CN100438989C - 化学吸附膜的形成方法以及化学吸附膜 - Google Patents

化学吸附膜的形成方法以及化学吸附膜 Download PDF

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Abstract

本发明的化学吸附膜的形成方法，包括使基材表面亲水化的亲水处理工序ST1、在已亲水化的所述基材表面上附着酸或碱的处理工序ST2、和使化学吸附剂接触附着有酸或碱的基材表面而在该表面上形成化学吸附膜的成膜工序ST3。

Description

化学吸附膜的形成方法以及化学吸附膜
技术领域
本发明涉及化学吸附膜(chemical absorption film)的形成方法以及化学吸附膜。
背景技术
一直以来作为改良物体表面的处理，已知有涂敷由含氟硅烷偶合剂等构成的化学吸附膜并向基材表面赋予疏液性的方法。硅烷偶合剂在基材上形成由多个分子层构成的化学吸附膜，但已知有使该化学吸附膜致密化的自组织化单分子膜(SAM：SelfAssembling Monolayer)技术。
接着，最近有提议通过使化学吸附膜形成图案而在基材表面上形成呈现不同表面特性的多个区域，并将其用在器件制造中(例如参照专利文献1)。
但是，作为在基材表面上形成上述化学吸附膜的方法，以往使用的是液相法或气相法。例如为了用液相法形成硅烷偶合剂，通过将已实施了亲水处理的基材浸渍于硅烷偶合剂溶液中来形成硅烷偶合剂的化学吸附膜。另一方面，在通过气相法形成的情况下，通过将已实施了亲水处理的基材暴露于硅烷偶合剂的蒸气中来形成化学吸附膜。
但是，即使是上述液相法、气相法的任意方法，在形成化学吸附膜中都需要很多时间，进而如果基材表面的前处理(亲水处理)不充分，就会在化学吸附膜上出现不均匀。另外，如果硅烷偶合剂的分子巨大，因为缺乏与基材表面的反应性，所以需要更多时间，成膜变得更加困难。
专利文献1：特开2000-282240号公报
发明内容
本发明正是鉴于上述以往技术的问题点而提出的，其目的在于提供具有均匀的膜厚且牢固地结合于基材表面的化学吸附膜和在基材表面上短时间高效率地形成该化学吸附膜的方法。
本发明为了解决上述课题，提供一种化学吸附膜的形成方法，其特征在于，当在基材表面上形成化学吸附膜时，包括：在上述基材表面使酸或碱附着的处理工序；使上述处理工序后的基材与化学吸附剂接触而在基材表面使化学吸附剂附着的成膜工序。
如此，如果在使化学吸附剂附着于基材表面之前使酸或碱附着在该表面的方法，可以促进化学吸附剂与基材表面的结合，可以在短时间内有效地形成与基材表面牢固结合的化学吸附膜。
本发明中使用的化学吸附剂，是通过与基材的接触而与基材表面共价结合的化合物，比较典型的是在分子结构中具备水解性的官能团的化合物。接着，在本发明中，通过在处理工序中附着的酸或碱促进上述官能团的水解反应，在短时间内形成致密的化学吸附膜。
在本发明的化学吸附膜的形成方法中，上述成膜工序可以是将上述基材化学浸渍于吸附剂溶液中的工序。另外，上述成膜工序还可以是使上述基材表面接触化学吸附剂的蒸气的工序。
通过本发明，在应用于上述任何成膜方法的情况下，都可以使化学吸附剂有效且在短时间内与基材表面结合。
在本发明的化学吸附膜的形成方法中，优选使用在表面具有亲水基的上述基材、和在末端具有与亲水基发生反应的官能团的上述化学吸附剂。如果是这样的形成方法，化学吸附剂的官能团与基材表面的亲水基发生反应而形成牢固的键，所以可以形成在耐剥离性等机械特性方面也出色的化学吸附膜。另外，通过在上述处理工序中附着的酸或碱来促进上述基材的亲水基和化学吸附剂的官能团之间的反应，所以在短时间内可以形成致密且均匀的化学吸附膜。
在本发明的化学吸附膜的形成方法中，在上述处理工序之前，也可以对上述基材的表面实施亲水处理。通过该形成方法，即使在上述基材的表面不具有亲水性的情况下，也可以通过亲水处理使表面获得化学吸附剂的附着性，可以不受基材的材质或表面状态所限而获得致密且均匀的化学吸附膜。
在本发明的化学吸附膜的形成方法中，上述化学吸附剂优选在其分子末端具有从甲硅烷基(-SiX)、钛氧基(-TiX)、甲锡烷基(-SnX)(其中，上述X基为卤基或烷氧基)中选择的1种以上的物质。
上述X基是具有水解性的卤基(Cl，Br，F，I等)或烷氧基等，具体地说是氯甲硅烷基(-SiCl)、氯钛氧基(-TiCl)、氯甲锡烷基(-SnCl)、甲氧甲硅烷基(-SiOCH3)、乙氧甲硅烷基(-SiOCH2CH3)、甲氧钛氧基(-TiOCH3)、乙氧钛氧基(-TiOCH2CH3)、甲氧甲锡烷基(-SnOCH3)、乙氧甲锡烷基(-SnOCH2CH3)等。通过使用具备这种分子结构的化学吸附剂，经过水解反应可以获得与基材表面牢固结合的化学吸附膜，特别是通过化学吸附膜赋予疏水性、疏油性、亲水性、亲油性、粘附性、抗结雾性、防污性、耐久性等各种表面特性，所以优选。
在本发明的化学吸附膜的形成方法中，上述处理工序优选为将上述酸或碱的溶液配置于上述基材表面的工序。如果采用这样的处理工序，可以不引起工序的复杂化而极为容易地使酸或碱附着在基材表面上，有助于提高化学吸附膜的形成容易性。
接着，本发明的化学吸附膜是在基材表面上使化学吸附剂结合而成的化学吸附膜，其特征在于，在上述基材的表面含有酸或碱。另外，本发明的化学吸附膜的特征在于，是通过前面所述的本发明中的形成方法形成。通过该结构，可以低价提供形成致密且均匀的膜厚且机械特性也出色的化学吸附膜。
另外，本发明还提供一种器件的制造方法，其特征在于，含有前面的本发明中的化学吸附膜的形成方法。通过这种制造方法，由于使用本发明的化学吸附膜的形成方法，可以在需要的基材表面上迅速形成均匀且致密的化学吸附膜，所以，可以利用该化学吸附膜高精度地形成元件或布线等，同时还可以在制造器件中实现降低时间或成本的目的。作为这种器件制造方法，可以用于包括例如在基板上形成布线图案的工序的电路基板的制造，或包括在基板上使电容器或存储器元件的电极形成图案的工序的半导体装置的制造、包括有机功能层的层叠形成工序的电光学装置的制造等。
