CN100421132C - 具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器。该红外线遥控接收器包括一个光二极管，用来将一个光信号转换成一个电信号；一个半导体信号处理装置，用来从光二极管接收电信号，消除从光二极管所输出的电信号中的噪声成分，并且产生对应于从一个遥控传输装置所传送的遥控信号的一个脉冲信号；和一个微电脑，用来接收来自半导体信号处理装置的脉冲信号，并且藉由译码所接收到的脉冲信号，依照遥控传输装置的使用者的指示；执行一个遥控动作，其中该半导体信号处理装置是使用CMOS装置制造工艺所制造。

Description

具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器

技术领域

本发明涉及一种红外线遥控接收器(infrared remote controlreceiver，以下简称IRCR)，尤其是涉及一种具有半导体信号处理装置的，采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，以下简称CMOS)制造工艺制造的红外线遥控接收器。

背景技术

红外线遥控接收器(IRCR)包括一个其中具有放大器的半导体信号处理装置。这种放大器的降噪特性是决定红外线遥控接收器灵敏度的重要因素。习知的红外线遥控接收器的半导体信号处理装置中的放大器，一般是使用双极结晶体管(bipolar junction transistor，简称BJT)制造工艺，或是双极互补金属氧化物半导体(bipolarcomplementary metal oxide semiconductor，简称BiCMOS)制造工艺所制造，以获得极佳的降噪特性。使用BJT制造工艺制造，具有放大器的半导体信号处理装置具有极佳的降噪特性，但是对于调整小于1nA的小电流而言，却是相当不利的。另外，在半导体信号处理装置中的放大器必须具有一个大电容，以稳定地处理具有数十个KHz信号波段的信号。所以当使用BJT制造工艺制造这种具有放大器的半导体信号处理装置时，半导体信号处理装置会在芯片中占据很大的面积，并且消耗很大的功率。因此，这种信号处理装置具有很大的芯片尺寸。此外，电性连接到红外线遥控接收器中的信号处理装置的微电脑，主要是由CMOS制造工艺所制造。因为制造工艺并不兼容，所以很难将主要由CMOS制造工艺所制造的微电脑，和设计由BJT制造工艺所制造的信号处理装置，整合到一个单一的芯片中。

此外，在习知的红外线遥控接收器的半导体信号处理装置中的包络线信号(envelope signal)检测电路，一般会检测同一方向也就是正方向(positive direction)或负方向(negative direction)的包络线信号。然而，为了提升信号检测效率，需要双向检测的差分包络线信号(differential envelope signals)。为了可以双向检测包络线信号，需要使用两个包络线信号检测电路，因此使得这种半导体信号处理装置的架构变得更为复杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器(IRCR)。其中该半导体信号处理装置是采用CMOS制造工艺制造，并且具有极佳的降噪特性。

本发明的另一目的是提供一种具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器。其中该半导体信号处理装置在超出可容范围的外部信号输入时，仍然可以稳定地放大信号。

本发明的另一目的是提供一种具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器。其中该半导体信号处理装置包括一个具有较高的包络线信号检测效率的包络线信号检测电路。

本发明的另一目的是提供一种具有半导体信号处理装置的红外线遥控接收器。其中该半导体信号处理装置即使在输入一个低电压信号时，也可以稳定地产生脉冲信号。

为实现本发明，本发明提供的红外线遥控接收器包括一个光二极管(photo diode)，用来将一个光信号转换成一个电信号；一个半导体信号处理装置，用来从光二极管接收电信号，消除从光二极管所输出的电信号的噪声成分，以及产生对应于从遥控传输装置所传送的遥控信号的一个脉冲信号；和一个微电脑，用来从半导体信号处理装置接收脉冲信号，并且藉由译码所接收到的脉冲信号，依据遥控传输装置的使用者指示，执行遥控动作。其中，半导体信号处理装置只由CMOS制造工艺所制造。

半导体信号处理装置最好可以包括(a)一个放大器，用来接收光二极管的输出，和放大所接收到的输出信号；(b)一个可变增益放大器(variable gain amplifier)，用来接收放大器的输出，和以不同的增益，放大从放大器所接收到的输出信号中的噪声成分和原始信号成分；(c)一个滤波器(filter)，用来通过可变增益放大器电路输出信号的载波频率成分；(d)一个包络线信号检测电路，用来从滤波器的输出提取包络线信号；(e)一个磁滞比较器(hysteresis comparator)，用来比较从包络线信号检测电路所输出的包络线信号，并且产生对应于遥控信号的脉冲信号；以及(f)一个自动增益控制器，用来接收包络线信号检测电路的输出，将具有原始信号成分的信号，和具有噪声成分的信号，分别传送到可变增益放大器电路。

放大器最好可以包括(a)一个第一电容器，具有用来接收光二极管输出信号的第一端，和连接到第一节点的第二端；(b)一个第二电容器，具有用来接收参考电压的第一端，和连接到第二节点的第二端；(c)一个第一运算放大器(operational amplifier)，具有连接到第一节点的第一输入端，连接到第二节点的第二输入端，和用来接收共通模式反馈信号(common mode feed back signal)的第三输入端，其中该第一运算放大器将输入到第一输入端的一个高频信号，和输入到第四二输入端一个参考信号之间差异的信号放大，产生第一输出信号和第二输出信号，并且分别将第一和第二输出信号，传送到第三节点和第四节点；(d)一个共通模式反馈电路，用来从第三节点和第四节点，分别接收第一运算放大器的第一输出信号和第二输出信号，产生共通模式反馈信号，并且将共通模式反馈信号，传送到第一运算放大器的第三输入端；(e)一个第三电容器，连接在第一节点和第三节点之间；(f)一个第一MOS晶体管，并列连接到第三电容器，并且由一预定电压所控制；(g)一个第四电容器，连接在第二节点和第四节点之间；以及(h)一个第二MOS晶体管，并列连接到第四电容器，并且由一预定电压所控制。

