CN100526499C - 形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件 - Google Patents

形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件 Download PDF

Info

Publication number
CN100526499C
CN100526499C CNB2003801063652A CN200380106365A CN100526499C CN 100526499 C CN100526499 C CN 100526499C CN B2003801063652 A CNB2003801063652 A CN B2003801063652A CN 200380106365 A CN200380106365 A CN 200380106365A CN 100526499 C CN100526499 C CN 100526499C
Authority
CN
China
Prior art keywords
salient
groove
alloy
metal
sputter target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003801063652A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1726301A (zh
Inventor
小查尔斯·E·威克沙姆
戴维·P·沃克曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of CN1726301A publication Critical patent/CN1726301A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100526499C publication Critical patent/CN100526499C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491—Manufacturing of targets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21K—MAKING FORGED OR PRESSED METAL PRODUCTS, e.g. HORSE-SHOES, RIVETS, BOLTS OR WHEELS
    • B21K25/00—Uniting components to form integral members, e.g. turbine wheels and shafts, caulks with inserts, with or without shaping of the components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

描述了形成溅射靶组件的方法和由此制得的溅射靶组件。该方法包括通过在背衬板和靶上提供凸出部和凹槽在低温下将溅射靶结合到背衬板上，和使凸出部变形从而至少部分填充凹槽。还描述了形成溅射靶组件的方法，以致在溅射靶和背衬板之间形成间隙。还描述了形成溅射靶组件的方法，其提供防止非故意溅射进入背衬板的机构。

Description

形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件
背景技术
本发明涉及溅射靶和溅射靶组件以及制造它们的方法。本发明还涉及用于制造溅射靶组件的结合方法，优选在低温下。
在溅射应用领域中，典型的溅射靶组件具有溅射靶和背衬板。例如，将金属靶或金属靶底(例如，钽、钛、铝、铜、钴、钨等)结合到背衬板上，例如背衬板法兰组件如铜、铝、或其合金。为了得到在靶和背衬板之间的良好的热和电接触，这些元件通常通过软焊(soldering)、硬焊(brazing)、扩散粘结、箝位(clamping)、和通过环氧粘合剂等彼此附着。但是，通过在高温下的方法结合的溅射靶组件在使用中可翘曲组件，其影响溅射靶组件的性能，特别是当在靶和背衬板热膨胀系数之间存在很大差异时。而且，当通过软焊、硬焊、或扩散结合在高温下完成结合时，发生的在靶材料和背衬板材料之间的不同热膨胀，在金属体中产生非常高水平的机械应力。机械应力经常引起靶组件的挠曲且可导致结合失效，从而使靶从背衬板上分离。
该结合方法还增加重量且在使用时造成靶组件剥离的危险。由于工业的持续进步使用越来越大的靶，剥离危险更可能了。
另外，与一些常规的结合方法相关的高温可导致在靶金属中不希望的晶粒生长。
发明内容
本发明的一个特征是提供形成溅射靶组件的方法，其通过在靶和背衬板之间提供可靠的结合避免剥离的问题。
本发明的另一个特征是提供形成用于控制在靶和背衬板的界面上的热阻的溅射靶组件的方法。
本发明的再一个特征是提供形成溅射靶组件的方法，其防止背衬板的非故意溅射。
本发明的另外的特征和优点将在下列说明书中部分列出，且从说明书中将部分明晰，或可通过本发明的实践获得教导。本发明的目的和其他优点将通过在说明书和附加权利要求中特别指出的要素和组合来实现和获得。
为了获得这些和其他优点，和根据本发明的目的，在这里具体化和概括描述的，本发明涉及形成溅射靶组件的方法。该方法提供一般由金属制成的靶和背衬板的结合。
本发明进一步涉及制造溅射靶组件的摩擦焊接或使用摩擦(轨道铆接)结合法的机械连接，该溅射靶组件包含一般由具有不同热膨胀系数的金属制成的背衬板和溅射靶底。
本发明还涉及通过将在组装元件上的凸出部对准在另一个组装元件上的适合接受该凸出部的凹槽而形成溅射靶组件的方法。在凸出部和凹槽的表面之间通过摩擦产生的热导致凸出部软化或变形并填充凹槽。当凸出部变硬时，在靶和背衬板之间形成机械和有时的冶金联锁。
而且，本发明涉及形成溅射靶组件的方法，其在组装的靶和背衬底之间形成间隙，在溅射过程中，该间隙减小了靶和背衬底之间的热传递并提高了靶的平衡温度。可以通过改变凸出部体积和凹槽体积之间的关系，对组装的靶和背衬底之间的间隙大小进行控制。
而且，本发明涉及形成溅射靶组件的方法，其包括用于防止靶使用物溅射进入背衬板的机构。该机构包括优选位于最大溅射腐蚀区域的气室，当邻近该室的靶的层被腐蚀到预定的厚度时，该气室破裂。当该室破裂时，出现瞬时压力且在溅射外壳中的压力监控器向使用者发信号，以停止溅射过程。
应该理解前面的概述和下列的详细描述仅是示例性和说明性的，且是用来提供对要求保护的本发明的进一步说明。
引入本申请并构成本申请一部分的附图，说明了本发明的各个方面，且同说明书一起用来说明本发明的原理。
附图说明
图1为本发明的溅射靶组件的剖面图。
图2为本发明的凸出部和凹槽的各种形状和尺寸的剖面图。其他形状和尺寸是可能的。
