CN100420027C - 光学器件及其制造方法 - Google Patents

光学器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100420027C
CN100420027C CNB2005100673657A CN200510067365A CN100420027C CN 100420027 C CN100420027 C CN 100420027C CN B2005100673657 A CNB2005100673657 A CN B2005100673657A CN 200510067365 A CN200510067365 A CN 200510067365A CN 100420027 C CN100420027 C CN 100420027C
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
optical element
chip
terminal portion
optics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100673657A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1691344A (zh
Inventor
南尾匡纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Craib Innovations Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1691344A publication Critical patent/CN1691344A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100420027C publication Critical patent/CN100420027C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60VEHICLES IN GENERAL
    • B60CVEHICLE TYRES; TYRE INFLATION; TYRE CHANGING; CONNECTING VALVES TO INFLATABLE ELASTIC BODIES IN GENERAL; DEVICES OR ARRANGEMENTS RELATED TO TYRES
    • B60C15/00Tyre beads, e.g. ply turn-up or overlap
    • B60C15/06Flipper strips, fillers, or chafing strips and reinforcing layers for the construction of the bead
    • B60C15/0628Flipper strips, fillers, or chafing strips and reinforcing layers for the construction of the bead comprising a bead reinforcing layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60VEHICLES IN GENERAL
    • B60CVEHICLE TYRES; TYRE INFLATION; TYRE CHANGING; CONNECTING VALVES TO INFLATABLE ELASTIC BODIES IN GENERAL; DEVICES OR ARRANGEMENTS RELATED TO TYRES
    • B60C15/00Tyre beads, e.g. ply turn-up or overlap
    • B60C15/06Flipper strips, fillers, or chafing strips and reinforcing layers for the construction of the bead
    • B60C15/0628Flipper strips, fillers, or chafing strips and reinforcing layers for the construction of the bead comprising a bead reinforcing layer
    • B60C2015/0692Flipper strips, fillers, or chafing strips and reinforcing layers for the construction of the bead comprising a bead reinforcing layer characterised by particular materials of the cords
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光学器件及其制造方法。本发明的目的在于:提供一种集成度较高的光学器件及其制造方法。光学器件,包括:底座10、安在底座10的光学元件芯片5、安在光学元件芯片5的背面上的集成电路芯片50、以及透光性构件(窗构件6)。布线12被埋入底座10内,布线12具有内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c。光学元件芯片5的衬垫电极5b和内部端子部12a通过凸状物8连接,集成电路芯片50的衬垫电极50b和中间端子部12c通过金属细线52连接。内装周边电路等的集成电路芯片50和光学元件芯片5被封装在一个封装内。

Description

光学器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种固体摄影装置、利用在光拾取系统的受光器件、以及全息照像装置等光学器件及其制造方法。
背景技术
近年来,在将CCD等摄影元件装载在由绝缘性材料构成的底座等连接构件的状态下,用透光板覆盖受光区域进行封装,将内装在摄影机、数码照像机、静像摄影机等的光学器件作为封装体提供。
但是,由于光学器件的小型化,摄影元件在裸芯片的状态下被装载在底座等连接构件(例如,参照日本特开2000-58805号公报)。
图7为表示以往的光学器件的结构的剖面图。如同图所示,光学器件,包括:作为主要构件的,由陶瓷或者可塑性树脂构成,在中央部具有开口部132的框状底座131;安装在底座131的下面一侧的由CCD等构成的摄影元件135;以及安装在底座131的上面一侧,夹着开口部132与摄影元件135对着的由玻璃构成的透光板136。
