CN100472706C - 用于晶片制造系统中的整体形成的烘烤盘单元 - Google Patents

Abstract

烘烤盘是用铜制圆盘整体形成的，所述圆盘的下表面限定了所需要的加热器元件沟道式样，该沟道式样被填充了导电电阻性材料。通过涂覆所述结构来防止铜污染。可调整沟道式样和填充材料以优化烘烤盘表面上的热均匀性，并且生产可大规模生产的具有基本上均匀且可重复的热特性的烘烤盘。

Description

用于晶片制造系统中的整体形成的烘烤盘单元

技术领域

本发明一般地涉及用于在晶片制造系统中提高晶片温度的烘烤盘单元，更具体而言，本发明涉及增进这种烘烤盘单元(尤其是曝光后烘烤模块内的烘烤盘单元)的热特性的连贯性和可再现性以及烘烤盘单元的寿命。

背景技术

现代集成电路(IC)是在半导体晶片上制造的，而半导体晶片是在制造场所大批量生产的。制造场所(或“制造工厂(fab)”)采用各种类型的自动设备，这些自动设备必须在非常严格和仔细控制的操作参数下行使功能。图1示出所执行的某些工艺步骤。

在图1的左上区域中，一连串晶片进入所谓的晶片跟踪系统10。冷却盘20通常用于在晶片进入旋转涂料器30之前，将晶片温度稳定在室温附近0.2℃左右，在旋转涂料器30中，一层高分子光阻材料膜被置于晶片的上表面。在某些工艺过程中，在步骤30中，可以首先将一层抗反射涂层沉积在晶片上表面，然后晶片被烘烤(例如步骤40)，接着被置于旋转涂料器30中，以便光阻材料沉积。在某些工艺过程中，在步骤30中还可以添加一层额外的抗反射膜顶层。在现代光刻蚀法试图用更短波长的光来限定越来越小的特征尺寸的情况下，紫外线反射率成为更大的问题，因此要使用抗反射层。

最后，用自动机器将晶片传递到烘烤盘40，在这里硬化光阻材料膜，并且用热量从晶片上去除过量的溶剂。后续的冷却盘工艺50将晶片冷却到稳定的室温，之后晶片被提供给曝光工具60，该曝光工具通常包括步进机和扫描机的功能。在步骤70中，晶片经历利用PEB烘烤盘进行的曝光后烘烤(PEB)，然后到达冷却盘80，该冷却盘使晶片返回稳定的环境室温。通常接下来是显影剂模块阶段90，在此阶段期间，曝光工具阶段60中形成的潜在平版图像被显影在晶片上表面上的高分子膜中。在正片色调图像中，光阻材料中曝光的部分将会变得可溶，并溶解在溶液中，以暴露晶片结构中所需部分。随后是烘烤盘步骤100，烘干和硬化晶片表面。随后是蚀刻器步骤110，然后一盒如此处理后的晶片被返回到冷却盘，例如步骤20。根据所涉及的工艺过程的细节，对于相同晶片，可重复图1中所示的各种步骤或阶段多次。

任何制造工厂中的目标都是以超过80％的高产量率产生具有尽可能最小的特征尺寸的晶片。实现此目标要求制造工厂中的污染物被控制并且生产参数被控制，以达到大量晶片完全符合规格的程度。

近年来，由于平版印刷引起的制造变动已经降低了，这要部分归功于在晶片制造的曝光工具阶段期间使用了较短波长的光源。在使用248nm激光来促进制造期间的小元件分辨度的同时，这种光源的降低的强度增大了系统的生产量，因为需要较长的曝光时间。这种激光波长的使用将系统10的生产量降低到大概每小时160晶片。因此，现有技术中的大量工作都针对改进光阻材料，包括增强的(或化学催化的)光阻材料的开发。这种光阻材料本质上允许光源能量的一个光子影响光阻材料内的多个分子，从而降低系统生产量时间。曝光工具步骤60的性能增强的一个后果是，曝光后烘烤步骤70变成了实现关于限定晶片式样时的关键尺寸的规格的重大因素。一般而言，目前，曝光后烘烤步骤代表着实现晶片生产中的关键尺寸时由系统10贡献的误差中的大概50％到60％。(剩余误差中大概25％与显影剂模块90相关联，大概15％来自旋转涂料器30)。