图3为展示在组装的靶和背衬板之间形成的间隙的本发明的溅射靶组件。
图4为本发明的溅射靶组件的剖面图，其包括在靶和背衬板的结合表面的界面上形成的气室。
具体实施方式
本发明目的在于提供一种通过结合法组装溅射靶组件的方法，该结合法包括优选在低温下，将靶元件固定在背衬板上。该方法包括放置具有带有多个凸出部的结合面的组装元件和具有带有多个适合接受该凸出部的凹槽的结合面的组装元件，以使该凸出部和所述凹槽基本对正；使至少一个凸出部的一部分与至少一个凹槽的一部分滑动接触；和使所述至少一个凸出部部分变形以至少部分填充凹槽，由此当凸出部变硬时，使靶元件和背衬元件相结合。
优选的，如上所述的溅射靶组件，包含两个组装元件，即背衬板元件和溅射靶元件。该溅射靶元件和背衬板可为任何适合的靶等级和背衬板等级材料。对于通过本发明的方法结合的靶材料，其实例包括，但不限定于，钽、铌、钴、钛、铜、铝、和其合金，例如，如上所述的合金。背衬板的实例包括，但不限定于，铜、或铜合金、钽、铌、钴、钛、铝、和其合金，例如TaW、NbW、TaZr、NbZr、TaNb、NbTa、TaTi、NbTi、TaMo、NbMo等。对于用于溅射靶和背衬板的材料类型没有限制。背衬和靶材料的厚度可为用于形成溅射靶的任何适合的厚度。可选择的，背衬板和靶材料或其他结合到背衬板上的金属板可为用于所需应用的任何适合的厚度。背衬板和靶材料的适合厚度的实例包括，但不限定于，背衬板厚度为约0.25或更小-约2英寸或更大，和靶厚度在约0.060英寸-约1英寸或更大的范围内。在本发明中，结合到背衬板上的靶材料可为常规的靶等级材料，例如在U.S.专利No.6,348,113中描述的，其全部内容在此引入作为参考。溅射靶还可具有在工业中为常规的夹层。而且，溅射靶可为空心阴极磁控管溅射靶且可为其他形式的溅射靶，如引入固定的或旋转的永磁体(permanent)或电磁体的平面磁控管组件。纯度、构造、和/或粒径和包括尺寸等的其他参数对于本发明不是关键性的。本发明提供用任何类型的溅射靶和背衬板制造溅射靶组件的方法。
用于实践本发明的靶元件包括两面，溅射面和与溅射面相对的结合面。本发明的背衬元件包括两面，结合面和与结合面相对的背面。通过将靶元件的结合面固定到背衬元件的结合面上而形成或组装本发明的溅射靶组件。界面由靶元件的结合面和背衬元件的结合面之间的区域来进行限定。可将结合面彼此固定，以使背衬元件的结合面的表面和靶元件的结合面的表面基本接触；结合面的表面未基本接触；或，可在结合面的部分表面之间插入夹层。该夹层可为结合介质。该夹层还可为箔、板、或块的形式。夹层材料的实例包括，但不限定于锆等和在工业中为常规的，在U.S.专利5,863,398和6,071,389中发现的钛；在U.S.专利5,693,203中发现的铜、铝、银、镍、和其合金，和在U.S.专利6,183,613B1中发现的石墨，其每个的全部内容在此引入作为参考。
靶元件和背衬元件可由具有不同熔点的材料制成。可在元件(靶或背衬元件)的结合面中形成凹槽，其具有比制成另一元件的材料的熔点高的熔点。优选的，靶元件由具有比制成背衬元件的材料的熔点高的熔点的材料制成。可通过包括机械加工的任何适合的方法形成凹槽。可形成凹槽以具有纵长尺寸，从而形成扩展的凹槽轨道、通道、或空腔。优选的，凹槽空腔为环形的，以形成连续的凹入轨道。可在结合面形成一个或多个空腔。多个凹槽空腔可同心排列。
凹槽空腔的开口适合接受在具有凸出部的元件上的凸出部。即，凹槽开口具有充分的尺寸和形状，容许凸出部进入开口。在凹槽开口的内部，凹槽的直径可增加、减少、或保持不变。凹槽内部可为任意形状和体积。图2展示了凹槽设计变化的实例；其他的是可能的。凹槽形状可为规则的或不规则的。凹槽的横截面通常形成正方形、矩形、“T”、“L”、半圆形、截顶三角形、尖端、弓形交叉等。联锁设计由凹槽形状产生，其中凸出部和凹槽通过重叠啮合，且通常包括其中凹槽的内部直径大于凹槽开口直径的凹槽，以及各种其他设计，如“L”形设计。而且，对于具有多于一个凹槽空腔的元件，凹槽空腔的形状可不同。此外，沿着凹槽空腔的长，任意一个凹槽空腔在形状上可变化。凹槽可为任何深度，如约0.01英寸或更小-0.5英寸或更大且，优选约0.025英寸-0.075英寸。
可在元件的结合面形成凸出部，其具有低于制成另一元件的材料的熔点的熔点。优选的，背衬元件由具有比制成靶元件的材料的熔点低的熔点的材料制成。可通过包括机械加工的任何适合的方法形成凸出部。凸出部具有一个远端和附着在元件的结合面上的一个反向的近端。该远端具有的形状和尺寸容许凸出部进入在含凹槽的元件中的相应的凹槽的开口，且与凹槽内部的表面接触。凸出部可具有任何尺寸或形状。图2展示凸出部设计的变化；其他的是可能的。凸出部的横截面通常形成矩形、三角形、或其他适合的形状。凸出部可具有规则或不规则的形状。凸出部可为圆柱、圆锥、截顶圆锥、立方体、长方体、角锥、方尖塔、楔等形状。
将凸出部安排在元件的结合面上，以使凸出部可与在另一元件结合面上的相应的凹槽配对。特别的，含凹槽的元件包括的凹槽空腔的数量可比在含凸出部的元件上的凸出部的数量多。即，每个凹槽不必具有相应的凸出部。如果需要的话，可相隔放置凸出部。例如，可将凸出部在一行上彼此邻近地放置以近似成连续的脊。可成行排列多个凸出部。优选的，凸出部成圆形的排列。可使用多行凹槽与在含凹槽元件中的凹槽配对。优选的，多行凸出部同心排列。在一行中任意一个凸出部的形状和尺寸可不同于在同一行中的其他凸出部。同样的，同心行的凸出部可包含不同形状和尺寸的凸出部。测量的从其近端到其远端的凸出部的高度可为0.01英寸或更小-0.5英寸或更大，且优选为约0.05英寸-约0.2英寸。凸出部可为任何横截面，例如约0.0001平方英寸-0.25平方英寸。优选的，凸出部由铜-铬或铜-锌合金制成。
放置背衬元件和靶元件，包括将一个对准靠近另一个，以使每个凸出部具有可将该凸出部引导进入的相应的凹槽。凸出部和其相应的凹槽的滑动接触包括指引凸出部进入凹槽以使两者的表面接触。凸出部的表面和凹槽表面的初始接触包括通过将背衬元件向靶元件移动，将靶元件向背衬元件移动，或将背衬元件和靶元件一起向彼此移动，和继续向在至少一些凸出部的表面和至少一些凹槽的表面之间进行接触的点移动，以指引凸出部的远端穿过凹槽的开口。这样的实施例如图1所示。
当使凸出部和凹槽表面在保持在它们之间的接触的同时，相对于彼此横向移动时，进行滑动接触。在凸出部和凹槽表面之间的相对运动可通过移动靶元件、背衬元件、或两者来实现。在凸出部和凹槽表面之间的相对运动可包括背衬元件和靶元件的各种运动。例如，可使用往复运动，其中运动方向定期反转，或优选的，运动可在围绕靶和背衬元件的轴的圆形方向上进行。优选的，背衬元件围绕其轴旋转，同时靶元件保持固定。