进而，本发明提供通过上述器件制造方法制造的器件。通过该结构，可以低价提供用上述制造方法获得的高质量的器件。
附图说明
图1是表示在实施方式中的化学吸附膜的截面结构图。
图2是表示同一实施方式中的形成工序的流程图。
图3是表示使用了气相法的化学吸附膜的形成装置的截面结构图。
图4是表示使用了液相法的化学吸附膜的形成装置的截面结构图。
图5是表示在实施例1中的静态接触角的测量结果的曲线图。
图6是表示实施方式中的布线图案的形成工序的截面工序图。
图7是表示液滴喷头的截面结构图。
图8是表示作为器件的一个例子的等离子显示装置的立体结构图。
图9是表示作为器件的一个例子的卡片介质的结构图。
图10A是例示便携式电话的立体结构图。
图10B是例示手表型电子机器的立体结构图。
图10C是例示文字处理机、个人电脑等便携式信息处理机器的立体结构图。
图中：10-基材，12-反应助剂(酸或碱)，15-化学吸附膜，15a-化学吸附剂，15b-化学吸附剂溶液，ST1-亲水处理工序，ST2-处理工序，ST3-成膜工序。
具体实施方式
下面，一边参照图面一边对本发明的实施方式进行说明，但本发明不被下面的实施方式或实施例所限定。
(化学吸附膜的形成方法)
图1是表示在基材表面上覆盖形成的本发明的化学吸附膜的截面结构图，图2是表示本实施方式的化学吸附膜的形成方法的流程图。
如图1所示，化学吸附膜15借助在基材10的表面附着的酸或碱构成的反应助剂12而在基材表面上覆盖形成。接着，如图2所示，这种化学吸附膜15的形成方法包括使基材10的表面亲水化的亲水处理工序ST1、在基材10表面附着酸或碱构成的反应助剂12的处理工序ST2、和在涂敷有反应助剂12的基材10上使化学吸附剂附着而形成化学吸附膜15的成膜工序ST3。
作为基材10，可以使用陶瓷、金属、树脂、半导体、木材、纤维等各种材料。作为使用这些材料的基材的具体形态，可以举出在各种器件制造中使用的基板、菜刀或切削工具等刀具、陶瓷器或餐具等容器、镜子、各种成型用的模制品、烹调工具、树脂制品、建材、石材等。
作为用于形成化学吸附膜15的化学吸附剂，可以例示在基材10表面借助共价键结合的有机化合物。即，可以将具有用下述式(1)表示的分子结构的物质用作化学吸附剂。在式(1)中，Y为吸附基，R1、R2表示有机基，X1表示水解基、-OR1、-OR2、-Cl、-OH等，R2表示碳原子数1～4的烷基，a为1～3的整数。
R1YX1 aR2 (3-a)…(I)
对上述吸附部位Y没有特别限定，优选从甲硅烷基(-Si≡)、钛氧基(-Ti≡)、甲锡烷基(-Sn≡)中选择1种以上。
例如，作为含有甲硅烷基的物质，可以举出硅烷醇基(-Si(OH)3)、三氯甲硅烷基(-SiCl3)、三乙氧基甲硅烷基(-Si(OCH2CH3)3)、三甲氧基甲硅烷基(-Si(OCH3)3)等。
其中，作为上述吸附部位Y和水解基X1、有机基R2的结构，也可以被含有硫醇基(-SH)、羟基(-OH)、氨基(-NH2)、磷酸基(-PO3H2)、羧基(-COOH)、磺酸基(-SO3H)、氯磷酸基(-PO2Cl2)、氯羧基(-COCl)、和氯磺酸基(-SO2Cl)等水解性基团的结构所取代。
构成式(1)的有机基R1，例如是烷基、链烯基、芳基、芳烷基等，在分子结构中含有的氢基也可以用氨基、羧基、羟基、硫醇基、氟原子等取代，可以在碳链中夹入-O-、-S-、-NH-、-N＝等异原子或苯等芳香族环。作为有机基R1的具体例子，可以举例为苯基、苄基、苯乙基、羟苯基、氯苯基、氨苯基、萘基、蒽基(anthracenyl group)、芘基、噻吩基、吡咯基、环己基、环己烯基、环戊基、环戊烯基、吡啶(pyridinyl)基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、十八烷基、正辛基、氯甲基、甲氧乙基、羟乙基、氨乙基、氰基、巯基丙基、乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧乙基(acryloxy ethyl group)、甲基丙烯酰氧乙基(methacryloxy ethyl group)、环氧丙氧基丙基、乙酰氧基等。X1的烷氧基或氯基，是用于形成Si-O-Si键等的官能团，通过加水水解而成为醇和酸脱离。作为烷氧基，可以举例为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。
在用上述式(1)表示的化合物中，优选含有甲硅烷基的硅烷化合物。如果举具体例子，可以举出二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、1-丙烯基甲基二氯硅烷、丙基二甲基氯硅烷、丙基甲基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、四癸基三氯硅烷、3-硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、对甲苯基二甲基氯硅烷、对甲苯基甲基二氯硅烷、对甲苯基三氯硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、对甲苯基三乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二异丙基二异丙氧基硅烷、二正丁基二正丁氧基硅烷、二仲丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、十八烷基甲基二乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