CN100466239C - 半导体基板的温度调节装置 - Google Patents

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Abstract

为提供加热与冷却过程中半导体基板不产生翘曲、并可迅速冷却半导体基板的温度调节装置的传热板，在用于加热或冷却硅片(2)的温度调节装置的传热板(1)的间隙形成用部件(3)的近旁，设置与真空源连接而吸附上述硅片(2)的吸附孔(5)，通过由真空源通过上述吸附孔进行吸引，以微小间隙将硅片(2)吸附于传热板(1)上，因此可抑制由急速加热或冷却引起的翘曲，可短时间均匀被冷却。

Description

半导体基板的温度调节装置
技术领域
本发明涉及半导体基板的温度调节装置，更详细地是涉及具有用于对半导体基板进行加热和冷却的传热板的温度调节装置。
背景技术
在现有技术中，广泛利用着用于将半导体基板加热和冷却到规定温度的温度调节装置。
这种温度调节装置，由载置半导体基板的传热性优良的铝或铜系的材料构成的传热板和其里面组装进珀尔帖元件等的热源部构成(例如，参照：特开2000-306984)。
但是，近年来，为了廉价制造半导体，将切取半导体晶片的半导体基板的直径尽可能做大，从一个半导体基板至少要切取多个半导体晶片。另外，近年来，在其制造过程中，对将半导体基板加热到更高温度、或将已加热到高温的半导体基板高速且高精度地冷却提出了更高的要求。作为措施之一，考虑了降低将一高温半导体基板载置于调温到规定温度的温度调节装置的传热板上时的间隙形成用部件，但是，在这种情况下，由于冷却速度高而引起的基板厚度方向的温度变化速度不同，因此，半导体基板的下面与上面之间产生很大的温度差，因此，该基板上产生翘曲，由于这种翘曲，存在温度分布的均一性降低，半导体基板的冷却变慢的问题。特别是，这种翘曲在大直径的半导体基板上尤为显著，在半导体基板大直径化的最近的制造工程中成了很大的问题。
另外，当与上述这样半导体基板变大的同时、与载置它的传热板间的间隙变小时，当该传热板上载置半导体基板时，该基板与传热板间的空气不能顺利逸出，其结果，将产生载置于传热板上的半导体基板转动或横向滑动地错动的问题，对此问题也必须采取措施。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而做成的，其基本的技术课题是，尽可能地抑制半导体基板加热或冷却时厚度方向温度变化速度不同所引起的翘曲，其结果，提供可降低接近间隙而可使半导体基板的加热或冷却迅速化、高精度化的温度调节装置。
本发明的另一个技术课题是，在载置半导体基板时，能解决该基板与传热板间的空气顺利逸出的问题，提供载置于传热板上的半导体基板不转动、不横向滑动地错动的半导体基板的温度调节装置。
用于解决上述课题的本发明的半导体基板的温度调节装置，其特征在于，在载置且加热或冷却半导体基板的温度调节装置的传热板的间隙形成用部件或其近旁具有与真空源连接而用于吸附上述半导体基板的吸附孔。
上述本发明的温度调节装置构成为，使上述吸附孔贯通间隙形成用部件的中心设于该间隙形成用部件本身上，通过传热板内的流路与真空源连接，或者也可构成为，将上述吸附孔设于间隙形成用部件的周围的传热板，通过该传热板内的流路与真空源连接。在后一种情况下，最好将上述吸附孔以上述间隙形成用部件为中心对称地设置。
另外，在本发明的最佳实施形态中，上述吸附孔的多数绕传热板中心同心圆状地设置。
在本发明的半导体基板的温度调节装置中，除了上述吸附孔之外，还设有沿传热板的间隙形成用部件的排列设置方向的吸附用沟，可将该吸附用沟与空源连接，在这种情况下，最好将该吸附用沟绕传热板中心设置成同心圆状。
在具有上述构成的温度调节装置中，由于在离散地设于传热板上的间隙形成用部件本身上、或在间隙形成用部件近旁设吸附孔，且通过传热板内的流路将其连接于真空源，由通过上述吸附孔的真空吸附将半导体基板保持于许多间隙形成用部件上，可抑制该半导体基板加热或冷却时由于厚度方向上的温度变化不同引起的翘曲。
由于通过上述吸附孔抽吸半导体基板与传热板间的空气，在将半导体基板载置于传热板上时，传热板与半导体基板之间的空气可以顺利地逸出，可抑制载置于传热板上的半导体基板转动或横向滑动地错动。
除了上述吸附孔之外，如还设沿传热板的间隙形成用部件的排列设置方向的吸附用沟，则能更有效地抑制上述翘曲与半导体基板的转动或横向错动。
根据本发明的温度调节装置，可尽可能地抑制由半导体基板加热或冷却时厚度方向的温度变化速度不同引起的翘曲，同时可抑制半导体板的转动与横向错动，其结果，可降低间隙形成用部件且可实现半导体基板加热或冷却的快速化与高精度化。
附图说明
图1是本发明第一实施例的构成图。
图2是图1的A-A剖面图。
图3是图1的B-B剖面图。
图4是表示吸附孔的变形例的俯视图。
图5是表示本发明第二实施例的传热板的吸附孔的排列状态的局部俯视图。
图6是上述第二实施例的传热板的间隙形成用部件的放大剖面图。
图7是图6的间隙形成用部件的俯视图。
图8是表示用第一实施例的具有吸附孔的传热板冷却硅片情况下的多点温度变化数据的图。
图9是表示不具有上述吸附孔的情况下的温度变化数据的图。
具体实施方式
下边参照附图详细说明本发明的温度调节装置的实施例。
图1-图3是示意地表示将本发明应用于硅片调温用的温度调节装置的第一实施例的图。该温度调节装置中的传热板1，如图2与图3所示，在其上载置硅片2，用于将其加热或冷却到规定的温度，它还具有调温部，该调温部在由热良导体铝或铜系材料构成的表面板的里面侧组装进珀尔帖元件等。
