CN100540731C - 气化器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。

Description

气化器
技术领域
本发明涉及由气液混合的流体得到处理气体的气化器，为了从液体原料得到处理气体的气体生成装置，以及，半导体处理系统。这里所谓的半导体处理是，通过在晶片或LCD(液晶显示器，Liquid CrystalDisplay)或FPD(平板显示器，Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上按规定图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，为了在该被处理基板上制造包含半导体器件、连接于半导体器件的配线、电极等的结构物而实施的各种处理。
背景技术
作为半导体制造处理之一，有在半导体晶片W的表面上形成规定的膜的成膜处理。这种处理利用减压CVD(化学气相沉积，ChemicalVapor Deposition)装置进行。该减压CVD装置，以气体状态供给原料，进行化学反应，在晶片表面上堆积薄膜。在这种装置中，存在将液体原料气化得到的处理气体作为成膜气体导入到处理室内的情况。
使用气化液料原料而得到的处理气体的成膜处理的例子如下。即，使用气化TEOS(四乙氧基硅烷，tetraethoxy silane)而得到的处理气体和氧气(O2)形成SiO2膜。使用气化Si2Cl6而得到的处理气体和氨气(NH3)形成氮化硅(Si3N4)膜。
作为液体原料的气化系统已知有热烘式(Baking Type)或VC(蒸气控制，Vapor Control)式。热烘式是将液体原料导入加热槽中升温气化。VC式是热烘式的简单形式，将液体原料直接与气化部分接触进行气化。热烘式适合于大约85℃下蒸气压为5.6kPa(42Torr)的TEOS，或大约85℃下蒸气压为14.4kPa(108Torr)的HCD(Si2Cl6)等的气化。VC式适合于TEOS，或大约85℃下蒸气压为6.7kPa(50Torr)的BTBAS(SiH2[NH(C4H9)]2)等的气化。
发明内容
本发明的目的是要提供可以高效率地使液体原料气化的气化器。本发明的另一个目的是要提供处理效率高的气体生成装置和半导体处理系统。
本发明的第一个方面为一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定所述气化器的处理空间；供给头，具有向所述容器内喷出所述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
本发明的第二个方面为用于从液体原料得到处理气体的气体生成装置，具备：预处理器，由所述液体原料形成气液混合的流体；气化器，通过流体供给通路，由所述预处理器供给得到所述流体；所述气化器具备：容器，规定所述气化器的处理空间；供给头，与所述流体供给通路连接，且具有向所述容器内喷出所述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
本发明的第三个方面为一种半导体处理系统，具备：处理室，容纳被处理基板；支承构件，在所述处理室内支承所述处理基板；加热器，加热所述处理室内的所述被处理基板；排气系统，排出所述处理室内的气体；气体供给系统，向所述处理室内供给处理气体，所述气体供给系统包括用于从液体原料得到所述处理气体的气体生成装置；所述气体生成装置具备：预处理器，由所述液体原料形成气液混合的流体；气化器，通过流体供给通路，由所述预处理器供给得到所述流体；所述气化器具备：容器，规定所述气化器的处理空间；供给头，与所述流体供给通路连接，且具有向所述容器内喷出所述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
本发明的其他目的和优点将在下面说明中提出，并且，其一部分通过说明将变得非常详细，或通过实施方式得以说明。本发明的目的和优点可利用下面指出的装置和显著的组合而得以实现。
附图说明
包括在说明书中和构成其一部分的附图表示本发明的实施方式，它与以上给出的一般说明和下面给出的实施方式的详细说明一起，说明本发明的原理。
图1为表示本发明的实施方式的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。
图2为表示图1所示的预处理器和气化器的立体图。
图3为表示图2所示的预处理器和气化器的截面图。
图4为表示本发明的实施方式的成膜方法的流程图。
图5为表示气液混合流体的图象的截面图。
图6为表示本发明另一个实施方式的气化器的截面图。
图7A、B为表示气化器的供给头的不同的变形例的侧视图和底视图。
图8为表示以往的气化系统的结构图。
具体实施方式
本发明者们在开发本发明的过程中研究了以往的气化器和气化系统的问题。其结果，本发明者们得到了下述的知识。
上述的热烘式或VC式等的气化系统适合于TEOS，BTBAS等蒸气压高、气体的分解温度高的情况。但是，这些气化系统对蒸气压下低、而且分解温度低的液体原料不能很好地气化，不能确保作为处理气体用的充足的供给量。作为蒸气压低且分解温度低的液体原料有：在大约85℃下的蒸气压为0.027kPa(0.2Torr)程度的HEAD(六乙基氨基乙硅烷)，或在大约85℃下的蒸气压为0.11kPa(0.85Torr)程度的四N-乙基-N-甲氨基)铪(Tetrakis(N-ethyl-N-methylamino)hafnium；TEMAH)，或在大约85℃下的蒸气压为0.55kPa(4.12Torr)程度的四叔丁氧铪(hafnium tetra-t-butoxide；HTB)等。本发明者们研究了使用这种液体原料的问题。