设计PEB烘烤盘的挑战是在以下能力方面实现高度一致性：在给定时间段中，在所需要的并且可再现的PEB温度下，实现规格并保持在规格内。以下事实使得设计目标变得困难：旋转涂料器30通常可适应许多不同类型的光阻材料，每种光阻材料要求不同的PEB烘烤盘温度和时间体制。系统10的用户想要一种能够被迅速编程以适应不同光阻材料的不同热设置点的PEB单元70。

在直径大概为13英寸(33cm)的PEB烘烤盘上实现良好的热均匀性是现有技术中的困难挑战。PEB烘烤盘通常在被真空系统抽空的外壳内行使功能。PEB烘烤盘表面上的温度均匀性应该在±0.1℃以内，工业中常常不符合此规格。与符合此均匀性规格同样困难的是，烘烤盘表面上的理想均匀性最好应当在±0.05℃内，这是在现有技术中看起来颇无法实现的目标。

图2A示出现有技术烘烤盘150，其可用于图1中的PEB模块70和/或任何或所有烘烤盘模块40和100中。烘烤盘150包括具有导热材料(通常为铝)的圆盘160，该圆盘的下侧限定了凹槽或凹陷170，一卷电阻导线180被插入该凹槽或凹陷170中。然后铝制圆盘190被粘合到圆盘160的下侧。电源Vs耦合到导线180的各端。类似于厨房烤面包机的操作，流经导线180的电流产生热量，通过这种方式烘烤盘150被加热。自动机器控制的平台200耦合到多个顶杆210，这些顶杆可垂直通过烘烤盘160中的开口220。晶片230被自动机器置于顶杆210顶部，并且可通过向下移动机构200而被降低，以便与烘烤盘150的上表面热接触。诸如图2A中一般性示出的非单一构造烘烤盘是由Chicago，IL的Watlow制造的。

在铝的浇铸过程中，电阻性导线加热器180基本上被永久包封在铝元件160和190之间。虽然热软膏或粘合剂(未示出)被用于空腔170内，以帮助与加热器导线粘合，但是，要保持导线的部分与空腔170的内部之间的始终如一的热接口是很困难的。在某些区域，接口可能相对良好，但是在其他区域可能就不那么好，这大概是由于导线或凹槽的物理尺寸的不连贯性。此外，初始的良好热接触可能随着时间而恶化，其结果是烘烤盘160的长期稳定性和可预测性成问题。

图2B示出有些相似的烘烤盘250，该烘烤盘是由Minco(一家Minnesota公司)和Joeun Technology(一家韩国公司)制造的类型。烘烤盘250包括铝制圆盘260，该铝制圆盘具有嵌在低导热聚酰亚胺片290中的电阻性薄膜加热器元件270。加热器元件在被耦合到电压源Vs时产生热量。不幸的是，烘烤盘250是被层压成的，并且在使用中会经历分层，例如，片290可能与圆盘260松开，使得烘烤盘无法用于晶片制造应用。

正如所注意到的，如图2A和图2B所示的现有技术烘烤盘在符合目前的±0.1℃设计规格上面临着困难，并且根本顾不上未来所期待的±0.05°C规格。此外，正如需要更长的烘烤寿命那样，需要这种烘烤盘的热特性的连贯性和可再现性。

本发明提供了整体形成的烘烤盘，其具有改进了的热特性、改进了的热连贯性和可再现性以及增长的寿命。

发明内容

本发明通过将所需的加热器元件式样蚀刻到机器加工成的优选铜盘的下表面中，而提供了整体形成的烘烤盘，该铜盘的上表面将会接触并加热晶片。在盘的下表面中形成限定加热元件结构将位于的凹槽或沟道区域的式样。用机器加工用于顶杆的通孔，并且优选地用电镀镍和CVD钻石状膜涂覆盘表面，以防止与铜迁移相关的问题。例如，通过利用用于软膏的厚膜印刷技术，将可包括导电软膏的电阻性材料(例如导线或其他导电材料)置于限定的凹槽中。盘的侧面和背面可被覆盖上随后将被硫化的保护性的聚酰亚胺膜。优选地，包含冷却管材的底板被形成在盘的下侧，并被放置成与盘的下侧相接触，以用于温度设置点的迅速变化。