在底座131下面的沿着开口部132的边缘的区域形成有凹部133,且形成有从底座131下面的开口部132的附近覆盖到底座131的外周侧面的区域的、由镀金层构成的布线134。摄影元件135被安装在底座131下面的凹部133的边缘部,受光区域135a被设置成露出开口部132。
并且,在摄影元件135的上面的外周附近,设置有用于在摄影元件135和外部设备之间授受信号的电极衬垫(无图示)。并且,在与布线134中的开口部132邻接的端部形成有内部端子部,布线134的内部端子部和电极衬垫夹着凸状物(突出电极)138电连接。而且,摄影元件135、布线134及凸状物138,在底座131的下面被设置在摄影元件135周围的密封树脂137密封。
如上所述,摄影元件135的受光区域135a被设置在形成了开口部132的封闭空间内。在使透光板136朝上的状态下,将该光学器件装载在电路衬底上,如同图所示。并且,在布线134中的比凹部133更向外侧延伸的区域中的位于底座131下面的部分,形成有外部端子部,该外部端子部用于与电路衬底上的电极连接。
并且,在透光板136的上方安装具有摄影光学系的镜筒,在同图中没有示出。该镜筒和受光区域135a的相互位置关系的精度被定下来,以将其抑制在所规定的误差内。
而且,来自被摄影对象的光通过装入镜筒的摄影光学系被集中在摄影元件135的受光区域135a,由摄影元件135进行光电变换。
另外,与图7所示的底座131的结构不同,在装载摄影元件135的面没有形成凹部133,使用在整体上具有平坦的平板形状的底座的光学器件的例子已为人所知(例如,参照日本特开2002-43554号公报)。此时,设置在从底座的开口部边缘延伸的外周部的外部端子部、和电路衬底上的电极,通过大直径的焊接球等连接。并且,摄影元件的下面、和电路衬底的上面的间隔通过焊接球调节。
象这样的结构的固体摄影装置,由于较易封装且占有面积较小,因此适合于高密度的安装。
并且,即使在被使用在光拾取系统的受光器件、和将光拾取中的多个要素一体化的全息照像装置等光学器件中,基本上也在采用同样的结构。其中,光拾取系统,在DVD、CD、MD等记录媒体之间,进行信息的写入、读取、改写等。
但是,在图7所示的以往的光学器件的结构中,作为固体摄影装置和光拾取等系统全体的集成度不够高,还需要改善。
发明内容
本发明的目的在于:提供集成度较高的光学器件及其制造方法。
本发明的光学器件,包括:由模制树脂构成,具有开口部的底座;引线框架,其一部分被埋入上述底座,具有从上述底座露出的端子部的布线一部分作为外部端子部在上述底座的下面的外周部从上述底座露出,一部分作为内部端子部在上述底座的下面的包围上述开口部的区域中,从上述底座露出,一部分作为中间端子部在上述底座的下面的上述外部端子部与上述内部端子部之间,从上述底座露出;安装在上述底座中的与光进入方向对着的上面,堵住开口的透光性构件;将上述透光性构件的端部、和上述底座上面的开口部周边区域之间封住的第1树脂构件;将主面隔着上述开口部与上述透光性构件对着,设置在上述底座的下面,装载有与上述布线的内部端子部电连接的光学元件的光学元件芯片;设置在上述光学元件芯片的下面,装载有与上述布线的中间端子部电连接的半导体元件的集成电路芯片;以及将上述光学元件芯片的端部及集成电路芯片的端部、和上述底座下面的开口部周边区域之间封住的第2树脂构件。
因此,能够将光学元件芯片和包含周边电路等的集成电路芯片封装在一个封装内,能够获得集成度较高的光学器件。并且,能够谋求安装有光学器件的系统全体的小型化、及成本的降低。
通过用倒装法将光学元件芯片连接在内部端子部上,使光学器件更小型化。
通过将上述集成电路芯片设置成主面朝着与透光性构件相反的一侧,且半导体元件通过金属细线连接在中间端子部,能够谋求制造的简易化。
最好在底座的下面,设置有围绕开口部的区域成为山谷侧的段差部,光学元件芯片,设置在段差部的山谷侧的面上。
最好在底座设置有贯穿孔等位置决定器,该位置决定器成为决定安装在底座的构件的位置基准。
本发明的光学器件的制造方法为这样的方法包括:将具有布线图案的外部端子部与中间端子部以及内部端子部在下方突出的构造的引线框架埋入,使得上述外部端子部、上述中间端子部、以及上述内部端子部从下面露出来并模制,来形成具有各自包围包括各个开口部的多个光学器件形成区域的底座成形体的工序;在上述底座成形体或者从上述底座成形体分割出来的分离体的各光学器件形成区域,依次安装堵住上述开口部的光学元件芯片及集成电路芯片,利用第1树脂构件将上述光学元件芯片、上述集成电路芯片及上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体的连接部封住的工序;将透光性构件隔着上述开口部与上述光学元件芯片面对面地安装在上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体上,利用第2树脂构件将上述透光性构件和上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体封住的工序。
通过此方法,能够较容易地形成将光学元件芯片和集成电路元件芯片堆叠在一起的集成度较高的光学器件。
(发明的效果)
使用本发明的光学器件及其制造方法,由于将光学元件芯片和集成电路元件芯片封装在一个封装内,因此能够获得集成度较高的光学器件。
附图的简单说明
图1(a)、图1(b)依次为第1实施例所涉及的光学器件的IA-IA线中的剖面图及背面图。
图2(a)~图2(g)为表示第1实施例所涉及的光学器件的制造工序的剖面图。
图3(a)、图3(b)为表示第1实施例所涉及的光学器件的制造工序中的模制工序的剖面图。
图4(a)、图4(b)依次为第2实施例所涉及的光学器件的IVA-IVA线的剖面图及背面图。
图5(a)、图5(b)依次为第3实施例所涉及的光学器件的VA-VA线的剖面图及背面图。
图6(a)~图6(h)为表示第3实施例所涉及的光学器件的制造工序的剖面图。
图7为表示以往的光学器件的结构的剖面图。
(符号的说明)
2-开口部;5-摄影元件;5a-主面;5b-衬垫电极;6-窗构件;7-密封树脂;8-凸状物;10-底座;10a-决定位置用孔;10b-段差部;12-布线;12a-内部端子部;12b-外部端子部;12c-中间端子部;13-焊接球;15-密封树脂;20-封止带;30-模制金属模;30a-模腔;30b-隔离部;40-全息照像装置;40a-本体部;40b-全息照像区域;50-集成电路芯片;51-绝缘体层;52-金属细线。
具体实施方式
(第1实施例)
-光学器件的结构-