由于长时间在高温下在槽内保持液体材料源，热烘式有材料变质的危险。因此，不能用于分解温度比加热槽的温度低的液体原料的气化。另外，为了增加供给量，必需增大槽内的表面积。
另一方面，VC式是，结构上使液体材料源平时被暴露在高温中。另外，为了使气化只依赖于小空间中的温度，为了确保充足的流量，必需设定为高温。因此，液体材料源也有材料变质的危险。
日本专利特开平8-17749号公报公开了一种使用载体气体(carriergas)使液体原料气化的气化系统。图8表示这种以往气化系统的结构图。如图8所示，这种系统分别将液体原料L1和载体气体G1导入到气化器11的内部。使液体原料L1与载体气体G1(例如氮气(N2))冲突产生雾。这种雾从宽出口12喷出，根据喷雾原理气化，得到处理气体。另外，利用载体气体将该处理气体输送至减压CVD装置13。
采用图8所示的系统，对于例如TEOS等蒸气压高的液体材料，可以确保成膜处理的充足量的处理气体。但是，对于铪材料等低蒸气压材料，当液体材料的量增多时，不能完全气化，会出现雾残留的问题。即，对于低蒸气压材料，也许能够确保在枚叶式成膜处理装置中的处理所用的少量的处理气体，但难以确保在分批式的成膜处理装置的处理中使用的大量的处理气体。因此，处理的生产率降低。
以下，参照附图，说明根据这种认识完成的本发明的实施方式。并且，在以下的说明中，对于具有大致相同功能和结构的构成部分，用相同的符号表示，并只在必要时进行重复说明。
图1为表示本发明实施方式的半导体处理系统(成膜系统)的结构图。如图1所示，这种系统包括对被处理基板(例如晶片W)进行规定的成膜处理(在晶片W上形成规定的薄膜)的成膜处理部。成膜处理部100与用来供给规定的处理气体的气体供给系统200连接。
成膜处理部100具备作反应室(处理室)具有纵型反应管110的分批式减压CVD装置。装载多个晶片W的晶片舟(wafer boat)120可在反应管110内搬入搬出。晶片W可通过设置在反应管110的外侧的加热器130来加热。反应管110内部，通过真空排气装置真空泵150被维持在规定的真空度。反应管110中，从后述的处理气体供给管路供给规定的处理气体。
气体供给系统200包括贮留槽2、预处理器3、气化器4和与它们连接的管路系统。贮留槽2贮留在85℃的蒸气压在0.55Pa以下的低蒸气压液体原料，例如TEMAH或HTB等铪材料。预处理器3，从由贮留槽2供给的液体原料，生成液体原料的气化气体(气体原料)和液体原料的气液混合的流体。气化器4使由预处理器3得到的流体再气化，生成处理气体。
具体来说，贮留槽2通过供给管路(液体原料供给管路)51与预处理器3连接。供给管路51的贮留槽2侧的端部被配置成使其与贮留槽2内的液体原料接触。在第一供给管路51中，从上游(贮留槽2)侧开始按照顺序设置了第一阀V1、液体质量流量计M、和第二阀V2。
贮留槽2与经过阀Va而设置的气体供给管路21连接。气体供给管路21的一端被设置成位于贮留槽2的液体原料的液面的上方。气体供给管路21的另一端与加压气体(例如N2气体)供给源22连接。当从贮留槽2向预处理器3供给液体原料时，向贮留槽2内供给1.0kg/cm2程度的N2气体。这样，可加压液体原料，利用这种加压可将液体原料以给定流量从贮留槽2压送至预处理器3。这里作为加压气体，除了N2气以外，还可以使用氦(He)气体或氩(Ar)气体等惰性气体。
预处理器3，经过气体供给管路23还与载体气体(例如N2气体)的供给源24连接。在气体供给管路23中，从载体气体供给源24侧开始按照顺序设置了第一质量流量控制器M1和阀Vb。这样，可将载体气体N2气体以规定流量供给至预处理器3。这里作为载体气体，除了N2气以外，还可以使用He气体或氩气等惰性气体。
图2为表示图1所示的预处理器和气化器的立体图。图3为表示图2所示的预处理器和气化器的截面图。如图2和图3所示，预处理器3的出口通过第二供给管路(气液混合流体供给管路)52与气化器4连接。在第二供给管路52的周围配置用来给该供给管路52施加超声波振动的第一超声波振动子50。超声波振动子50是，例如多个长方体状的振动子在第二供给管路52的外周上、沿着圆周方向被配置成振动子的内面与供给管路52的外表面接触而成的。电力从电力供给部49b供给给超声波振动子50。
如图3所示，预处理器3包括成为机器本体的气密的壳体31。壳体31的内部，通过被构成为可弯曲的薄的圆板状的金属状阀芯32，被分割成二部分。壳体31内的阀芯32的下侧的空间被构成为气化室33，在这里，形成了气体导入口(阀口)34a和液体导入口(阀口)35a。
气体导入口34a，通过在壳体31上形成的气体通道34和上述的气体供给管路23，与载体气体供给源24连接。液体导入口35a，通过在壳体31上形成的液体通道35和上述的第一供给管路51，与液体原料贮留槽2连接。即，可分别从气体导入口34a和液体导入口35a，将载体气体和液体原料供给给预处理器3的气化室33。并且，壳体31上形成有从气化室33导出气液混合的流体的导出通道36。导出通道36与上述第二供给管路52连接。
阀芯32的功能是，进行气体导入口34a的开闭，进行流量控制。例如，可以利用电磁式制动器37，通过利用驱动轴38的前端压紧阀芯32，控制气体导入口34a的开闭和阀的开度。另外，由于容易加热并气化液体原料，因此，利用加热器(图中没有示出)将预处理器3全体加热至规定温度。