旋转速度可变化和反转。旋转速度可为任何速度，例如约1-约10,000转/分或更高。例如，旋转速度可为约500转/分或更小-约2000转/分或更高且优选为约1000-约1500转/分。旋转速度可为，例如，约500英尺/分钟或更小-约2000英尺/分钟或更大，且优选为约900-约1000英尺/分钟。其他旋转速度是可能的。可预先确定足够使元件结合的惯性旋转速度。可预先确定旋转数。可预先确定旋转的持续时间。从惯性旋转速度至0转/分的减速时间可为约1-约100秒，例如，从约1250转/分的旋转速度至0转/分减速时间为约5-约10秒。其他减速时间是可能的。在上述方式中的组装元件的结合可，例如，通过约60英尺·磅/平方英寸或更小-约190英尺·磅/平方英寸或更大，例如，100-约130英尺·磅/平方英寸的旋转能量来实现。其他旋转能量是可能的。
应该理解可设置凸出部以说明在相对于旋转轴的任何特殊凸出部的区域内的角速度的变化。在凸出部表面和凹槽表面之间的初始接触进行之前，和甚至在凸出部进入凹槽开口之前，可开始旋转。
虽然凸出部和凹槽的表面滑动接触，在靶元件的结合面和背衬元件的结合面之间的界面的总方向上轴向施加连接或锻造力或压力。可通过靶元件、背衬元件、或这两者施加力。优选的，朝靶元件的方向向背衬元件施加力。这样施加的连接力可恒定或变化。连接力可为任何力，例如约10磅-约100,000磅，或提供足够的力以允许进入凹槽的凸出部变形的任何量。例如，连接力可为约10,000磅/平方英寸或更小-约18,000磅/平方英寸或更大，且优选为约15,000-约17,000磅/平方英寸。其他连接力是可能的。
当通过从凸出部和凹槽表面的接触产生的摩擦而产生的热导致凸出部在接触点变形或软化并基本呈现凹槽的形状时，出现凸出部的部分变形，且由此当凸出部变硬时，将靶元件和背衬元件联锁、连接、或其他结合。在上述方式中由凸出部和凹槽接触产生的摩擦，将在摩擦发生的区域内凸出部表面和凹槽表面加热到高温。局部加热使得低熔点材料软化并部分变形。在与凹槽接触的区域发生凸出部的变形。优选的，凸出部的变形发生在凸出部的远端。凸出部的软化的材料流入凹槽的凹处。由于凸出部变形，凸出部的总长度优选地变短，且只要朝界面方向施加压力，背衬元件和靶元件就靠的更近。当达到所需量的凸出部变形时，可停止在靶元件和背衬元件之间的相对横向运动。当容许冷却时，凸出部的变形部分在凹槽内变硬，由此产生牢固的物理连接且在一些情况下在靶元件和背衬元件之间产生任选的冶金连接。
如上所述的凸出部和凹槽的滑动接触的优选方法，为使用摩擦焊接机以提供靶元件或背衬元件的旋转并提供连接力。可使用任何类型的摩擦焊接机，包括，例如，在U.S.专利No.5,342,496(Stellrecht)中描述的，其全部内容在此引入作为参考。在溅射靶应用中可使用保护气体(cover gas)以在连接过程中防止金属氧化并用氩气填充任何空隙以保护靶使用物不受污染。优选的，保护气体为惰性气体，且，更优选的，氩气。另外，可向保护气体中加入掺杂气以用填隙硬化剂或其他试剂掺杂加热区域。
凸出部的形状和尺寸可由于各种原因变化。例如，可能需要具有一些凸出部与凹槽进行初始接触，而其他凸出部在结合面之间的距离减小时，接触凹槽表面。本发明的任选实施方式的另一个实施例为，在用在间隙内间歇排列的凸出部形成锁定结合后，在靶元件的部分结合表面和背衬元件的部分结合表面之间可形成间隙。用于形成这种间隙的一种方法为，例如，使凸出部的体积大于凹槽的体积，以便凹槽被凸出部的变形的远端基本填充且部分近端保持在凹槽开口的外面。图3展示了本发明的这种任选实施方式的实例。间隙可为任何宽度，例如约0.001英寸或更小至0.25英寸或更大。间隙宽度可在结合元件之间的任何点上变化。在某些实施方式中，需要在溅射过程中控制在靶和背衬板之间的热传递或交换。在靶和背衬板之间形成间隙降低了在两者之间的热传递，以便在溅射过程中靶的温度增加。增加靶的温度可具有稳定用于反应溅射的条件、通过辐射加热增加基底的温度、和使溅射原子的发射轨道变宽的期望的效果，且由此促进沉积膜的厚度的均匀性。
在本发明的任选实施方式中，硬焊合金(braze alloy)或硬焊金属可位于包括在凸出部上的表面和/或在凹槽上的表面的任意接触表面上。同样的，软焊合金(solder alloy)或软焊金属可位于凸出部或凹槽的任何表面上。焊料可为固体或液体。优选的，硬焊或软焊合金(或金属)具有至少400℃的熔点。硬焊或软焊合金或金属通过以上述方式由凸出部表面和凹槽表面之间的接触产生的摩擦热进行熔化。硬焊或软焊金属或合金的存在加强或允许在接触表面之间的结合。硬焊材料的实例包括，但不限定于银、铌、锡、铟、锌、铅、锑、铋、铝、金、镉、镓、铜、镍、钒、钛、或锆、或其合金(例如，Sn-Pb或Sn-Ag焊料)。硬焊材料可通过方法应用且优选为液体。硬焊材料可与或不与助熔剂一起使用。摩擦硬焊优选需要比摩擦焊接少的能量以形成所需结合。例如，摩擦硬焊优选需要比摩擦焊接少约1-约90％的能量以形成类似的结合。
在本发明的任选实施方式中，在靶元件和背衬元件的结合表面之间的界面附近形成具有多个面或壁的至少一个室元件。优选的，该室元件位于最大溅射腐蚀的区域。可形成多于一个室元件。室元件可充满气体。在室元件中的气体可为惰性气体，优选氩气。室元件可为任何形状，例如，矩形或球形。室元件的形状可为规则的或不规则的。多个室元件可具有不同的形状。在室元件中的气体的压力可为约0.1-10个大气压或更高，且优选为约1个大气压。室元件可具有任何体积，如约0.1立方英寸-10立方英寸。室的横截面尺寸可为约0.01英寸×0.1英寸-约0.25英寸×2英寸，且更优选为约0.05英寸×0.5英寸-约0.1英寸×1英寸。优选的，室元件的至少一面为靶元件结合表面的一部分。图4展示了该实施方式的实施例。室元件的一个或多个壁可由靶元件的一部分来进行限定。室元件的一个或多个壁可由背衬元件的一部分来进行限定。室元件可完全在背衬元件中形成。室元件可完全在靶元件中形成。室元件一般在位于两个凸出部之间的区域内的含凸出部元件中形成。室元件一般在位于两个凹槽之间的区域内的含凹槽元件中形成。室元件可通过在含凸出部元件、含凹槽元件、或两者中形成袋而形成。室元件可通过连接靶元件和背衬元件而形成。在形成室元件的时候，可在室元件中引入气体。可通过在气体下连接靶元件和背衬元件，从而在室元件中引入气体。在本发明的一个实施方式中，其中在靶元件和背衬元件的结合面之间形成间隙，优选室元件完全在最接近凹槽最深部分的区域内的靶元件中形成。
室元件为用于防止靶使用物溅射进入背衬板的机构。当邻近室元件的靶层被腐蚀到预定厚度时，室元件破裂。当室元件破裂时，在发生溅射过程的溅射室中产生瞬时压力，且压力监控器向使用者发信号以停止溅射过程。用于这个目的的压力监控器的实例为电容压力计或皮拉尼真空计。
本发明前述方案具有很多优点，包括在低温下和用较少能量实现坚固的连接。凸出部和凹槽的结合或连接可形成基本密封，其特征在于漏泄率低至约1×10-8cm3/sec或更低(例如，1×10-5-1×10-8cm3/sec)。
对于本领域的技术人员来说，从本说明书和在此公开的本发明的实践考虑，本发明的其他实施方式将明晰。对于下列权利要求和其等价物指出的本发明的真正范围和精神，本说明书和实施例仅被看作是示例性的。