图1(a)、图1(b)依次为第1实施例所涉及的光学器件的IA-IA线的剖面图及背面图。但是,图1(a)和图1(b)是用相互不同的缩尺描绘的。
如同图所示,本实施例的光学器件,包括:由环氧树脂等可塑性树脂构成,在中央部具有开口部2的框状底座10;安在底座10的下面一侧的光学元件芯片5;通过由粘合剂构成的绝缘体层51,设置在光学元件芯片5的背面上的集成电路芯片50;由玻璃等构成的透光性构件即窗构件6,其被装在底座10的上面一侧,中间夹着开口部2与光学元件芯片5面对面;以及焊接球13。底座10,为连接光学器件的光学元件芯片和透光性构件的构件。由于该结构是通过在进行模制工序后将光学元件芯片装载在底座上的顺序来形成的,因此被称为所谓的预模制结构。
在本实施例中,光学元件芯片5装载有CCD等固体摄影元件,光学器件为使用在摄影机、数码照像机、数码静像摄影机等的固体摄影装置。
但是,光学元件芯片,也可以分散地装载多个受光元件、和仅装载发光元件来代替装载固体摄影元件。此时,光学器件为设置在光拾取的受光器件或者发光器件,该光拾取被使用在具备DVD、CD、MD等的系统中。
在集成电路芯片50,装载有集成电路,集成电路为光学元件芯片5的驱动电路、各种逻辑电路、前置电路、定时信号产生器等的周边电路、和存储器等。
并且,布线12被埋入底座10内,布线12的一端部在底座10下面的开口部2附近的区域从构成底座10的模制树脂露出,成为内部端子部12a;布线12的另一端部从构成底座10下面的外缘部的底座10的模制树脂露出,成为外部端子部12b。作为布线12,既可以设置中间端子部12c来代替内部端子部12a,或者也可以在设置内部端子部12a的同时,在比内部端子部12a更靠外侧的位置设置从模制树脂露出的中间端子部12c。并且,在底座10形成有两处成为决定光学器件的X·Y方向的中心位置的基准的决定位置用孔10a,被作为下述制造工序中的芯片装载时的基准位置、和收纳镜头等光学系的镜筒的安装位置的基准使用。如果该决定位置用孔10a为两处以上的话,由于光学器件的中心位置被判明,因此能够实现决定位置的功能。或者,在底座10的外周部设置决定位置用段差部来代替决定位置用孔10a,也能够实现同样的功能。但是,即使不设置决定位置用孔和决定位置用段差部等决定位置器,也能够发挥本发明的基本效果。
在底座10下面的位于开口部2的周边的区域,安装有具有其受光区域的主面5a露出开口部2的光学元件芯片5。在光学元件芯片5的主面5a的外周附近,设置有用于在光学元件芯片5和外部设备之间授受信号的电极衬垫5b。并且,布线12的内部端子部12a和光学元件芯片5的电极衬垫5b夹着凸状物(突起电极)8电连接。
并且,使装载了构成集成电路的晶体管等半导体元件的主面50a朝下,将集成电路芯片50堆叠在光学元件芯片5的背面上。在集成电路芯片50的主面50a的外周附近,设置有用于在集成电路芯片50、和光学元件芯片5或者外部设备之间授受信号的电极衬垫50b。并且,布线12的中间端子部12c和电极衬垫50b通过金属细线52电连接。
另外,作为布线12,有内部端子部12a和外部端子部12b连接的情况,内部端子部12a和中间端子部12c连接的情况,中间端子部12c和外部端子部12b连接的情况,内部端子部12a、中间端子部12c和外部端子部12b连接的情况等。在图1(a)中,示出了连接内部端子部12a、中间端子部12c和外部端子部12b的布线12,布线12绕过位置决定孔10a形成。
并且,光学元件芯片5、集成电路芯片50、布线12、金属细线52及凸状物8,在底座10的下面被设置在光学元件芯片5及集成电路芯片50的周围的密封树脂7封住。另一方面,在底座10的上面,底座10和窗构件6之间的间隙,被设置在窗构件6的周围的密封树脂15埋住,内部空间(开口部2)通过密封树脂7、15密封,构成封装体。
在本实施例中,整个封装体的厚度,被设定为例如1.5mm以下。并且,集成电路芯片50的大小为,长0.5~10mm,宽0.5~10mm,厚0.05~0.3mm的范围;光学元件芯片5的大小为,长0.5~10mm,宽0.5~10mm,厚0.05~0.5mm的范围。集成电路芯片50的大小也可以与光学元件芯片5大致相同,也可以大于光学元件芯片5,也可以小于光学元件芯片5。是因为不管在那种情况下,都能够采用在光学元件芯片5上堆叠集成电路芯片50的结构之故。
使用本实施例的光学器件,能够将光学元件芯片5、和装载了集成电路的集成电路芯片50封装在一个封装内,能够实现所谓的SIP(System InPackage)。也就是说,通过将固体摄影元件、受光器件、发光器件等和控制它们的集成电路等封装在一个封装内,能够获得集成度较高的光学器件。并且,对于装有光学器件的照相机等,能够实现系统全体的小型化和制造成本的降低。
-光学器件的制造工序-
图2(a)~图2(g)为表示本发明的第1实施例所涉及的光学器件的制造工序的剖面图。虽然在图2(a)~图2(g)所示的工序中,仅示出了一个光学器件形成区域,但是实际上使用具有矩阵状的多个光学器件形成区域的引线框架来进行制造。
并且,图3(a)、图3(b)为表示本实施例所涉及的光学器件的制造工序中的模制工序的剖面图。
首先,在图2(a)所示的工序中,将形成了布线图案的引线框架12装载在封止带20上。在大部分的引线框架12的下部,设置通过半腐蚀或者加压而形成的凹部。只有成为内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c的部分,为从凹部的底面向下方突出的结构。
其次,在图2(b)所示的工序中,进行模制工序。也就是说,如图3(a)、图3(b)所示,将对引线框架(布线12)装了封止带20的结构,安在模制金属模30,用环氧树脂等可塑性树脂(模制树脂)充填模制金属模30的模腔30a,将引线框架(布线12)的内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c以外的部分埋入模制树脂内形成底座10。此时,在模制金属模30设置有用于形成光学器件的决定位置用孔10a的针形结构构件30c。并且,由于没有对将模制金属模30的各模腔30a之间隔开的隔离部30b、和针形结构构件30c充填模制树脂,因此在底座10的各光学器件形成区域,形成用于安装光学元件的开口部2、和决定位置用孔10a。此时,形成有由引线框架(布线12)和底座10构成、具有多个光学器件形成区域的成形体。
其次,在图2(c)所示的工序中,在将封止带20从成形体剥离后,将内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c露出的面朝上,来设置成形体,在外部端子部12b上形成焊接球13。