铜优于铝的导热性增强了烘烤盘的效率。如果需要的话，盘的不同区域可具有不同形状和尺寸的凹槽和/或具有不同电阻特性的导电软膏。通过这种方式，可使烘烤盘的热特性相当均匀，并且可相对经济地大规模生产具有可重复的热特性的烘烤盘。

本发明的其他特征和优点将从以下描述中显现，在描述中优选实施例被结合附图详细阐述。

附图说明

图1是示出根据现有技术的一般晶片工艺步骤和模块的框图；

图2A和2B以截面图示出根据现有技术的非整体形成的烘烤盘单元；

图3以截面图示出根据本发明的整体形成的烘烤盘单元；

图4示出根据本发明的容纳烘烤盘的可打开的箱盒；以及

图5示出根据本发明用于生产烘烤盘的典型方法步骤。

具体实施方式

图3示出根据本发明的整体制造的烘烤盘300。与图2A和2B重复的标号可理解成代表类似的元件。从而，图3中的元件230是晶片，当顶杆210被自动机器机构200垂直降低时，该晶片将被加热。图4示出可打开的箱盒370，根据本发明的烘烤盘300处于其中。图5示出根据本发明制造烘烤盘时所涉及的主要步骤。

在图3和图5中的方法步骤400中，利用铜而不是铝按规格形成盘状圆盘310，因为铜的导热系数是铝的两倍。利用具极佳热特性的铜的优点是系统10(如图1所示)的性能可被加强，因为PEB模块70(或其他烘烤盘单元)内的烘烤盘300可以更易达到并保持所需的温度。如果成本不成问题的话，当然也可使用除铜外的其他导热材料，包括银。由于与铜迁移相关的污染问题，在制造工厂中通常不会发现铜。但是，铜制圆盘310(其直径约33cm，厚约15mm或以上)最好被涂覆上一层电镀或溅镀形成的镍和CVD钻石状膜320。虽然为了便于图示而未在图3中绘出，但是镍层也形成在铜材料一侧。或者，钨或钼可用作溅镀材料，来包裹铜制圆盘。

参见图5，在步骤410中，优选地，光阻材料被施加到铜制圆盘310的下表面，并且限定加热器元件的位置的式样被形成，然后被显影。在图3中，沟道区域330、330-1示出蚀刻后的结构。优选地，使用诸如DuPont牌Riston之类的干膜光阻材料。此材料促进了接触印刷，因为一层透明薄塑料膜覆盖了光阻材料表面，但在式样显影之前被剥去。当然也可使用其他光阻材料技术。

然后在图5中的步骤420中，例如利用蚀刻技术，将所需的式样以物理方式形成在铜的下表面中，同时将保护性的抗蚀剂施加在圆盘310的上表面和侧面。加热器元件式样的布局设计被选择为促进完成后的烘烤盘300的上表面上的高温均匀性。正如稍后所注意到的，设计布局是基于计算机热模型的，并且优选地将会提供两区或三区加热。一旦完成沟道区域330、330-1等的蚀刻，并且检查了蚀刻成的式样，则从结构上剥除所有保护层和抗蚀剂。沟道区域330、330-1等的尺寸和形状配置将会由设计规格确定，但是约3mm到约6mm范围内的横向尺寸将会是典型的。要注意，烘烤盘的上表面上的热量分布将受到顶杆的通孔的位置、与盘的外周边的接近度等的影响。因而，从平面上来看，沟道区域的式样通常不是理想对称的螺旋形，例如也可以采取迂回曲折的式样的形式。

图3的截面图示出表示为330的凹槽状沟道，它从圆盘310的下表面向里延伸。如果从平面上来看，优选地，沟道将会限定连续路径，多半是蛇形路径，导电材料将会被置于其中。要理解，沟道330的式样和蚀刻形成的优点是存在巨大的灵活性。注意，例如，如果需要的话，例如对于导热性因素，不是所有沟道区域都需要形状相同。例如，沟道区域330-1被示为大于另一个沟道330。

在图5的方法步骤430中，接下来，利用机器将其尺寸能够使顶杆210通过的通孔220以及其他适当的特征、凹陷等加工到圆盘310中。在方法步骤440中，清洁圆盘结构，并且施加电镀的镍层320。镍在铜上形成了非常好的屏障膜，并且是特别易于电镀的材料。在蚀刻成的沟道区域330、330-1等处，由盘表面处的电场配置所产生的电镀动态特性有利地倾向于使沟道区域的侧壁更垂直。