Claims (63)

1.溅射靶组件，包括：
具有带有多个凸出部的结合面的元件；
具有带有多个凹槽的结合面的元件，其中具有所述凹槽的所述元件为其熔点高于构成所述凸出部的金属熔点的金属，且其中至少一个凹槽基本被至少一个凸出部填充，以便所述元件通过重叠啮合的所述至少一个凸出部和所述至少一个凹槽至少机械联锁在一起，其中软焊合金、软焊金属、硬焊合金或硬焊金属配置在具有所述凹槽的所述元件和具有所述凸出部的所述元件之间。
2.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凹槽的所述元件为靶且具有所述凸出部的所述元件为背衬板。
3.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凹槽的所述元件为背衬板且具有所述凸出部的所述元件为靶。
4.权利要求1的溅射靶组件，其中在所述结合面的一部分之间存在间隙。
5.权利要求4的溅射靶组件，其中所述间隙的宽度为0.001英寸一0.1英寸。
6.权利要求5的溅射靶组件，其中所述结合面的一部分为接触的。
7.权利要求1的溅射靶组件，进一步包括最接近界面的至少一个室元件，该界面由所述结合面的一部分来限定。
8.权利要求7的溅射靶组件，其中所述室元件包含在0.1个大气压-5个大气压下的气体。
9.权利要求1的溅射靶组件，其中所述元件通过联锁结合和/或机械连接结合或连接。
10.权利要求1的溅射靶组件，其中在所述凸出部的至少一部分上配置软焊合金或软焊金属或硬焊合金或金属。
11.权利要求1的溅射靶组件，其中在所述凹槽的至少一部分上配置软焊合金或金属或硬焊合金或金属。
12.权利要求1的溅射靶组件，其中在具有所述凸出部的所述元件的所述结合面的至少一部分上配置软焊合金或金属或硬焊合金或金属。
13.权利要求1的溅射靶组件，其中在具有所述凹槽的所述元件的所述结合面的至少一部分上配置软焊合金或金属或硬焊合金或金属。
14.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凹槽的所述元件包括钴、钛、铜、铝、钽、铌、镍、锆、铪、银、金、或其合金。
15.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凹槽的所述元件包括钽或其合金。
16.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凹槽的所述元件包括铌或其合金。
17.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凸出部的所述元件包括钴、钛、铜、铝、钽、铌、镍、锆、铪、银、金、钼、或其合金。
18.权利要求1的溅射靶组件，其中具有所述凸出部的所述元件包括铜-铬或铜-锌合金。
19.权利要求1的溅射靶组件，其中所述凸出部具有不规则的形状。
20.权利要求1的溅射靶组件，其中所述凸出部基本上为圆柱、圆锥、截顶圆锥、立方体、长方体、角锥、方尖塔、或楔、或其组合。
21.权利要求1的溅射靶组件，其中所述凹槽基本上为正方形、矩形、“T”、“L”、半圆形、截顶三角形、尖端、或弓形交叉的形状。
22.形成包括背衬元件和靶元件的权利要求1的溅射靶组件的方法，包括：
放置具有带有多个凸出部的结合面的元件、和具有带有多个适合接受所述凸出部的凹槽的结合面的元件，由此使所述凸出部和所述凹槽基本配准，且其中由所述结合面来限定界面；
至少一个凸出部的一部分和至少一个凹槽的一部分滑动接触以有效产生摩擦热，该摩擦热使所述至少一个凸出部软化且变形；及
使所述至少一个凸出部部分变形以有效至少部分填充所述至少一个凹槽，所述至少一个变形的凸出部在冷却和硬化时由此在靶元件和背衬元件之间形成至少机械结合，其中具有所述凹槽的所述元件为其熔点高于构成凸出部的金属熔点的金属。
23.权利要求22的方法，其中具有所述凸出部的所述元件为所述靶元件且具有所述凹槽的所述元件为所述背衬元件。
24.权利要求22的方法，其中具有所述凸出部的所述元件为所述背衬元件且具有所述凹槽的所述元件为所述靶元件。
25.权利要求22的方法，其中具有所述凹槽的所述元件包括钴、钛、铜、铝、钽、铌、镍、钼、锆、铪、金、银、或其合金。
26.权利要求22的方法，其中具有所述凹槽的所述元件包括钽或其合金。
27.权利要求22的方法，其中具有所述凹槽的所述元件包括铌或其合金。
28.权利要求22的方法，其中具有所述凸出部的所述元件包括钴、钛、铜、铝、钽、铌、或其合金。
29.权利要求22的方法，其中具有所述凸出部的所述元件包括铜-铬或铜-锌合金。
30.权利要求22的方法，其中所述凸出部具有不规则的形状。
31.权利要求22的方法，其中所述凸出部基本上为圆柱、圆锥、截顶圆锥、立方体、长方体、角锥、方尖塔、或楔、或其组合。
32.权利要求22的方法，其中所述凹槽基本上为正方形、矩形、“T”、“L”、半圆形、截顶三角形、尖端、或弓形交叉的形状。
33.权利要求22的方法，其中形成所述结合，以便所述靶元件的结合面的一部分接触所述背衬元件的结合面的至少一部分。
34.权利要求22的方法，其中形成所述结合，以便在靶元件的结合面的至少一部分与所述背衬元件的结合面的一部分之间形成间隙。
35.权利要求22的方法，其中至少一个凹槽具有不同于至少一个其他凹槽形状的形状。
36.权利要求22的方法，其中至少一个凸出部具有不同于至少一个其他凸出部形状的形状。
37.权利要求22的方法，其中至少一个凹槽具有不同于至少一个其他凹槽体积的体积。
38.权利要求22的方法，其中至少一个凸出部具有不同于至少一个其他凸出部体积的体积。
39.权利要求22的方法，其中滑动接触包括相对于具有所述凹槽的所述元件旋转具有所述凸出部的所述元件或反之亦然，和朝所述界面方向对具有所述凸出部的所述元件、具有所述凹槽的所述元件、或这两个元件施加力。
40.权利要求39的方法，其中所述旋转的旋转速度为500-2000英尺/分钟。
41.权利要求39的方法，其中所述力为10,000-18,000磅/平方英寸的连接力。
42.权利要求39的方法，其中所述机械结合通过60-190英尺·磅/平方英寸的旋转能量实现。
43.权利要求39的方法，其中所述旋转的旋转速度为500-2000转/分。
44.权利要求22的方法，其中滑动接触包括相对彼此旋转所述元件和朝所述界面方向对具有所述凸出部的所述元件、具有所述凹槽的所述元件、或这两个元件施加力。
45.权利要求44的方法，其中所述旋转的旋转速度为500-2000英尺/分钟。
46.权利要求44的方法，其中所述力为10,000-18,000磅/平方英寸的连接力。
47.权利要求44的方法，其中所述机械结合通过60-190英尺·磅/平方英寸的旋转能量实现。
48.权利要求44的方法，其中所述旋转的旋转速度为500-2000转/分。
