CN101675498B - 用于微镜器件的倒装芯片封装的方法和系统 - Google Patents

用于微镜器件的倒装芯片封装的方法和系统 Download PDF

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Abstract

一种用于微机电器件的封装包括用于支持微机电器件的衬底。微机电器件与多个电极电耦合。该封装还包括与衬底相耦合的导热结构、具有与多个电极电连通的多条迹线的电触点层以及与衬底相耦合的内插件结构。该内插件结构包括连续环形区域，该连续环形区域划定了由接合表面所限定的凹陷区域。该封装还包括透明盖，该透明盖耦合到内插件结构并且将微机电器件密封在凹陷区域中以在受控环境中隔离微机电器件。

Description

用于微镜器件的倒装芯片封装的方法和系统
相关申请的交叉引用
本申请要求2007年3月2日提交的美国临时专利申请No.60/892,830的优先权，该申请的公开内容通过引用全部结合于此，用于所有目的。
技术领域
本发明一般涉及制造对象。更具体地，本发明提供了用于微镜器件的晶片级倒装芯片封装的方法和系统。本发明的实施例提供了在气密密封的封装中对微镜器件的板上芯片封装。仅作为示例，本发明已被应用于具有透明玻璃盖的气密密封的封装中的微镜阵列。方法和结构也可应用于其他显示技术，例如电荷耦合显示相机阵列和红外阵列。
背景技术
硅集成电路的封装已达到了高的成熟水平。然而，集成电路器件被包封在塑料包封材料中的传统封装在要求高于硅集成电路的电操作的应用中出现若干缺点。这种应用的一个示例是微镜阵列或其他微机电系统(MEMS)结构的光学照射和反射。例如，这些应用通常需要能够用光能照射硅集成电路的顶部并随后从硅集成电路的顶部高效地反射光能。传统封装中所利用的塑料包封材料的光学性质(包括缺乏透明度、折射率的不一致性和表面粗糙度)使得这些封装不适合于该应用。
另外，许多MEMS经常需要硅集成电路的表面上方的开放空间，以使得微机电结构能够在与MEMS的平面平行的方向上和与MEMS的平面垂直的方向上运动。因此，塑料包封材料通常与集成电路表面进行的实体接触使得该封装不适合于许多MEMS应用。因此，本领域中需要用于MEMS器件的封装的改进的方法和系统。
发明内容
本发明的实施例提供了适合于投影显示应用的、用于微镜器件阵列的高级的板上芯片封装。
根据本发明的一个实施例，提供了一种用于微机电器件的封装。该封装包括用于支持微机电器件的衬底。微机电器件电耦合到多个电极。该封装还包括耦合到衬底的导热结构、具有与多个电极电连通的多条迹线的电触点层以及耦合到衬底的内插件结构。该内插件结构包括连续环形区域，该连续环形区域划定了由接合表面所限定的凹陷区域。该封装还包括透明盖，该透明盖耦合到内插件结构并且将微机电器件密封在凹陷区域中以将微机电器件隔离在受控环境中。
根据本发明的另一实施例，提供了一种制造用于微镜器件阵列的封装的方法。该方法包括将内插件结构接合到带有微镜器件阵列的衬底第一侧。微镜器件阵列中的多个微镜与多个电极电连通。该方法还包括将透明盖接合到内插件结构从而为微镜器件阵列形成受控环境，以及形成耦合到衬底第二侧的导热结构。该方法还包括形成与多个电极电连通的电触点结构。
根据本发明的特定实施例，提供了一种用于微机电器件的封装。该封装包括用于支持电耦合到多个电极的微机电器件的衬底、耦合到衬底的导热结构以及具有与所述多个电极电连通的多条迹线的电触点层。该封装还包括耦合到衬底的内插件结构和耦合到内插件结构的透明盖。
通过本发明提供了许多优于传统技术的益处。例如，本发明的实施例使得用于板上芯片组件的方法和系统可以不具有接合线或者减少了接合线。结果，与传统设计相比减少了寄生效应。另外，实施例提供了小占地，从而使管芯数例如增加了多达25-30％或者更多。与传统设计相比通过提供对焊球的容易接入而增加了对器件执行晶片级电探测和光探测的容易度，传统技术可能需要在执行测试之前去除诸如玻璃条带之类的材料。此外，增大了可靠性并降低了成本。取决于实施例，可以获得这些益处中的一个或多个以及其他益处。将在整个说明书中并且更具体地在下面结合附图来更详细地描述这些和其他益处。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的用于成像器件的封装的简化示意图；