基二甲基氯硅烷、十八烷基甲基二氯硅烷、十八烷基甲氧二氯硅烷、7-辛烯(octenyl)基二甲基氯硅烷、7-辛烯基三氯硅烷、7-辛烯基三甲氧硅烷、辛基甲基二氯硅烷、辛基二甲基氯硅烷、辛基三氯硅烷、10-十一碳烯基二甲基氯硅烷、十一碳烯基三氯硅烷、乙烯基二甲基氯硅烷、甲基十八烷基二甲氧基硅烷、甲基十二烷基二乙氧基硅烷、甲基十八烷基二甲氧基硅烷、甲基十八烷基二乙氧基硅烷、正辛基甲基二甲氧基硅烷、正辛基甲基二乙氧基硅烷、三十烷基二甲基氯硅烷、三十烷基三氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基异丙氧基硅烷、甲基正丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基三叔丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基异丙氧基硅烷、乙基正丁氧基硅烷、乙基三仲丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、十六碳烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧硅烷、正十二烷基三甲氧硅烷、正十八烷基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、十六碳烷基三乙氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三乙氧基硅烷、2-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、4-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、1，3-(三氯甲硅烷甲基)二十七碳烷、二苄基二甲氧基硅烷、二苄基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基甲基二甲氧基硅烷、苄基二甲基甲氧基硅烷、苄基二甲氧基硅烷、苄基二乙氧基硅烷、苄基甲基二乙氧基硅烷、苄基二甲基乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、二苄基二甲氧基硅烷、二苄基二乙氧基硅烷、3-乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、6-(氨己基氨丙基)三甲氧基硅烷、对氨苯基三甲氧基硅烷、对氨苯基乙氧基硅烷、间氨苯基三甲氧基硅烷、间氨苯基乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、苯并噁蓟素二甲酯(benzoxasilibindimethylester)、5-(双环庚烯基)三乙氧基硅烷、双(2-羟乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、8-溴辛基三甲氧基硅烷、溴苯基三甲氧基硅烷、3-溴丙基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、2-氯甲基三乙氧基硅烷、氯甲基甲基二乙氧基硅烷、氯甲基甲基二异丙氧基硅烷、对(氯甲基)苯基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、氯苯基三乙氧基硅烷、3-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、2-(4-氯磺酰基苯基)乙基三甲氧基硅烷、2-氰基乙基三乙氧基硅烷、2-氰基乙基三甲氧基硅烷、氰基甲基苯乙基三乙氧基硅烷、3-氰基丙基三乙氧基硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三乙氧基硅烷、3-环己烯基三氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基二甲基氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基甲基二氯硅烷、环己基二甲基氯硅烷、环己基乙基二甲氧基硅烷、环己基甲基二氯硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、(环己基甲基)三氯硅烷、环己基三氯硅烷、环己基三甲氧基硅烷、环辛基三氯硅烷、(4-环辛烯基)三氯硅烷、环戊基三氯硅烷、环戊基三甲氧基硅烷、1，1-二乙氧基-1-硅杂环戊-3-烯、3-(2，4-二硝基苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷、(二甲基氯甲硅烷基)甲基-7，7-二甲基降蒎烷、(环己基氨甲基)甲基二乙氧基硅烷、(3-环戊二烯基丙基)三乙氧基硅烷、N，N-二乙基-3-氨丙基)三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、(糠基氧甲基)三乙氧基硅烷、2-羟基-4-(3-三乙氧基丙氧基)二苯酮、3-(对甲氧苯基)丙基甲基二氯硅烷、3-(对甲氧苯基)丙基三氯硅烷、对(甲基苯乙基)甲基二氯硅烷、对(甲基苯乙基)三氯硅烷、对(甲基苯乙基)二甲基氯硅烷、3-吗啉基丙基三甲氧基硅烷、(3-环氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、1，2，3，4，7，7-六氯-6-甲基二乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、1，2，3，4，7，7-六氯-6-三乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