2012-07-03 Bridgelux, Inc. Phosphor layer having enhanced thermal conduction and light sources utilizing the phosphor layer
US20120113671A1 (en) * 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
DE102010035490A1 (de) * 2010-08-26 2012-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
WO2012042452A2 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength converted light emitting device
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
DE102010053362B4 (de) * 2010-12-03 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
US20120154627A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 William Rivard Systems and methods for controlling color balance for a photographic illuminator
DE11158693T8 (de) * 2011-03-17 2013-04-25 Valoya Oy Pflanzenbeleuchtungsvorrichtung und Verfahren
US9412905B2 (en) 2011-04-01 2016-08-09 Najing Technology Corporation Limited White light emitting device
CA2771851C (en) 2011-04-12 2018-07-24 Research In Motion Limited Camera flash for improved color balance
US8833980B2 (en) 2011-05-09 2014-09-16 Cree, Inc. High efficiency LED lamp
US9797589B2 (en) * 2011-05-09 2017-10-24 Cree, Inc. High efficiency LED lamp
US10094548B2 (en) 2011-05-09 2018-10-09 Cree, Inc. High efficiency LED lamp
WO2013033608A2 (en) 2011-09-01 2013-03-07 Wil Mccarthy Thermotropic optical shutter incorporating coatable polarizers
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013085611A1 (en) 2011-12-08 2013-06-13 Qd Vision, Inc. Solution-processed sol-gel films, devices including same, and methods
CN102403426B (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 江苏康纳思光电科技有限公司 一种制造宽色域白光led的方法
US20130170174A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intematix Technology Center Corp. Multi-cavities light emitting device
US9068718B2 (en) * 2012-02-12 2015-06-30 Production Resource Group, Llc Indirect excitation of photoreactive materials coated on a substrate with spectrum simulation
EP2834858B1 (en) 2012-04-05 2017-09-27 Koninklijke Philips N.V. Full spectrum light emitting arrangement
WO2013150413A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting arrangement comprising quantum dots
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
TW201403878A (zh) * 2012-07-06 2014-01-16 Formosa Epitaxy Inc 一種發光元件
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
CN102983250B (zh) * 2012-12-20 2016-01-20 纳晶科技股份有限公司 硅胶透镜及其制备方法、含有其的led发光器件
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
MX348956B (es) * 2013-01-21 2017-07-05 3M Innovative Properties Co Pelicula de punto cuantico.
US10202543B2 (en) * 2013-03-05 2019-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Quantum dot (QD) delivery method
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
DE102013217967B4 (de) 2013-09-09 2018-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mobiltelefon mit einer Blitzlichtvorrichtung
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
DE102014102848A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Konversionselement, Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements, optoelektronisches Bauelement umfassend ein Konversionselement
US10230022B2 (en) 2014-03-13 2019-03-12 General Electric Company Lighting apparatus including color stable red emitting phosphors and quantum dots
US20170096538A1 (en) * 2014-03-18 2017-04-06 Kuraray Co., Ltd. Electronic device
US9240449B2 (en) * 2014-05-26 2016-01-19 Yu-chen Chang Zero-dimensional electron devices and methods of fabricating the same
CN106471421B (zh) * 2014-07-03 2019-07-09 3M创新有限公司 具有减小的边缘侵入和改善的颜色稳定性的量子点制品
KR102220405B1 (ko) 2014-07-25 2021-02-25 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함한 전자 장치
CN104409608B (zh) * 2014-11-12 2017-03-15 上海亚明照明有限公司 高中间视觉光效的高压白光led及其获得方法
KR102042983B1 (ko) 2014-12-24 2019-11-11 주식회사 쿠라레 전자 디바이스 및 이의 제조 방법
KR102314061B1 (ko) * 2015-06-16 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 광 변환 부재 및 그것을 포함하는 표시 장치
EP3653686A1 (de) 2015-09-10 2020-05-20 Merck Patent GmbH Lichtkonvertierendes material
US9819848B2 (en) 2015-09-30 2017-11-14 Apple Inc. Camera strobe having multi-LED packages
CN105489740A (zh) * 2015-11-30 2016-04-13 广东德力光电有限公司 一种含量子点的led芯片结构
CN105489731A (zh) * 2015-11-30 2016-04-13 广东德力光电有限公司 一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构
CN106166986B (zh) * 2016-07-29 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种光转换器以及车用部件
CN108949143A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 上海汉邦普净节能科技有限公司 光致发光材料
FR3068483B1 (fr) * 2017-06-29 2019-08-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Projecteur couleur a roue de coloration par conversion spectrale.
CN111566830A (zh) * 2017-12-18 2020-08-21 默克专利股份有限公司 光转换材料
US20210080393A1 (en) * 2019-09-17 2021-03-18 Quantum Materials Corp. Using Quantum Dots for Identification, Authentication, and Tracking of Objects

