CN100523973C - 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：基板上的数据线；与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及与所述漏极连接的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括透明导电材料；与所述源极和漏极接触的有机半导体层；在所述有机半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的栅极；在所述栅极上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及在所述第一钝化层上的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。

Description

液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
本申请要求享有2006年8月11日提交的韩国专利申请No.2006-0076348的优先权，其内容合并在此作为参考。
技术领域
本发明涉及用于液晶显示器件的阵列基板，且更具体地涉及包括有机半导体层的阵列基板及其制造方法。
背景技术
直到最近，显示器件通常仍采用阴极射线管(CRT)。近来，已花费了大量努力研究和开发具有外形薄、重量轻和功耗低的薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)以替代CRT。
液晶显示(LCD)器件利用液晶层的液晶分子的各向异性和极化特性来产生图像。液晶分子具有细长的形状，并且由于光学各向异性，光的极化随着液晶分子的对准方向而改变。液晶分子的对准方向可通过改变施加到液晶层的电场强度来控制。因此，典型的LCD器件包括彼此间隔分开并面对的两个基板以及在两个基板之间插入的液晶层。两个基板的每一个包括在与另一基板面对的表面上的电极。将电压施加给各个电极以产生电极之间的电场并且通过改变电场强度来控制液晶分子的排列以及通过液晶层的光的透射率。LCD器件为非发光型显示器件，其使用光源并且通过透光率的改变来显示图像。
在各种类型的LCD器件中，采用以矩阵结构设置的开关元件和像素电极的有源矩阵LCD(AM-LCD)器件因为其在显示运动图像方面的高分辨率和良好的适应性而成为显著的研究和开发对象。薄膜晶体管LCD(TFT-LCD)使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件。
图1所示为根据现有技术的LCD器件的透视图，如图1所示，现有技术的LCD器件包括第一基板10、第二基板20以及液晶层30。第一基板10被称为阵列基板并且包括彼此交叉以限定出像素区域“P”的栅线14和数据线16。像素电极18以及作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)“T”设置于各个像素区域“P”中。设置为与栅线14和数据线16的交叉部分相邻的薄膜晶体管“T”以矩阵形式设置在第一基板10上。第二基板20被称为滤色片基板，并且包括滤色片层26，该滤色片层26包括红(R)滤色片26a、绿(G)滤色片26b和蓝(B)滤色片26c，红、绿和蓝色滤色片26a、26b和26c之间的黑矩阵25，以及在滤色片层26和黑矩阵25上的公共电极28。
虽然图1中未图示，第一基板10和第二基板20使用密封图案附着在一起以防止液晶层30泄漏。另外，第一定向层形成于第一基板10与液晶层30之间，而第二定向层形成于第二基板20与液晶层30之间，从而将液晶层30中的液晶分子沿着初始对准方向排列。偏振片形成在第一基板10和第二基板20至少一个的外表面上。
并且，设置在第一基板10下方的背光单元(未示出)提供光。将TFT“T”导通的栅信号被顺序地施加给各条栅线14，并且数据线16上的图像信号被施加给像素区域“P”中的像素电极18。通过在像素电极18和公共电极28之间产生的垂直电场驱动液晶层30中的液晶分子以通过改变液晶分子的透光率来显示图像。
在上述现有技术的LCD器件中，硬质型基板(例如，玻璃基板)用作第一和第二基板。随着诸如个人数字助理(PDA)和笔记本计算机等更小的便携式显示器件得到越来越广泛的使用，大量的努力致力于研究和开发由诸如塑料的材料制成并具有重量轻和良好柔软性的柔性基板。然而，用于包括TFT的阵列基板的制造工序使用的温度超过200℃，这使得制造柔性TFT基板以替代玻璃TFT基板非常困难。因此，LCD器件经常利用柔性基板作为滤色片基板而利用硬质性玻璃基板作为阵列基板。
当使用200℃以及更低的温度制造TFT或阵列基板时，由金属材料制成的电极和线、绝缘层、钝化层等可使用相对更低温度的沉积或涂覆形成，而不会危及TFT的特性。然而，当使用非晶硅或多晶硅的半导体层在200℃以及更低的温度形成时，包括导电率的半导体特性将下降并且导致TFT缺陷。因此，利用该半导体层的TFT不能用作开关元件。