、3-碘丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、(巯基甲基)甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基{2-(3-三甲氧基甲硅烷基丙氨基)乙氨基}-3-丙酸酯、7-辛烯基三甲氧基硅烷、R-N-α-苯乙基-N’-三乙氧基甲硅烷基丙脲、S-N-α-苯乙基-N’-三乙氧基甲硅烷基丙脲、苯乙基三甲氧基硅烷、苯乙基甲基二甲氧基硅烷、苯乙基二甲基甲氧基硅烷、苯乙基二甲氧基硅烷、苯乙基二乙氧基硅烷、苯乙基甲基二乙氧基硅烷、苯乙基二甲基乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、(3-苯丙基)二甲基氯硅烷、(3-苯丙基)甲基二氯硅烷、N-苯基氨丙基三甲氧基硅烷、N-(三乙氧基甲硅烷基丙基)丹磺酰胺、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、2-(三乙氧基甲硅烷基乙基)-5-(氯乙酰氧基)双环庚烷、(S)-N-三乙氧基甲硅烷基丙基-O-氨基甲酸薄荷醇酯(menthocarbamate)、3-(三乙氧基甲硅烷基丙基)对硝基苯甲酰胺、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基琥珀酸酐、N-[5-(三甲氧基甲硅烷基)-2-氮杂-1-氧代-戊基]己内酰胺、2-(三甲氧基甲硅烷基乙基)吡啶、N-(三甲氧基甲硅烷基乙基)苄基-N，N，N-三甲基铵氯化物、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、3-硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、(十三氟-1，1，2，2-四氢辛基)三乙氧基硅烷、N-{3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基}邻氨甲酰苯甲酸、(3，3，3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3，3，3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、1-三甲氧基甲硅烷-2-(氯甲基)苯基乙烷、2-(三甲氧基甲硅烷基)乙基苯基磺酰基叠氮化物、β-三甲氧基甲硅烷基乙基-2-吡啶、三甲氧基甲硅烷基丙基二亚乙基三胺、N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)吡咯、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三丁基铵溴化物、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三丁基铵氯化物、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三甲基铵氯化物、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、乙烯基甲基二氯硅烷、乙烯基苯基二氯硅烷、乙烯基苯基二乙氧基硅烷、乙烯基苯基二甲基硅烷、乙烯基苯基甲基氯硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基三叔丁氧基硅烷、金刚烷基乙基三氯硅烷、烯丙基苯基三氯硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、3-氨基苯氧基二甲基乙烯基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基二甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷、苄基三氯硅烷、苄基二甲基氯硅烷、苄基甲基二氯硅烷、苯乙基二异丙基氯硅烷、苯乙基三氯硅烷、苯乙基二甲基氯硅烷、苯乙基甲基二氯硅烷、5-(双环庚烯基)三氯硅烷、5-(双环庚烯基)三乙氧基硅烷、2-(双环庚烯基)二甲基氯硅烷、2-(双环庚烯基)三氯硅烷、1，4-双(三甲氧基甲硅烷基乙基)苯、溴苯基三氯硅烷、3-苯氧基丙基二甲基氯硅烷、3-苯氧基丙基三氯硅烷、叔丁基苯基氯硅烷、叔丁基苯基甲氧基硅烷、叔丁基苯基二氯硅烷、对(叔丁基)苯乙基二甲基氯硅烷、对(叔丁基)苯乙基三氯硅烷、1，3-(氯二甲基甲硅烷基甲基)二十七碳烷、((氯甲基)苯基乙基)二甲基氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)甲基二氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三甲氧基硅烷、氯苯基三氯硅烷、2-氰基乙基三氯硅烷、2-氰基乙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基三氯硅烷等，以及后述的氟化烷基硅烷。它们可以使用1种，还可以混合使用2种以上。
如果将上述硅烷化合物用于化学吸附剂，则基材表面的原子与硅烷化合物直径或间接地反应并结合。例如硅烷化合物的水解性基团的一部分水解生成的SiOH与表面的原子M(或者MOH等)发生反应，形成Si-O-M键。
另外，除了上述硅烷化合物以外，作为显示出疏液性这样明显的功能性的化学吸附剂，可以举出含氟烷基硅烷化合物。特别是在上述式(1)中，R1用全氟烷基结构(CnF2n+1)表示的基团，可以例示用(I)表示上述式(1)的化合物。式中，分别地，n表示从1到14的整数，m表示从2到6的整数，X1和R2以及a与前面相同。