放大器最好可以包括(a)一个第六电容器，具有用来接收光二极管输出信号的第一端，和连接到第三节点的第二端；(b)一个第七电容器，具有用来接收参考电压的第一端，和连接到第四节点的第二端；(c)一个第一运算放大器，用来放大一个高频信号和一个参考信号，产生第一输出信号和第二输出信号，并且分别将第一和第二输出信号，传送到第五节点和第六节点，该第一运送放大器具有连接到第三节点的第一输入端，连接到第四节点的第二输入端，和用来接收共通模式反馈信号的第三输入端；(d)一个共通模式反馈电路，用来从第五节点接收第一运算放大器的第一输出信号，从第六节点接收第一运算放大器的第二输出信号，产生共通模式反馈信号，并且将共通模式反馈信号，传送到第一运算放大器的第三输入端；(e)一个第八电容器，连接到第三节点和第五节点；(f)一个互导单元(gm cell)，具有连接到第五节点的第一输入端，连接到第六节点的第二输入端，连接到第三节点的第一输出端，和连接到第四节点的第二输出端；以及(g)一个第九电容器，连接在第四节点和第六节点之间。

为了能够更清楚了解本发明的上述及其它的目的、特征、和优越效果，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

第1图表示一个根据本发明的一个红外线遥控接收器的方框图。

第2图表示一个根据本发明的一个实施例的红外线遥控接收器中的半导体信号处理装置的电路图，其中该半导体信号处理装置包括一个具有MOS开关的高通放大器。

第3图表示一个根据本发明另一实施例的红外线遥控接收器中的半导体信号处理装置的电路图，其中该半导体信号处理装置包括一个具有MOS开关和直流电位调整电路的高通放大器。

第4图表示一个用在根据本发明的半导体信号处理装置的高通放大器中的一个运算放大器的电路图。

第5图表示一个根据本发明的半导体信号处理装置的共通模式反馈电路。

第6图表示一个根据本发明再另一实施例的红外线遥控接收器中的半导体信号处理装置的电路图，其中该半导体信号处理装置包括具有采用互导(gm)单元的一个高通放大器。

第7图表示一个根据本发明再另一实施例的红外线遥控接收器中的半导体信号处理装置的电路图，其中该半导体信号处理装置包括一个具有直流电位调整电路和互导(gm)单元的高通放大器。

第8图表示一个在第6图和第7图所示的高通放大器中的互导(gm)单元的电路图。

第9图表示一个根据本发明的第一范例的一个包络线信号检测电路的电路图。

第10图表示第9图中所示的信号的波形。

第11图表示一个根据本发明的第二范例的一个包络线信号检测电路的电路图。

第12图表示第3图中所示的信号的波形。

附图标记说明：

10：半导体信号处理装置

20：光二极管

30：微电脑

100：放大器

110：高通放大器

111：运算放大器

120：共通模式反馈电路

121：共通模式信号产生器

122：共通模式放大器

130：直流电位调整电路

131：运算放大器

142：互导(gm)单元

200：可变增益放大器

300：滤波器

400：包络线信号检测电路

500：自动增益控制器

600：磁滞比较器

700：微调电路

810：共通模式反馈电路

910：高通放大器

912：运算放大器

920：包络线信号提取单元

922：运算放大器

930：比较器

940：第二包络线信号提取单元

942：运算放大器

实施方式：

2002年12月30日入档编号为2002-87413的，标题为“具有设计来只适用于CMOS处理之半导体信号处理装置之红外线遥控接收器”的韩国专利申请案，在此被全体并入参考。

以下将参考本发明较佳实施例及其附图，详细说明本发明。在所有附图中，相同的号码代表相同的组件。

第1图表示一个根据本发明的一个红外线遥控接收器。

请参考第1图，红外线遥控接收器包括一个光二极管20，用来将一个光信号转换成一个电信号；一个半导体信号处理装置10，用来消除从光二极管所输出的电信号的噪声成分，并且产生一个对应于从一个遥控传输系统所传送的遥控信号的脉冲信号；以及一个微电脑30，藉由接收和译码来自半导体信号处理装置10的脉冲信号，执行使用者所指示的遥控动作。

半导体信号处理装置10包括一个放大器100，用来接收来自光二极管20的信号，和放大所接收到的信号；一个可变增益放大器200，对原始信号成分和噪声成分用不同的增益放大从放大器100所输出的放大信号；一个滤波器300，接收可变增益放大器200的输出，并且只传送在可变增益放大器200所接收到的输出信号中的载波频率成分；一个包络线信号检测电路400，从滤波器300的输出信号中，提取包络线信号；一个磁滞比较器600，接收从包络线信号检测电路400所输出的包络线信号，将所接收到的包络线信号互相比较，并且产生一个对应于遥控信号的脉冲信号；一个自动增益控制器500，接收包络线信号检测电路400的输出，并且将在包络线信号检测电路400的输出信号中的原始信号成分所组成的信号，和噪声成分所组成的信号，传送到可变增益放大器200；以及一个微调电路(trimming circuit)700，接收来自半导体遥控接收器10的一个外部端的一个高电流信号，并且调整滤波器300的中心频率。

以下将说明第1图所示的红外线遥控接收器的详细动作。

从遥控信号传输装置(未表示)所传送的一个遥控信号，也就是一个光信号，会由在遥控接收器中的光二极管20接收，并且由光二极管20转换成一个电信号。放大器100放大从光二极管20所输出的电信号，放大后的信号接下来传送到可变增益放大器电路200，在其中分别以不同的增益，对放大后信号中的信号成分(原始信号)和噪声成分(噪声信号)放大。滤波器300过滤从可变增益放大器电路200所输出的信号，以使得只有载波频率成分会通过滤波器300，而其它成分则会被阻隔。滤波器300的输出接下来会输入到一个包络线信号检测电路400，在其中包络线信号会被提取出来。所提取的包络线信号接下来被输入到一个磁滞比较器600，在其中包络线信号会互相比较，并且从中产生一个对应于遥控信号的脉冲信号。从磁滞比较器600所输出的脉冲信号，接下来被输入到一个自动增益控制器500，自动增益控制器500控制可变增益放大器电路200，使其分开调整原始信号和噪声信号的增益。从磁滞比较器600所输出的脉冲信号DOUT，接下来会被传送到微电脑30。微电脑30藉由接收来自半导体信号处理装置10的遥控信号，依照使用者的指示执行遥控动作。接下来，微调电路700接收来自半导体信号处理装置10外部接脚的一个高电流信号，并且藉由使用熔合(fusing)或齐纳击穿(Zener zapping)法，调整构成微调电路700的电阻，进而调整滤波器300的中心频率。