预处理器3中，气化室33的内部通过成膜处理部(减压VCD装置)100侧的抽真空而成为减压气氛。被压送过来的液体原料从液体导入口35a流出，在减压气氛的气化室33内通过绝热膨胀同时发生雾化和气化使液体原料的一部分气化。这样，预处理器3中形成液体原料的气化气体(气体原料)和液体原料的气液混合的流体。该气液混合流体被载体气体运输，经由导出通道36和第二供给管路52被排出，被搬送至下一工序的气化器4。
气化器4，通过具有第三阀V3的第三供给管路(处理气体供给管路)53，与成膜处理部100的反应管110连接。气化器4为了规定气化器的处理空间，包含成为机器本体的气密的容器41。容器41由内径比第一供给管路51或第二供给管路52大的纵型筒体构成，该容器被配置成在上下方向上延伸。容器41的上端部与第二供给管路52连接，同时，第三供给管路53，在与垂直方向交叉的方向(在这个例子中为大致水平的方向)上，与容器41的底部稍为向上的侧面连接。
这样，在第二供给管路52和第三供给管路53之间形成最初在垂直方向延伸接着在水平方向延伸的L字形的通气通路。另外，在第三供给管路53下侧的容器41的底部形成雾积存部。容器41的底部与排出管路42连接。排出管路42和容器41的连接部分成为排出口43。另外，在排出管路42中、容器41的底部附近还配置了阀Vm。当阀Vm关闭时，雾贮留在该排出口43附近的雾积存部中。排出管路42的另一端与排气泵44连接，由排出管路42和排气泵44构成吸引管路。另外，在图1和图3中排出管路42记载成直管状，在图2中排出管路42记载成弯曲状态，这只是为了图示方便，实际上任何一种形状都可以。
构成气化器4的容器41由例如内径为30mm的不锈钢制的管路构成，长度被设定为250mm程度。与容器41连接的第三供给管路53，连接在与不和雾接触的上侧位置，以便不引入贮留在容器41底部的雾。
在容器41的内部，第二供给管路52的前端与具有多个(例如在本例中为3个)喷嘴的供给头45连接。第二供给管路52位于容器41的中心；供给头45的喷嘴被配置成等间隔，且被设置成向下方连续、偏离容器41的中心轴、而且互相隔开。因此，供给头45的喷嘴前端的喷出口，在等间隔的不同方向上，向下方倾斜，而且向外侧取向。供给头45的喷嘴具有孔，通过将气液混合流体从喷出口喷嘴喷出，可在扩散状态下，将气液混合流体供给至容器41内。
另外，在容器41内部的供给头45的下方配置集合了多个金属制导管47(例如，不锈钢SUS316L制的内径为1mm、长度为50mm的直管)的、蜂窝状结构(蜂窝状导管)的加热通路46。另外，各个导管47形成由加热壁(金属壁)构成的垂直和并列的多个通路部。另外，作为管47，优选使用研磨过外面或内面的管。
在容器41的周围，沿着容器41的长度方向以包围容器41的方式配置多个(例如3个)加热器48(48a，48b，48c)。这些加热器48分别与电力供给部49a连接。利用加热器48将容器41的内部加热至例如80℃程度，由此可加热管路47。当气液混合流体从供给头45喷出时，气液混合流体在扩散状态下供给至容器41内，通过被加热的导管的内部或导管彼此之间，流向下方。这时，通过热交换，高效率地使气液混合流体气化，生成处理气体。
另外，在气化器4中，为了洗涤容器41的内部，容器41与供给洗涤液的供给部6连接(在图2中，为了方便，没有表示供给部6)。供给部6包括贮留洗涤液的洗涤液槽62，它通过具有阀Vc的供给管路61与容器41的上部连接。在这里，作为洗涤液，可以使用溶解液体原料或液体原料的固化物的溶剂(例如乙醇或已烷等醇系的溶液)。从洗涤槽62通过供给管路61供给至容器41内的洗涤液，通过打开阀Vm经由排出管路42被排出。
在第三供给管路53上，在气化器4的附近配置第三阀V3。为了在防止再液化状态下将处理气体导入到成膜处理部100，从第三阀V3至成膜处理部100的距离设定得较短，例如为20cm程度。实际上，第三供给管路53的第三阀V3的上游极短，使第三阀V3与气化管4的出口连接。当不这样做时，第三阀V3的上游成为死区(dead zone)，雾积存在该区域中。另外，在第三供给管路53中，阀V3的下游侧通过具有阀Vf和质量流量控制器M2的供给管路55，与氮气供给源25连接。
在气体供给系统200中可以设置具有阀Vd的分支管路63，其一端与供给管路61连接，另一端连接于气体供给管路23的阀Vb和预处理器3之间。另外，在气体供给系统200中可以设置具有阀Ve的分支管路54，其一端在第一阀V1和液体质量流量计M之间与第一供给管路51连接，另一端与排出管路42的阀Vm的下游连接。另外，第一、第二和第三供给管路51、52、53，以及排出管42等管路系统，由例如内径为10mm、外径为12.7mm的所谓1/2英寸的不锈钢管构成。
图4为表示本发明的实施方式的成膜方法的流程图。在该方法中，为了进行成膜处理(步骤S1)，首先关闭阀Vm、Vc、Vd、Ve，打开阀V1、V2、V3、Va、Vb。与此同时，向第一超声波振动子50供给电力。
即，在气体供给系统200中，通过气体供给管路21，向贮留槽2内供给作为加压气体的N2气体。利用该加压气体，将贮留槽2内的低蒸气压液体原料(例如铪材料)，在利用液体质量流量计M调整流量的状态下，通过第一供给管路51，压送至预处理器3。这时，在第一供给管路51内流动的液体原料的温度被设定为40℃程度。