CnF2n+1(CH2)mSiX1 aR2 (3-a)…(I)
更具体地，可以举出CF3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(O2C2H5)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H5)(OC2H5)2等。
另外，也可以举出R1是用全氟烷基醚结构(OCnF2n+1)表示的化合物。作为其具体例，可以例示如用下述通式(II)表示上述式(1)的化合物。式中，m表示从2到6的整数，p表示从1到4的整数，r表示从1到10的整数，X1和X2以及a与前面相同。
CpF2p+1O(CpF2pO)r(CH2)mSiX1 aX2 (3-a)…(II)
作为具体的化合物的例子，可以举出CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(C2H5)3、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H5)(OCH3)2等。
当在基材10上形成上述化学吸附膜15时，上述化学吸附剂可以为气相，也可以为液相。当通过气相提供上述化学吸附剂时，可以使用如图3所示的成膜装置。该成膜装置16具备密闭容器16a、在密闭容器16内收容的成膜物提供部16b和基材保持部16c而构成。然后，在成膜物提供部16b中储留上述化学吸附剂15a，同时在基板保持部16c上支撑基材10并且使密闭容器16a密闭，按照容器内的温度静置，由此化学吸附剂15a在基材10上成膜而成为化学吸附膜15。另外，通过对整个上述密闭容器16a进行加热，可以缩短在基材10上形成化学吸附膜15所需要的时间。本发明中的化学吸附膜的形成方法，是使进一步缩短静置时间成为可能的技术。
另一方面，在以液相提供上述化学吸附剂时，例如可以使用如图4所示的成膜装置。该成膜装置17具备浸渍槽17a，在该浸渍槽17a中储留含有化学吸附剂15a的溶液15b，在该溶液15b中浸渍基材10并保持规定时间，然后以规定速度提拉基材10，由此可以在基材10上形成化学吸附膜15。通过本发明中的形成方法，可以缩短使用这种装置时在浸渍槽17a的浸渍时间。
作为使用含有上述化学吸附剂15a的溶液15b来涂敷基材10时的溶媒，优选使用非水系的溶媒，其中更优选水份量少的溶媒。这是因为，防止水分引起的化学吸附剂15a的反应，并提高化学吸附剂15a的使用效率。作为这样的溶媒，可以使用如芳香族系溶媒、长链烷基系溶媒、脂环族烃系溶媒、含卤素溶媒等。
在反应助剂12中，可以使用促进化学吸附剂的水解反应的酸或碱。在上述酸中，可以使用盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、醋酸、碳酸、甲酸、安息香酸、亚氯酸、次氯酸、亚硫酸、次硫酸、亚硝酸、次硝酸、亚磷酸、次磷酸等质子酸。其中，优选盐酸、磷酸、醋酸。
另一方面，作为碱，可以例示为氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙等。优选为氢氧化钠、氢氧化钾。
为了通过本实施方式中的形成方法在基材10上形成化学吸附膜15，首先，使基材10的表面亲水化。亲水处理工序ST1是根据基材10的表面特性而适当进行的处理，例如在基材10的表面含有羟基、醛基、酮基、氨基、亚氨基、羧基等亲水基的情况下，可以省略亲水处理工序ST1。作为亲水处理的具体例，可以例示为臭氧氧化处理、等离子处理、电晕处理、紫外线照射处理、电子射线照射处理、酸处理、碱处理等。
接着，通过处理工序ST2在基材10表面涂布反应助剂12。在该处理工序ST2中，将上述的反应助剂或反应助剂溶液涂布于基材10的表面。作为涂布方法，可以采用例如浸渗涂敷法、气动刮涂法、刮涂法、喷涂法、棒涂法、杆涂(rod coating)法、辊涂法、照相凹版涂敷法、施胶压榨(sizepress)法、旋涂法、液滴喷出法、网格印刷法等各种方法。
接着，在附着有反应助剂12的基材10的表面上附着化学吸附剂。在该成膜工序ST3中，通过气相法或液相法将上述的化学吸附剂提供给基材10表面，使其与基材表面10结合。这里，在本实施方式中，由于在被提供化学吸附剂的基材10表面上附着有酸或碱构成的反应助剂12，所以促进化学吸附剂的水解反应，使其迅速与基材10表面结合。
如此通过本发明的化学吸附膜的形成方法，在基材10的表面有酸或碱附着的状态下，使化学吸附剂与基材接触，由此可以迅速地在基材10的表面上形成膜质均匀的化学吸附膜15。
另外，在本发明中，在提供吸附剂之前使或碱附着在基材侧，所以可以在不使化学吸附剂劣化的情况下有效使用。也就是说，如果使成膜工序ST3中使用的化学吸附剂的溶液等中含有酸或碱，在酸或碱的存在下进行化学吸附剂的水解反应，能够附着在基材10上的化学吸附剂的量减少，使处理时间延长。另外，这样有可能降低化学吸附剂的使用效率且造成成本升高，而在本发明中不会发生这样的问题。
[实施例]
下面，通过实施例进一步对本发明进行详细说明，同时明确其效果。
(实施例1)
准备十七氟-1，1，2，2-四氢三甲氧基硅烷(后面称为FAS-17)作为化学吸附剂，准备滑动玻璃基板作为基材。
接着，向滑动玻璃基板的表面照射紫外线(波长172nm)并进行清洗，以除去基板表面的有机杂质，同时在基板表面上形成硅烷醇基(Si-OH)，进行该表面的亲水化。
接着，使用旋涂法在已亲水化的滑动玻璃基板上涂布10wt％的盐酸水溶液。涂布条件为基板转速2000rpm、涂布时间1分钟。
接着，在聚四氟化乙烯制的可以密闭的容器中，收容将2μl的上述FAS-17放入到10ml样品瓶中后的样品瓶、和进行亲水处理后的滑动玻璃基板，并密闭，将该容器静置于加热到120℃的电炉内。