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5117118A (en) * 1988-10-19 1992-05-26 Astex Co., Ltd. Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections
JPH068944B2 (ja) * 1988-11-25 1994-02-02 シャープ株式会社 自動露光装置
US5067049A (en) * 1990-02-12 1991-11-19 Milaire Daniel P F Photographic studio light reflecting apparatus
GB2253718B (en) 1991-03-14 1994-05-04 Richard Jeremy Tubby Controlling photographic exposure
US5485201A (en) * 1992-08-28 1996-01-16 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Fill-in light emitting apparatus and still video camera
US5815204A (en) * 1993-10-04 1998-09-29 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Strobe apparatus of a still video camera with adjustable color temperature
US5477326A (en) * 1994-06-30 1995-12-19 Bayer Corporation Spectrophotometer arrangement with multi-detector readhead
US5722755A (en) * 1995-07-18 1998-03-03 Slape; Dennis R. Illumination device, particularly useable as a projector for color photography
US5758942A (en) * 1995-12-18 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Mechanical vision system using selective wavelength and brightness illumination
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH10206942A (ja) * 1997-01-21 1998-08-07 Minolta Co Ltd 閃光発光装置及びこの閃光発光装置を備えたカメラ
US6781329B2 (en) * 1997-08-26 2004-08-24 Color Kinetics Incorporated Methods and apparatus for illumination of liquids
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6344641B1 (en) * 1999-08-11 2002-02-05 Agilent Technologies, Inc. System and method for on-chip calibration of illumination sources for an integrated circuit display
US6379022B1 (en) * 2000-04-25 2002-04-30 Hewlett-Packard Company Auxiliary illuminating device having adjustable color temperature
US6448550B1 (en) * 2000-04-27 2002-09-10 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring spectral content of LED light source and control thereof
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
DE10031303A1 (de) * 2000-06-27 2002-01-10 Arnold & Richter Kg Beleuchtungsvorrichtung mit lichtemittierenden Dioden (LED), Beleuchtungsverfahren und Verfahren zur Bildaufzeichnung mit derartiger LED-Beleuchtungsvorrichtung
JP4288553B2 (ja) * 2000-07-25 2009-07-01 富士フイルム株式会社 カメラのストロボ装置
US6636003B2 (en) * 2000-09-06 2003-10-21 Spectrum Kinetics Apparatus and method for adjusting the color temperature of white semiconduct or light emitters
DE10055767A1 (de) 2000-11-10 2002-08-29 Ingo Schran Blitzgerät für Fotokameras
US6664556B2 (en) * 2001-01-31 2003-12-16 Intel Corporation Method and apparatus for a phototransistor pulse width converter
US20020191102A1 (en) * 2001-05-31 2002-12-19 Casio Computer Co., Ltd. Light emitting device, camera with light emitting device, and image pickup method
JP3832291B2 (ja) 2001-08-28 2006-10-11 カシオ計算機株式会社 カメラ装置及びカメラ装置における発光制御方法
JP2003007103A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Nihon Video System Co Ltd 発光ユニット及び照明装置
JP2003084344A (ja) 2001-09-14 2003-03-19 Casio Comput Co Ltd 閃光装置及びそれを備えたカメラ装置、閃光装置の色温度制御方法
US6856765B2 (en) * 2001-12-07 2005-02-15 Olympus Optical Co., Ltd. Camera with light emission function, camera part inspection apparatus, camera adjustment apparatus, and camera part unit
JP2003215675A (ja) 2002-01-24 2003-07-30 Fuji Photo Film Co Ltd カメラのストロボ装置
US20030180037A1 (en) * 2002-03-21 2003-09-25 Mathew Sommers LED flash device for camera
US6870311B2 (en) 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US6774728B2 (en) * 2002-12-20 2004-08-10 Intel Corporation Transimpedance amplifier
EP1579733B1 (en) 2002-12-26 2008-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color temperature correction for phosphor converted leds
DE10261365B4 (de) 2002-12-30 2006-09-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE10261428B8 (de) 2002-12-30 2012-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiter-Bauelement mit mehrfachen Lumineszenz-Konversionselementen
US6894266B2 (en) * 2003-02-14 2005-05-17 Oplink Communications, Inc. Single chip ASIC and compact packaging solution for an avalanche photodiode (APD) and bias circuit
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
JP2005011628A (ja) 2003-06-18 2005-01-13 Fuji Photo Film Co Ltd 照明装置及び照明装置の光源調整方法
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7318651B2 (en) 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US20050199784A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Rizal Jaffar Light to PWM converter
WO2005089293A2 (en) * 2004-03-15 2005-09-29 Color Kinetics Incorporated Methods and systems for providing lighting systems
JP2006025167A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp 撮像処理方法、撮像処理回路、および撮像装置
US7522211B2 (en) * 2005-02-10 2009-04-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Studio light