第2图表示一个第1图中所示的半导体信号处理装置的放大器，其中该半导体信号处理装置具有一个设计来使用MOS开关的高通放大器。该放大器包括一个高通放大器110和一个共通模式反馈电路120。该放大器更加包括一个电容器C2，该电容器C2具有一个施加一个光二极管电压信号SPD的第一端，和一个连接到节点N3的第二端；以及一个电容器C3，该电容器C3具有一个施加一个参考电压VREF1的第一端，和一个连接到节点N4的第二端。该放大器更加包括一个运算放大器111，该运算放大器111具有一个连接到节点N3的第一输入端，一个连接到节点N4的第二输入端，和一个用来接收一个共通模式反馈信号CMFBO的第三输入端。运算放大器111放大输入到第一输入端的一个高频信号POI N1和输入到第二输入端的一个参考信号OPIN2之间差异的信号，产生一个第一输出信号POUT1和一个第二输出信号OPOU2，并且将第一和第二输出信号OPOUT1和OPOUT2，分别输出到节点N5和N6。该放大器更加包括一个共通模式反馈电路120，用来分别从节点N5和N6，接收运算放大器111的第一和第二输出信号OPOUT1和OPOUT2，产生共通模式反馈信号CMFBO，并且将其传送到运算放大器111的第三输入端；一个第一电容-晶体管组合电路，由在节点N3和节点N5之间互相并联的一个电容器C4和一个MOS晶体管NM1所组成；以及一个第二电容-晶体管组合电路，由在节点N4和节点N6之间互相并联的一个电容器C5和一个MOS晶体管NM2所组成，其中一个预定电压VCR1，会共同施加到MOS晶体管NM1和NM2的闸极电极上。

以下将说明第2图中所示的放大器的动作。

第2图所示的放大器被当成一个高通滤波器，和一个用来放大光二极管电压信号SPD的放大器使用。NMOS晶体管NM1，NM2具有其各自的闸极，在其上施加有一预定电压信号VCR1，并且当成在线性区工作的电阻使用。NMOS晶体管NM1，NM2具有相同的大小。此外，电容器C2和C4的电容值，分别与电容器C3和C5的电容值相同。放大器100的增益是由电容器C2和电容器C4的电容值比值决定。如果NMOS晶体管NM1，NM2具有相同的电阻值RM，则高通频率是由NMOS晶体管NM1，NM2的电阻值RM和电容器C2和C4决定。共通模式反馈电路120接收运算放大器111的第一和第二输出信号OPOUT1和OPOUT2，并且产生共通模式反馈信号CMFBO。以下将说明具有传输特性的放大器100。

假设”SPD”代表光二极管电压信号，”s”代表复数运算子，流经电容器C2的电流I_C2则是得自复数运算子乘上电容器C2的电容值，再乘上光二极管电压信号SPD的结果。换句话说，L_C2＝s×C2×SPD。此外，输出电压信号OPOUT1的电压可以用下列公式表示：

$\mathrm{OPOUT}1=\frac{\mathrm{RM}}{1+s\×\mathrm{RM}\×C4}\×s\×C2\×\mathrm{SPD}$

因此，放大器100的增益G可以得自下列公式：

$G=\frac{\mathrm{OPOUT}1}{\mathrm{SPD}}=\frac{\mathrm{RM}\×s\×C2}{1+s\×\mathrm{RM}\×C4}$

假设s＞＞1/(RM×4)，则增益

高通极频率(high pass pole frequency)f_p可以下列公式表示：

$f_p=\frac{1}{\sqrt{2\×\mathrm{\π}\×C4\×\mathrm{RM}}}$

在低运算速度的应用领域中，用来决定放大器极频率(polefrequency)的电阻值，大约在几个MΩ的范围之间。因此，在使用集成电路实现具有数个MΩ电阻值的这种放大器时，放大器会在芯片上占据很大的面积。然而，如第2图所示，在使用NMOS晶体管NM1，NM2实现电阻器时，放大器只会占据很小的面积。此外，如第2图所示，藉由分别在运算放大器111的第一输入端和第一输出端之间，以及在运算放大器111的第二输入端和第二输出端之间，安排一个电容-晶体管组合电路，可以让放大器100差动地运作。

第3图表示一个根据本发明具有高通放大器的半导体信号处理装置的放大器。其中，第3图所示的放大器更加包括一个直流电位调整电路，位在第2图所示的放大器的输入段，并且设计来使用MOS开关。

直流电位调整电路130包括一个PMOS晶体管PM1，该PMOS晶体管PM1具有一个源极、一个闸极、和一个漏极。其中，源极上施加一个电源电压VDD，闸极连接到节点N1，而漏极连接到节点N2。直流电位调整电路130更加包括一个电阻器R1，具有一个电源电压VDD施加在其上的第一端，和连接到节点N2的第二端；一个运算放大器131，具有一个连接到节点N2的第一输入端，一个连接到接地电压VSS的第二输入端，和一个连接到节点N1的输出端；以及一个电容器C1，该电容器连接到节点N1和接地电压VSS，其中光二极管电压信号SPD施加到节点N2上。

以下将说明第3图所示的放大器的动作。

首先将说明直流电位调整电路130的动作。一般来说，当环境亮度愈亮时，在红外线遥控接收器中的光二极管的直流就会增加。这样增加的光二极管电流偶然会大于放大器的可容许输入电流。所以需要一个直流电位调整电路130，以调整输入到放大器电路的一个输入端的直流电流电位。光二极管电压信号SPD是从红外线遥控接收器中的光二极管(未表示)输出的一个电信号。如果红外线遥控接收器是在明亮的环境，则流经红外线遥控接收器中的光二极管的直流电流就会增加，但是施加到节点N2的光二极管电压信号SPD的电压却会降低。如果施加到节点N2的电压变成小于零，则第一运算放大器112的输出，也就是节点N1的电压，就会变成逻辑”低”电位，而且MOS晶体管PM1会转态，以使得节点N2的电压被拉高，变成大于零。藉由直流电位调整电路130的动作，与红外线光信号有关的输入阻抗R1变成R1，而且与光二极管的直流信号有关的输入阻抗变成零。因此，即使流经光二极管(未表示)的直流电流增加到大于容许电位的电位时，红外线光信号的增益可能并不会下降。