图2是根据本发明一个实施例的用于微镜器件的封装的简化示意图；
图3A和图3B是根据本发明实施例的晶片级封装布局的顶视图；
图4-图11B是根据本发明一个实施例的用于封装微镜器件的简化处理流程；
图12是图示出根据本发明一个实施例的用于制造封装的处理流程的简化流程图；
图13是图示出根据本发明另一实施例的用于制造封装的处理流程的简化流程图；
图14是根据本发明一个实施例的用于多个管芯的封装布局的简化顶视图；
图15A-15C是根据本发明实施例的封装组件的简化示意图。
具体实施方式
图1是用于成像器件的封装的简化示意图。如图1所示，提供了封装100，封装100是利用适用于CMOS成像应用的处理而制造的。这样，具有微镜头110的成像区域设在玻璃盖114下方的腔112中。一般而言，腔壁116根据成像应用而适当地提供对传感器腔的非气密密封。另外，图1所示设计中的腔壁116一般对于显示和投影器件应用而言太矮了，在显示和投影器件应用中需要更高的壁，以使得玻璃盖的表面上的颗粒或者玻璃盖中的缺陷将不会被投影到显示屏上。
位于支持成像器件110的硅层120下方的玻璃层128的特征在于有限的导热性。虽然这种设计适合于成像应用，但是其可能不适合于投影显示应用，在投影显示应用中，腔区域中存在更高光强度。此外，对封装进行密封所使用的环氧树脂122一般不针对热学考虑而进行优化，如上所述，这对于不同应用是不同的。腔中的器件与封装背面上的焊球124之间的电连接的布线是利用仅能支持少量电触点的单层迹线126进行的。因此，图1所示的封装支持大量触点的能力是有限的。一个或多个钝化层130设在玻璃层128之下和金属迹线126之上。另外，一个或多个电绝缘层被形成在金属迹线126的下表面上以提供BGA的焊球124之间的电隔离。
图2是根据本发明一个实施例的用于微镜器件的封装200的简化示意图。该封装包含多个特征，这些特征提供使用传统设计无法得到的益处。例如，本发明的实施例利用导热环氧树脂210和导热介电层212，来适应与投影显示系统的光源和微镜阵列214的内部驱动电路相关联的较大热负荷。厚度、几何形状和其他设计参数可根据特定应用而适当地设定为预定值。
另外，内插件(interposer)晶片220用于增大腔壁高度，这对于投影器件应用而言是适当的。虽然图2中未示出，但是执行晶片级封装并且然后利用单片化或者其他分离处理来制造图2所示的封装。因此，根据本发明的实施例，腔壁内插件220最初是晶片级结构。
如图2所示使用多层导线迹线232以增大焊球230的密度，并从而适应与成像应用相比在显示器件中有用的更大针数。虽然图2中仅示出两层，但是在其他封装设计中可根据特定应用而适当地提供更多的层。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
在一些实施例中，微镜器件阵列(MMD)214通过气密(玻璃粉接合、共晶接合、共价键合等)封装方法而密封在由硅支持结构242、腔壁内插件220和玻璃盖244形成的腔240中。其他封装设有准气密(低释气环氧树脂、基于液晶的聚合物等)封装。取决于应用，可以提供气密、准气密或者非气密的封装。图2中示出了气密、准气密或者非气密的封条254。气密或者准气密封条确保了对于产品寿命持续时间的、密封腔内的受控化学环境。在整个说明书中并且更具体地在下面提供了对本发明实施例所提供的受控环境的进一步讨论。
为了为封装和MMD提供空间孔，黑铬孔250被形成在玻璃盖244的一个或多个表面上，这些表面可以包括抗反射涂层。其他实施例中包括适合于提供随位置而变化的反射率的其他材料。利用这种孔，减少了从结构和封装反射的不希望的杂散光，从而改善了显示应用中的对比率。在图2中，黑铬孔被图示在玻璃构件的顶面和底面上。在其他封装中，孔可以设在玻璃材料的内层上或者单个表面上。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