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733593A (zh) * 2013-12-18 2015-06-24 晶科电子（广州）有限公司 基于量子点的白光led器件及其制作方法
CN104733593B (zh) * 2013-12-18 2019-07-23 广东晶科电子股份有限公司 基于量子点的白光led器件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1812092A (zh) 2006-08-02
US20050135079A1 (en) 2005-06-23
DE102005045106A1 (de) 2006-06-29
US7318651B2 (en) 2008-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100541794C (zh) 具有量子点光转换的闪光模块
CN1790708B (zh) 具有增强光谱发射的发光二极管闪光模块
TWI758615B (zh) 全頻譜白光發光裝置
JP2006114909A (ja) フラッシュ・モジュール
US7679672B2 (en) Electronic flash, imaging device and method for producing a flash of light having a wavelength spectrum in the visible range and the infrared range using a fluorescent material
US6940101B2 (en) LED Lamp
US20060082296A1 (en) Mixture of alkaline earth metal thiogallate green phosphor and sulfide red phosphor for phosphor-converted LED
GB2410612A (en) White light and colour controlled LEDs
JP2006310817A (ja) 白色発光装置及び照明装置
JP2006309209A (ja) 画像表示装置
JP2006022331A (ja) 蛍光体変換白色ｌｅｄ
US20060082995A1 (en) Device and method for producing output light having a wavelength spectrum in the infrared wavelength range and the visble wavelength range
CN114270511A (zh) 全光谱白色发光装置
US9753357B2 (en) Compact solid-state camera flash
JP2023095896A (ja) 照明装置
JP2007017986A (ja) 赤外波長範囲と可視光波長範囲の波長スペクトルを有する出力光を発生する装置及び方法
JP2006024935A (ja) Ｉｉａ／ｉｉｂ族のセレン化物硫黄ベースの蛍光体材料を使用して出力光を放射するデバイスおよび方法
US11887973B2 (en) Full spectrum white light emitting devices
US20050167684A1 (en) Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material
US20050269932A1 (en) Apparatus, device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based phosphor material and/or thiogallate-based phosphor material
GB2410833A (en) Device and method for emitting light

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG

Free format text: FORMER OWNER: AVAGO TECHNOLOGIES IP PRIVATE CO.

Effective date: 20111111

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; TO: TAIWAN, CHINA

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111111

Address after: Taiwan, China

Patentee after: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.

Address before: Singapore Singapore

Patentee before: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160518

Address after: Hsinchu City, Taiwan, China

Patentee after: EPISTAR Corp.

Address before: Hsinchu City, Taiwan, China

Patentee before: Yuanxin Optoelectronics Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20160518

Address after: Hsinchu City, Taiwan, China

Patentee after: Yuanxin Optoelectronics Co.,Ltd.

Address before: Taiwan, China

Patentee before: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.