其次,利用切割刀,在切入部的中央部分,将成形体的相邻的光学器件形成区域间的界线部分切断,将成形体分割成各个光学器件,无图示。
其次,在图2(d)所示的工序中,使光学元件芯片5的主面5a朝下,将其装载在底座10上。此时,在各底座10的内部端子部12a上设置凸状物8,使光学元件芯片5的电极衬垫5b连接在凸状物8上,进行倒装法连接。此时,能够以决定位置用孔10a为基准,来决定光学元件芯片5的位置。
其次,在图2(e)所示的工序中,将粘合剂敷涂在光学元件芯片5的背面,使集成电路芯片50的主面50a朝上,将其装载在粘合剂上。并且,通过金属细线52将集成电路芯片50的衬垫电极50b和布线12的中间端子部12c之间连接。此时,能够以决定位置用孔10a为基准,预先决定集成电路芯片50的衬垫电极50b的位置,进行连线焊接(wire bonding)工序。
其次,在图2(f)所示的工序中,在用密封树脂7将底座10,光学元件芯片5及集成电路芯片50的外周部,布线12的内部端子部12a,中间端子部12c,金属细线52,凸状物8及各衬垫电极5b、50b覆盖的同时,将连接部的间隙埋住。
其次,在图2(g)所示的工序中,将底座10的装载有光学元件芯片5及集成电路芯片50的一侧(底座10的下面)朝下,在底座10的上面装载覆盖开口部2的由玻璃构成的窗构件6,利用密封树脂15将窗构件6和底座10之间封住,密封开口部2。
根据本实施例的制造方法,通过凸状物8将光学元件芯片5的衬垫电极5b、和底座10的布线12的内部端子部12a连接,且把集成电路芯片50的主面50a朝上将其装载在光学元件芯片5的背面上,也就是,通过中间夹着绝缘体层51将集成电路芯片50和光学元件芯片5的背面叠合在一起,能够形成集成度较高的光学器件。
另外,也能够在光学元件芯片5预先形成已形成导体构件的通孔(through-hole),通过通孔将集成电路芯片50的衬垫电极50b和光学元件芯片5的衬垫电极5b电连接,此时,不需要金属细线52。
特别是,由于在图2(d)所示的工序中,以在底座10形成的决定位置用孔10a为基准,来决定光学元件芯片5的配置位置的同时,在图2(e)所示的工序中,能够决定集成电路芯片50的衬垫电极50b的位置,因此提高了光学元件芯片5的光轴的位置精度和对集成电路芯片50进行连线焊接时各金属细线长度的对称性精度等。并且,如上所述,由于在形成光学器件后,也能够将决定位置用孔10a使用于决定光学系镜筒的位置(光轴的设定),因此提高了作为光学器件全体的、进行所谓的摆动(swing)(光轴的平面的或者立体的移动)时的精度和位置精度。如上所述,在底座10的外周部设置决定位置用段差部来代替决定位置用孔10a时,也能够发挥同样的效果。特别是,也适合于在设置了贯穿孔的情况下,作为决定集成电路芯片50的位置的基准使用。
另外,也能够在图2(f)所示的安装光学元件芯片的工序之后,或者,在图2(g)所示的安装窗构件6的工序之后,进行切断工序。
另外,在实施例的制造工序中,虽然在将引线框架装载在密封带上的状态下进行了模制工序,但是并不一定必须用密封带。但是,在使用了密封带的情况下,通过用上部金属模及下部金属模加紧引线框架的上下面,能够获得使金属模的面和引线框架的上下面紧贴在一起的状态稳定的效果。其结果,由于有效地抑制因成形而引起的树脂毛刺的产生,同时,能够获得外部端子部从密封树脂突出的结构,因此能够使光学器件装在主电路板时的焊接接合变得容易等,较易进行安装,提高速度。
(第2实施例)
图4(a)、图4(b)依次为第2实施例所涉及的光学器件的IVA-IVA线的剖面图及背面图。但是,图4(a)和图4(b)是用相互不同的缩尺画成的。
如同图所示,本实施例的光学器件,包括:由环氧树脂等可塑性树脂构成、在中央部具有开口部2的框状底座10;装在底座10的下面一侧的光学元件芯片5;通过由粘合剂构成的绝缘体层51设置在光学元件芯片5的背面上的集成电路芯片50;夹着开口部2,与光学元件芯片5面对面,安装在底座10的上面一侧的由光学用树脂等构成的透光性构件即全息照像装置40;以及焊接球13。底座10为连接光学器件的光学元件芯片和全息照像的构件。由于通过在进行了模制工序后,将光学元件芯片装载在底座上这样的顺序来形成该结构,因此被称为所谓的预模制结构。
在本实施例中,光学元件芯片5由装载发光二极管等发光元件5c和受光元件5d来构成;光学器件为全息照像装置,其将在包括DVD、CD、MD等系统使用的光拾取中的多个要素组在一起而成。
在集成电路芯片50装载有集成电路,集成电路为光学元件芯片5的驱动电路、各种逻辑电路、前置电路、定时信号产生器等的周边电路和存储器等。
全息照像装置40装置,包括:例如由光学用树脂等透光性材料构成的本体部40a、以及设置在本体部40a上面的全息照像区域40b。全息照像装置40的本体部40a的外周部及下面通过粘合剂15被固定在底座10的上端部。并且,全息照像装置40和底座10之间的间隙被粘合剂15埋住。
将全息照像装置40的高度设定为,例如0.5~5mm的范围;将整个封装体的厚度设定为,例如3mm以下。另外,集成电路芯片51的大小与第1实施例一样;光学元件芯片5的大小为,长0.5~10mm,宽0.5~10mm,厚0.05~0.5mm的范围。
并且,布线12被埋入底座10内,布线12的一端部在底座10下面的开口部2附近的区域从构成底座10的模制树脂露出成为内部端子部12a;布线12的另一端部从构成底座10下面的外缘部的底座10的模制树脂露出成为外部端子部12b。并且,作为布线12,既可以设置中间端子部12c来代替内部端子部12a,或者也可以在设置内部端子部12a的同时,在比内部端子部12a更靠外侧的位置设置从模制树脂露出的中间端子部12c。并且,在底座10形成有两处成为决定光学器件的X·Y方向的中心位置的基准的决定位置用孔10a,被作为下述制造工序中装载芯片时的基准位置、和安装全息照像装置的基准位置使用。若该决定位置用孔10a为两处以上的话,由于光学器件的中心位置被判明,因此能够实现决定位置的功能。或者,在底座10的外周部设置决定位置用段差部来代替决定位置用孔10a,使全息照像装置装载在该决定位置用段差部,也能够实现同样的功能。但是,即使不设置决定位置用孔和决定位置用段差部等决定位置器,也能够发挥本发明的基本效果。
在底座10下面的位于开口部2的周边的区域,安装有具备其受光区域的主面5a露出开口部2的光学元件芯片5。在光学元件芯片5的主面5a的外周附近,设置有用于在光学元件芯片5和外部设备之间授受信号的电极衬垫5b。并且,布线12的内部端子部12a和光学元件芯片5的电极衬垫5b夹着凸状物(突起电极)8电连接。
