KR100758686B1 - 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법 - Google Patents

이미지 센서 모듈 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100758686B1
KR100758686B1 KR1020060092824A KR20060092824A KR100758686B1 KR 100758686 B1 KR100758686 B1 KR 100758686B1 KR 1020060092824 A KR1020060092824 A KR 1020060092824A KR 20060092824 A KR20060092824 A KR 20060092824A KR 100758686 B1 KR100758686 B1 KR 100758686B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lands
ceramic substrate
image sensor
circuit board
printed circuit
Prior art date
Application number
KR1020060092824A
Other languages
English (en)
Inventor
윤성만
Original Assignee
주식회사 테크젠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테크젠 filed Critical 주식회사 테크젠
Priority to KR1020060092824A priority Critical patent/KR100758686B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100758686B1 publication Critical patent/KR100758686B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 이미지 센서의 작동을 위한 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되어 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명은 적외선 필터 글라스와, 적외선 필터 글라스의 이면에 접합되어 있으며 중앙에 윈도우가 형성되어 있고 윈도우의 주위에 표면으로부터 중간층까지 도달하는 구멍들이 형성되어 있으며 구멍들을 통하여 노출되는 중간층에 제1 랜드들이 형성되어 있고 이면에 제2 랜드들과 제3 랜드들이 형성되어 있으며 제1 랜드들은 제1 비아홀들과 제2 비아홀들에 의하여 제2 랜드들과 제3 랜드들에 접속되어 있는 다층인쇄회로기판과, 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 제2 랜드들에 접속되어 있는 이미지 센서와, 다층인쇄회로기판의 구멍들에 수용되도록 제1 랜드들에 접속되어 있는 수동 소자들로 구성된다. 다층인쇄회로기판의 구멍들에 수동 소자를 수용하고, 제1 랜드들에 수동 소자를 접속한다. 그리고 다층인쇄회로기판의 표면에 적외선 필터 글라스의 이면을 접합한 후, 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 제2 랜드들에 이미지 센서를 플립칩 본딩한다. 본 발명에 의하면, 이미지 센서의 작동을 위한 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되어 소형화와 박형화할 수 있으며, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 생산비를 절감할 수 있다.

Description

이미지 센서 모듈 및 그 제조방법{IMAGE SENSOR MODULE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 구성을 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 구성을 분리하여 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 다층인쇄회로기판과 수동 소자의 구성을 나타낸 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 제조방법을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도,
도 5는 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 다층인쇄회로기판의 제조방법을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도,
도 6은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 제조방법에 의하여 제조되어 있는 이미지 센서 모듈 다이의 구성을 나타낸 단면도,
도 7은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 제조방법에서 이미지 센서 모듈 다이를 단일의 이미지 센서 모듈로 다이싱한 상태를 나타낸 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈의 구성의 다른 예를 나타낸 단면도,
도 9는 본 발명에 따른 다른 예의 이미지 센서 모듈의 구성을 분리하여 나타 낸 단면도이다.
♣도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
10: 이미지 센서 모듈 20: 적외선 필터 글라스
30: 다층인쇄회로기판 34: 윈도우
40: 세라믹기판 42: 상층세라믹기판
44: 제1 중간층세라믹기판 46: 제2 중간층세라믹기판
48: 하층세라믹기판 50: 구멍
52: 제1 랜드 54: 제1 비아홀
56: 제2 비아홀 58: 제2 랜드
60: 제3 랜드 62: 커버세라믹기판
70: 이미지 센서 80: 수동 소자
90: 플렉시블인쇄회로기판 100: 이미지 센서 모듈 다이
본 발명은 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지 센서의 작동을 위한 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되어 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서 모듈은 피사체의 이미지를 감지하여 이미지 데이터로 출력하는 장치이다. 이미지 센서 모듈은 디지털 카메라 이외에도 모바일 폰(Mobile phone), 피디에이(PDA, Personal Digital Assistants) 등과 같은 휴대 단말기(Handheld terminal)의 카메라 모듈에 사용되고 있다.