另外，按照上述步骤，改变通过电炉的加热时间，制作多个样品。
接着，为了进行比较，除了不进行旋涂盐酸水溶液的工序以外，与上述工序一样，在滑动玻璃基板上形成化学吸附膜。关于该比较样品，也改变通过电炉的加热时间，制作多个样品。
关于经过上述获得的多个样品，测量相对基材表面的水的静态接触角。使得到的接触角与电炉的加热时间对应，画成的曲线图如图5所示。图5所示的“有酸处理”的曲线，表示已进行上述盐酸涂布的样品的测量结果，“无酸处理”的曲线，表示未进行上述盐酸涂布的样品的测量结果。从曲线图可知，通过在涂布化学吸附剂之前将盐酸涂布在滑动玻璃基板的表面上，可以大幅度缩短化学吸附膜的成膜时间。例如为了得到接触角超过100°的化学吸附膜，在“无酸处理”的情况下，需要45分钟左右时间，与此相对，在“有酸处理”的情况下，需要不到10分钟时间，可知能显著改善化学吸附剂的附着性。
另外，使用本发明的形成方法的样品的化学吸附膜，即使进行剥离试验也不剥离。该化学吸附膜与基板表面形成硅氧烷键，在机械强度方面也出色。另外，将形成化学吸附膜后的基板浸渍于酸、碱、有机溶剂等中，评价溶剂耐受性，在任何条件下都没有观察到化学吸附膜的改变，化学性质极为稳定。
(实施例2)
准备十八碳烷基三乙氧基硅烷(后面称为ODS)作为化学吸附剂，准备石英玻璃基板作为基材。
接着，使用臭氧清洗机清洗石英玻璃基板的表面。臭氧清洗机是照射紫外线(波长为254nm和波长185nm的紫外线)而在空气中产生臭氧，利用臭氧的活性进行对象物(除去基板表面的有机杂质)的清洗的装置。还有，通过该臭氧清洗，在石英玻璃基板表面上形成硅烷醇基(Si-OH)而使其亲水化。
接着，将已亲水化的石英玻璃基板浸渍于35wt％的盐酸水溶液中10秒钟。接着，向取出的石英玻璃基板吹干燥空气(dry air)，进行干燥。
接着，通过将上述石英玻璃基板浸渍于1wt％的ODS/甲苯溶液中并静置，在石英玻璃基板上形成由ODS构成的化学吸附膜。
另外，按照上述步骤，改变在ODS/甲苯溶液中的浸渍时间，制作多个样品。
另外，为了进行比较，除了不进行浸渍于上述盐酸水溶液中的工序以外，与上述步骤一样，制作多个样品。
对于通过上述过程获得的多个样品，以与实施例1同样的方法测量静态接触角。其结果是，进行了将其浸渍于盐酸水溶液中的工序的样品，与省略了该同一工序的样品相比，即使在ODS/甲苯溶液中的浸渍时间相同，也可以得到大的静态接触角。这样，如果在形成化学吸附膜之前进行酸处理，可以明显改善化学吸附剂向基板表面的附着性，并可以在短时间内高效率地形成化学吸附膜。
另外，使用本发明的形成方法的样品的化学吸附膜，即使进行剥离试验也不剥离。该化学吸附膜与基板表面形成硅氧烷键，在机械强度方面也出色。另外，将形成化学吸附膜后的基板浸渍于酸、碱、有机溶剂等中，评价溶剂耐受性，在任何条件下都没有观察到化学吸附膜的改变，化学性质极为稳定。
(实施例3)
准备苯基三甲氧基硅烷(后面称为PTS)作为化学吸附剂，准备PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜作为基材。
接着，通过氧等离子处理清洗PET薄膜的表面，除去薄膜表面的有机杂质，同时在基板表面形成羟基(-OH)或羧基(-COOH)，对该表面进行亲水化处理。
接着，利用喷涂法在已亲水化的PET薄膜上涂布5wt％的氢氧化钠水溶液。
接着，在聚四氟化乙烯制的可以密闭的容器中，收容将2μl的上述PTS放入到10ml样品瓶中后的样品瓶、和进行亲水处理后的PET薄膜，并密闭，将该容器静置于加热到120℃的电炉内。
另外，按照上述步骤，改变通过电炉的加热时间，制作多个样品。
接着，为了进行比较，除了不进行喷涂氢氧化钠水溶液的工序以外，与上述工序一样，在PET薄膜上形成化学吸附膜(PTS)。对于该比较样品，也改变通过电炉的加热时间，制作多个样品。
关于通过上述工序获得的各样品，以与实施例1同样的方法测量静态接触角。其结果是，进行了将其浸渍于氢氧化钠水溶液中的工序的样品，与省略了该同一工序的样品相比，即使通过电炉的加热时间相同，也可以得到大的静态接触角。这样，如果在形成化学吸附膜之前进行碱处理，可以明显改善化学吸附剂向基板表面的附着性，在短时间内高效率地形成化学吸附膜。
另外，使用本发明的形成方法的样品的化学吸附膜，即使进行剥离试验也不剥离。该化学吸附膜与基板表面形成共价键，在机械强度方面也出色。另外，将形成化学吸附膜后的基板浸渍于酸、碱、有机溶剂等中，评价溶剂耐受性，在任何条件下都没有观察到化学吸附膜的改变，化学性质极为稳定。
(器件的制造方法)
接着，对包括前面的实施方式的化学吸附膜的形成方法的器件制造方法的实施例进行说明。下面，作为器件制造方法的一个例子，举出使用了液相法的布线图案的形成方法，进行说明。
<布线图案的形成方法>
图6是表示利用了通过上述实施方式的形成方法得到的化学吸附膜的薄膜图案的形成方法的截面工序图。在本实施例中，在将布线图案形成用材料配置于基材10上时，使用喷出包含布线图案形成用材料的功能液的液滴的液滴喷出法(喷墨法)。在液滴喷出法中，在基材10上对向配置喷头，将含有布线图案形成用材料的功能液的液滴从喷头喷出到规定的区域而进行配置。
在这里，图7是用于说明通过压电方式的功能液(液体材料)的喷出原理的图。在图7中，喷头20具备收容功能液(含有布线图案形成用材料的液体材料)的液体室21和与该液体室21相邻设置的压电元件22。借助含有收容功能液的材料容器的供给系统23，向液体室21提供功能液。压电元件22与驱动电路24连接，借助该驱动电路24向压电元件22施加电压而使压电元件22变形，由此使液体室21变形，将功能液从喷嘴25喷出。在这种情况下，通过改变施加电压的值，来控制压电元件22的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，控制压电元件22的变形速度。因为通过压电方式的液滴喷出不给材料加热，所以具有难以影响材料组成的优点。