并且,使装载了构成集成电路的晶体管等半导体元件的主面50a朝上,将集成电路芯片50堆叠在光学元件芯片5的背面上。在集成电路芯片50的主面50a的外周附近,设置有用于在集成电路芯片50、和光学元件芯片5或者外部设备之间授受信号的电极衬垫50b。并且,布线12的中间端子部12c和电极衬垫50b通过金属细线52电连接。
另外,作为布线12,有内部端子部12a和外部端子部12b连接的情况,内部端子部12a和中间端子部12c连接的情况,中间端子部12c和外部端子部12b连接的情况,内部端子部12a、中间端子部12c和外部端子部12b连接的情况等。在图4(a)中,示出了连接内部端子部12a、中间端子部12c和外部端子部12b的布线12,布线12绕过决定位置用孔10a形成。
并且,光学元件芯片5、集成电路芯片50、布线12、金属细线52及凸状物8,在底座10的下面被设置在光学元件芯片5及集成电路芯片50的周围的密封树脂7封住,内部空间(开口部2)被密封树脂7、15密封,构成封装体。此时,使密封树脂7的下端部比焊接球13的下端部更靠上,以便顺利地通过平坦化处理将焊接球13装在主衬底。
根据本实施例的光学器件,能够将光学元件芯片5、装载了集成电路的集成电路芯片50和全息照像装置40封装在一个封装内,能够实现所谓的SIP(System In Package)。也就是说,通过将发光元件、受光元件、控制它们的集成电路、全息照像装置等封装在一个封装内,能够获得集成度较高的光学器件(全息照像装置)。并且,对于装有全息照像装置的整个光拾取系统,能够实现整个系统的小型化和降低制造成本。
另外,通过采用在具有图7所示的凹部的底座131内埋入集成电路芯片和金属细线等的结构,来代替本实施例的底座10,也能够发挥将光学元件芯片、和包含周边电路等的集成电路芯片封装在一个封装内的效果。
虽然没有本实施例的光学器件的制造工序的图示,但是通过将全息照像装置40装在底座10,来代替第1实施例的图2(g)所示的工序中的窗构件6,能够较容易地实现图4(a)、图4(b)所示的结构。在安装全息照像装置时,能够以决定位置用孔10a为基准来决定全息照像装置40的全息照像区域40b的位置。
因此,在本实施例的制造工序中,在安装光学元件芯片5、集成电路芯片50及全息照像装置40时,由于能够以决定位置用孔10a为基准来决定位置,因此能够发挥与第1实施例的制造方法一样的效果,同时,能够实现X·Y精度较高的全息照像装置。
(第3实施例)
-光学器件的结构-
图5(a)、图5(b)依次为第3实施例所涉及的光学器件的VA-VA线的剖面图及背面图。但是,图5(a)和图5(b)是用相互不同的缩尺画成的。
如同图所示,在本实施例的光学器件中,对布线12的内部端子部12a进行压印加工,在底座10下面的围绕开口部2的区域形成有段差部10b。也就是说,由于底座10的厚度在围绕开口部2的区域变薄,因此与第1实施例相比,光学元件芯片5及集成电路芯片50被设置成更接近于窗构件6,也就是,更朝上方了。其它部分的结构,如对于第1实施例中的图1(a)、图1(b)所说明的那样。
根据本实施例,能够与第1实施例发挥同样的效果,同时,通过将光学元件芯片5及集成电路芯片50向上安装,还能够发挥以下的效果。
第一,能够确保密封树脂7的最下面和焊接球13的最下面的距离,也就是能够确保密封树脂7的最下面和焊接球13的最下面的间隙Q足够大。因此,在将光学器件装在主衬底时,提高了通过焊接球13连接光器件和主衬底的布线的可靠性。并且,这样一来,由于能够缩小焊接球13的直径,因此能够缩小整个光学器件的高度尺寸。
第二,通过使集成电路芯片50的衬垫电极50b、和布线12的中间端子部12c之间的距离接近,由于能够缩短金属细线52的长度,因此能够更正确地进行连线焊接。
第三,通过缩短窗构件6的底面和光学元件5的上面的距离,能够确保为了调整设置在窗构件6的上方的镜头焦点距离而移动镜头的移动范围较大,增加设置光学器件的系统的设计自由度。
另外,在本实施例中,也能够利用装载了发光二极管等发光元件和受光元件的结构作为光学元件芯片5,利用全息照像装置(参照图5(a)的点划线)来代替窗构件6作为透光性构件。此时,光学器件为全息照像装置,其将在包括DVD、CD、MD等系统使用的光拾取中的多个要素装在一起而成。此时,也通过在底座10设置决定位置用孔10a(或者决定位置用段差部),来提高全息照像装置的位置精度。
-光学器件的制造工序-
图6(a)~图6(h)为表示本发明的第3实施例所涉及的光学器件的制造工序的剖面图。虽然在图6(a)~图6(h)所示的工序中,仅示出了一个光学器件形成区域,但是实际上使用具有矩阵状的多个光学器件形成区域的引线框架进行制造。
首先,在图6(a)所示的工序中,将形成了布线图案的引线框架12装载在封止带20上。在大部分的引线框架12的下部,设置被半腐蚀或者加压而形成的凹部。只有成为内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c的部分,为从凹部的底面向下方突出的结构。
其次,在图6(b)所示的工序中,在装有封止带20的状态下,对引线框架12中的内部端子部12a进行压印加工,使内部端子部12a的厚度变薄。
其次,在图6(c)所示的工序中,进行模制工序。此时,如第1实施例的图3(a)、图3(b)所示,将在引线框架(布线12)装了封止带20的结构安在模制金属模30上,且用环氧树脂等可塑性树脂(模制树脂)充填模制金属模30的模腔30a,将引线框架(布线12)的内部端子部12a、外部端子部12b及中间端子部12c以外的部分埋入模制树脂内形成底座10。这里,在本实施例中,与第1实施例不同,在模制金属模30的下部金属模,内部端子部12a的附近,设置有相当于图5(a)所示的段差部10b的段差部。因此,在与内部端子部12a较近的部分,形成底座10的段差部10b。
另外,与第1实施例一样,如图3(a)、图3(b)所示,在模制金属模30设置有用于形成光学器件的决定位置用孔10a的针形结构构件30c。并且,由于没有对将模制金属模30的各模腔30a之间隔开的隔离部30b、和针形结构构件30c充填模制树脂,因此在底座10的各光学器件形成区域,形成用于安装光学元件的开口部2、决定位置用孔10a和段差部10b。
然后,在图6(d)~图6(h)所示的工序中,与上述的第1实施例中的图2(c)~图2(f)进行同样的处理。
根据本实施例的制造方法,能够实现图5(a)所示的光学器件的结构。特别是,通过在图6(b)所示的工序中,对引线框架(布线12)的内部端子部12a进行压印加工,能够较容易地实现为了将光学器件5和集成电路芯片50向上安装的段差部10b。
(工业上的利用可能性)
本发明所涉及的光学器件能够应用在摄影机、数码照相机、静像摄影机等部件,或者应用在使用DVD、CD、MD等系统的光拾取。

Claims (15)

1. 一种光学器件,其特征在于:
包括:由模制树脂构成,具有开口部的底座;
引线框架,其被埋入上述底座,一部分作为外部端子部在上述底座的下面的外周部从上述底座露出,一部分作为内部端子部在上述底座的下面的包围上述开口部的区域中,从上述底座露出,一部分作为中间端子部在上述底座的下面的上述外部端子部与上述内部端子部之间,从上述底座露出;
安装在上述底座中的与光进入方向对着的上面,堵住开口的透光性构件;
将上述透光性构件的端部、和上述底座上面的开口部周边区域之间封住的第1树脂构件;
将主面隔着上述开口部与上述透光性构件对着,设置在上述底座的下面,装载有与上述内部端子部电连接的光学元件的光学元件芯片;
设置在上述光学元件芯片的下面,装载有与上述中间端子部电连接的半导体元件的集成电路芯片;以及
将上述光学元件芯片的端部及集成电路芯片的端部、和上述底座下面的开口部周边区域之间封住的第2树脂构件。
2. 根据权利要求1所述的光学器件,其特征在于:
上述光学元件芯片,用倒装法连接在上述内部端子部上。
3. 根据权利要求1所述的光学器件,其特征在于:
上述集成电路芯片,主面被设置成朝着与上述透光性构件相反的一侧;上述半导体元件通过金属细线连接在上述中间端子部。
4. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其特征在于:
在上述光学元件芯片和上述集成电路芯片的背面之间,存在有绝缘膜。
5. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其特征在于:
在上述底座的下面,设置有围绕开口部的区域成为山谷侧的段差部;
上述光学元件芯片,设置在上述段差部的山谷侧的面上。
6. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其特征在于:
在上述底座设置有成为决定安装在上述底座的构件的位置的基准的位置决定器。
7. 根据权利要求6所述的光学器件,其特征在于:
上述位置决定器,为设置在上述底座的贯穿孔。
8. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其特征在于:
上述光学元件芯片装载有固体摄影元件。
9. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其被装入光拾取装置,其特征在于:
上述光学元件芯片装载有发光元件或者受光元件中的任意一方。
10. 根据权利要求1~3中的任意一项权利要求所述的光学器件,其特征在于:
上述透光性构件,为全息照像装置;
上述光学元件芯片装载有受光元件和发光元件。
11. 一种光学器件的制造方法,其特征在于:
包括:将具有外部端子部与中间端子部以及内部端子部在下方突出的构造的引线框架埋入,使得上述外部端子部、上述中间端子部、以及上述内部端子部从下面露出来并模制,来形成具有包括各个开口部的多个光学器件形成区域的底座成形体的工序;
在上述底座成形体或者从上述底座成形体分割出来的分离体的各光学器件形成区域,依次安装堵住上述开口部的光学元件芯片及集成电路芯片,利用第1树脂构件将上述光学元件芯片、上述集成电路芯片及上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体的连接部封住的工序;
将透光性构件隔着上述开口部与上述光学元件芯片面对面地安装在上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体上,利用第2树脂构件将上述透光性构件和上述底座成形体或者上述底座成形体的分离体封住的工序。
12. 根据权利要求11所述的光学器件的制造方法,其特征在于:
在上述光学元件芯片安装工序中,用倒装法将上述光学元件芯片连接在上述内部端子部上。
13. 根据权利要求11或者12所述的光学器件的制造方法,其特征在于:
还包含:在依次安装了光学元件芯片与集成电路芯片之后,进行基于第1树脂构件的封住之前,利用金属细线将上述集成电路芯片的一部分和上述中间端子部连接的工序。
14. 根据权利要求11或者12所述的光学器件的制造方法,其特征在于:
还包括:在上述形成底座成形体的工序前,通过压印加工,使上述引线框架的各端子部中的位于上述开口部周边的上述内部端子部变薄的工序。
15. 根据权利要求11或者12所述的光学器件的制造方法,其特征在于:
在上述形成底座成形体的工序中,在外部端子部与中间端子部以及内部端子部侧将引线框架装载在封止带上的状态下,将引线框架安装在模制金属模,进行树脂模制。
CNB2005100673657A 2004-04-26 2005-04-21 光学器件及其制造方法 Expired - Fee Related CN100420027C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004130301 2004-04-26
JP2004130301A JP4686134B2 (ja) 2004-04-26 2004-04-26 光学デバイスおよびその製造方法
JP2004-130301 2004-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1691344A CN1691344A (zh) 2005-11-02
CN100420027C true CN100420027C (zh) 2008-09-17

Family

ID=35135581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100673657A Expired - Fee Related CN100420027C (zh) 2004-04-26 2005-04-21 光学器件及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7511367B2 (zh)
JP (1) JP4686134B2 (zh)
KR (1) KR100671094B1 (zh)
CN (1) CN100420027C (zh)
TW (1) TWI248202B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100789545B1 (ko) 2005-03-07 2007-12-28 삼성전기주식회사 플립칩 실장 기술을 이용한 광변조기 모듈 패키지
KR100815350B1 (ko) 2005-04-01 2008-03-19 삼성전기주식회사 광변조기 모듈 패키지 구조
JP2009503837A (ja) * 2005-07-28 2009-01-29 エヌエックスピー ビー ヴィ マイクロエレクトロニクス部品用パッケージ及びその製造方法