一个或多个微流体通道260设在腔壁内插件220中，以使得气体或者流体能够从腔外部的位置进入到腔240中。例如，润滑剂可被注入到腔中以减少与所示阵列中的微镜相关联的静摩擦问题。选择通道的尺寸、阀门(包括单向阀)、流量控制器等，以提供随时间或诸如腔温之类的其他条件而变化的流入或流出。虽然微流体通道被示出在内插件中，但是除了所示出的通道之外或者作为所示出的通道的替代，它们可以设在其他位置处。在没有微通道的其他实施例中，润滑材料和/或吸气剂材料可在腔被密封之前配备在腔内。如针对接下来的处理流程所述，可以使用部分切片处理以允许对各个器件的晶片级探测。因此，本发明的实施例提供了增强的测试和评估处理。
图3A和图3B是根据本发明实施例的晶片级封装布局的顶视图。图3A所示的布局提供了120的单元数目，而图3B所示的布局提供了96的单元数目。禁止区310设在图3A所示布局的外围周围。由这里所描述那样制造的封装提供的小占地(footprint)有利于增大封装密度、增大每个晶片的器件产量和降低封装成本。例如，在一个实施例中，管芯之间的水平节距(中心到中心的距离)约为15mm并且垂直节距约为12.6mm。在一个实施例中，切片迹线被示例为0.10mm(100μm)。当然，取决于特定应用，在其他实施例中利用其他特定值。
图14是根据本发明一个实施例的用于多个管芯的封装布局的简化顶视图。如图14所示，多个管芯(例如，五个管芯)被设在衬底(未示出)上。为了便于描述而标有行和列的管芯根据特定器件尺寸等被适当地以二维栅格形式排列在衬底上。图14所示的虚线1410图示出利用本发明实施例所形成的封装的尺寸。接合焊盘和内插件晶片的几何形状1420被图示在各管芯之间，但数目和布局仅仅是示例性的。图14所示的虚线1410也在接下来的图中示出。
图4-11B是根据本发明一个实施例的用于封装微镜器件的简化处理流程。虽然这些图示出了对单个或两个器件的封装，但是可以了解到提供了器件的晶片级封装，并且这些图及其描述是鉴于这样的了解而提供的。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
图4图示出在内插件晶片420和器件晶片405(例如，CMOS/MEMS晶片)的接合表面上形成粘附层。在本发明的第一实施例中，玻璃粉层430被印刷到这些晶片的接合表面上。例如，可利用丝网印刷处理或者其他适当印刷处理将玻璃粉印刷到接合表面上。玻璃粉通常由经精细打磨然后与有机溶剂或粘合剂结合的铅玻璃或者硅酸铅玻璃构成，其特征在于膏体的一致性。如参考图12所讨论的，在印刷玻璃粉之后，利用热处理来去除或者烧干有机溶剂。有机烧干处理提供了釉化玻璃粉层，该釉面玻璃粉层适合于储藏和后来的晶片规模接合操作。关于玻璃粉印刷、有机烧干和釉化的更多细节在2005年7月22日提交的、共同在审和共同转让的美国专利申请No.11/187,421中提供，该申请的公开内容通过引用全部结合于此。在图4所示的实施例中，接合焊盘440被氧化层442覆盖。
使用玻璃粉密封环有利于随后的处理步骤中在形成于MEMS器件周围的腔中的受控环境。例如，受控环境可以是围绕MEMS器件的气密密封环境。应当注意，在接合处理期间利用环氧树脂的传统封装中，从环氧树脂的释气(outgas)产生这样的封装：在该封装中，存在于管芯上的器件未被密封在受控环境中。相反，环氧树脂是气体的源(通常是环氧树脂中所使用的溶剂)，其随着时间将会污染围绕MEMS器件的环境。因此，本发明的实施例提供了利用传统的基于环氧树脂的封装技术未获得的益处，例如在腔240中提供了受控环境。
这种受控环境提供了可预测的器件操作和长寿命的操作，这在许多应用中是希望的设计标准。又例如，受控环境可以是真空环境、包括一种或多种气体(例如惰性气体、干燥氮气等)的大气环境、包括抗粘剂的环境等。此外，另一示例性受控环境可以是封装基本上不透水的环境，从而包括腔240中的MEMS器件以防与水或者其他流体接触。