作为上述液滴喷出法中的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电热转换方式、静电吸引方式、电机械转换方式等。带电控制方式是通过带电电极向材料赋予电荷并通过偏转电极控制材料的飞行方向而从喷嘴喷出的方式。另外，加压振动方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高压而在喷嘴顶端侧喷出材料的方式，在不施加制电压的情况下，材料直线前进而从喷嘴喷出，当施加控制电压时，在材料间产生静电性排斥，材料分散而不从喷嘴喷出。另外，电热转换方式是通过设置在储留材料的空间内的加热器使材料剧烈气化并产生气泡(泡)、利用气泡的压力喷出空间内的材料的方式。静电吸引方式是向储留材料的空间施加微小压力并在喷嘴使材料形成新月形、在该状态下施加静电引力后将材料引出的方式。电机械转换方式是利用压电元件(piezo-electric element)接受脉冲电信号时会变形的性质的方式，是通过压电元件变形而借助挠性物质向储留材料的空间施加压力而从该空间挤出材料并从喷嘴喷出的方式。另外，也可以使用利用通过电场使流体的粘性发生变化的方式、或通过放电火花使其分散的方式等技术。液滴喷出法具有减少材料使用的浪费而且可以将需要量的材料准确地配置于需要的位置上的优点。还有，通过液滴喷出法喷出的液体材料的一滴的量例如为1～300纳克。
下面，对形成布线图案的步骤进行说明。
首先，如图6(a)所示，在基材10的表面上形成化学吸附膜15。该化学吸附膜15是使用前面所述的本发明的形成方法并经过工序ST1～ST3形成的。另外，在本实施例中，通过化学吸附膜15向基材10的表面赋予疏液性。因而，化学吸附膜15是由例如氟化烷基硅烷构成的自我组织化膜。
接着，如图(6)所示，通过从光源11向化学吸附膜15照射光，部分地除去化学吸附膜15。作为除去化学吸附膜15的一部分的方法，可以举例为向上述化学吸附膜中想要除去的部位照射紫外线或Ne-He激光、Ar激光、CO2激光、红宝石激光、半导体激光、YAG激光、玻璃激光、YVO4激光、激元激光等各种激光的方法。
通过该除去工序，在基材10的表面上形成相对在后面的工序中所涂布的液体材料具有疏液性的疏液区域(化学吸附膜15的形成区域)和具有亲液性的亲液区域(除去化学吸附膜15的区域)15d。
接着，如图6(c)所示，使用喷头20，进行将含有布线图案形成用材料的液体材料的液滴配置于基材10上的亲液区域15d的材料配置工序。
在这里，使用有机银化合物作为构成布线图案形成用材料的导电性材料，使用二甘醇二乙醚作为溶媒(分散介质)，喷出含有该有机银化合物的功能液。
如图7所示，在该材料配置工序中，将含有布线图案形成用材料的液体材料以液滴的形式从喷头20喷出。如图6(d)所示，喷出的液滴配置于基材10的亲液区域15d。此时，亲液区域15d的周围被具有疏液性的化学吸附膜15包围，所以可以阻止液滴润湿扩散到亲液区域15d以外的区域。另外，通过化学吸附膜15的疏液性，使得喷出的液滴的一部分即使到了化学吸附膜15上也会流落亲液区域15d。进而，在露出基材10的亲液区域15d中，通过其亲液性，使喷出的液滴顺利地在亲液区域15d内润湿扩散，其结果是均匀地配置在该区域。
还有，作为布线图案形成用液体材料，也可以使用将导电性微粒分散到分散介质的分散液。作为导电性微粒，例如，除了可以使用含有金、银、铜、铝、钯、和镍中的至少某1种的金属微粒以外，还可以使用它们的氧化物以及导电性聚合物或超导体的微粒等。作为分散介质，只要是可以分散上述导电性微粒的物质、不引起颗粒的凝聚的物质，就没有特别限定。例如，除了水以外，可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基苯甲烷(cymene)、杜烯(durene)、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃系化合物，另外还有乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二氧杂环乙烷等醚系化合物，进而还有碳酸丙二酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒的分散性和分散液的稳定性或应用于液滴喷出法的容易程度的观点来看，优选水、醇类、烃系化合物、醚系化合物，作为更优选的分散介质，可以举出水、烃系化合物。
在材料配置工序(液滴喷出工序)之后，进行烧成工序。通过对含有导电性材料的液体材料L进行烧成处理，如图6(e)所示，使液体材料L干燥、固化并在基材10上形成固体的布线图案F，显示出导电性。特别是在使用了有机银化合物时，进行烧成处理除去其有机成分而使银颗粒残留，由此显示导电性。为此，对材料配置工序后的基材10实施热处理和光处理中的至少一种作为烧成处理。热处理、光处理通常在大气中进行，根据需要，也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体环境中进行。热处理、光处理的处理温度可以根据溶媒的沸点(蒸气压)、环境气体的种类或压力、微粒的分散性或有机银化合物、氧化性等热作用、涂层材料的有无或量、基材的耐热温度等适宜确定。例如，为了除去有机银化合物的有机成分，有必要在约200℃下进行烧成。另外，在将塑料等用于基材的情况下，优选在室温以上100℃以下进行。
如此，如果是包括本发明的化学吸附膜的形成方法的的器件制造方法，由于可以将形成有机械特性出色且致密并具有均匀的厚度的化学吸附膜的基材，提供到器件制造中，所以可以将液体材料L准确地配置于希望的区域(亲液区域15d)，可以形成线宽精度出色的布线图案。另外，通过本发明，由于化学吸附膜15形成致密且均匀的膜，所以可以提高亲液区域与疏液区域之间的表面特性的对比度，因而，可以很容易地与微细布线图案的形成对应。
另外，如前面所述，通过本发明可以在短时间内形成化学吸附膜15，所以有助于缩短器件制造所需要的时间，可以实现制造效率的提高和制造成本的降低。
还有，在材料配置工序之后，进行中间干燥工序(或烧成工序)而除去基材10上的液体材料L的分散介质的一部分或全部，然后，可以进而在其上喷出液体材料L而形成布线图案。在这种情况下，通过多次反复交替进行上述材料配置工序和中间干燥工序(烧成工序)，可以在亲液区域15d以需要的厚度层叠布线图案形成用材料。
<器件>
下面，对可以应用上述布线图案的形成方法的器件的实施例进行说明。
[等离子型显示装置]
首先，作为一个实施例，对等离子型显示装置(电光学装置)进行说明。
图8是表示本实施例的等离子型显示装置500的分解立体图。
等离子型显示装置500包括彼此相对配置的基板501、502以及在它们之间形成的放电显示部510而构成。
放电显示部510是多个放电室516集合而成的。在多个放电室516中，红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)这3个放电室516成为一组并以构成1个像素的方式配置。
在基板501的上面以规定的间隔并以条带状形成地址电极511，以覆盖地址电极511和基板501的上面的方式形成电介质层519。
在电介质层519上，以位于地址电极511、511之间且沿着各地址电极511的方式形成隔壁515。隔壁515包括与地址电极511的宽度方向左右两侧相邻的隔壁和在与地址电极511正交的方向上延伸设置的隔壁。另外，对应通过隔壁515分割的长方形状的区域，形成放电室516。
另外，在通过隔壁515划分的长方形状的区域内侧配置有荧光体517。荧光体517发出红、绿、蓝任意荧光的光，在红色放电室516(R)的底部配置有红色荧光体517(R)，在绿色放电室516(G)的底部配置有绿色荧光体517(G)，在蓝色放电室516(B)的底部配置有蓝色荧光体517(B)。
另一方面，在基材502上，在与前面的地址电极511正交的方向上以条带状、规定的间隔形成有多个显示电极512。进而，以覆盖它们的方式形成由电介质层513和MgO等构成的保护膜514。
基板501和基板502以使上述地址电极511…与显示电极512…以彼此正交的方式对向配置并彼此贴合。
上述地址电极511和显示电极512与未图示的交流电源连接。通过向各电极通电，在放电显示部510中荧光体517被激发发光，可以显示颜色。
在本实施例中，上述地址电极511和显示电极512是分别通过上述的器件制造方法(布线图案形成方法)形成，所以以良好的线宽精度形成电极，而成为提高了电特性的高质量的等离子型显示装置。
还有，作为本发明中的器件(电光学装置)，除了上述以外，通过对在基板上形成的小面积的薄膜通与膜面平行的电流，也可以应用于利用不产生电子发射的现象的表面传导型电子发射元件等中。另外，当然液可以应用于液晶显示装置或有机电致发光装置等电光学装置中。
[卡片介质]
接着，作为可以应用上述布线图案的形成方法的器件，对非接触型卡片介质的实施例进行说明。如图9所示，关于本实施例中的非接触型卡片介质400，在由卡片基体402和卡片盖418构成的框体内内置半导体集成电路芯片408和天线电路412，通过未图示的外部收发机和电磁波或静电电容结合的至少一种，进行供电或者数据收发的至少一种。
在本实施例中，上述天线电路412通过上述实施例中的器件制造方法形成。接着，通过本实施例的非接触型卡片介质，可以获得工序数少且接触角均匀且线宽精度得到提高的高质量的非接触型卡片介质。
[电子机器]
上述实施例的各器件可以搭载于电子机器等上使用。下面，表示具体例。图10(A)是表示便携式电话的一个例子的立体图。在图10(A)中，1000表示便携式电话主体，1001表示具备上述实施例的显示器件的显示部。图10(C)是表示字处理器、个人电脑等便携型信息处理装置的一个例子的立体图。在图10(C)中，1200表示信息处理装置，1202表示键盘等输入部，1204表示信息处理主体，1206表示具备上述实施例的显示器件的显示部。图10(B)是表示手表型电子机器的一个例子的立体图。
在图10(B)中，1100表示时钟主体，1101表示具备上述实施例的显示器件的显示部。
在图10(A)～(C)中表示的电子机器，由于具备上述实施例的显示器件，所以使小型化、薄型化以及高质量化成为可能。
还有，作为上述显示器件，不只应用于等离子型显示装置，还可以应用于液晶显示装置、有机电致发光显示装置、电子发射型显示装置等的任意一种。

Claims (4)

1.一种化学吸附膜的形成方法，是在基材表面上形成化学吸附膜的方法，其特征在于，包括：
在所述基材表面形成亲水基的亲水处理工序，
在所述亲水处理后的基材表面上附着酸或碱的处理工序，和
使所述处理工序后的基材与在末端具有与亲水基反应的官能团的化学吸附剂接触而在所述基材表面附着化学吸附剂的成膜工序。
2.根据权利要求1所述的化学吸附膜的形成方法，其特征在于，
所述成膜工序是将所述基材浸渍于化学吸附剂溶液中的工序。
3.根据权利要求1所述的化学吸附膜的形成方法，其特征在于，
所述成膜工序是使所述基材表面接触化学吸附剂的蒸气的工序。
4.根据权利要求1所述的化学吸附膜的形成方法，其特征在于，
所述化学吸附剂是在其分子末端具有从-SiX、-TiX、和-SnX中选择的1种以上的物质，其中所述X基为卤基或烷氧基。
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