为了解决以上问题，大量努力花费在研究和开发使用有机半导体材料在200℃以及更低的温度下制造TFT和阵列基板的方法。
图2所示为根据现有技术的使用有机半导体层的LCD器件的阵列基板的横截面图。图2示出了阵列基板的半导体层和栅绝缘层而未示出随后形成的层。源极55、漏极57以及数据线(未图示)通过沉积诸如金(Au)的具有相对较高功函的材料并且对其进行构图而形成在基板51上。基板51包括塑料或玻璃，并且源极55和漏极57彼此间隔分开。源极55与数据线相连。像素电极60通过透明导电材料的沉积和构图而形成在漏极57上，并且有机半导体层63通过使用荫罩沉积有机半导体材料或通过涂覆液体有机半导体材料而形成在源极55和漏极57上。随后，栅绝缘层67形成在有机半导体层63上。
金(Au)通常用于源极55、漏极57以及数据线，因为其具有相对较高的功函和相对较低的电阻。例如，银(Ag)、铝(Al)以及铜(Cu)分别具有约4.26eV(电子—伏特)、4.28eV和4.65eV的功函，而金(Au)具有约5.1eV的功函。有机半导体材料可包括一个或多个并五苯和聚噻吩。有机半导体层与源极和漏极之间的界面产生势垒。实验已经证实，势垒的大小随着有机半导体层与源极和漏极之间的功函差的增加而减小。通过使用金(Au)，通过使用金，一种具有显著高于诸如银(Ag)、铝(Al)以及铜(Cu)的其它金属材料的功函的金属，势垒将减小，并且可提高使用有机半导体层的薄膜晶体管的性能。
然而，由于金(Au)具有扩散的倾向，对于使用金的源极和漏极以及数据线很难获得所设计的线宽。另外，当金(Au)在处理室中沉积时，该金属也会沉积到处理室的内壁上。沉积在处理室内壁上的金(Au)会成为在随后工序中沉积在其它基板上的污染物。并且金(Au)是增加制造成本的贵金属。
发明内容
因此，本发明提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺陷造成的一个或多个技术问题。
本发明的优点在于提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其中简化了制造工序并且减少了制造成本。
本发明的另一优点在于提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其中薄膜晶体管通过使用具有相对较高功函的铟锡氧化物(ITO)来形成。
本发明附加的特征和优点将在以下说明书中阐明，并且从以下描述中将部分显而易见，或者通过实施本发明可以理解。本发明的目的和其它优点将通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构得到实现和获得。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明实施方式的目的，如此具体实施和广泛描述的，本发明提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：基板上的数据线；与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及与所述漏极连接的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括透明导电材料；与所述源极和漏极接触的有机半导体层；在所述有机半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的栅极；在所述栅极上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及在所述第一钝化层上的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
在本发明的另一技术方案中，提供了一种用于液晶显示器件的阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成数据线；形成与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及延伸自所述漏极的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括透明导电材料；形成与所述源极和漏极接触的有机半导体层，在所述有机半导体层上形成栅绝缘层以及在所述栅绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及在所述第一钝化层上形成栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
应该理解，前述概括描述和以下详细描述均为示例性和解释性的，并且意欲提供对于如权利要求所要求的本发明的进一步理解。
附图说明
包括用于对本发明提供进一步理解并且合并和构成本说明书一部分的附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1所示为根据现有技术的LCD器件的透视图；
图2所示为根据现有技术的使用有机半导体层的LCD器件的阵列基板的横截面图；
图3所示为根据本发明实施方式的阵列基板的平面图；
图4所示为沿图3的线“IV—IV”提取的横截面图；
图5所示为根据本发明实施方式的阵列基板的数据焊盘区域的横截面图；
图6A到图6F所示为沿图3的线“IV—IV”提取的横截面图，其示出了根据本发明实施方式的液晶显示器件的阵列基板的制造方法；
图7A到图7F所示为在用于根据本发明实施方式的液晶显示器件的数据焊盘区域中制造阵列基板的方法的横截面图。
具体实施方式
以下将详细参照所示本发明实施方式，在附图中其示例。
图3所示为根据本发明实施方式的阵列基板的平面图，图4所示为沿图3的线“IV—IV”提取的横截面图，以及图5所示为根据本发明实施方式的阵列基板的数据焊盘区域的横截面图。在图3、图4和图5中，像素区域“P”包括其中薄膜晶体管(TFT)形成为开关元件的晶体管区域“TrA”，；以及其中形成存储电容的存储区域“StgA”。
如图3所示，数据线105和栅线165形成在基板101上。基板101包括玻璃或塑料材料。数据线105和栅线165彼此交叉以限定出像素区域“P”。另外，与数据线105和栅线165连接的薄膜晶体管(TFT)“Tr”形成在基板101上。TFT“Tr”包括源极110、漏极113、作为有源层的有机半导体层、栅绝缘层以及栅极145。数据线105、栅极145以及栅线165分别包括第一金属材料、第二金属材料以及第三金属材料，各个金属材料具有相对较低的电阻。源极110与数据线105连接，并且像素电极120与漏极113连接。源极110与数据线105接触，并且像素电极120延伸自漏极113。源极110、漏极113以及像素电极120各包括诸如铟锡氧化物(ITO)的材料，其具有高于包括在数据线105中的金属材料的功函。像素电极120以与像素区域“P”中的漏极113相同的层形成并且与相邻像素区域“P”中的可称为前级栅线的栅线165重叠，从而形成存储电容“StgC”。前级栅线165和像素电极120分别作为用于存储电容“StgC”的第一电容电极和第二电容电极。
参照图4和图5，数据线105和数据焊盘107形成在包括玻璃和塑料材料其中之一的基板101上。数据线105和数据焊盘107包括诸如银(Ag)、铝(Al)、铝(Al)合金、钼(Mo)、铜(Cu)、铜(Cu)合金以及铬(Cr)的第一金属材料。数据焊盘107与数据线105的一端连接并且形成在数据焊盘区域“DPA”中。
另外，源极110、漏极113、像素电极120以及数据焊盘端子123形成在数据线105、数据焊盘107以及基板101上。源极110、漏极113、像素电极120以及数据焊盘端子123各包括诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料。用于源极110、漏极113、像素电极120以及数据焊盘端子123的透明导电材料具有高于用于数据线105的第一金属材料的功函。源极110和漏极113设置在开关区域“TrA”中，并且像素电极120设置在像素区域“P”中。源极110接触数据线105，并且像素电极120延伸自与源极110间隔分开的漏极113。数据焊盘端子123接触并完全覆盖数据焊盘107。
第二金属材料的有机半导体层130、栅绝缘层136和栅极145随后形成在源极110和漏极113以及暴露在源极110和漏极113之间的基板101上的开关区域“TrA”中。有机半导体层130、栅绝缘层136和栅极145使用单轮掩模工序形成，从而具有彼此相同或基本上相同的形状。
有机绝缘材料的钝化层150形成在包括栅极145的基板101的整个表面上。因此，钝化层150覆盖开关区域“TrA”中的栅极145、源极110和漏极113，像素区域“P”中的像素电极120以及数据焊盘区域“DPA”中的数据焊盘端子。另外，钝化层150包括暴露出开关区域“TrA”中的栅极145的栅接触孔155以及暴露出数据焊盘区域“DPA”中的数据焊盘端子123的数据焊盘接触孔158。
第三金属材料的栅线165形成在钝化层150上。栅线165通过栅接触孔155与栅极145连接。虽然在图4和图5中未示出，栅线165交叉数据线105以限定出像素区域“P”，并且栅焊盘形成在栅焊盘区域中的栅线165的一端。并且，与相邻像素区域相对应并且可称为前级栅线的栅线165与像素区域“P”中的像素电极120重叠以形成存储电容“StgC”。因此，存储电容“StgC”包括成为像素电极120重叠部分的第一电容电极127，成为钝化层150一部分的电介质层以及成为前级栅线的重叠部分的第二电容电极168。
在用于LCD器件的阵列基板101中，与有机半导体层130接触的源极110和漏极113由替代使用金(Au)的诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料形成。虽然铟锡氧化物(ITO)具有低于金(Au)的功函，但是铟锡氧化物(ITO)具有高于其它金属材料的功函。结果，TFT“Tr”的工作特性的降低可减少，同时减少制造成本。
图6A到图6F以及图7A到图7F所示为根据本发明实施方式的液晶显示器件的阵列基板的制造方法的横截面图。图6A到图6F为沿图3的线“IV—IV”提取的视图，以及图7A到图7F所示为阵列基板的数据焊盘的视图。
参照图6A和图7A，第一金属材料层通过沉积诸如银(Ag)、铝(Al)、铝(Al)合金、钼(Mo)、铜(Cu)、铜(Cu)合金或铬(Cr)的第一金属材料而在基板101上形成。基板101包括塑料和玻璃材料其中之一并且第一金属材料可使用低于约200℃温度的溅射方法沉积在基板101上。在光刻胶(PR)层形成在第一金属材料层之后，PR层通过包括曝光和显影的光刻工序而形成为PR图案，并且对第一金属材料层使用PR图案作为蚀刻掩模进行构图以形成数据线105和数据焊盘107。在数据线105和数据焊盘107形成之后，使用作为湿法的剥离工序或作为干法的灰化工序去除PR图案。在数据焊盘区域“DPA”中的数据焊盘107延伸自数据线105。
虽然未在图6A和图7A中示出，但是在形成第一金属材料层之前，诸如二氧化硅(SiO2)的绝缘材料的缓冲层可形成在基板101上。通过使用具有亲水特性和具有良好粘附特性的缓冲层，提高了基板101与有机半导体层130(图6D)之间的粘附，并且有机半导体层130(图6D)可形成为具有均匀的厚度。
参照图6B和图7B，通过沉积诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电材料在数据线105和数据焊盘107上形成透明导电材料层。透明导电材料层具有高于第一金属材料的功函(即，从材料表面去除电子所需的能量)。源极110、漏极113、像素电极120以及数据焊盘端子123通过对透明导电材料层进行构图来形成。源极110和漏极113形成在开关区域“TrA”中，而数据焊盘端子123设置在数据焊盘区域“DPA”中。源极110接触数据线105并且漏极113与源极110间隔分开。另外，像素区域“P”中的像素电极120延伸自漏极113。结果，源极110、漏极113、像素电极120以及数据焊盘端子123可使用单轮掩模工序由相同的材料同时形成。具体地，漏极113和像素电极120可形成为铟锡氧化物(ITO)的单个集成体。
具有形成于其上的源极110和漏极113的基板101可使用氧(O2)等离子体进行处理以增加源极110和漏极113的铟锡氧化物(ITO)的功函。例如，在氧(O2)等离子体处理之后，铟锡氧化物(ITO)具有约4.8eV到约4.9eV的功函，而在不进行氧(O2)等离子体处理时，铟锡氧化物(ITO)具有约4.6eV的功函。
如图6C和图7C所示，有机半导体材料层129和栅绝缘材料层135顺序地形成在基板101上的源极110、漏极113、像素电极120、数据焊盘端子123以及暴露的数据线105上。有机半导体材料层129通过涂覆液体有机半导体材料来形成。液体有机半导体材料具有相对较高的迁移率并且包括相对较小分子的有机半导体材料，诸如并五苯和聚噻吩。液体有机半导体材料可使用喷墨涂覆方法、喷嘴涂覆方法、条涂覆方法、狭缝涂覆方法、旋转涂覆方法以及印刷方法其中之一进行涂覆。栅绝缘材料层135通过将诸如含氟聚合物材料的有机绝缘材料涂覆在基板上来形成。有机绝缘材料可为即使在该有机绝缘材料接触有机半导体材料层129时也不会与有机半导体材料层129反应并影响其的材料。
第二金属材料层通过沉积诸如钼(Mo)和铬(Cr)的第二金属材料形成在栅绝缘材料层135上。光敏图案191通过包括曝光和显影的光刻工序形成在第二金属材料层上，并且通过使用光敏图案191作为蚀刻掩模的第一干刻步骤对第二金属材料层进行构图，从而形成栅极145。光敏图案191包括光刻胶、光敏聚乙烯醇(PVA)和感光亚克力其中之一。
如图6D和图7D所示，使用作为湿法的剥离工序或作为干法的灰化工序去除光敏图案191(图6C)以暴露出栅极145。接下来，通过使用栅极145作为蚀刻掩模的第二干刻步骤对栅绝缘材料层135(图6C)和有机半导体材料层129(图6C)进行构图，从而形成栅绝缘层136和有机半导体层130。由于栅绝缘层136和有机半导体层130使用栅极145作为蚀刻掩模来形成，所以栅绝缘层136和有机半导体层130具有与栅极145相同或基本相同的形状。
在本发明所示的实施方式中，栅极145通过第一干刻步骤形成，而栅绝缘层136和有机半导体层130通过第二干刻步骤形成。另外，光敏图案191在第一干刻步骤之后且第二干刻步骤之前去除，而不会损害有机半导体层130。如果通过使用光敏图案191作为蚀刻掩模的单一蚀刻步骤对第二金属材料层、栅绝缘材料层135和有机半导体材料层129进行构图，并且随后通过剥离工序去除光敏图案191，则有机半导体层130的侧面会暴露在剥离溶液中并且会变得恶化。通过单独的第一和第二干刻步骤形成栅极145、栅绝缘层136以及有机半导体层130，对于有机半导体层130的损害可减小或消除。
数据线105、像素区域“P”中的像素电极120以及数据焊盘区域“DPA”中的数据焊盘端子123由于第一和第二蚀刻步骤而暴露。另外，源极110、与源极110间隔分开的漏极113、源极110和漏极113之间的有机半导体层130、有机半导体层130上的栅绝缘层136以及栅绝缘层136上的栅极145通过第一和第二蚀刻步骤形成在开关区域“TrA”中。有机半导体层130接触源极110和漏极113并且具有岛形，同时有机半导体层130、栅绝缘层136以及栅极145具有彼此相同或基本相同的形状。源极110、漏极113、有机半导体层130、栅绝缘层136以及栅极145为开关元件TFT“Tr”的元件。
如图6E和图7E所示，钝化层150通过涂覆诸如苯并环丁烯(BCB)、感光亚克力、聚乙烯醇(PVA)和氟聚合物的有机绝缘材料而形成在TFT“Tr”、像素电极120、数据线105和数据焊盘端在123上。钝化层150包括暴露出栅极145的栅接触孔155以及暴露出数据焊盘区域“DPA”中的数据焊盘端子123的数据焊盘接触孔158。栅接触孔155和数据焊盘接触孔158可通过使用光刻胶图案作为蚀刻掩膜的光刻工序形成在钝化层150中。当有机绝缘材料具有感光性时，栅接触孔155和数据焊盘接触孔158可通过省略使用额外的光刻胶图案作为蚀刻掩膜的曝光和显影来形成。
在可选的实施方式中，钝化层150额外具有暴露出像素区域“P”中的像素电极120的开口部分。有机绝缘材料的钝化层150具有大于无机绝缘材料的钝化层的厚度。如果有机绝缘材料的钝化层150覆盖像素电极120，像素电极120与滤色片基板的公共电极之间产生的电场强度由于覆盖像素电极120的钝化层150而减小。通过在钝化层150中形成开口可防止或减小电场强度的减小。
参照图6F和7F，栅线165和栅焊盘通过在钝化层上沉积诸如银(Ag)、铝(Al)、铝(Al)合金、钼(Mo)、铜(Cu)、铜(Cu)合金或铬(Cr)的第三金属材料而形成在钝化层150上。具有相对较低电阻的第三金属材料可使用低于约200℃温度下的溅射方法沉积在钝化层150上。栅线165通过栅接触孔155与栅极145连接并且通过与数据线105的交叉而限定出像素区域“P”。栅焊盘与栅线165的一端连接。
并且，对应于相邻像素区域且其称为前级栅线的栅线165与像素区域“P”中的像素电极120重叠以构成存储电容“StgC”。因此，存储电容“StgC”包括成为像素电极120重叠部分的第一电容电极127，成为钝化层150一部分的电介质层以及成为前级栅线的重叠部分的第二电容电极168。
在另一实施方式中，辅助钝化层可形成在栅线135上。辅助钝化层可具有暴露出栅焊盘的栅焊盘接触孔以及暴露出数据焊盘端子123的数据焊盘端子孔。数据焊盘端子孔可与钝化层150中的数据焊盘接触孔158连接。另外，辅助钝化层还具有暴露出像素电极120的辅助开口部分。
在根据本发明实施方式的LCD器件的阵列基板中，接触有机半导体层130的源极110和漏极113由诸如铟锡氧化物(ITO)而非金(Au)的透明导电材料形成。虽然铟锡氧化物(ITO)具有低于金(Au)的功函，但是铟锡氧化物(ITO)具有高于其它金属材料的功函。由此，可以最小化由于难于获得所需线宽以及较差粘附而导致的TFT“Tr”的特性下降，并且产量可以提高。并且，由于铟锡氧化物(ITO)相比于所使用的金(Au)而言较便宜，制造成本可以减少。
对于本领域的技术人员来说显而易见的，在不偏离本发明原理或范围的情况下，可对液晶显示器件的阵列基板及其制造方法做出各种修改和变型。因此，本发明意欲覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围中的本发明的修改和变型。

Claims (18)

1、一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：
基板上的数据线；
与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及与所述漏极连接的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括铟锡氧化物(ITO)；
与所述源极和漏极接触的有机半导体层；
在所述有机半导体层上的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上的栅极；
在所述栅极上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及
在所述第一钝化层上的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
2、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极各包括具有相比于所述数据线的材料具有更高功函的材料。
3、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极延伸自所述漏极。
4、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层和栅极具有与所述有机半导体层相同的形状。
5、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括在所述数据线一端的数据焊盘，在所述栅线一端的栅焊盘以及在所述数据焊盘上的数据焊盘端子，其中所述数据焊盘端子包括与所述源极和漏极相同的材料。
6、根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层还具有暴露出所述数据焊盘端子的数据焊盘接触孔以及暴露出所述像素电极的开口部分。
7、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线和像素电极彼此重叠以形成存储电容。
8、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括所述栅线上的第二钝化层。
9、根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括在所述基板与有机半导体层之间的缓冲层，其中所述缓冲层具有亲水特性。
10、一种用于液晶显示器件的阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成数据线；
形成与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及延伸自所述漏极的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括铟锡氧化物(ITO)；
形成与所述源极和漏极接触的有机半导体层，在所述有机半导体层上的栅绝缘层以及在所述栅绝缘层上的栅极；
在所述栅极上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及
在所述第一钝化层上形成栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
11、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括使用氧(O2)等离子体处理所述源极和漏极。
12、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述有机半导体层，栅绝缘层以及栅极的步骤包括：
在所述源极、漏极和像素电极上形成有机半导体材料层；
在所述有机半导体材料层上形成有机绝缘材料层；
在所述有机绝缘材料层上形成金属材料层；
在所述金属材料层上形成光刻胶图案；
通过使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模的第一蚀刻工序对所述金属材料层进行构图；
去除所述光刻胶图案；以及
通过使用所述栅极作为蚀刻掩模的第二蚀刻工序对所述有机绝缘材料层和有机半导体材料层进行构图。
13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述有机半导体材料层使用喷墨涂覆方法、喷嘴涂覆方法、条涂覆方法、狭缝涂覆方法、旋转涂覆方法以及印刷方法其中之一形成。
14、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在所述数据线的一端形成数据焊盘，在所述栅线的一端形成栅焊盘以及在所述数据焊盘上形成数据焊盘端子，其中所述数据焊盘端子与所述源极和漏极同时形成。
15、根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一钝化层还具有暴露出所述数据焊盘端子的数据焊盘接触孔以及暴露出所述像素电极的开口部分。
16、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述栅线和像素电极彼此重叠以形成存储电容。
17、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在所述栅线上形成第二钝化层。
18、根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在所述基板与有机半导体层之间形成缓冲层，其中所述缓冲层具有亲水特性。
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