在本发明的第二实施例中，金属层430被形成在晶片的接合表面上。适合于本发明实施例的范围内所包括的应用的示例性金属包括金/锡、铟/银等，这取决于接合处理的温度要求。包括镀、沉积、溅射等的金属形成处理可用于在接合表面上形成单层或多层金属。金属层为随后的步骤中的共晶接合提供了合适的表面。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
图5图示出内插件晶片与CMOS衬底的接合，其中CMOS衬底包括诸如微镜器件阵列之类的微机电(MEMS)器件。接合表面可以包括一个或多个粘附层，例如所图示的氧化层和可选的玻璃粉或金属化层。在内插件晶片420的一部分的两侧图示出两个MMD阵列214。在内插件晶片与CMOS衬底405的接合之前、之后或者同时，内插件被如图5所示地接合到玻璃盖构件244。CMOS衬底包括为了清楚起见而未在图5中示出的电路和互连。两个接合焊盘440被图示出以表示该电路。在接合之后，多个腔240被形成在CMOS晶片和玻璃盖之间，由内插件晶片提供横向限定。根据特定应用，内插件晶片和玻璃盖可以是由一片材料形成的整体结构，或者是复合结构。
在一个实施例中，微机械器件被相对于外部环境气密密封或者准气密密封。
图6图示出对硅CMOS晶片的背面进行打薄和对硅进行刻蚀以暴露接合焊盘。可以使用打磨、研磨、刻蚀或者其他打薄处理来将硅衬底的厚度减小到例如130μm的缩减厚度。在其他实施例中，根据特定应用而适当地使用其他厚度。在图6中示出化学各向同性刻蚀处理以暴露接合焊盘并产生划片线，但是本发明的实施例不限于这种刻蚀处理。各向同性或其他刻蚀或材料去除处理包括在本发明实施例的范围内。经打薄的(例如经打磨的)表面610和经刻蚀的表面620在图6中图示出。
如图7所示，热环氧树脂720和介电层710形成在CMOS衬底上。例如，介电层710是通过旋涂玻璃形成处理或者其他技术而形成的玻璃。在利用其他技术制造的封装中使用玻璃构件的接合。如图8所示形成凹槽，从而暴露与内部电路互连的电触点焊盘(C焊盘)。通常使用刻蚀或者其他材料去除技术来形成所图示的凹槽。
如图9所示，利用金属沉积和图案化形成电引线910，然后通过电镀获得所希望的金属厚度。T形触点920形成在图案化的电引线与触点焊盘(C焊盘)之间。所制造的引线具有延伸到纸面中的二维结构，以提供与器件结构的各部分的电接触。此外，虽然未图示出，但是本发明的实施例在介电层的背面上提供多层迹线，从而提供比传统设计更高的引线密度布线。图10图示出BGA的形成，其中共晶焊凸点230与多层电引线电接触。提供钝化层1010，其可以是从提供足够机械稳定性的各种电绝缘材料制造的。
图11A图示出对将用于芯片级测试的封装进行切片。图11B图示出对将利用作为替代的晶片级探测方法来测试的封装的部分切片。取决于特定测试协议，这两种方法都是有用的。对封装进行切片或者部分切片时可以利用的处理包括使用晶片锯的切割、刻蚀、划片和折断处理等。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
应当认识到，图4-11B所图示的具体步骤提供了根据本发明一个实施例对微镜器件进行封装的一种特定方法。根据作为替代的实施例，也可以执行其他的步骤序列。例如，本发明的替代实施例可以按不同顺序来执行上面概述的步骤。此外，图4-11B所图示的个体步骤可以包括多个子步骤，这些子步骤可根据个体步骤而适当地以各种顺序执行。此外，取决于特定应用，可以增加或者去除另外的步骤。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
图12是图示出根据本发明一个实施例的用于制造封装的处理流程的简化流程图。处理流程1200包括：在内插件晶片上印刷玻璃粉图案(1210)。经常作为膏体而被涂敷的玻璃粉在一个实施例中是利用丝网印刷处理而划定的，以在内插件晶片上以预定图案来提供玻璃粉材料层。如先前所讨论的，玻璃粉被涂敷到内插件晶片的接合表面上。在印刷玻璃粉材料之后，执行有机烧干处理(1212)以从玻璃粉材料中去除易挥发的有机物，从而使玻璃粉材料固化。在MEMS封装内提供受控环境的实施例中，烧干处理使得玻璃粉材料能够提供这样的接合界面：该接合界面免除了会引起MEMS封装环境污染的释气和其他处理。
内插件晶片被接合到器件晶片(例如CMOS/MEMS晶片)(1214)，以将器件晶片上的器件(例如微镜阵列)密封在受控环境中。在晶片接合之后，器件晶片的背面被研磨或者打薄以减小器件晶片的厚度，并且被选择性地刻蚀以形成划片线(1216)。如图6所图示，与刻蚀处理相结合地使用打磨或其他打薄处理来减小器件晶片的厚度并去除器件晶片的与接合焊盘相邻的部分。
背面介电层(例如玻璃衬底)被利用热环氧树脂而附接到器件晶片的背面(1218)。热环氧树脂通过内插件晶片而与管芯分开，从而保护了管芯使其不与热环氧树脂接触。如图9和图10所图示，执行背面开槽并形成外部引线(1220)。形成BGA(1222)并执行切片(1224)。切片可用于如图11A所示将管芯完全分开，或者如图11B所示仅部分地将管芯分开。
应当认识到，图12所图示的具体步骤提供了根据本发明一个实施例的制造MEMS封装的一种特定方法。根据作为替代的实施例可以执行其他的步骤序列。例如，本发明的替代实施例可以按不同顺序来执行上面概述的步骤。此外，图12所图示的个体步骤可以包括多个子步骤，这些子步骤可根据个体步骤而适当地以各种顺序执行。此外，取决于特定应用，可以增加或者去除另外的步骤。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
图13是图示出根据本发明另一实施例的用于制造封装的处理流程的简化流程图。参考图13，所图示的处理流程1300与图12所图示的处理流程共享一些公共处理。这里为了简明而不重复对公共处理的类似描述。内插件晶片被金属化(1310)，以在内插件晶片的接合表面上形成粘附层。器件晶片也被金属化(1312)，以在器件晶片的结合表面上形成相应的粘附层。晶片的金属化可以利用沉积、镀、溅射或者类似处理来执行。在一个特定实施例中，金属层是利用厚度大约100μm的金/锡、铟/银或者其他合适的金属或合金形成的。内插件晶片被接合到器件晶片(例如CMOS/MEMS晶片)(1314)，以将器件晶片上的器件(例如微镜阵列)密封在受控环境中。接下来的处理1316-1324被如参考图12所述地执行。
应当认识到，图13所图示的具体步骤提供了根据本发明另一实施例的制造MEMS封装的一种特定方法。根据作为替代的实施例可以执行其他的步骤序列。例如，本发明的替代实施例可以按不同顺序来执行上面概述的步骤。此外，图13所图示的个体步骤可以包括多个子步骤，这些子步骤可根据个体步骤而适当地以各种顺序执行。此外，取决于特定应用，可以增加或者去除另外的步骤。本领域普通技术人员将会认识到许多变体、修改和替换。
图15A-15C是根据本发明实施例的封装组件的简化示意图。图15A所图示的封装是包括印刷电路板(PCB)1505的挠曲型(flex-type)组件，PCB 1505中形成多条导线迹线1520，用于提供与MEMS封装的BGA的电连接。PCB可以是从陶瓷材料、树脂等制造的。热化合物1510用于对MEMS封装进行底部填充(underfill)并提供从MEMS封装到PCB的导热性。在一个实施例中，热化合物1510是电绝缘的。热传导焊盘1530设在PCB的下表面上，进一步增强了封装组件的导热性。在一个特定实施例中，热传导焊盘是从导热环氧树脂(也称为填充化合物)制造的，尽管这不是所要求的。
图15B是根据本发明另一实施例的封装组件的简化示意图。图15B所图示的插座型封装组件与图15A所图示的挠曲型组件共享一些特性。一些公共要素是对MEMS封装进行底部填充的热化合物和热传导焊盘1530。图15C是根据本发明又一实施例的封装组件的简化示意图。图15C所图示的直接安装封装组件与图15A所图示的挠曲型组件和图15B所图示的插座型封装组件共享一些特性。该MEMS封装直接安装在PCB 1505或者其他合适的衬底上。PCB中所包含的导线迹线1520提供与MEMS封装的电连接，热传导焊盘1530提供增强的导热性。
虽然参考特定实施例及其具体示例描述了本发明，但是应当了解，其他实施例可以落在本发明的精神和范围内。因此，本发明的范围应当参考所附权利要求及其全部范围的等同物来确定。

Claims (22)

1.一种用于微机电器件的封装，该封装包括：