KR100836658B1 (ko) 2005-10-11 2008-06-10 삼성전기주식회사 광 변조기 모듈 패키지 및 그 제조 방법
KR100721172B1 (ko) * 2006-06-02 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
KR100758686B1 (ko) * 2006-09-25 2007-09-13 주식회사 테크젠 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
TWI320545B (en) * 2006-10-05 2010-02-11 Chipmos Technologies Inc Film type package for fingerprint sensor
CN101675498B (zh) * 2007-03-02 2011-09-28 明锐有限公司 用于微镜器件的倒装芯片封装的方法和系统
WO2008109867A2 (en) * 2007-03-07 2008-09-12 University Of Washington Active contact lens
CN101414592B (zh) * 2007-10-18 2010-04-14 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器封装结构
JP5292307B2 (ja) * 2007-11-29 2013-09-18 京セラ株式会社 光学装置、封止用基板および光学装置の製造方法
US8138027B2 (en) * 2008-03-07 2012-03-20 Stats Chippac, Ltd. Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor
US7931832B2 (en) * 2008-03-31 2011-04-26 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Ophthalmic lens media insert
WO2013027464A1 (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 富士フイルム株式会社 撮像素子モジュール及びその製造方法
US8492888B2 (en) * 2011-09-02 2013-07-23 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stiffener and method of manufacture thereof
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
JP2013243340A (ja) 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
CN103400817A (zh) * 2013-08-09 2013-11-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 半导体芯片封装模组、封装结构及其封装方法
US9455423B2 (en) 2014-01-24 2016-09-27 Verily Life Sciences Llc Battery
DE102014215856A1 (de) * 2014-08-11 2016-02-11 Robert Bosch Gmbh Fahrerbeobachtungssystem in einem Kraftfahrzeug
WO2016132883A1 (ja) * 2015-02-16 2016-08-25 ソニー株式会社 カメラモジュール、及び、電子機器
US10135076B1 (en) 2015-05-05 2018-11-20 Verily Life Sciences Llc Tear-activated micro-battery for use on smart contact lenses
US20170288780A1 (en) * 2016-03-31 2017-10-05 Intel Corporation Optoelectronic transceiver assemblies
CN112992956B (zh) * 2021-05-17 2022-02-01 甬矽电子(宁波)股份有限公司 芯片封装结构、芯片封装方法和电子设备
WO2023053503A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
JP2000058805A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002043554A (ja) * 2000-07-17 2002-02-08 Orient Semiconductor Electronics Ltd Ccdパッケージ・モジュール
US20030128442A1 (en) * 2001-02-02 2003-07-10 Sharp Kabushiki Kaisha Image pickup device and process for producing the same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2516712B2 (ja) * 1990-09-18 1996-07-24 株式会社三井ハイテック 半導体装置の製造方法
JPH0590549A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JPH06203403A (ja) * 1992-10-22 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
US5952714A (en) * 1995-08-02 1999-09-14 Matsushita Electronics Corporation Solid-state image sensing apparatus and manufacturing method thereof
JP3138191B2 (ja) * 1995-08-10 2001-02-26 三洋電機株式会社 固体撮像素子