另一方面，由气体供给管路23，将作为载体气体的N2气体，在利用第一质量流量控制器M1调整流量的状态下，供给给预处理器3。这里的成膜处理部100中，由于反应管110内被真空排气至规定的真空度，因此，通过打开设置在供给管路的各个阀，气体供给系统200的气体，可通至下游侧。这样，液体原料和载体气体，例如，以铪材料∶N2＝5sccm∶600sccm的流量比被导入至预处理器3中。并且，如上所述，液体原料的一部分被气化，得到气液混合流体。
该气液混合流体，利用载体气体，通过第二供给管路52，输送至气化器4。在这里，利用第一超声波振动子50，给第二供给管路52施加超声波振动。这样，当气液混合流体通过这里时，气体成分和液体成分成为均匀混合的状态。
在气化器4中，气液混合流体从供给头45的三个喷嘴喷出，在容器41内部成为扩散的状态。容器41，由加热器49加热至内部达到80℃程度。当从供给头45供给气液混合流体时，气液混合流体在容器41内部以扩散的状态被供给，通过被加热的加热通路46的导管47的内部或导管之间，流至下流侧。在这期间，气液混合流体可以高效率地进行热交换，这样可以以高效率地被气化。这样，通过在气化器4中使气液混合流体再气化，可得到处理气体和雾的混合物。
这时，容器41成为关闭阀Vm、关闭排出口43的状态，因此，如上所述，在容器41内形成在加热通路46的下侧，从垂直方向向水平方向弯曲的通气通路。通过了加热通路46的处理气体，沿着该弯曲的通气通路变换方向成为水平方向，可以流至供给管路53。但处理气体中包含的雾由于重量大不能利用惯性力改变方向，仍流向下方。其结果，雾与处理气体分离，被收集在容器41的底部的雾积存部中。
在这里，当加热通路46为蜂窝结构的情况下，如上所述，由于可以高效率地被气化，气体原料的大部分的雾可以被除去，剩下的雾由于惯性力向下方下落而被分离。另一方面，当加热通路46不为蜂窝结构的情况下，由于惯性力可使雾向下方下落而被分离。
这样，处理气体中的雾在容器41内落下，积存在容器41的底部的雾积存部中。另外，处理气体通过第三供给管路53被输送至成膜处理部100。并且，在气化器4内，处理气体温度被设定为80℃程度。
另一方面，在成膜处理部100中，预先将规定片数的晶片W装载在舟120上，例如，搬入维持在规定温度的反应管110内，将反应管110内真空排气至规定的真空度。在将反应管110内稳定在规定温度和规定压力的状态之后，从第三供给管路53，将使铪材料气化得到的处理气体和氧气(图中没有示出)供给至反应管110内。这样，可以进行在晶片W上形成铪氧化膜的成膜处理。
在结束这样的成膜处理之后，进行气化器4的清洗处理(步骤S2)。这时，停止向第一超声波振动子50电力供给。另外，关闭阀V1、V2、V3、Va、Vc、Vd、Ve，打开阀Vb、Vm，使排气泵44工作。这样，清洗气体N2气体从载体气体供给源24通过气体供给管路23和预处理器3被供给至气化器4，再通过排出管路42被排出。
这样，利用N2气体清洗预处理器3和气化器4内部，由此，可以完全除去残留在预处理器3或气化器4内的液体原料。这样，可以提高处理的再现性，同时更可抑制颗粒的产生。这种清洗处理，可在每次进行成膜处理部100中的成膜处理时进行，也可以在进行规定次数的成膜处理之后、定期进行。
另外，在成膜处理结束后，也可以进行第三供给管路53的第三阀V3的下游侧的清洗处理。在这种清洗处理中，打开阀Vf，同时，利用真空泵150进行反应管110的排气。另外，可通过管路55，从氮气供给源25，将由质量流量控制器M2进行流量控制的氮气，供给至第三供给管路53的第三阀V3的下游侧。这样，可将附着在第三供给管路53的内壁面上的处理气体的残留物或处理气体变质的固体成分等的附着物，压出至成膜处理部100，去除。这种清洗处理，可在每次进行成膜处理部100中的成膜处理时进行，也可以在进行规定次数的成膜处理之后、定期进行。
这样，在利用N2气清洗气化器4之后，判断是否为利用洗涤液进行气化器4的洗涤的时间(步骤S3)。当为不进行洗涤时间时，返回至步骤S1。当为进行洗涤的时间时，前进至步骤S4。在这里，在进行在成膜处理部分100中的成膜处理规定次数之后、定期地进行气化器4的洗涤。
在利用洗涤液进行气化器4的清洗时，关闭阀V1、V2、V3、Va、Vb、Vd、Ve，打开阀Vc、Vm，使排气泵44工作。这样，贮留在容器41中的雾等，通过排出管路42被排出至装置外部；另一方面，将洗涤液通过供给管路61供给至气体器4。在这里，由于洗涤液为溶解液体原料或液体原料的固化物的溶剂，由它能够洗去附着在气化器4的容器41的内壁上的雾的同时，即使是雾再液化，一部分变质为固体成分时，仍可用洗涤液溶解除去。
并且，在洗涤处理中，也可以打开阀V2、Vd、Ve，使排气泵44工作。这样，使洗涤液在分支管路63、预处理器3、液体质量流量计M、第一供给管路51、分支管路54和排出管路42中流动，除去附着在这些内壁上的液体原料或液体原料的固化成分等附着物。
在这种气化器4中，由于从配置在容器41内的供给头45的多个(例如三个)喷出口喷射气液混合流体，气液混合流体以扩散的状态供给至容器41内。这样，气液混合流体可在容器41内部不偏不满地流动。因此，利用加热的容器41，容易使气液混合流体中的液滴均匀地进行热交换，可以提高液滴的气化效率(热交换率)。
这时，利用配置在第二供给管路52周围的第一超声波振动子50，可以给在该供给管路52内流动的气液混合流体付与微振动或超声波等的能量。因此，气体和液体混合的气液混合流体被细微地搅拌，被改质成均匀的状态。由于气液混合流体是以这种状态被供给至气化器4，更容易发生气液混合流体的气化。
图5为表示气液混合流体图象的截面图。如图5所示，气液混合流体为液体中混入气体的状态。但是，当将超声波的能量给与该流体时，液体被分散，气泡被分割成小的气泡。这样，使气体和液体成为均匀混合的状态，可提高气化效率。另外，当有大的液滴时，难以气化，在之后进行雾分离时，分离也变得困难。通过将超声波能量给与气液混合流体，液滴的一部分被雾化，这样，成为更容易发生气化的状态。这里，液体的供给量为5cc/分钟程度，气体的供给量为600cc/分钟程度。
通过在气化器4内部设置蜂窝结构的加热通路46，传热面积增大，提高了气化效率。另外，由于加热通46的导管(通路部分)47为直管状，可以减小压力损失，即，由于加热通路(蜂窝管)46是由直管集束而构成的，可使气液混合流体均等地在直管中分配。气液混合流体通过加热的管47的内部或导管47之间流至下方，此时，利用管路47的热进行热交换、被气化。即：由于气液混合流体和加热媒介物的接触面积增大，因此传热面积也增大，这样，可以确保高的气化效率。另外，由于压力损失小，在通过导管之间时压力升高，不会产生难以气化的状态。
另外，通过研磨导管47的外面或内面，在向气化器4供给清洗气体时，使气体容易脱离。在这种情况下，可以充分除去附着在气化器4上的残渣，可以确保高的清洗性能。这样，通过使用蜂窝管46，可以提高热交换、压力损失、气体置换等特性。
作为比较例，从仅仅增大传热面积的想法出发，可以考虑采用弯曲管。但是，在这种情况下，由于弯曲管的压力损失，其上游的预处理器3内的压力升高，液体原料变得难以气化。另外，在弯曲管中，气体的排出不好，液滴容易附着在流路上，当向气化器4供给清洗气体时，不能完全除去残渣。
这样，气化器4可以高效率地气化液体原料的同时，分离处理气体和雾。因此，即使是使用低蒸气压的液体原料的情况下，也可以充分地进行气化，可以得到大量的不含雾的处理气体。即，在使用气化器4的气体供给系统200中，即使是使用低蒸气压的液体原料的情况下，也可将大流量的处理气体供给至成膜处理部100。这样，即使成膜处理部100不是枚叶式，而是要求大量气体原料的分批式，由于可以确保充分量的处理气体，可以提高处理效率。
另外，每进行一次成膜处理、或每进行规定次数的成膜处理之后，通过气体供给管路23向预处理器3或气化器4通入清洗气体，由此可除去残存在其内部的液体原料。因此，在进行下一批处理时，通常这些的内部成为不存在附着物的干燥的状态，可以提高处理的再现性。在这种情况下，利用与通向成膜处理部100的供给路径不同的其它系统的供给路径，向预处理器3和气化器4内供给清洗气体。由于这样，清洗区域被该预处理器3和气化器4等缩小，可以高效地进行它们的清洗，可以在短时间内完全除去这些区域内的附着物。另外，由于阀V3和成膜处理部100之间的第三供给管路53的空间小，通过利用真空泵150进行成膜处理部100的排气，可以高效率地排出该空间内的附着物。
另外，在规定的时间内从气化器4通过吸引排出雾之后，洗涤气化器4。因此，在排出雾之后，除去附着在容器41内或雾积存部附近区域的雾或雾变质的附着物。因此，在进行下一批处理时，通常气化器4的内部成为不存在附着物的干燥的状态，可以进一步抑制颗粒的产生，同时，可以提高处理的再现性。
图6为表示本发明另一个实施方式的气化器的截面图。在这个实施例中，为了给在容器41内部流动的气体和流体超声波振动，在容器41的周围配置第二超声波振动子7。第二超声波振动子7是，例如多个长方体状的振动子在容器41的外周上、沿着圆周方向被配置成振动子的内面与容器41的外表面紧密接触而成的。另外，也可以将振动子的内表面沿着容器41的外表面形成为圆弧状，将多个振动子配置成与容器41的外表面接触。从电力供给部49b向第二超声波振动子7供给电力，在向气化器4供给清洗气体时或供给洗涤液时，向容器41给予超声波振动。
这样，通过在向气化器4内供给清洗气体时给予超声波振动，可促进清洗时气体的脱离，提高清洗性能。即，通过向容器41给予超声波能量，该超声波振动可使容器41的内壁表面的吸着物容易脱离。并且，脱离物由清洗气体运送除去，这样可得到高的清洗特性。另外，当向气化器4供给洗涤液、洗涤容器41的内部时，也可以利用第二超声波振动子7向容器41给予超声波能量。这样，该超声波振动，使附着在容器41内部的附着物容易脱离，可得到高的洗涤效率。
在上述各个实施方式中，供给头的喷出口可以为2个，也可以为4个以上。供给头的喷出口如果向着下方，则可以为向下方倾斜的方向或向下方垂直的方向，也可以为向着互相相同的方向。图7A为表示气化器的供给头的变形例的侧视图。图7A的供给头71被构成为，喷出口在向着下方垂直方向、且向着互相相同的方向。因此，供给头71具有向着下方、向着互相相同的方向的多个(例如3个)喷嘴72。在这个例子中，三个喷嘴72中的任何一个也可以向着下方倾斜的方向。另外，图7B为表示气化器的供给头的另一个变形例的底视图。图7B的供给头73具有分支成4个的喷嘴73。
在本发明中，作为低蒸气压的液体原料，除了铪材料或HEAD以外，可以使用140℃的蒸气压为40Pa以下的Ta(OC2H5)5，120℃的蒸气压为40Pa以下的TDEAH(HF(N(C2H5)4)等。另外，本发明除了适用于使用气化HEAD得到的处理气体和NH3气体形成氮化硅膜的处理以外，还可以适用于使用气化Ta(OC2H5)5得到的处理气体和O3气体形成Ta2O5膜的处理中。另外，作为成膜处理部，除了分批式的减压CVD装置以外，也可以使用枚叶式成膜装置。
本领域技术人员很容易了解本发明的其他的优点和改进。因此，本发明在广义上不仅限于所述的细节和代表性的实施方式。显然，在不偏离所附权利要求书及其等价文件所确定的本发明的一般概念的要意或范围的条件下，本发明可作各种改进，这些都被包括在本发明范围内。

Claims (9)

1、一种半导体处理系统，其特征在于，具备：
处理室，容纳被处理基板；
支承构件，在所述处理室内支承所述处理基板；
加热器，加热所述处理室内的所述被处理基板；
排气系统，排出所述处理室内的气体；
气体供给系统，向所述处理室内供给处理气体，所述气体供给系统包括配置于所述处理室的外侧、用于从液体原料得到所述处理气体的气体生成装置；
所述气体生成装置具备：
预处理器，由所述液体原料形成气液混合的流体；
气化器，通过流体供给通路，由所述预处理器供给得到所述流体；
所述气化器具备：
容器，规定所述气化器的处理空间；
供给头，与所述流体供给通路连接，且具有向所述容器内喷出所述流体的多个喷出口；
加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路具备分别由加热壁构成的并列的多个通路部分，对向下方流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；
气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；
加热器，对所述处理空间和所述加热壁进行加热，和
雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
2、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
还具备向所述流体供给通路给予超声波振动的机构。
3、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
所述预处理器被构成为：将所述液体原料导入减压空间内，利用绝热膨胀，使所述液体原料的一部分气化，由此形成所述流体。
4、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
所述喷出口在不同的方向上向斜下方且向外侧方向取向。
5、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
在所述容器内的底部形成所述雾积存部，该处与排出泵连接。
6、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
还具备向所述容器给予超声波振动的机构。
7、如权利要求1所述的系统，其特征在于，还具备：
贮留槽，通过液体原料供给通路与所述预处理器连接，贮留所述液体原料；
气体供给部，为了通过所述液体原料供给通路将所述液体原料从所述贮留槽压送至所述预处理器，向所述贮留槽供给加压气体。
8、如权利要求3所述的系统，其特征在于：
还具备向所述预处理器供给载体气体的气体供给部，所述流体与所述载体气体一起，从所述预处理器被供给至所述流体气化器。
9、如权利要求1所述的系统，其特征在于：
所述气体供给系统被构成成为：供给作为所述处理气体的、通过CVD在所述被处理基板上形成薄膜用的气体。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4299286B2 (ja) * 2005-10-06 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
JP5137366B2 (ja) * 2006-01-24 2013-02-06 株式会社日立国際電気 基板処理システム及び液体材料供給装置
JP4973071B2 (ja) * 2006-08-31 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
WO2008041769A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporizer
JP4324619B2 (ja) * 2007-03-29 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
JP5098507B2 (ja) * 2007-08-10 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP5141141B2 (ja) * 2007-08-23 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置
JP4472008B2 (ja) 2007-08-30 2010-06-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5104151B2 (ja) 2007-09-18 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2009094401A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2009094424A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
TWI409360B (zh) * 2008-09-05 2013-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 一種薄膜製備裝置
JP5123820B2 (ja) * 2008-10-27 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置
KR101334158B1 (ko) * 2009-04-02 2013-11-28 주식회사 테라세미콘 소스가스 공급장치 및 방법
US20120042838A1 (en) * 2009-04-21 2012-02-23 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid source vaporizer
US7886725B1 (en) * 2009-10-15 2011-02-15 Advanced Mileage Technologies, LLC Fuel economizer fuel vapor system for internal combustion engine
WO2013126323A1 (en) * 2012-02-23 2013-08-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for precursor delivery
TWI579405B (zh) * 2012-11-15 2017-04-21 財團法人工業技術研究院 電漿鍍膜裝置
CN104419911A (zh) * 2013-09-01 2015-03-18 赵培 一种新型高速制备各种功能、结构薄膜的技术及设备
US9920844B2 (en) * 2014-11-26 2018-03-20 Lam Research Corporation Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path
KR102409471B1 (ko) * 2014-12-22 2022-06-16 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 가열기
KR101665013B1 (ko) * 2015-02-27 2016-10-12 포이스주식회사 반도체 제조용 약액 기화기
US9877514B2 (en) 2015-09-21 2018-01-30 Cloud V Enterprises Vaporizer with electronically heated nail
CN107431015B (zh) * 2015-11-10 2021-11-12 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
JP6573559B2 (ja) 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
CN110475905A (zh) * 2017-03-03 2019-11-19 应用材料公司 用于增加来自安瓿的通量的设备
CN110476227B (zh) * 2017-03-29 2022-12-16 日立金属株式会社 气化器
CN107166612A (zh) * 2017-06-27 2017-09-15 陈立峰 液体气化设备及应用
CN107270461A (zh) * 2017-06-27 2017-10-20 陈立峰 液体气化方法及应用
JP7184794B2 (ja) * 2017-10-23 2022-12-06 株式会社堀場エステック 気化装置及び気化装置用分離器
JP6774972B2 (ja) * 2018-02-08 2020-10-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US11661654B2 (en) 2018-04-18 2023-05-30 Lam Research Corporation Substrate processing systems including gas delivery system with reduced dead legs
CN110657346A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 涂宏彬 气体传输系统与方法
CN115613005A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 长鑫存储技术有限公司 雾化装置与薄膜沉积系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924936A (en) * 1987-08-05 1990-05-15 M&T Chemicals Inc. Multiple, parallel packed column vaporizer
US5451260A (en) * 1994-04-15 1995-09-19 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle
US6461982B2 (en) * 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
US6503837B2 (en) * 2001-03-29 2003-01-07 Macronix International Co. Ltd. Method of rinsing residual etching reactants/products on a semiconductor wafer

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3651789A (en) * 1968-06-13 1972-03-28 Westinghouse Electric Corp Steam generator
US3848572A (en) * 1971-08-09 1974-11-19 Westinghouse Electric Corp Steam generator
JPS49105001A (zh) * 1973-02-16 1974-10-04
US4252087A (en) * 1979-04-24 1981-02-24 Kime Wellesley R Rapid response steam generating apparatus and method
JPH0582489A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Fujitsu Ltd 半導体装置製造用反応装置
JP3004165B2 (ja) * 1994-03-25 2000-01-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3122311B2 (ja) 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
JP3893177B2 (ja) * 1996-11-12 2007-03-14 松下電器産業株式会社 気化装置、ｃｖｄ装置及び薄膜製造方法
JPH11312649A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Nippon Asm Kk Ｃｖｄ装置
JP2000119859A (ja) 1998-10-09 2000-04-25 Mitsubishi Materials Corp Ｃｖｄ装置用気化器
JP2000192243A (ja) * 1998-12-24 2000-07-11 Nissin Electric Co Ltd 気化器メンテナンス方法
JP3507425B2 (ja) 2000-09-26 2004-03-15 株式会社島津製作所 気化器
US6642131B2 (en) * 2001-06-21 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming a silicon-containing metal-oxide gate dielectric by depositing a high dielectric constant film on a silicon substrate and diffusing silicon from the substrate into the high dielectric constant film
JP4309630B2 (ja) * 2002-09-19 2009-08-05 東京エレクトロン株式会社 原料気化器及び成膜処理装置
JP4195808B2 (ja) 2002-11-05 2008-12-17 日本パイオニクス株式会社 気化器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924936A (en) * 1987-08-05 1990-05-15 M&T Chemicals Inc. Multiple, parallel packed column vaporizer
US5451260A (en) * 1994-04-15 1995-09-19 Cornell Research Foundation, Inc. Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle
US6461982B2 (en) * 1997-02-27 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming a dielectric film
US6503837B2 (en) * 2001-03-29 2003-01-07 Macronix International Co. Ltd. Method of rinsing residual etching reactants/products on a semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006100737A (ja) 2006-04-13
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US20060065254A1 (en) 2006-03-30
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KR20060051785A (ko) 2006-05-19
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TW200615397A (en) 2006-05-16

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