49.权利要求22的方法，其中使用摩擦焊接机滑动接触所述各部分。
50.权利要求22的方法，其中所述结合包括联锁结合和/或机械连接。
51.权利要求22的方法，进一步包括在所述至少一个凸出部的至少一部分上配置软焊金属或合金、硬焊金属或合金、或其组合。
52.权利要求22的方法，进一步包括在具有所述凸出部的所述元件的结合面的至少一部分上配置软焊金属或合金、硬焊金属或合金、或其组合。
53.权利要求22的方法，进一步包括在所述至少一个凹槽的至少一部分上配置软焊金属或合金、硬焊金属或合金、或其组合。
54.权利要求22的方法，进一步包括在具有所述凹槽的所述元件的结合面的至少一部分上配置软焊金属或合金、硬焊金属或合金、或其组合。
55.权利要求22的方法，进一步包括形成具有多个面的室元件，其中所述室元件最接近所述界面形成。
56.权利要求55的方法，其中所述面的至少一个包括具有所述凹槽的所述元件的结合面的一部分。
57.权利要求55的方法，进一步包括在所述室元件中配置气体。
58.权利要求57的方法，其中所述气体包括氩气。
59.权利要求57的方法，其中在所述室元件中的所述气体的压力为1个大气压。
60.权利要求22的方法，其中在保护气体下形成所述溅射靶组件。
61.权利要求60的方法，其中所述保护气体包括惰性气体。
62.权利要求61的方法，其中所述惰性气体包括氩气。
63.权利要求60的方法，其中所述保护气体用如氧气或氮气的填隙硬化剂进行掺杂。
CNB2003801063652A 2002-10-21 2003-10-20 形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件 Expired - Fee Related CN100526499C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41991602P 2002-10-21 2002-10-21
US60/419,916 2002-10-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1726301A CN1726301A (zh) 2006-01-25
CN100526499C true CN100526499C (zh) 2009-08-12

Family

ID=32176485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003801063652A Expired - Fee Related CN100526499C (zh) 2002-10-21 2003-10-20 形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7467741B2 (zh)
EP (1) EP1556526B1 (zh)
JP (1) JP4768266B2 (zh)
KR (1) KR101047722B1 (zh)
CN (1) CN100526499C (zh)
AT (1) ATE425277T1 (zh)
AU (1) AU2003284294A1 (zh)
DE (1) DE60326621D1 (zh)
TW (1) TWI315747B (zh)
WO (1) WO2004038062A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103707002A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 宁波江丰电子材料有限公司 聚焦环及其形成方法
CN108367537A (zh) * 2015-07-13 2018-08-03 雅宝公司 将固态锂低压冷结合至金属基材的方法

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4422975B2 (ja) * 2003-04-03 2010-03-03 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US7297247B2 (en) * 2003-05-06 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Electroformed sputtering target
DE602004028129D1 (de) * 2003-08-11 2010-08-26 Honeywell Int Inc Target/trägerplatte-konstruktionen und herstellungsverfahren dafür
US20050061857A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US20050178653A1 (en) * 2004-02-17 2005-08-18 Charles Fisher Method for elimination of sputtering into the backing plate of a target/backing plate assembly
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
CN101378985A (zh) * 2005-01-12 2009-03-04 纽约大学 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法
US20060289304A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Guardian Industries Corp. Sputtering target with slow-sputter layer under target material
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) * 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9511446B2 (en) * 2014-12-17 2016-12-06 Aeroprobe Corporation In-situ interlocking of metals using additive friction stir processing
US9266191B2 (en) 2013-12-18 2016-02-23 Aeroprobe Corporation Fabrication of monolithic stiffening ribs on metallic sheets