JPH09199701A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP3443406B2 (ja) * 1997-02-10 2003-09-02 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置
US6130448A (en) * 1998-08-21 2000-10-10 Gentex Corporation Optical sensor package and method of making same
US6147389A (en) * 1999-06-04 2000-11-14 Silicon Film Technologies, Inc. Image sensor package with image plane reference
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
EP1357605A1 (en) * 2002-04-22 2003-10-29 Scientek Corporation Image sensor semiconductor package with castellation
JP3980933B2 (ja) * 2002-05-23 2007-09-26 ローム株式会社 イメージセンサモジュールの製造方法
US6713857B1 (en) * 2002-12-05 2004-03-30 Ultra Tera Corporation Low profile stacked multi-chip semiconductor package with chip carrier having opening and fabrication method of the semiconductor package
US7150569B2 (en) * 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
DE10318501A1 (de) * 2003-04-24 2005-01-05 Robert Bosch Gmbh Chipaufbau in einem Premold-Gehäuse
JP4606063B2 (ja) * 2004-05-14 2011-01-05 パナソニック株式会社 光学デバイスおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5748658A (en) * 1993-10-22 1998-05-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and optical pickup head
JP2000058805A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2002043554A (ja) * 2000-07-17 2002-02-08 Orient Semiconductor Electronics Ltd Ccdパッケージ・モジュール
US20030128442A1 (en) * 2001-02-02 2003-07-10 Sharp Kabushiki Kaisha Image pickup device and process for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060047342A (ko) 2006-05-18
KR100671094B1 (ko) 2007-01-17
CN1691344A (zh) 2005-11-02
TWI248202B (en) 2006-01-21
TW200536113A (en) 2005-11-01
US7511367B2 (en) 2009-03-31
JP2005317564A (ja) 2005-11-10
JP4686134B2 (ja) 2011-05-18
US20050236685A1 (en) 2005-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100420027C (zh) 光学器件及其制造方法
JP4606063B2 (ja) 光学デバイスおよびその製造方法
US7755030B2 (en) Optical device including a wiring having a reentrant cavity
US10008533B2 (en) Semiconductor package
US6528869B1 (en) Semiconductor package with molded substrate and recessed input/output terminals
KR100468365B1 (ko) 반도체장치
KR100480909B1 (ko) 적층 칩 패키지의 제조 방법
US8077248B2 (en) Optical device and production method thereof
CN101159279A (zh) 半导体摄像元件及其制法、半导体摄像元件模块及装置
US6989296B2 (en) Fabrication method of semiconductor package with photosensitive chip
US6963135B2 (en) Semiconductor package for memory chips
KR20060056851A (ko) 광학 디바이스 및 광학장치
US7242538B2 (en) Optical device
WO2024053466A1 (ja) 半導体装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: KELAIBO INNOVATION CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20141202

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141202

Address after: American California

Patentee after: Craib Innovations Ltd

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080917

Termination date: 20160421

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee