JP2007067070A - ウェハ温度調整装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平面3cには吹き出し口3aと吸い込み口3bとが設けられる。吹き出し口3aは平面3cに露出する、半径Ra、長さLaの管を有している。吸い込み口3bは平面3cに露出する、半径Rb、長さLbの管を有している。ここで吹き出し口3aの形状パラメタRa4/Laは、吸い込み口3bの形状パラメタRb4/Lbよりも小さい。この関係のもと、吹き出し口3aにおける差圧よりも吸い込み口3bにおける差圧を小さくする。
【選択図】図3
Description
図1はこの発明の第1の実施の形態にかかるウェハ温度調整装置10Aの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハWと共に例示する、概念的な断面図である。図2はウェハ温度調整装置10Aの平面図であり、ウェハWは一点鎖線で仮想的に示されている。図2の位置I−Iにおける断面が図1に示された断面と対応する。
図8はこの発明の第2の実施の形態にかかるウェハ温度調整装置10Bの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハWと共に例示する、概念的な断面図である。図9はウェハ温度調整装置10Bの平面図であり、ウェハWは一点鎖線で仮想的に示されている。図8の位置IX−IXにおける断面が図9に示された断面と対応する。
図10はこの発明の第3の実施の形態にかかるウェハ温度調整装置10Cの構成を、温度調整の対象となる半導体ウェハWと共に例示する、概念的な断面図である。図11はウェハ温度調整装置10Cの平面図であり、ウェハWは一点鎖線で仮想的に示されている。図10の位置XI−XIにおける断面が図11に示された断面と対応する。
2 熱電素子群
3a 吹き出し口
3b 吸い込み口
3c 平面
3d 溝
10A,10B,10C ウェハ温度調整装置
Claims (5)
- 平面(3c)と、
前記平面を所定の温度に設定する温度設定部(1,2)と、
前記平面において設けられて流体を供給する少なくとも一つの吹き出し口(3a)と、
前記平面において前記流体を排出する少なくとも一つの吸い込み口(3b)と
を備え、
前記吹き出し口の半径(Ra)の4乗を、当該半径(Ra)が前記吹き出し口で維持される長さ(La)で除した第1値は、前記吸い込み口の半径(Rb)の4乗を、当該半径(Rb)が前記吸い込み口で維持される長さ(Lb)で除した第2値よりも小さく、
前記吹き出し口から前記流体が第1の差圧で吹き出され、前記吸い込み口から前記第1の差圧よりも小さな第2の差圧で前記流体が吸い込まれ、
前記平面の上方でウェハ(W)を支持するウェハ温度調整装置(10A,10B,10C)。 - 前記吸い込み口(3b)と連通して前記吸い込み口の上方に設けられた溝(3d)
を更に備える、請求項1記載のウェハ温度調整装置(10B,10C)。 - 前記溝(3d)は、前記吹き出し口を避けた円周に沿って設けられる、請求項2記載のウェハ温度調整装置(10C)。
- 前記吹き出し口(3a)は複数設けられ、
一の前記吹き出し口を中心とした円周上に他の前記吹き出し口が配置される、請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載のウェハ温度調整装置(10C)。 - 前記吹き出し口(3a)は複数設けられ、
前記吹き出し口は複数の同心円上に配置される、請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載のウェハ温度調整装置(10)。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311520A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法、熱処理プログラム、及び、そのプログラムを記録した記録媒体 |
JP2009135261A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Espec Corp | 試験装置 |
KR20200014519A (ko) * | 2018-08-01 | 2020-02-11 | 주식회사 넵시스 | 기판 온도조절이 가능한 기판 캐리어 모듈 |
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