한국 공개특허공보 제2006-19680호에는 이미지 센서 모듈이 개시되어 있다. 이 문헌의 기술은 이미지 센서 모듈은 양면인쇄회로기판(Double-side printed circuit board)의 일면에 이미지 센서가 플립칩 본딩(Flip chip bonding)에 의하여 접속되어 있으며 타면에는 이미지 센서의 작동을 위하여 커패시터, 콘덴서, 저항 등의 수동 소자가 접속되어 있다.
그러나 종래기술의 이미지 센서 모듈은 양면인쇄회로기판의 일면과 타면에 이미지 센서와 수동 소자가 각각 장착되기 때문에 이미지 센서 모듈의 박형화가 곤란한 문제가 있다. 특히, 필터가 렌즈 하우징에 장착되어 이미지 센서 모듈의 소형화와 박형화가 더욱 곤란한 문제가 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 여러 가지 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 이미지 센서의 작동을 위한 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되어 용이하게 소형화와 박형화할 수 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되는 내장형 구조에 의하여 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 생산비를 절감할 수 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 적외선 필터 글라스와 다층인쇄회로기판의 접합성 을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 다층인쇄회로기판의 층간 접속을 위한 비아홀이 마이크로미터 크기로 형성되고, 다층인쇄회로기판의 층수가 증가되는 것에 의하여 다층인쇄회로기판에 배선되는 회로 사이의 폭을 넓게 설계할 수 있는 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
이와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 적외선 필터 글라스와; 적외선 필터 글라스의 이면에 접합되어 있으며, 중앙에 윈도우가 형성되어 있고, 윈도우의 주위에 표면으로부터 중간층까지 도달하는 복수의 구멍들이 형성되어 있으며, 구멍들을 통하여 노출되는 중간층에 복수의 제1 랜드들이 형성되어 있고, 그 이면에 복수의 제2 랜드들과 제3 랜드들이 형성되어 있으며, 제1 랜드들은 복수의 제1 비아홀들과 제2 비아홀들에 의하여 제2 랜드들과 제3 랜드들에 접속되어 있는 다층인쇄회로기판과; 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 제2 랜드들에 접속되어 있는 이미지 센서와; 다층인쇄회로기판의 구멍들에 수용되도록 제1 랜드들에 접속되어 있는 복수의 수동 소자들과; 적외선 필터 글라스의 이면과 다층인쇄회로기판 사이에 구멍을 덮을 수 있도록 적층되어 있는 커버세라믹기판으로 이루어지는 이미지 센서 모듈에 있다.
본 발명의 다른 특징은, 윈도우가 형성되어 있으며, 복수의 수동 소자들이 그 중간층에 형성되어 있는 복수의 제1 랜드들에 접속되도록 내장되어 있고, 제1 랜드들은 복수의 제1 비아홀들과 제2 비아홀들에 의하여 그 이면에 형성되어 있는 복수의 제2 랜드들과 제3 랜드들에 접속되어 있는 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계와; 다층인쇄회로기판의 표면에 적외선 필터 글라스의 이면을 접합하는 단계와; 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 제2 랜드들에 이미지 센서를 플립칩 본딩하는 단계로 이루어지고, 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계에서는 복수의 수동 소자들이 수용되는 복수의 구멍들이 형성되어 있는 복수의 상층세라믹기판들을 적층하며, 상층세라믹기판들의 이면에 구멍들을 통하여 노출되는 제1 랜드들을 갖는 제1 중간층세라믹기판을 적층하고, 제1 중간층세라믹기판의 이면에 제1 비아홀들과 제2 비아홀들을 갖는 하나 이상의 제2 중간세라믹기판을 적층하며, 제2 중간층세라믹기판의 이면에 제1 비아홀들, 제2 비아홀들, 제2 랜드들과 제3 랜드들을 갖는 하층세라믹을 적층하고, 상층세라믹기판들, 제1 중간층세라믹기판, 중간층세라믹기판과 하층세라믹기판을 소성하는 이미지 센서 모듈의 제조방법에 있다.