在上述传热板1的表面上，为防止在上述硅片2上附着微粒子，离散状设置多个顶部呈半球形的小块状的、由陶瓷做成的间隙形成用部件3。该间隙形成用部件3通过嵌装于设在传热板1的表面上的小孔中，其顶面从传热板1的表面突出若干，硅片2离开传热板1的表面为规定间隙t地载置其上，在图1的实施例中，将该间隙形成用部件3配置于传热板1的中心部，并在其周围成同心圆状地配置多个，其一部分配置于从中心向放射方向延伸的直线上。
在该传热板1的一部分间隙形成用部件3的近旁的传热板1上具有与真空源连接且吸附载置于其上的硅片2的吸附孔5。也可在全部间隙形成用部件3近旁设吸附孔5。
图2是图1的A-A剖面图，图3是图1的B-B剖面图，在这种情况下，将上述吸附孔5设在间隙形成用部件3的周围接近位置的传热板上、具体而言，设在间隙形成用部件3的放射方向两侧，通过在该传热板内向着放射方向形成的真空压的流路11和在传热板1的周边连接于该流路11的真空用挠性管15连接于真空源。
上述吸附孔5，最好以上述间隙形成用部件3为中心设于其周围的对称位置，但也不局限于上述图1与图2所示的对称2位置，例如也可设在图4所示的间隙形成用部件3周围的对称4位置。在这种情况下，当然也必须使各吸附孔5在传热板1内连通连接于真空源的流路。
另外，在上述传热板1上，除了上述吸附孔5之外，还设有沿传热板的间隙形成用部件3的排列设置方向的同心圆状的吸附用沟8。该吸附用沟8也是通过上述流路11和在传热板1的周边连接该流路11的真空用挠性管15与真空源连接。通过对其沟宽的调整可适当设定上述吸附用沟8的吸附力。
该吸附用沟8，最好成绕传热板1的中心同心圆状地设置，但也未必如此，也可设置成部分圆弧状、或设置成沿任意方向任意长。
上述传热板1内的流路11，如图1所示，由前述管15通过压力计(或流量计)21连接于设在外部的真空喷射器20，由在该真空喷射器20产生的真空压通过吸附孔5与吸附用沟8抽吸传热板上的空气。
通过减压阀23将产生真空用的压力流体供给上述真空喷射器20，可由该压力调整真空压力。图中的24是压力计。
而且，真空源不限于上述构成。
图5-图7是表示本发明的传热板1的第二实施例的图，在该第二实施例中，将吸附孔6设于间隙形成用部件4本身上、并设置成贯穿该间隙形成用部件4中心在其顶部开口。该吸附孔6通过设于传热板1上的、开口于设在收容间隙形成用部件4的小孔7内部的通孔12与该传热板1内的流路11连通，与第一实施例一样连接真空源。关于流路11的开设方向没有明确的图示，但可成放射方向设于传热板1、或向其他适宜的方向设置。
该吸附孔6也可设置成在必要数量或全部间隙形成用部件4上吸附硅片2。在图5中只在配置于一个圆上的多个间隙形成用部件4上设吸附孔6的状态，但也可以与第一实施例一样，呈同心圆状配置间隙形成用部件4。
在该实施例情况下也可以和前述第一实施例一样，设置吸附用沟8(参照图5)。当然，该吸附用沟8也通过流路11连接真空源。
在具有上述构成的第一与第二实施例的温度调节装置中，在离散地设于传热板1的间隙形成用部件近旁或其间隙形成用部件自身上设置吸附孔5、6，由于通过传热板1内的流路11将吸附孔5、6连接于真空源，由通过上述吸附孔5、6的真空吸引将硅片2保持于多个间隙形成用部件3、4上，可抑制加热或冷却该硅片2时厚度方向上的温度变化速度不同所引起的翘曲。因此，硅片2其整面与传热扳1之间的间隙变得均匀，由此可均匀冷却。而且，由于硅片2与传热板1间的空气不断地通过吸附孔5、6或吸附用沟8的吸引排出到外部，可更有效地冷却硅片2。
另外，由于通过上述吸附孔5、6与吸附用沟8抽吸硅片2与传热板1间的空气，当将硅片2载置于传热板1上时，硅片2与传热板1之间的空气可顺利逸出，可有效抑制载置于传热板1上的转动或横向滑动地错动。
除上述吸附孔5、6之外，当还设有沿传热板1的接近问隔2的排设方向的吸附用沟8时，可更有效地抑制上述翘曲和硅片的转动或横向错动。
在冷却硅片2的情况下，由于硅片2由表背面侧的温度差引起的向上方凸起的翘曲，在翘曲量大的中心部近旁的吸附孔5、6与吸附用沟8应作用以比周边部更强的吸引力才是更加合适的。
在以上的说明与以下的实验例中，主要说明了由传热板冷却硅片的情况，对于由传热板加热硅片的情况，虽然加热与冷却的一部分作用反过来，但与上述冷却情况下大致相同，可达到本发明的目的，可达到期望的效果。
下边来说明使用上述第一实施例的传热板的试验结果。
图8示出了使用具有第一实施例的吸附孔5的传热板1冷却硅片情况下的多点温度变化数据，图9示出了不具备上述吸附孔5情况下冷却硅片时的温度变化数据。
在两图中，纵轴是硅片的温度，横轴是经过时间，一同记取了在各硅片对应的多点以温度传感器测量的温度变化数据。
这些图中所示的测量，是测量了将在前工序中加热到350℃的硅片载置于调温到23℃的传热板上进行冷却时所测定的温度变化，在将上述加热到350℃的硅片载置于传热板上约8秒钟时，硅片的温度约降低到310-320℃。图中取该时刻为测量开始时刻(0秒)。
如比较两图的温度测量结果，图9中载置于不具有吸附孔的传热板上的硅片，在载置后不久即产生上凸翘曲，从约250℃开始在硅片多点间显著出现由翘曲引起的温度变化，在中央附近，传热板与硅片的间距变大，冷却速度降低，在其他部位也由于翘曲程度产生冷却速度差，将整个冷却到23℃约需80秒钟。
针对于此，载置于上述第一实施例的传热板上的硅片，由于与传热板间的间距保持均一，故在各部位可快速且大致均匀被冷却，约30-40秒后全体被冷却到23℃。
这是在上述第一实施例的传热板中，由硅片与传热板间赋予的真空压，可防止硅片的上凸翘曲，可确保平面性的结果。另外，是因为由于硅片与传热扳间的吸引，其间的热量得以排出。