用于支持所述微机电器件的衬底，所述微机电器件与多个电极电耦合，所述衬底具有彼此相反的第一侧和第二侧，所述微机电器件被支持在所述第一侧；
与所述衬底相耦合的导热结构，具有彼此相反的第三侧和第四侧，所述第三侧被耦合到所述第二侧；
电触点层，该电触点层具有与所述多个电极电连通的多条迹线，所述电触点层耦合到所述第四侧；
与所述衬底的所述第一侧相耦合的内插件结构，其中，该内插件结构包括连续环形区域，该连续环形区域划定由接合表面所限定的凹陷区域；以及
透明盖，该透明盖耦合到所述内插件结构，并且将所述微机电器件密封在所述凹陷区域中以将所述微机电器件隔离在受控环境中。
2.如权利要求1所述的封装，其中，所述微机电器件包括微镜器件阵列。
3.如权利要求2所述的封装，其中，所述微镜器件阵列是在所述衬底上制造的。
4.如权利要求1所述的封装，其中，所述导热结构包括导热环氧树脂层和导热介电层。
5.如权利要求1所述的封装，其中，所述电触点层包括两层或更多层的导线迹线。
6.如权利要求1所述的封装，其中，所述内插件结构包括玻璃或硅中的至少一者。
7.如权利要求1所述的封装，其中，所述透明盖包括玻璃层。
8.如权利要求1所述的封装，其中，所述接合表面包括玻璃粉材料。
9.如权利要求1所述的封装，其中，所述接合表面包括金属材料。
10.如权利要求7所述的封装，还包括与所述玻璃层相耦合的孔或抗反射涂层中的至少一者。
11.如权利要求1所述的封装，还包括一个或多个通道，所述一个或多个通道提供与所述微机电器件相关联的氛围与外部氛围之间的流体连通。
12.如权利要求1所述的封装，其中，所述受控环境包括气密密封环境。
13.一种制造用于微镜器件阵列的封装的方法，该方法包括：
将内插件结构接合到衬底的第一侧，所述第一侧带有所述微镜器件阵列，其中，所述微镜器件阵列中的多个微镜与多个电极电连通；
将透明盖接合到所述内插件结构从而为所述微镜器件阵列形成受控环境；
形成与所述衬底的第二侧相耦合的导热结构，所述第二侧与所述第一侧相反，所述导热结构具有彼此相反的第三侧和第四侧，其中所述第三侧被耦合到所述第二侧；以及
形成与所述多个电极电连通的电触点结构，所述电触点结构耦合到所述第四侧。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述导热结构包括导热环氧树脂层和导热介电层。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述电触点层包括两层或更多层的导线迹线。
16.如权利要求13所述的方法，其中，形成电触点结构的步骤包括提供多条导线迹线，这多条导线迹线从位于所述微镜器件阵列的外围部分的所述多个电极引导至与所述导热结构相耦合的球栅阵列。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述内插件结构包括玻璃衬底和硅衬底中的至少一者。
18.如权利要求13所述的方法，其中，所述透明盖包括玻璃衬底。
19.如权利要求18所述的方法，还包括形成与所述玻璃层相耦合的孔或抗反射涂层中的至少一者。
20.如权利要求13所述的方法，还包括形成一个或多个通道，所述一个或多个通道提供与所述微机电器件相关联的氛围与外部氛围之间的流体连通。
21.如权利要求13所述的方法，其中，所述方法形成气密密封封装或准气密密封封装中的至少一者。
22.一种制造用于微镜器件阵列的封装的方法，该方法包括：
将带有透明盖的内插件结构接合到衬底的第一侧，从而为所述微镜器件阵列形成受控环境，所述第一侧带有所述微镜器件阵列，其中，所述微镜器件阵列中的多个微镜与多个电极电连通，所述透明盖包括玻璃衬底，所述内插件结构是从玻璃衬底的一部分制造的；
形成与所述衬底的第二侧相耦合的导热结构，所述第二侧与所述第一侧相反，所述导热结构具有彼此相反的第三侧和第四侧，其中所述第三侧被耦合到所述第二侧；以及
形成与所述多个电极电连通的电触点结构，所述电触点结构耦合到所述第四侧。
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