因此，即使输入到放大器的信号大于可容许的范围，由于直流电位调整电路130的作用，放大器也可以安全地放大输入信号。

第4图详细表示第2图和第3图所示的运算放大器111。而运算放大器111包括一个PMOS晶体管PM3，具有一个其上施加一个电源电压VDD的源极，一个连接到节点N7的漏极，和一个其上施加一个偏压VBIAS1的闸极；一个PMOS晶体管PM4，具有一个其上施加电源电压VDD的源极，一个连接到节点N8的漏极，和一个其上施加偏压VBIAS1的闸极；一个NMOS晶体管NM3，具有一个连接到节点N7的漏极，一个连接到节点N9的源极，和一个运算放大器的第一输入信号OPIN1所输入的闸极；一个NMOS晶体管NM4，具有一个连接到节点N8的漏极，一个连接到节点N9的源极，和一个运算放大器的第二输入信号OPIN2所输入的闸极；一个电流源lb1，连接在节点N9和接地电压VSS之间；一个PMOS晶体管PM5，具有一个连接到节点N7的源极，一个连接到节点N11的闸极，和一个连接到节点N10的漏极；一个PMOS晶体管PM6，具有一个连接到节点N8的源极，连接到节点N11的一个闸极和一个漏极；一个NMOS晶体管NM5，具有一个连接到节点N10的漏极，和一个其上施加一个偏压VBIAS2的闸极；一个NMOS晶体管NM7，具有连接到NMOS晶体管NM5源极的一个漏极，连接到接地电压VSS的一个漏极，和连接到节点N12的一个闸极；一个NMOS晶体管NM6，具有一个连接到节点N11的漏极，一个偏压VBIAS2所输入的闸极；以及一个NMOS晶体管NM8，具有连接到NMOS晶体管NM6源极的一个漏极，连接到接地电压VSS的一个源极，和连接到节点N12的一个闸极。其中，共通模式反馈信号CMFBO施加到节点N12，而且运算放大器111的第一输出信号POUT1和第二输出信号OPOUT2，分别是从节点N10和节点N11所输出。

如第4图所示，运算放大器111接收两个输入信号OPIN1，OPIN2和一个共通模式反馈信号CMFBO，放大两个输入信号OPIN1，OPIN2之间的电压差，并且产生两个输出信号OPOUT1，OPOUT2。一个具有电源电压一半电压值VDD/2的参考电压，被当成输入信号OPIN2，而且输入信号OPIN2经由一个电容器(未表示)，被施加到运算放大器111上。光二极管电压信号SPD被当成输入信号OPIN1，经由一个电容器(未表示)，被输入到运算放大器111。此外，当运算放大器正常运作时，两个输出信号OPOUT1，OPOUT2具有大约是电源电压一半电压值VDD/2的电压值。

如果运算放大器111的两个输出信号OPOUT1，OPOUT2的电压电位，变成大于电源电压一半电压值VDD/2的电压值，则共通模式反馈电路的动作会增加共通模式反馈信号CMFBO的电压电位。此外，如果共通模式反馈电路的电压电位增加，则两个输出信号OPOUT1，OPOUT2的电压电位就会降低。

如果运算放大器111的两个输出信号OPOUT1，OPOUT2的电压电位，低于电源电压一半电压值VDD/2的电压值，则共通模式反馈电路的动作会降低共通模式反馈信号CMFBO的电压电位。此外，如果共通模式反馈电路的电压电位降低，则两个输出信号OPOUT1，OPOUT2的电压电位就会增加。

第5图表示第2图和第3图所示的共通模式反馈电路120。该共通模式反馈电路120包括一个共通模式信号产生器121和一个共通模式放大器122。

共通模式信号产生器121包括一个PMOS晶体管PM7，具有一个连接到电源电压VDD的源极，和共同连接到节点N13的一个闸极和一个漏极；一个PMOS晶体管PM18，具有一个连接到电源电压VDD的源极，一个连接到节点N13的闸极，和一个连接到节点N14的漏极；一个NMOS晶体管NM9，具有一个连接到节点N13的漏极，一个连接到节点N15的源极，和一个其上施加运算放大器的第一输出信号OPOUT1的闸极；一个NMOS晶体管NM10，具有共同连接到节点N14的一个闸极和一个漏极，和一个连接到节点N15的源极；一个电流源lb2，连接在节点N15和接地电压VSS之间；一个NMOS晶体管NM11，具有共同连接到节点N14的一个闸极和一个漏极，和一个连接到节点N16的源极；一个NMOS晶体管NM12，具有一个连接到节点N13的漏极，一个连接到节点N16的源极，和一个其上施加运算放大器的第二输出信号OPOUT2的闸极；以及一个电流源lb3，连接在节点N16和接地电压VSS之间。其中，共通模式信号产生器121的一个输出电压V_cmo是从节点N14所产生。

共通模式放大器122包括一个电流源lb4，连接在电源电压VDD和节点N17之间；一个PMOS晶体管PM9，具有一个连接到节点N17的源极，和一个连接到节点N14的闸极；一个NMOS晶体管NM13，具有共同连接到PMOS晶体管PM9漏极的一个闸极和一个漏极，和一个连接到接地电压VSS的源极；一个PMOS晶体管PM10，具有一个连接到节点N17的源极，一个连接到节点N18的漏极，和一个其上施加参考电压VREF2的闸极；以及一个NMOS晶体管N14，具有共同连接到PMOS晶体管PM10漏极的一个闸极和一个漏极，和一个连接到接地电压VSS的源极。其中，共通模式反馈信号FBO是从节点N18所产生。

以下将说明共通模式反馈电路120的动作。

流经NMOS晶体管NM9漏极的电流，和流经NMOS晶体管NM12漏极的电流的总电流量，是与流经PMOS晶体管PM7漏极的电流的电流量相同。藉由将流经PMOS晶体管PM8漏极的电流，减去流经NMOS晶体管NM10漏极的电流和流经NMOS晶体管NM11漏极的电流，可以得到一个共通模式信号产生器125的输出电流I_cmo。此外，共通模式信号产生器125的输出电压V_cmo，会等于共通模式信号产生器125的输出电流I_cmo乘上共通模式信号产生器125的输出阻抗。假设晶体管NM9、NM10、NM11和NM12的互导(transconductances)gm相同，NMOS晶体管NM9的漏极电流I_d9可以用下列公式表示，I_D9＝gm×((OPOUT1-V_cmo)/2)，NMOS晶体管NM10的漏极电流I_d10可以用下列公式表示，I_D10＝gm×((V_cmo-OPOUT1)/2)，NMOS晶体管NM11的漏极电流I_d11可以用下列公式表示，I_D11＝gm×((V_cmo-OPOUT2)/2)，NMOS晶体管NM12的漏极电流I_d12可以用下列公式表示，I_D12＝gm×((OPOUT2-V_cmo)/2)。第一和第二输出信号OPOUT1，OPOUT2的平均值V_CM可以用下列公式表示，V_CM＝(OPOUT1+OPOUT2)/2，而且共通模式信号产生器125的输出电流I_cmo可得自下列公式：