Claims (4)

1.一种半导体基板的温度调节装置，
其特征在于，在用于载置且加热或冷却半导体基板的温度调节装置的传热板的上表面，用于支承上述半导体基板的多个间隙形成用部件沿着多个同心圆配置，并且，在上述传热板上的与至少一部分间隙形成用部件接近的位置，形成与真空源连接而吸附上述半导体基板的吸附孔。
2.如权利要求1所述的半导体基板的温度调节装置，其特征在于，将多个上述吸附孔形成在间隙形成用部件的周围。
3.如权利要求1或2所述的半导体基板的温度调节装置，其特征在于，在上述传热板的上表面，设有沿上述间隙形成用部件的排列呈同心圆状开口的多个吸附用沟，并且这些吸附用沟通过在上述传热板的内部沿放射方向延伸的流路与真空源连接。
4.一种半导体基板的温度调节装置，
其特征在于，在用于载置且加热或冷却半导体基板的温度调节装置的传热板的上表面，用于支承上述半导体基板的多个间隙形成用部件沿着多个同心圆配置，并且，在至少一部分间隙形成用部件上形成吸附上述半导体基板的吸附孔，在上述传热板的上表面，设有沿着上述间隙形成用部件的排列呈同心圆状开口的多个吸附用沟，这些吸附用沟和上述吸附孔通过在上述传热板的内部沿放射方向延伸的流路与真空源连接。
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