现在进一步在方法步骤440中，例如利用化学蒸汽沉积(CVD)将圆盘的上表面涂覆上沉积的钻石状层325。虽然在图3中为了便于图示而未示出，但是圆盘310的侧面也可被涂覆上层325，但是厚度较薄。有利地，CVD钻石状膜具有非常高的硬度、接近特氟纶的润滑度，并且导热系数是铜的2.56倍。CVD钻石状沉积材料是商业上可获得的，例如可从Allentown，PA的Diamonex，Inc获得。

此刻，沟道330将会被填充上一种材料，该材料传导来自电源Vs的电流，并且响应于电流流动而电阻性地加热。此时可使用几种不同的技术，并且图5中的方法步骤450将会被理解为包含以下技术。

在一种填充蚀刻成的沟道凹槽的技术中，烘烤盘状圆盘的底面被涂覆上CVD钻石状膜沉积，或者溅镀的铝氧化物沉积，这些沉积是在用CVD钻石状膜325涂覆圆盘的上表面之前沉积的。然后，在此实施列中，镍铬耐热合金加热器导线被手动压入到圆盘下表面中的蚀刻成的凹陷路径330中。在此实施例中，图3中的标号340是指这种加热器导线。然后，在镍铬耐热合金加热器导线340上的蚀刻成的凹陷330中形成均匀的非导电聚酰亚胺膜，并且通过在高温下对加热盘加热而对该膜进行硫化。可以利用厚膜印刷技术来施加非导电聚酰亚胺膜，这种技术采用具有抗蚀膜阻止的非蚀刻区域的精细不锈钢丝网以及橡胶滚轴。图3中的层360则将会代表此聚酰亚胺膜。

在第二种填充蚀刻成的沟道凹槽的技术中，厚膜印刷技术可用于将均匀的导电聚酰亚胺或铜焊合金软膏的膜施加到蚀刻成的凹陷中，然后绝缘的加热器导线将会被手动压入到盘中的蚀刻成的凹陷路径中。加热器导线最好以无机绝缘体来绝缘。例如，在83.3％的Al：11.7％的Si于577℃下熔化时，铝和硅形成共晶体。添加额外的硅可形成悬浮在Al/Si共晶体中的硅晶粒的沉淀复合物。电阻性复合物构成的表面的氧化将会形成铝硅型电绝缘膜的综合涂层，该涂层与用于高温炉垫的莫来石质瓷有些类似。或者，可使用另一种类型的涂覆有沉积的无机绝缘体的电阻导线。涂覆了聚酰亚胺的电阻导线可以结合导电聚酰亚胺粘合剂来考虑。然后，例如通过将盘加热到高温，对丝网印刷的膜进行硫化。

第三种填充蚀刻成的沟道凹槽的技术提供了增强的灵活性，并将综合的薄膜或厚膜电阻加热器元件沉积到凹槽中。元件材料可按膏或浆的形式施加，并且有利地形成与沟道区域330的内表面的紧密接触。尽管加热器导线倾向于沿导线长度具有均匀的截面和均匀的热特性，但是加热器材料340是用软膏形成的，因此可获得巨大的灵活性。正如沟道区域330-1内的加热器材料340所示，如果沟道区域大于其他沟道，则更多的加热器材料340被用于填充该沟道。正如加热器材料340-1所示，如果需要的话，可以使软膏材料的热特性不均匀，力图在烘烤盘300的加热上表面上获得更均匀的热特性。可以使材料340、340-1等的电阻特征从大概100欧姆/平方到5000欧姆/平方变化。

电绝缘CVD钻石状膜或溅镀的铝氧化物膜可用于绝缘。可通过保护层挖离(resist lift-off)、蚀刻或抛光，来沉积或形成溅镀的薄膜铬硅加热器元件膜。大多数可丝网印刷的电阻器和绝缘体的形成通常要求在至少500℃的温度下烧制，这对于本发明来说很高。软膏形式的铜焊合金可被视为材料340，例如360℃下熔化的75wt.％金/25wt％锑共晶体，或451°C下熔化的73wt.％金/27wt.％铟共晶体。随后可将非导电聚酰亚胺丝网印刷在铜焊合金加热器元件上，以便电绝缘。