이하, 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1과 도 2를 참조하면, 본 발명의 이미지 센서 모듈(10)은 피사체로부터 입사되는 광의 적외선을 필터링하는 적외선 필터 글라스(Infrared filter glass: 20)를 구비한다. 적외선 필터 글라스(20)는 글라스(22)와, 글라스(22)의 표면에 굴절률이 서로 다른 물질, 예를 들어 이산화티탄(TiO2)과 실리카(SiO2) 또는 오산화탄탈(Ta2O5)과 실리카(SiO2)가 박막으로 코팅되어 있는 광학 필터(24)로 구성되어 있다.
또한, 적외선 필터 글라스(20)의 이면에 다층인쇄회로기판(Multi-layer printed circuit board: 30)이 접착제(32)에 의하여 접합되어 있다. 접착제(32)는 에폭시수지, 자외선 경화제로 구성될 수 있다. 다층인쇄회로기판(30)의 중앙에 윈도우(Window: 34)가 형성되어 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 다층인쇄회로기판(30)은 복수의 세라믹기판(Ceramic substrate: 40)들로 구성되어 있다. 세라믹기판(40)들은 펀칭(Punching), 도체 인쇄, 비아필(Via fill), 적층, 소성의 동시소성세라믹 제조 공정에 의하여 제조된다. 세라믹기판(40)들이 동시소성되기 전에는 세라믹그린시트(Ceramic green sheet)라 부르고도 있다. 세라믹그린시트는 연성이며, 수십 내지 수백㎛의 두께를 갖는다. 세라믹기판(40)들은 복수의 상층세라믹기판(42)들, 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기판(46)과 하층세라믹기판(48)으로 구성되어 있다.
상층세라믹기판(42)들에는 윈도우(34)의 주위에 배치되도록 복수의 구멍(50)들이 형성되어 있다. 상층세라믹기판(42)의 이면에 제1 중간층세라믹기판(44)이 적층되어 있으며, 제1 중간층세라믹기판(44)의 표면에 상층세라믹기판(42)들의 구멍(50)들과 정렬되도록 복수의 제1 랜드(Land: 52)들이 형성되어 있다. 제1 중간층세라믹기판(44)의 이면에 하나 이상의 제2 중간층세라믹기판(46)과 하층세라믹기판(48)이 각각 적층되어 있다.
제1 및 제2 중간층세라믹기판(44, 46)과 하층세라믹기판(48)에는 제1 랜드(52)들에 접속되는 복수의 제1 비아홀(Via hole: 54)들과 제2 비아홀(56)들이 각각 형성되어 있다. 하층세라믹기판(48)의 이면에 제1 비아홀(54)들과 제2 비아홀(56)들 각각에 접속되는 복수의 제2 랜드(58)들과 제3 랜드(60)들이 형성되어 있다. 제1 비아홀(54)들과 제2 비아홀(56)들 각각은 제1 및 제2 중간층세라믹기판(44, 46)과 하층세라믹기판(48)에 구멍을 뚫고, 이 구멍들에 도체, 예를 들어 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au)을 인쇄, 압출, 도금, 화학 에칭 등에 의하여 채워 구성한다. 제1 비아홀(54)들과 제2 비아홀(56)들 각각의 구멍은 세라믹그린시트 상태에서 기계적 펀칭이나 레이저 가공에 의하여 수십 내지 200㎛의 직경으로 형성되는 것이 바람직하다.
도 1과 도 2를 다시 참조하면, 다층인쇄회로기판(30)의 이면에 윈도우(34)와 정렬되도록 이미지 센서(70)가 장착되어 있다. 다층인쇄회로기판(30)의 제2 랜드(58)들에는 이미지 센서(70)가 솔더 범프(Solder bump: 72)에 의하여 플립칩 본딩(Flip chip bonding)되어 있다. 이미지 센서(70)는 시시디(CCD, Charge-Coupled Device) 이미지 센서나 시모스(CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서로 구성될 수 있다.