I_cmo＝I_D9-I_D10-I_D11+I_D12＝gm×(V_CM-V_cmo)

另一方面，如果共通模式信号产生器125的输出阻抗是R_out，则共通模式信号产生器125的输出电压V_cmo可以用下列公式表示，V_cmo＝I_cmo×R_out＝gm×R_out×(V_CM＝V_cmo)。因此，V_cmo可得自下列公式：

V_out＝(gm×R_out×V_CM)/(1+gm×R_out)

当gm×R_out＞＞1时，

第5图中所示的共通模式反馈电路只包含MOS晶体管，并未包含像是电阻的被动组件。因此，根据本发明的共通模式反馈电路在芯片上只占据很小的面积。

第6图表示根据本发明具有设计使用互导(gm)单元的高通放大器的一个放大器。互导(gm)单元142接收运算放大器111的第一和第二输出信号OPOUT1，OPOUT2，并且产生两个会被传送到运算放大器111的第一和第二输入节点N3，N4的输出信号。

为了处理数十KHz的低频波段信号，需要使用具有高反馈电阻值的反馈电阻。因此，如果使用被动组件实现反馈电阻，则会大量增加半导体信号处理装置的芯片尺寸。如第6图所示，当使用工作在次临界电压(sub-threshold voltage)的互导(gm)单元实现反馈电阻时，可降低半导体信号处理装置的芯片尺寸。此外，使用互导(gm)单元的高通放大器可以稳定地饱和其输出信号，而且即使有高电压信号输入时，输出信号也不会折叠和失真。因此，当放大器被用在复数个级(stages)时，使用互导(gm)单元的这种高通放大器，可能被安排在后级，以没有信号失真的方式，放大由前级放大器所放大的预先放大的信号。

第7图表示具有一个直流电位调整电路和使用一个互导(gm)单元当成电阻的一个高通放大器。第7图的放大器包括所有第6图中所示的组件，而且更加包括一个安排在第6图所示的放大器输入级的直流电位调整电路130。直流电位调整电路130的电路架构和动作已经参考第3图详述如上，所以在此将省略第7图的直流电位调整电路130的说明。

第8图表示用在第6图和第7图所示的高通放大器中的一个互导(gm)单元。第8图的互导(gm)单元包括一个电流源lb81，连接在一个电源电压VDD和节点N81之间；一个PMOS晶体管PM81，具有一个连接到节点N81的源极，一个连接到节点N83的漏极，和一个其上施加第一输入信号GMCI1的闸极；一个PMOS晶体管PM82，具有一个连接到节点N81的源极，一个连接到节点N84的漏极，和一个其上施加第二输入信号GMCI2的闸极；一个电流源lb82，连接在一个电源电压VDD和节点N82之间；一个PMOS晶体管PM83，具有一个连接到节点N82的源极，一个连接到节点N83的漏极，和一个其上施加第一输入信号GMCI1的闸极；一个PMOS晶体管PM84，具有一个连接到节点N82的源极，一个连接到节点N84的漏极，和一个其上施加第二输入信号GMCI2的闸极；一个NMOS晶体管NM85，具有一个连接到节点N83的漏极，一个连接到接地电压GND的源极，和一个连接到节点N85的闸极；一个NMOS晶体管NM86，具有一个连接到节点N84的漏极，一个连接到接地电压GND的源极，和一个连接到节点N85的闸极；以及一个共通模式反馈电路810，分别从节点N84和节点N83，接收第一输出信号GMCO1和第二输出信号GMCO2，并且产生一个将传送到节点N85的共通模式反馈信号。

第8图中的第一输入信号GMCI1和第二输入信号GMCI2，分别对应于第6图和第7图的运算放大器111中的第一输出信号OPOUT1和第二输出信号OPOUT2。因此，第一输出信号GMCO1被传送到第6图中的节点N3，而第二输出信号GMCO2被传送到第7图中的节点N4。第8图所示的互导(gm)单元产生一个电流lo，电流lo与第一输入信号GMCI1和第二输入信号GMCI2之间的信号差成正比，电流lo可以下列公式表示，lo＝gm×(GMCI1-GMCI2)。

在第6图和第7图中，分别假设运算放大器111的输入级是在虚接地状态(virtual ground state)，而且使用互导(gm)单元142替代电阻，则流经电阻器的电流可由输出电压OPOUT1除以电阻器的电阻值而得。如果电阻器是由互导(gm)单元所取代，则互导(gm)单元的输出电流I可以下列公式表示，I＝gm×OPOUT1。在此，即使输出电压OPOUT1是由输出电压OPOUT2所取代，输出电流I也会相同。因此，藉由使用第2图所示的互导(gm)单元，可以实现具有高电阻值MΩ的电阻。

第9图表示一个根据本发明的第一实施例的一个包络线信号检测电路。第9图是一个表示在第2图中的包络线信号检测电路400的详细电路图。请参考第9图，包络线信号检测电路包括一个高通放大器910、一个包络线信号提取单元920、和一个比较器930。

高通放大器910包括一个运算放大器912，该运算放大器912具有一个经由电容器C11，接收一个输入信号V_in的第一输入端，和一个用来接收一个参考电压VREF3的第二输入端，该运算放大器912用来放大输入信号V_in和参考电压VREF3之间的电压差，并且产生和传送其放大的输出信号到节点N91。高通放大器910更加包括一个电容器C12，连接在运算放大器912的第一输入端和输出端之间；以及一个NMOS晶体管NM91，具有一个其上施加一个控制电压V_cr的闸极，并且连接在电容器C12的两端之间。

包络线信号提取单元920包括一个运算放大器922，该运算放大器922具有一个用来接收高通放大器910的输出信号SAMPO的第一输入端，和一个连接到节点N92的第二输入端，该运算放大器922用来放大高通放大器910的输出信号SAMPO和第一包络线信号EVNO1之间的电压差，其中第一包络线信号EVNO1是节点N91上的电压。包络线信号提取单元920更加包括一个NMOS晶体管NM92，具有一个连接到运算放大器922输出端的闸极，和一个连接到节点N92的源极；一个电流源lb91，连接在一个电源电压VDD和的NMOS晶体管NM92的漏极之间，用来供应电流；一个电容器C13，连接在节点N92和一个接地电压VSS之间；以及一个电流源lb92，连接在节点N92和一个接地电压VSS之间。

第10图表示第9图中所示的信号的波形。

以下将参考第9图和第10图，详细说明根据本发明第一实施例的包络线信号检测电路的动作。

高通放大器910是本发明的一个重要组件。高通放大器910当成一个高通滤波器，和一个用来放大输入信号V_in和产生输出信号SAMPO的放大器使用。因为一个预定的控制电压V_cr施加在NMOS晶体管NM91的闸极上，所以NMOS晶体管NM91是在线性区和饱和区内运作。

高通放大器910的增益是由电容器C11对电容器C12的电容比所决定。如果NMOS晶体管NM91的电阻值是RM，则高通频率是由电阻器C11，C12和NMOS晶体管NM91的电阻值RM所决定。当高通放大器910的输出信号SAMPO，也就是节点N91的电压，变的低于输入到运算放大器912的第二输入端的参考电压VREF3时，NMOS晶体管NM91会被导通，而且高通放大器910的输出信号SAMPO会变成与参考信号VREF3具有相同的电位。换句话说，高通放大器910的输出信号SAMPO的最小电压，不会低于参考信号VREF3。结果造成，如第10图所示，虚接地、交流接地、高通放大器910的输出信号SAMPO的电位，会根据输出信号SAMPO的电压电位而改变。因为藉由高通放大器910所增加的虚接地电压，即使输入的是低输入信号，也能改进包络线信号的检测效率。

包络线信号提取单元920接收高通放大器910的输出信号SAMPO，并且产生一个第一包络线信号ENVO1。运算放大器922放大高通放大器910的输出信号SAMPO和节点N91的电压之间的电压差，并且控制流经NMOS晶体管NM92的电流。流经NMOS晶体管NM92的电流对电容器C13充电，并且将节点N92的电压提升。电流源lb92决定充电电容器C13的电压放电的放电速度。

比较器930接收第一包络线信号ENVO1，将其与一个参考电压VREF4相比较，并且产生一个脉冲信号DOUT。如第10图所示，在第一包络线信号ENVO1大于参考电压VREF4的范围内，脉冲信号DOUT具有一个逻辑”高”电位，而当第一包络线信号ENVO1低于参考电压VREF4时，脉冲信号DOUT具有一个逻辑”低”电位。

第11图表示一个根据本发明的一个第二实施例的一个包络线信号检测电路。其中，该包络线信号检测电路包括一个高通放大器910、一个第一包络线信号提取单元920、一个第二包络线信号提取单元940、和一个比较器930。高通放大器910包括一个运算放大器912，该运算放大器912具有一个经由电容器C11，接收一个输入信号V_in的第一输入端，和一个用来接收一个参考电压VREF3的第二输入端，该运算放大器912用来放大输入信号V_in和参考电压VREF3之间的电压差，并且输出一个输出信号SAMPO到节点N91。高通放大器910更加包括一个电容器C12，连接在运算放大器912的第一输入端和输出端之间；以及一个NMOS晶体管NM91，具有一个其上施加一个控制电压V_cr的闸极，并且连接在电容器C12的两端之间。

第一包络线信号提取单元920包括一个运算放大器922，该运算放大器922具有一个用来接收高通放大器910的输出信号SAMPO的第一输入端，和一个连接到节点N92的第二输入端，该运算放大器922用来放大高通放大器910的输出信号SAMPO和节点N92电压之间的电压差；一个NMOS晶体管NM92，具有一个连接到运算放大器922输出端的闸极，和一个连接到节点N92的源极；一个电流源lb91，连接在一个电源电压VDD和NMOS晶体管NM92的漏极之间，用来供应电流；一个电容器C13，连接在节点N92和一个接地电压VSS之间；以及一个电流源lb92，连接在节点N92和一个接地电压VSS之间。第一包络线信号提取单元920产生一个第一包络线信号ENVO1，并且将其传送到节点N92。

第二包络线信号提取单元940包括一个运算放大器942，该运算放大器942具有一个用来接收从第一包络线信号提取单元920所输出的第一包络线信号EVNO1的第一输入端，和一个连接到节点N93的第二输入端，该运算放大器942用来放大第一包络线信号EVNO1和节点N93电压之间的电压差；一个NMOS晶体管NM93，具有一个连接到运算放大器942输出端的闸极，和一个连接到节点N93的源极；一个电流源lb93，连接在一个电源电压VDD和NMOS晶体管NM93的漏极之间，用来供应电流；一个电容器C14，连接在节点N93和一个接地电压VSS之间；以及一个电流源lb94，连接在节点N93和一个接地电压VSS之间。第二包络线信号提取单元940产生一个第二包络线信号ENVO2，并且将其传送到节点N93。

第12图表示第11图中所示的信号的波形。

以下将参考第11图和第12图，详细说明根据本发明第二实施例的包络线信号检测电路的动作。

高通放大器910是以与第9图所示的高通放大器相同的方式运作。第一包络线信号提取单元920是以与第9图所示的包络线信号提取单元920相同的方式运作。因此，在此将不再赘述有关根据本发明第二实施例的包络线信号提取电路的高通放大器910和第一包络线信号提取单元920的动作。

第二包络线信号提取单元940接收一个第一包络线信号ENVO1，也就是接收一个第一包络线信号提取单元920的输出信号，并且产生一个第二包络线信号ENVO2。运算放大器942放大第一包络线信号ENVO1和节点N93的电压之间的电压差，并且控制流经NMOS晶体管NM93的电流。流经NMOS晶体管NM93的电流对电容器C14充电，并且将节点N93的电压提升。电流源lb94决定充电电容器C14的放电速度。

比较器930接收第一包络线信号ENVO1和第二包络线信号ENVO2，当成输入信号，将其互相比较，并且输出一个脉冲信号DOUT。如第12图所示，当第一包络线信号ENVO1的电压高于第二包络线信号ENVO2的电压时，脉冲信号DOUT具有一个逻辑”高”电位，而当第一包络线信号ENVO1的电压低于第二包络线信号ENVO2的电压时，脉冲信号DOUT具有一个逻辑”低”电位。

因为表示在第11图中根据本发明第二实施例的包络线信号检测电路具有高通放大器910，所以高通放大器910的输出信号SAMPO的最小电压不会低于参考电压VREF3。结果造成，高通放大器910的输出信号SAMPO的虚接地电位，会根据输出信号SAMPO的电压电位而改变。因为藉由高通放大器910所增加的虚接地电压，即使输入的是低输入信号，也能改进包络线信号的检测效率。

另一方面，遥控接收器和遥控传输装置之间的距离，会决定遥控接收器所接收到的脉冲信号(burst signal)的大小。因此，脉冲信号DOUT的脉冲宽度，也就是比较器的输出，会根据接收器和传输装置之间的距离而改变。然而，因为根据本发明第二实施例的包络线信号检测电路使用第二包络线信号ENVO2，也就是第二包络线信号提取单元940的输出，将其当成比较器930的参考电压，所以脉冲信号DOUT的脉冲宽度会保持固定不变。

如上所述，根据本发明的红外线遥控接收器具有信号处理装置，该信号处理装置设计只使用CMOS制造工艺，并且具有良好的降噪特性。此外，本发明的红外线遥控接收器即始在具有超过可容许范围的极大电流的输入信号输入到放大器时，也能稳定地放大输入信号。此外，信号处理装置具有较习知的半导体信号处理装置还小的尺寸。本发明的红外线遥控接收器包括一个具有高包络线信号检测效率的包络线信号检测电路。根据本发明的包络线信号检测电路即使是在低信号输入时，也能稳定地产生脉冲信号。

虽然本发明已以一较佳实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，在如上所述的本发明的基本技术思想范围内，对具有本业界通常的知识的人来说，可进行其他多种变形，应在本发明附加的专利申请的范围内给予解释。

Claims (12)

1. 一种红外线遥控接收器，其特征在于其包括：

一光二极管，用来将一光信号转换成一电信号；

一半导体信号处理装置，用来接收来自该光二极管的电信号，消除从该光二极管所输出的电信号中的一噪声成分，并且产生对应于从一遥控传输装置所传送的一遥控信号的一脉冲信号；以及

一微电脑，用来接收来自该半导体信号处理装置的脉冲信号，并且藉由译码所接收到的脉冲信号，按照该遥控传输装置的一使用者的指示，执行一遥控动作，

其中该半导体信号处理装置包括：

一第一放大器，用来接收该电信号，并且放大及过滤所接收到的该电信号；

一可变增益放大器，用来接收该第一放大器的输出信号，并且以不同的增益，放大在从该第一放大器所接收到的输出信号中的一噪声成分和一原始信号成分；

一滤波器，用来通过该可变增益放大器的电路的输出信号中的一载波频率成分；

一包络线信号检测电路，用来接收该滤波器的输出信号，并且提取复数个包络线信号；

一磁滞比较器，用来比较从该包络线信号检测电路所输出的该些包络线信号，并且产生对应于该遥控信号的该脉冲信号；以及

一自动增益控制器，用来接收该些包络线信号，并且分开地将具有该原始信号成分的一第一信号，和具有该噪声成分的一第二信号，传送到该可变增益放大器的电路。

2. 如权利要求1所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的半导体信号处理装置更加包括一微调电路，藉由接收来自一外部接脚的一高电流信号，调整该滤波器的一中心频率。

3. 如权利要求1所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一放大器包括：

一第二电容器，具有一用来接收该光二极管的电信号的第一端，和一连接到一第三节点的第二端；

一第三电容器，具有一用来接收一参考电压的第一端，和一连接到一第四节点的第二端；

一第一运算放大器，具有一连接到该第三节点的第一输入端，一连接到该第四节点的第二输入端，和一用来接收一共通模式反馈信号的第三输入端，其中该第一运算放大器放大输入到其第一输入端的一高频信号和输入到其第二输入端的一参考信号之间的信号差，产生一第一输出信号和一第二输出信号，并且将该第一输出信号和该第二输出信号，分别传送到一第五节点和一第六节点；

一共通模式反馈电路，用来分别从该第五节点和该第六节点，接收该第一运算放大器的第一输出信号和第二输出信号，产生该共通模式反馈信号，并且将该共通模式反馈信号传送到该第一运算放大器的第三输入端；

一第四电容器，连接在该第三节点和该第五节点之间；

一第一MOS晶体管，由一预定电压所控制，并且并联到该第四电容器；

一第五电容器，连接在该第四节点和该第六节点之间；以及

一第二MOS晶体管，由一预定电压所控制，并且并联到该第五电容器。

4. 如权利要求3所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一MOS晶体管和该第二MOS晶体管是由相同电压信号所控制。

5. 如权利要求3所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一放大器更加包括一直流电位调整电路，当超出容许范围的一外部输入信号输入到该第一运算放大器的第一输入端时，将该外部输入信号的电压维持在一预定或较高于预定的电位。

6. 如权利要求5所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的直流电位调整电路包括：

一第一PMOS晶体管，具有一其上施加一电源电压的源极，一连接到一第一节点的闸极，和一连接到一第二节点的漏极；

一电阻器，具有一连接到该电源电压的第一端，和一连接到该第二节点的第二端；

一第二运算放大器，用来放大该第二节点的电压，该第二运算放大器具有一连接到该第二节点的第一输入端，一连接到一接地电压的第二输入端，和一连接到该第一节点的输出端；以及

一第一电容器，连接在该第一节点和该接地电压之间，

其中该电信号施加到该第二节点上。

7. 如权利要求3所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一运算放大器包括：

一第三PMOS晶体管，具有一其上施加一电源电压的源极，一连接到一第七节点的漏极，和一其上施加一第一偏压的闸极；

一第四PMOS晶体管，具有一其上施加该电源电压的源极，一连接到一第八节点的漏极，和一其上施加该第一偏压的闸极；

一第三NMOS晶体管，具有一连接到该第七节点的漏极，一连接到一第九节点的源极，和一其上施加一第一输入信号的闸极；

一第四NMOS晶体管，具有一连接到该第八节点的漏极，一连接到该第九节点的源极，和一其上施加一第二输入信号的闸极；

一第一电流源，连接在该第九节点和一接地电压之间；

一第五PMOS晶体管，具有一连接到该第七节点的源极，一连接到一第十一节点的闸极，和一连接到一第十节点的漏极；

一第六PMOS晶体管，具有一连接到该第八节点的源极，和共同连接到该第十一节点的一闸极和一漏极；

一第五NMOS晶体管，具有一连接到该第十节点的漏极，和一其上施加一第二偏压的闸极；

一第七NMOS晶体管，具有一连接到该第五NMOS晶体管的该源极的漏极，一连接到该接地电压的源极，和一连接到一第十二节点的闸极；

一第六NMOS晶体管，具有一连接到该第十一节点的漏极，和一其上施加该第二偏压的闸极；以及

一第八NMOS晶体管，具有一连接到该第六NMOS晶体管的该源极的漏极，一连接到该接地电压的源极，和一连接到该第十二节点的闸极，

其中该共通模式反馈信号施加到该第十二节点，该第一输出信号是从该第十节点所输出，而该第二输出信号是从该第十一节点所输出。

8. 如权利要求3所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的共通模式反馈电路包括：

一共通模式信号产生器，包括一第七PMOS晶体管，具有一连接到一电源电压的源极，和共同连接到一第十三节点的一闸极和一漏极；

一第八PMOS晶体管，具有一连接到该电源电压的源极，一连接到该第十三节点的闸极，和一连接到一第十四节点的漏极；

一第九NMOS晶体管，具有一连接到该第十三节点的漏极，一连接到一第十五节点的源极，和一其上施加该第一运算放大器的该第一输出信号的闸极；

一第十NMOS晶体管，具有共同连接到该第十三节点的一闸极和一漏极，和一连接到该第十五节点的源极；

一第二电流源，连接在该第十五节点和一接地电压之间；

一第十一NMOS晶体管，具有共同连接到该第十四节点的一闸极和一漏极，和一连接到一第十六节点的源极；

一第十二NMOS晶体管，具有一连接到该第十三节点的漏极，一连接到该第十六节点的源极，和一其上施加该第二运算放大器的该第二输出信号的闸极；

一第三电流源，连接在该第十六节点和该接地电压之间，用来从该第十四节点输出一共通模式输出信号，以及

一共通模式放大器，包括一第四电流源，连接在该电源电压和一第十七节点之间；一第九PMOS晶体管，具有一连接到该第十七节点的源极，和一连接到该第十四节点的闸极；一第十三NMOS晶体管，具有共同连接到该第九PMOS晶体管的该漏极的一闸极和一漏极，和一连接到该接地电压的源极；一第十PMOS晶体管，具有一连接到该第十七节点的源极，一连接到一第十八节点的漏极，和一其上施加一第二参考电压的闸极；以及一第十四NMOS晶体管，具有共同连接到该第十PMOS晶体管的该漏极的一闸极和一漏极，和一连接到该接地电压的源极，用来从该第十四节点产生该共通模式反馈信号。

9. 如权利要求1所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一放大器包括：

一第六电容器，具有一用来接收该光二极管的该电信号的第一端，和一连接到一第三节点的第二端；

一第七电容器，具有一用来接收一参考电压的第一端，和一连接到一第四节点的第二端；

一第一运算放大器，具有一连接到该第三节点的第一输入端，一连接到该第四节点的第二输入端，和一用来接收一第一共通模式反馈信号的第三输入端，其中该第一运算放大器放大输入到其第一输入端的一高频信号和输入到其第二输入端的一参考信号之间的信号差，产生一第一输出信号和一第二输出信号，并且将该第一输出信号和该第二输出信号，分别传送到一第五节点和一第六节点；

一第一共通模式反馈电路，用来从该第五节点，接收该第一运算放大器的第一输出信号，从该第六节点接收该第一运算放大器的第二输出信号，产生该第一共通模式反馈信号，并且将该第一共通模式反馈信号传送到该第一运算放大器的第三输入端；

一第八电容器，连接到该第三节点和该第五节点；

一互导单元，具有一连接到该第五节点的第一输入端，一连接到该第六节点的第二输入端，一连接到该第三节点的第一输出端，和一连接到该第四节点的第二输出端；以及

一第九电容器，连接在该第四节点和该第六节点之间。

10. 如权利要求9所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的第一放大器更加包括一直流电位调整电路，当超出容许范围的一外部输入信号输入到该第一运算放大器的第一输入端时，将该外部输入信号的电压维持在一预定或较高于预定的电位。

11. 如权利要求10所述的红外线遥控接收器，其特征在于其中所述的直流电位调整电路包括：

一第一PMOS晶体管，具有一其上施加一电源电压的源极，一连接到一第一节点的闸极，和一连接到一第二节点的漏极；

一电阻器，具有一连接到该电源电压的第一端，和一连接到该第二节点的第二端；

一第二运算放大器，用来放大该第二节点的一电压，该第二运算放大器具有一连接到该第二节点的第一输入端，一连接到一接地电压的第二输入端，和一连接到该第一节点的输出端；以及

一第一电容器，连接在该第一节点和该接地电压之间，

其中该电信号施加到该第二节点上。

12. 如权利要求9所述的红外线遥控接收器，其中所述的互导单元包括：

一第一电流源，连接在一电源电压和该第一节点之间；

一第一PMOS晶体管，具有一连接到该第一节点的源极，一连接到一第三节点的漏极，和一其上施加一第一输入信号的闸极；

一第二PMOS晶体管，具有一连接到该第一节点的源极，一连接到一第四节点的漏极，和一其上施加一第二输入信号的闸极；

一第二电流源，连接在该电源电压和该第二节点之间；

一第三PMOS晶体管，具有一连接到该第二节点的源极，一连接到该第三节点的漏极，和一其上施加该第一输入信号的闸极；

一第四PMOS晶体管，具有一连接到该第二节点的源极，一连接到该第四节点的漏极，和一其上施加该第二输入信号的闸极；

一第一NMOS晶体管，具有一连接到该第三节点的漏极，一连接到该接地电压的源极，和一连接到一第五节点的闸极；

一第二NMOS晶体管，具有一连接到该第四节点的漏极，一连接到该接地电压的源极，和一连接到该第五节点的闸极；以及

一第二共通模式反馈电路，用来从该第四节点和该第三节点，分别接收该第一输出信号和该第二输出信号，产生一第二共通模式反馈信号，并且将该第二共通模式反馈信号，传送给该第五节点。

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