也可使用可丝网印刷的热固厚膜软膏形成，其包括两种离散的二元合金的混合，这两种二元合金又在相对较低的温度下进一步合金，形成合成高温合金。例如，118℃下熔化的52铟/48锡共晶体。这种低温溶化焊接软膏例如可与50铜/50镍(50微欧姆-厘米电阻系数)或30铜/70钯(47微欧姆-厘米电阻系数)或40银/60钯(42微欧姆-厘米电阻系数)或镍/银合金混合。在便利的温度下加热将会导致熔化铟/锡，以便与高温熔化的合金形成合金，产生复合的具有高电阻系数的高温熔化抗腐蚀可焊接合金。随后可将非导电聚酰亚胺或低温厚膜釉料丝网印刷在形成合金的加热器元件上，以便电绝缘。虽然存在基于聚酰亚胺的电阻软膏材料，但是目前它们缺乏长期稳定性将会使得在本发明中这种材料不合需要。

沟道路径330的蛇形或其他形状(当从平面上查看烘烤盘300时)通常是用计算机软件来确定的。在烘烤盘的初始设计中，重新限定特定的沟道路径设计、烘烤盘的不同区域处的沟道路径尺寸以及软膏或其他材料340、340-1等的热特征时的某些试验和差错工作。但是，一旦精细调整了设计，则可用相对较低的成本(例如与图2A和2B所示的现有技术配置的10000美元到40000美元每单位相比，大概只要5000美元每单位)来大规模生产烘烤盘300。

参见图5，在步骤460中，接下来，盘310的下侧被涂覆上电绝缘膜350。在方法步骤470中，添加冷却线圈组合件360。在制造期间，不同的光阻材料可用于晶片230中，每种光阻材料也许会要求不同的温度体制。希望烘烤盘能够从一个这样的温度体制迅速的转换到另一个，例如能够在三分钟内变化20℃，并且仍能在烘烤盘的上表面上获得所需要的良好的温度连贯性。最后在图5中的步骤480中，通过在一段时间中利用大概350℃的高温，对与冷却组合件相关联的聚酰亚胺膜进行硫化。

独立于以上用于形成烘烤盘300的技术和程序，可形成在图3中被表示为360的冷却盘元件。(虽然烘烤盘300欲均匀升高晶片230的温度，但是也希望执行迅速的温度设置点变化。)可通过将适当长度的管材缠绕到平面螺旋中，来形成平面螺旋管状底板，通过该底板冷却剂(例如水、冷却气体等)将会被传递来冷却晶体230。管状材料最好是抗腐蚀的，并且除其他材料外，还可包括镍管、不锈钢管以及铝/硅共晶体合金。平面螺旋管材被置于平板上，并且柱状的管身经过平板松散地向上延伸，精确地对应于顶杆和其他特征的位置。然后第二平板被置于组合件上，液压器被用于部分展平平面螺旋管材。优选地，展平将会形成椭圆截面部分，其中主轴是副轴长度的两倍，以加强热耦合，同时产生更紧凑的形状因子。在展平过程中，用于夹住平面螺旋管状底板的板将会具有偏离中心的开口，以允许平面螺旋管状底板内部末端延伸经过该板。

平面螺旋管状底板360主要帮助提供热耦合元件，以实现迅速烘烤盘冷却，用于作为制造工厂工艺配方变化的一部分的温度设置点变化。有利地，此底板还提供用于烘烤盘300的下表面的热绝缘和物理保护的某种措施，并且还可帮助适应完全不相同的热膨胀和收缩。

现在参看烘烤盘300的制造本身，利用精细的不锈钢丝网和橡胶滚筒的厚膜印刷技术，被优选地用于将均匀的导电聚酰亚胺膜360施加到烘烤盘300的下表面(不覆盖任何机器加工成的通孔开口)。虽然为了便于图示而未在图3中示出，但在涂覆下表面之前，烘烤盘的垂直侧表面被涂覆上了聚酰亚胺膜。然后平面螺旋管状底板被按压到加热器板上，并小心地对齐顶杆开口位置。然后，最好通过将烘烤盘300组合件加热到高温，来对聚酰亚胺进行硫化。

在不脱离所附的权利要求书所限定的本发明的主题和精神的情况下，可对所公开的实施例进行修改和变动。

Claims (19)

1.一种用于晶片生产工厂中的烘烤盘，该烘烤盘包括：

具有上表面和下表面的导热材料圆盘，所述下表面限定至少一个连续的沟道式样，当从与所述圆盘的上表面正交的平面来看时，所述沟道式样具有不均匀的深度；以及

导电电阻性材料，该导电电阻性材料被安排成填充所述下表面中的所述沟道式样，其中当被耦合到电源时，所述导电电阻性材料产生热量，以使得与所述上表面接触的晶片在所述上表面上均匀地被加热。

2.如权利要求1所述的烘烤盘，其中所述导热材料是铜，且进一步包括在所述铜与所述导电电阻性材料之间的绝缘材料。

3.如权利要求1所述的烘烤盘，其中所述导电电阻性材料是电阻性软膏，该电阻性软膏在所述沟道式样的连续长度上具有均匀的电阻系数。

4.如权利要求1所述的烘烤盘，其中所述导电电阻性材料是电阻性软膏，该电阻性软膏被选择为在所述沟道式样的连续长度上具有变化的电阻系数。

5.如权利要求1所述的烘烤盘，其中当从与所述上表面正交的平面来看时，所述沟道式样具有相同的面积。

6.如权利要求1所述的烘烤盘，其中当从与所述上表面正交的平面上来看时，所述沟道式样具有不同的面积。

7.如权利要求1所述的烘烤盘，其中所述导热材料是铜，并且所述铜的表面包括一层镍，该层镍是通过电镀和溅镀中的至少一种形成的。

8.如权利要求1所述的烘烤盘，其中所述烘烤盘的最外表面被涂覆上了化学气相沉积的类钻石膜。

9.如权利要求1所述的烘烤盘，还包括用于降低所述烘烤盘的温度的装置，所述用于降低所述烘烤盘的温度的装置被安排成与所述下表面相接触。

10.一种用于晶片生产工厂中的烘烤盘，该烘烤盘包括：

具有上表面和下表面的铜制圆盘，其中所述下表面限定至少一个连续的沟道式样，当从与所述圆盘的上表面正交的平面来看时，所述沟道式样具有不均匀的深度；和

导电电阻性材料，该导电电阻性材料被安排成填充所述下表面中的所述沟道式样，并且与所述铜圆盘电绝缘；

其中所述式样的形状以及所述电阻性材料的电阻系数中的至少一个被选择为使所述上表面上的热变动最小化；

当被耦合到电源时，所述导电电阻性材料产生热量，以使得与所述上表面接触的晶片在所述上表面上均匀地被加热。

11.如权利要求10所述的烘烤盘，其中所述导电电阻性材料具有从以下组中选出的至少一个特性，所述组包括(a)所述导电电阻性材料是导线，(b)所述导电电阻性材料是电阻性软膏，该电阻性软膏在所述沟道式样的连续长度上具有均匀的电阻系数，(c)所述导电电阻性材料是电阻性软膏，该电阻性软膏在所述沟道式样的连续长度上具有不均匀的电阻系数。

12.如权利要求10所述的烘烤盘，其中当从与所述上表面正交的平面来看时，所述沟道式样具有相同面积和不同面积中的至少一个。

13.如权利要求10所述的烘烤盘，其中所述圆盘的表面包括一层镍，该层镍是通过电镀和溅镀中的至少一种形成的。

14.如权利要求10所述的烘烤盘，其中所述烘烤盘的最外表面被涂覆上了化学气相沉积的类钻石膜。

15.如权利要求10所述的烘烤盘，还包括用于降低所述烘烤盘的温度的装置，所述用于降低所述烘烤盘的温度的装置被安排成与所述第二表面相接触。

16.一种生产用于晶片生产工厂中的烘烤盘的方法，该方法包括以下步骤：

提供导热材料圆盘，该圆盘的尺寸适于加热晶片，所述圆盘具有上表面和下表面；

将至少一段长度的沟道式样限定在所述下表面内，当从与所述圆盘的上表面正交的平面来看时，所述沟道式样具有不均匀的深度；和

将所述沟道式样填充导电材料，所述导电材料当被耦合到电压源时产生热量。

17.如权利要求16所述的方法，其中当从与所述上表面正交的平面上来看时，所述沟道式样具有相同面积和不同面积中的至少一个。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述导热材料是铜，所述导电材料与所述铜电绝缘，且所述方法还包括用一层镍涂覆所述铜的表面。

19.如权利要求16所述的方法，还包括用类钻石材料的膜涂覆所述烘烤盘的至少最外一层。

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