상층세라믹기판(42)의 구멍(50)들에 노출되어 있는 제1 중간층세라믹기판(44)의 제1 랜드(52)들에는 이미지 센서(70)의 작동을 복수의 수동 소자(80)들, 예를 들어 커패시터, 콘덴서, 저항 등이 접속되어 있다. 다층인쇄회로기판(30)의 제3 랜드(60)들은 솔더 범프(92)에 의하여 커넥터(Connector: 94)를 갖는 플렉시블인쇄회로기판(90) 또는 휴대 단말기의 메인인쇄회로기판에 플립칩 본딩되어 있다. 플렉시블인쇄회로기판(90)의 커넥터(94)는 예를 들어 휴대 단말기의 메인인쇄회로기판에 접속된다.
본 발명의 이미지 센서 모듈(10)에 있어서 피사체로부터 입사되는 광의 적외선은 적외선 필터 글라스(20)의 광학 필터(24)에 의하여 필터링되고, 필터링되는 광은 다층인쇄회로기판(30)의 윈도우(34)를 통하여 이미지 센서(70)에 감지된다.
한편, 본 발명의 이미지 센서 모듈(10)은 이미지 센서(70)의 작동을 위한 수동 소자(80)들이 다층인쇄회로기판(30)의 중간층에 내장되므로, 이미지 센서 모듈(10)의 소형화와 박형화가 용이하게 가능하다. 이미지 센서(70)와 수동 소자(80)들의 접속이 다층인쇄회로기판(30)에 의하여 이루어지므로, 생산성과 신뢰성이 향상되고, 제조 공정이 간단해져 생산비가 절감된다. 다층인쇄회로기판(30)이 적외선 필터 글라스(20)와 열팽창 계수가 비슷한 세라믹기판(40)들의 적층에 의하여 구성되어 적외선 필터 글라스(20)와 다층인쇄회로기판(40)의 접합성이 향상된다. 또한, 다층인쇄회로기판(30)에 배선되는 회로, 즉 제1 랜드(52)들, 제1 비아홀(54)들, 제2 비아홀(56)들, 제2 랜드(58)들과 제3 랜드(60)들 사이의 폭을 넓게 설계하여 작은 크기의 고집적 구조로 제조할 수 있다.
지금부터는, 이와 같은 구성을 갖는 이미지 센서 모듈의 제조방법을 도 4를 참조하여 설명한다.
도 2와 도 3을 함께 참조하면, 작업자는 복수의 수동 소자(80)들이 그 중간층에 내장되어 있는 다층인쇄회로기판(30)을 준비한다(S100). 다층인쇄회로기판(30)의 중앙에 윈도우(36)가 형성되어 있으며 중간층에는 복수의 제1 랜드(52)들에 수동 소자(80)들이 접속되어 있다. 제1 랜드(52)들은 복수의 제1 비아홀(54)들과 제2 비아홀(56)들에 의하여 다층인쇄회로기판(30)의 이면에 형성되어 있는 복수의 제2 랜드(58)들과 제3 랜드(60)들에 접속되어 있다.
다음으로, 작업자는 다층인쇄회로기판(30)의 표면에 적외선 필터 글라스(20)의 이면을 접합한다(S102). 적외선 필터 글라스(20)와 다층인쇄회로기판(30)은 접착제(32), 예를 들어 에폭시수지에 의하여 접합된다. 다층인쇄회로기판(30)의 윈도우(36)에 정렬되도록 제2 랜드(58)들에 이미지 센서(70)를 솔더 범프(72)에 의하여 플립칩 본딩한다(S104). 그리고 다층인쇄회로기판(30)의 제3 랜드(60)들은 솔더 범프(92)에 의하여 커넥터(94)를 갖는 플렉시블인쇄회로기판(90) 또는 휴대 단말기의 메인인쇄회로기판에 플립칩 본딩한다(S106).