KR20080054414A (ko) * 2005-09-28 2008-06-17 캐보트 코포레이션 스퍼터링 타켓 조립체를 형성하는 관성 접합 방법 및그로부터 제조된 조립체
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
GB0620547D0 (en) 2006-10-17 2006-11-22 Rolls Royce Plc Component joining
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US7981262B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8968536B2 (en) 2007-06-18 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Sputtering target having increased life and sputtering uniformity
US7901552B2 (en) * 2007-10-05 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Sputtering target with grooves and intersecting channels
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
WO2010003595A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Alcan Technology & Management A fusion welding process to join aluminium and titanium
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US20100089748A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-15 C Forster John Control of erosion profile on a dielectric rf sputter target
TWI544099B (zh) * 2010-05-21 2016-08-01 烏明克公司 濺鍍標靶對支撐材料的非連續性接合
TWI516624B (zh) * 2010-06-18 2016-01-11 烏明克公司 用於接合濺鍍靶的組件之方法，濺鍍靶組件的接合總成，及其用途
US8460521B2 (en) * 2010-09-28 2013-06-11 Primestar Solar, Inc. Sputtering cathode having a non-bonded semiconducting target
WO2012145702A2 (en) 2011-04-21 2012-10-26 Soladigm, Inc. Lithium sputter targets
CN109097746A (zh) 2011-06-30 2018-12-28 唯景公司 溅射靶和溅射方法
US9108273B2 (en) 2011-09-29 2015-08-18 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints
JP5779491B2 (ja) * 2011-12-13 2015-09-16 株式会社アルバック ターゲット装置、スパッタリング装置、ターゲット装置の製造方法
US8940985B2 (en) * 2012-02-29 2015-01-27 Dreadnought, Inc. Guitar neck joint routing system
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US9341912B2 (en) 2012-03-13 2016-05-17 View, Inc. Multi-zone EC windows
DE102012210621A1 (de) * 2012-06-22 2013-12-24 Robert Bosch Gmbh Bauteileverbund, Verfahren zum Herstellen eines Bauteileverbunds sowie Verwendung eines Bauteileverbunds
US10060023B2 (en) 2012-10-19 2018-08-28 Infineon Technologies Ag Backing plate for a sputter target, sputter target, and sputter device
US9534286B2 (en) * 2013-03-15 2017-01-03 Applied Materials, Inc. PVD target for self-centering process shield
CN103354210B (zh) * 2013-06-27 2016-08-10 清华大学 一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构
DE102013015676A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Gkn Sinter Metals Holding Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Sinterteils mit höhenpräziser Formteilhöhe sowie Teilesatz aus Sinterfügeteilen
SG11201704051SA (en) * 2014-12-03 2017-06-29 Ulvac Inc Target assembly
US20160167353A1 (en) * 2014-12-12 2016-06-16 GM Global Technology Operations LLC Systems and methods for joining components
CN104646817A (zh) * 2014-12-22 2015-05-27 有研亿金新材料有限公司 一种作为溅射靶材的铝靶材与铝合金背板的连接方法
CN104625389A (zh) * 2014-12-22 2015-05-20 有研亿金新材料有限公司 一种集成电路封装材料用铝合金溅射靶材的焊接方法
CN104646821A (zh) * 2015-01-08 2015-05-27 山东大学 一种钛合金与锆合金的气体保护摩擦焊方法
CN111655403B (zh) 2017-10-31 2022-10-14 梅尔德制造公司 固态增材制造系统和材料的组成与结构
EP3632251B1 (en) * 2018-10-04 2023-03-29 Calzaturificio dal Bello S.R.L. Sports shoe and method of construction thereof
CN109578420A (zh) * 2019-01-16 2019-04-05 佛山市巨隆金属制品有限公司 焊接铝螺母及其焊接方法
CN110439941B (zh) * 2019-08-20 2020-12-29 重庆中帝机械制造股份有限公司 高稳定性铸锻式冲焊制动蹄
DE102019134680A1 (de) * 2019-12-17 2021-06-17 Kme Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Lotdepots sowie Lotdepot
US11424111B2 (en) 2020-06-25 2022-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same
CN112475796B (zh) * 2020-11-11 2022-04-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种靶材组件的焊接方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3452421A (en) 1964-03-13 1969-07-01 Caterpillar Tractor Co Friction welding of dissimilar materials
US3693238A (en) 1970-10-02 1972-09-26 Aluminum Co Of America Friction welding of aluminum and ferrous workpieces
US3998376A (en) 1975-12-12 1976-12-21 Estan Manufacturing Company Method for forming a connection between two tubes
US4349954A (en) 1980-11-26 1982-09-21 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Mechanical bonding of metal method
JPS61291967A (ja) * 1985-06-18 1986-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト
CH669609A5 (zh) * 1986-12-23 1989-03-31 Balzers Hochvakuum
JPS6452065A (en) * 1987-08-21 1989-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sputtering target
EP0417221A1 (de) * 1989-03-15 1991-03-20 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur detektion des erreichens einer vorgebbaren tiefe der targetkörpererosion sowie targetkörper hierfür
US5230459A (en) 1992-03-18 1993-07-27 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby
US5269899A (en) * 1992-04-29 1993-12-14 Tosoh Smd, Inc. Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus
JP3525348B2 (ja) * 1992-09-29 2004-05-10 株式会社日鉱マテリアルズ 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の製造方法
US5693203A (en) * 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5286361A (en) 1992-10-19 1994-02-15 Regents Of The University Of California Magnetically attached sputter targets
JPH08176808A (ja) * 1993-04-28 1996-07-09 Japan Energy Corp 寿命警報機能を備えたスパッタリングタ−ゲット
US5342496A (en) * 1993-05-18 1994-08-30 Tosoh Smd, Inc. Method of welding sputtering target/backing plate assemblies
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
JP4017198B2 (ja) * 1994-11-02 2007-12-05 日鉱金属株式会社 スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法
US5593082A (en) 1994-11-15 1997-01-14 Tosoh Smd, Inc. Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby
WO1996015283A1 (en) 1994-11-15 1996-05-23 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding targets to backing plate member
US5522535A (en) 1994-11-15 1996-06-04 Tosoh Smd, Inc. Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies
US5836506A (en) * 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
JPH1112716A (ja) 1997-06-19 1999-01-19 Seiko Epson Corp ロウ接用材料およびその製造方法
US6749103B1 (en) 1998-09-11 2004-06-15 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
JP4511733B2 (ja) * 1998-09-11 2010-07-28 トーソー エスエムディー，インク． スパッターターゲット低温接合法とそれによって製造されるターゲットアセンブリ
US6725522B1 (en) 2000-07-12 2004-04-27 Tosoh Smd, Inc. Method of assembling target and backing plates
JP4409071B2 (ja) * 2000-09-05 2010-02-03 日鉱金属株式会社 銅又は銅合金製スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびその処理法
KR100824928B1 (ko) 2000-12-15 2008-04-28 토소우 에스엠디, 인크 고전력 스퍼터링 작업을 위한 마찰 끼워 맞춤 타겟 조립체
WO2002049785A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-27 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103707002A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 宁波江丰电子材料有限公司 聚焦环及其形成方法
CN103707002B (zh) * 2012-09-29 2016-04-13 宁波江丰电子材料股份有限公司 聚焦环及其形成方法
CN108367537A (zh) * 2015-07-13 2018-08-03 雅宝公司 将固态锂低压冷结合至金属基材的方法
CN108367537B (zh) * 2015-07-13 2021-05-07 雅宝公司 将固态锂低压冷结合至金属基材的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101047722B1 (ko) 2011-07-08
KR20050084863A (ko) 2005-08-29
US7467741B2 (en) 2008-12-23
DE60326621D1 (de) 2009-04-23
JP2006508239A (ja) 2006-03-09
TW200502416A (en) 2005-01-16
ATE425277T1 (de) 2009-03-15
CN1726301A (zh) 2006-01-25
TWI315747B (en) 2009-10-11
US20040079634A1 (en) 2004-04-29
WO2004038062A2 (en) 2004-05-06
WO2004038062A3 (en) 2004-12-09
AU2003284294A1 (en) 2004-05-13
JP4768266B2 (ja) 2011-09-07
EP1556526A2 (en) 2005-07-27
EP1556526B1 (en) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100526499C (zh) 形成溅射靶组件的方法及由此制成的组件
CN101313083A (zh) 形成溅射靶组件的惯性结合方法及由此制成的组件
US6992261B2 (en) Sputtering target assemblies using resistance welding
JP4511733B2 (ja) スパッターターゲット低温接合法とそれによって製造されるターゲットアセンブリ
US6749103B1 (en) Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
KR100274488B1 (ko) 스퍼터링용 타겟과 지지판의 조립체의 접합 방법 및 그렇게 접합된 조립체
EP1630864A2 (en) Substrate with many via contact means disposed therein
WO2002056952A3 (en) Miniature x-ray device and method of its manufacture
JP5051243B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20030064398A (ko) 내부 냉각 채널을 갖는 스퍼터 타겟의 제조 방법
JP2006508239A5 (zh)
WO2004068558B1 (en) Package for integrated circuit die
US10004147B2 (en) Method for the diffusion soldering of an electronic component to a substrate
JP2009538984A (ja) 冷間圧縮されたスパッタターゲット
US20050061857A1 (en) Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
TWI398536B (zh) 承載管外表面建構成溝渠形式之管狀濺鍍靶材
EP1613448B1 (en) Method of diffusion bonding a microchannel plate to a multi-layer ceramic body ; diffusion bonded microchannel plate body assembly
CN101996954B (zh) 芯片
JP4152506B2 (ja) スパッタリングターゲット組立体
JPH0243362A (ja) スパッターターゲットとバッキングプレートの接合体
CN101123234A (zh) 封装结构及其制造方法
JP5418285B2 (ja) 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
CN115955903A (zh) 一种碲化铋基热电器件的封装结构及其制备方法
JP2523742B2 (ja) 電極板およびその製造方法
JPH01117214A (ja) 真空遮断器用電極

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090812

Termination date: 20091120