한편, 도 6과 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 위의 단계(S100) 내지 단계(S106)에 의하여 다층인쇄회로기판(30)의 윈도우(36), 수동 소자(80)들, 제1 랜드(52)들, 제1 비아홀(54)들, 제2 비아홀(56)들, 제2 랜드(58)들, 제3 랜드(60)들과 이미지 센서(70)는 규칙적으로 배열되는 어레이(Array) 형태로 제공되어 복수의 이미지 센서 모듈 다이(100)들로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수의 이미지 센서 모듈 다이(100)들은 분리선(Scribe line: 102)을 따라 단일의 이미지 센서 모듈(10)로 다이싱(Dicing)한다.
도 5에는 다층인쇄회로기판의 제조방법에 대한 흐름도가 도시되어 있다. 도 2, 도 3과 도 5를 참조하여 다층인쇄회로기판(30)의 제조방법을 살펴보면, 윈도우(36)와 복수의 수동 소자(80)들이 수용되는 복수의 구멍(50)들이 형성되어 있는 복수의 상층세라믹기판(42)들을 적층한다(S200). 상층세라믹기판(42)들의 이면에 윈도우(36)와 구멍(50)들을 통하여 노출되는 제1 랜드들을 갖는 제1 중간층세라믹기판(44)을 적층하고(S202), 제1 중간층세라믹기판(44)의 이면에 윈도우(36), 제1 비아홀(54)들과 제2 비아홀(56)들을 갖는 하나 이상의 제2 중간층세라믹기판(46)을 적층한다(S204).
또한, 제2 중간층세라믹기판(46)의 이면에 윈도우(36), 제1 비아홀(54)들, 제2 비아홀(56)들, 제2 랜드(58)들과 제3 랜드(60)들을 갖는 하층세라믹기판(48)을 적층한다(S206). 상층세라믹기판(42)들, 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기판(46)과 하층세라믹기판(48) 각각은 그 윈도우(36)가 정렬되도록 적층한다. 그리고 상층세라믹기판(42)들, 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기 판(46)과 하층세라믹기판(48)을 열간압축하여 소성한다(S208). 따라서 다층인쇄회로기판(30)은 그 표면으로부터 중간층까지 도달하는 복수의 구멍(50)들을 갖게 된다.
다음으로, 상층세라믹기판(42)의 구멍(50)들에 내장되도록 제1 중간층세라믹기판(44)의 제1 랜드(52)들에 수동 소자(80)들을 접속한다(S210). 수동 소자(80)는 제1 중간층세라믹기판(44)의 제1 랜드(52)들에 접속한 후, 상층세라믹기판(42)들, 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기판(46)과 하층세라믹기판(48)을 열간압축하여 소성할 수 있다.
도 8과 도 9에는 다층인쇄회로기판의 제조방법에 대한 다른 예가 도시되어 있다. 도 8과 도 9를 참조하면, 제2 중간층세라믹기판(46)의 이면에 윈도우(36), 제1 비아홀(54)들, 제2 비아홀(56)들, 제2 랜드(58)들과 제3 랜드(60)들을 갖는 하층세라믹기판(48)을 적층하고, 상층세라믹기판(42)의 구멍(50)들에 내장되도록 제1 중간층세라믹기판(44)의 제1 랜드(52)들에 수동 소자(80)들을 접속한다. 상층세라믹기판(42)의 표면에 하나 이상의 커버세라믹기판(62)을 적층한다. 그리고 상층세라믹기판(42)들, 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기판(46), 하층세라믹기판(48)과 커버세라믹기판(62)을 열간압축하여 소성한다.
한편, 수동 소자(80)가 인쇄회로기판에 노출되어 장착되는 경우, 수동 소자(80)는 정전기 방전(ESD, Electro Static Discharge) 등에 의하여 손상될 수 있다. 본 발명의 이미지 센서 모듈(10)은 다층인쇄회로기판(30)의 중간층에 형성되어 있는 구멍(50)들에 수동 소자(80)들이 완전히 수용되어 내장되고, 수동 소자(80)들 은 일체형으로 소성되는 제1 중간층세라믹기판(44), 제2 중간층세라믹기판(46), 하층세라믹기판(48)과 커버세라믹기판(62)에 의하여 보호된다. 따라서 정전기 방전 등으로부터 수동 소자(80)들의 손상이 방지된다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법에 의하면, 이미지 센서의 작동을 위한 수동 소자가 다층인쇄회로기판에 내장되어 소형화와 박형화할 수 있으며, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 생산비를 절감할 수 있다. 또한, 다층인쇄회로기판이 적외선 필터 글라스와 열팽창 계수의 비슷한 세라믹기판으로 구성되어 적외선 필터 글라스와 다층인쇄회로기판의 접합성을 향상시킬 수 있으며, 다층인쇄회로기판에 배선되는 회로 사이의 폭을 넓게 설계하여 작은 크기의 고집적 구조로 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 적외선 필터 글라스와;
    상기 적외선 필터 글라스의 이면에 접합되어 있으며, 중앙에 윈도우가 형성되어 있고, 상기 윈도우의 주위에 표면으로부터 중간층까지 도달하는 복수의 구멍들이 형성되어 있으며, 상기 구멍들을 통하여 노출되는 중간층에 복수의 제1 랜드들이 형성되어 있고, 그 이면에 복수의 제2 랜드들과 제3 랜드들이 형성되어 있으며, 상기 제1 랜드들은 복수의 제1 비아홀들과 제2 비아홀들에 의하여 상기 제2 랜드들과 상기 제3 랜드들에 접속되어 있는 다층인쇄회로기판과;
    상기 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 상기 제2 랜드들에 접속되어 있는 이미지 센서와;
    상기 다층인쇄회로기판의 구멍들에 수용되도록 상기 제1 랜드들에 접속되어 있는 복수의 수동 소자들과;
    상기 적외선 필터 글라스의 이면과 상기 다층인쇄회로기판 사이에 상기 구멍을 덮을 수 있도록 적층되어 있는 커버세라믹기판으로 이루어지는 이미지 센서 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다층인쇄회로기판은 다층으로 적층되는 복수의 세라믹기판들로 이루어지는 이미지 센서 모듈.
  3. 삭제
  4. 윈도우가 형성되어 있으며, 복수의 수동 소자들이 그 중간층에 형성되어 있는 복수의 제1 랜드들에 접속되도록 내장되어 있고, 상기 제1 랜드들은 복수의 제1 비아홀들과 제2 비아홀들에 의하여 그 이면에 형성되어 있는 복수의 제2 랜드들과 제3 랜드들에 접속되어 있는 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계와;
    상기 다층인쇄회로기판의 표면에 적외선 필터 글라스의 이면을 접합하는 단계와;
    상기 다층인쇄회로기판의 윈도우에 정렬되도록 상기 제2 랜드들에 이미지 센서를 플립칩 본딩하는 단계로 이루어지고,
    상기 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계에서는 상기 복수의 수동 소자들이 수용되는 복수의 구멍들이 형성되어 있는 복수의 상층세라믹기판들을 적층하며, 상기 상층세라믹기판들의 이면에 상기 구멍들을 통하여 노출되는 상기 제1 랜드들을 갖는 제1 중간층세라믹기판을 적층하고, 상기 제1 중간층세라믹기판의 이면에 상기 제1 비아홀들과 상기 제2 비아홀들을 갖는 하나 이상의 제2 중간세라믹기판을 적층하며, 상기 제2 중간층세라믹기판의 이면에 상기 제1 비아홀들, 상기 제2 비아홀들, 상기 제2 랜드들과 상기 제3 랜드들을 갖는 하층세라믹을 적층하고, 상기 상층세라믹기판들, 상기 제1 중간층세라믹기판, 상기 중간층세라믹기판과 상기 하층세라믹기판을 소성하는 이미지 센서 모듈의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 다층인쇄회로기판의 윈도우, 복수의 수동 소자들, 복수의 제1 랜드들, 복수의 제1 비아홀들, 복수의 제2 비아홀들, 복수의 제2 랜드들, 복수의 제3 랜드들과 상기 이미지 센서는 어레이 형태로 제공되어 복수의 이미지 센서 모듈 다이들을 형성하며, 상기 복수의 이미지 센서 모듈 다이들은 단일의 이미지 센서 모듈로 다이싱하는 단계를 더 포함하는 이미지 센서 모듈의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계에서 상기 상층세라믹기판들, 상기 제1 중간층세라믹기판, 상기 제2 중간층세라믹기판과 상기 하층세라믹기판 각각은 그 중앙에 상기 윈도우가 정렬되도록 적층하는 이미지 센서 모듈의 제조방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 다층인쇄회로기판을 준비하는 단계는, 상기 상층세라믹기판의 구멍들에 내장되도록 상기 제1 중간층세라믹기판의 제1 랜드들에 상기 수동 소자들을 접속하는 단계를 더 구비하는 이미지 센서 모듈의 제조방법.
  9. 제 4 항에 있어서, 상기 소성하는 단계 이전에 상기 상층세라믹기판의 구멍들에 내장되도록 상기 제1 중간층세라믹기판의 제1 랜드들에 상기 수동 소자들을 접속한 후, 상기 상층세라믹기판의 표면에 하나 이상의 커버세라믹기판을 적층하는 단계를 더 구비하는 이미지 센서 모듈의 제조방법.
KR1020060092824A 2006-09-25 2006-09-25 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법 KR100758686B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092824A KR100758686B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060092824A KR100758686B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100758686B1 true KR100758686B1 (ko) 2007-09-13

Family

ID=38737785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060092824A KR100758686B1 (ko) 2006-09-25 2006-09-25 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100758686B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044885A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR20040063029A (ko) * 2003-01-04 2004-07-12 김종배 이미지 센서 및 그 제조방법
KR20060047342A (ko) * 2004-04-26 2006-05-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광학디바이스 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030044885A (ko) * 2001-11-30 2003-06-09 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR20040063029A (ko) * 2003-01-04 2004-07-12 김종배 이미지 센서 및 그 제조방법
KR20060047342A (ko) * 2004-04-26 2006-05-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광학디바이스 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100824812B1 (ko) 초소형 카메라 모듈 및 그 제조 방법
US7372122B2 (en) Image sensor chip package and method of fabricating the same
US7083999B2 (en) Optical device, method of manufacturing the same, optical module, circuit board and electronic instrument
US6943423B2 (en) Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof
KR20220025792A (ko) 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조 방법
JP5289582B2 (ja) 撮像装置および撮像装置モジュール
US8564716B2 (en) Camera module
US8045026B2 (en) Solid-state image sensing device
JP5491628B2 (ja) 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール
US8559806B2 (en) Camera module and method for manufacturing the same
US20090059055A1 (en) Optical device and method for fabricating the same
JP5375219B2 (ja) 撮像装置
CN112020771B (zh) 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
KR100835719B1 (ko) 센서 내장형 이미지센서 모듈 및 이를 이용한 카메라 모듈패키지
JP5595066B2 (ja) 撮像装置および撮像モジュール
KR100758686B1 (ko) 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법
US9269732B2 (en) Chip package
JP5045952B2 (ja) 光デバイス、光モジュール及び電子機器
KR101417034B1 (ko) 카메라 모듈
JP4292383B2 (ja) 光デバイスの製造方法
JP2007311395A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101428050B1 (ko) 카메라 모듈
KR100658929B1 (ko) 시스템 인 패키지 방식을 적용한 씨모스 이미지센서
KR100925604B1 (ko) 적층 세라믹 패키지 및 그 제조방법
KR100721172B1 (ko) 이미지 센서 모듈 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100907

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee