CN100348755C - 方钴矿系热电材料的合成方法 - Google Patents

方钴矿系热电材料的合成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100348755C
CN100348755C CNB2003101228089A CN200310122808A CN100348755C CN 100348755 C CN100348755 C CN 100348755C CN B2003101228089 A CNB2003101228089 A CN B2003101228089A CN 200310122808 A CN200310122808 A CN 200310122808A CN 100348755 C CN100348755 C CN 100348755C
Authority
CN
China
Prior art keywords
cobalt
tin
synthetic method
pyroelectric material
material according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101228089A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1554786A (zh
Inventor
蔡克峰
丁士华
杨晓静
雷强
张留成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongji University
Original Assignee
Tongji University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongji University filed Critical Tongji University
Priority to CNB2003101228089A priority Critical patent/CN100348755C/zh
Publication of CN1554786A publication Critical patent/CN1554786A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100348755C publication Critical patent/CN100348755C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种方钴矿系热电材料的合成方法,包括如下四个步骤:(1)将N,N-二甲基甲酰胺倒入反应容器内,按比例称取钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐及硼氢化钠或硼氢化钾,依次加到反应容器中加盖后置于高压釜中密闭;(2)将高压釜放入炉子中加热至140-200℃,在此温度条件下反应完后冷却至室温;(3)将产物过滤后至少清洗一次;(4)将经过滤洗涤的产物在真空干燥箱中进行处理,即可得到一系列方钴矿系热电材。本发明方法具有原料便宜易得、设备简单、合成温度低、工艺简单易于实现控制、产物粒度细、纯度高等优点,为制备高效热电转换器件提供优质材料。

Description

方钴矿系热电材料的合成方法
技术领域
本发明涉及一种热电材料的制备方法,尤其涉及一种方钴矿系热电材料的合成方法。
背景技术
方钴矿CoSb3系热电材料的合成一般是采用相应高纯单质作原料,通过高温(600-800℃)熔融后再长时间热处理得到,或采用相应单质作原料,先通过机械合金化预处理再长时间高温热处理得到。用上述两种方法合成方钴矿CoSb3系热电材料,不但所需温度高、原料贵,而且产物常常含有杂质相且材料粒度较粗。因此现有的方钴矿CoSb3系热电材料的合成方法有待改进。
发明内容:
针对现有技术中存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种原料便宜易得、设备简单、合成温度低、工艺简单的方钴矿系热电材料的合成方法。
本发明是通过如下技术方案实现的:
一种方钴矿系热电材料的合成方法,(1)量取一定量的N,N-二甲基甲酰胺倒入反应容器内,按比例称取钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐及硼氢化钠或硼氢化钾,依次加到反应容器中,加盖后置于高压釜中密闭;(2)将高压釜放入炉子中加热至140-200℃,在此温度条件下反应,反应完后冷却至室温;(3)将产物过滤后至少清洗一次;(4)将经过滤洗涤的产物在真空干燥箱中进行处理,即可得到不同粒度(几纳米-100纳米)的CoSb3、或以CoSb3为基在Co位上掺杂铁或镍,或在Sb位上掺杂Sn,或在Co位上掺杂铁或镍同时在Sb位上掺杂Sn的热电材料。
其中所述反应器的材料为聚四氟乙烯。
其中所述钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐为硝酸盐、硫酸盐或氯化物中的任一种。
其中在步骤(1)中在加入硼氢化钠或硼氢化钾的同时可以加入氢氧化钠或氢氧化钾。
其中步骤(1)中量取的N,N-二甲基甲酰胺量约为反应器容积的85%。
其中步骤(2)中所述反应时间最好为10小时到5天。
其中步骤(3)中所述的清洗是用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替进行清洗多次。
其中步骤(4)中所述的真空干燥箱的真空度<133Pa,温度为60-80℃,产物在真空干燥箱中处理的时间为1-2小时。
本发明一种方钴矿系热电材料的合成方法,由于采用钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐作原料,在内衬聚四氟乙烯的高压釜中于140-200℃进行反应,经过滤洗涤后在真空干燥箱中进行处理最终制得所需产物,因此本发明方法具有原料便宜易得、设备简单、合成温度低、工艺简单易于实现控制、产物粒度细、纯度高等优点。为制备高效热电转换器件提供优质材料。
附图说明
图1为本发明实施例1的扫描电镜照片;
图2为本发明实施例1的能谱分析图;
具体实施方式
下面结合具体实施例来进一步说明本发明是如何实现的:
实施例1
制备CoSb3热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为1∶3称取钴和锑的硝酸盐及适量氢氧化钠和硼氢化钠,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至180℃,在该温度下反应2天,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃处理1-2小时,即可得到所需CoSb3粉末。
按上述方法的制得的CoSb3粉末的纯度为>99%,粒度约100nm。如附图1扫描电镜像所示。
实施例2:
制备Fe0.01Co0.99Sb3热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为0.01∶0.99∶3称取铁、钴和锑的氯化盐及适量或氢氧化钾和硼氢化钾,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至160℃,温度下反应20小时,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃处理1-2小时,即可得到所需Fe0.01Co0.99Sb3粉末。
按上述方法的制得的Fe0.01Co0.99Sb3粉末的纯度>99%,粒度约为25nm。
实施例3
制备Ni0.01Co0.99Sb3热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为0.01∶0.99∶3称取镍、钴和锑的氯化盐及适量或氢氧化钾和硼氢化钾,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至160℃,温度下反应20小时,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃处理1-2小时,即可得到所需Ni0.01Co0.99Sb3粉末。
按上述方法的制得的Ni0.01Co0.99Sb3粉末的纯度>99%,粒度约为25nm。
实施例4
制备CoSb2.98Sn0.02热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为1∶2.98∶0.02称取钴、锑和锡的硫酸盐若干克及适量氢氧化钠和硼氢化钠,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至180℃,在该温度下反应15小时,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃处理1-2小时,即可得到所需CoSb2.98Sn0.02粉末。
按上述方法的制得的CoSb2.98Sn0.02粉末的纯度为>99%,粒度约30nm。
实施例5
制备Fe0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为0.01∶0.99∶2.99∶0.01称取铁、钴、锑和锡的硝酸盐若干克及适量氢氧化钠和硼氢化钠,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至140℃,在该温度下反应1天,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃条件下处理1-2小时,即可得到所需Fe0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01粉末。
按上述方法的制得的Fe0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01粉末的纯度为>99%,粒度约15nm。
实施例6
制备Ni0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01热电材料
取一定容积的聚四氟乙烯罐,用量筒量取为聚四氟乙烯罐容积约85%的N,N-二甲基甲酰胺倒入罐内,按摩尔比为0.01∶0.99∶2.99∶0.01称取铁、钴、锑和锡的硝酸盐若干克及适量氢氧化钠和硼氢化钠,依次加到聚四氟乙烯罐中,加盖后置于不锈钢做的高压釜中密闭。随后将高压釜放入炉子中加热至140℃,在该温度下反应1天,然后冷却至室温。再将产物用漏斗过滤,用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替清洗产物多次。最后将经过滤的产物在真空干燥箱中于真空度<133Pa,温度为60-80℃条件下处理1-2小时,即可得到所需Ni0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01粉末。
按上述方法的制得的Ni0.01Co0.99Sb2.99Sn0.01粉末的纯度为>99%,粒度约15nm。

Claims (8)

1、一种方钴矿系热电材料的合成方法,(1)量取一定量的N,N-二甲基甲酰胺倒入反应容器内,按比例分别称取钴、锑、铁、镍和锡的可溶性盐中的一种或其混合物及硼氢化钠或硼氢化钾,依次加到反应容器中,加盖后置于高压釜中密闭;(2)将高压釜放入炉子中加热至140-200℃,在此温度条件下反应,反应完后冷却至室温;(3)将产物过滤后至少清洗一次;(4)将经过滤洗涤的产物在真空干燥箱中进行处理,即可得到方钴矿系热电材料。
2、根据权利要求1所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:所述反应容器的材料为聚四氟乙烯。
3、根据权利要求1或2所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:所述的钴、锑、铁、镍和锡的可溶性盐为硝酸盐、硫酸盐或氯化物中的任一种。
4、根据权利要求1或2所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:在步骤(1)中加入氢氧化钠或氢氧化钾。
5、根据权利要求1或2所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:其中步骤(1)中量取的N,N-二甲基甲酰胺量约为反应容器容积的85%。
6、根据权利要求1所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:其中步骤(2)中所述反应时间为10小时到5天。
7、根据权利要求1所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:其中步骤(3)中所述的清洗是用稀盐酸、去离子水、无水乙醇交替进行清洗。
8、根据权利要求1所述的一种方钴矿系热电材料的合成方法,其特征在于:其中步骤(4)中所述的真空干燥箱的真空度<133Pa,温度为60-80℃,产物在真空干燥箱中处理的时间为1-2小时。
CNB2003101228089A 2003-12-25 2003-12-25 方钴矿系热电材料的合成方法 Expired - Fee Related CN100348755C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2003101228089A CN100348755C (zh) 2003-12-25 2003-12-25 方钴矿系热电材料的合成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2003101228089A CN100348755C (zh) 2003-12-25 2003-12-25 方钴矿系热电材料的合成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1554786A CN1554786A (zh) 2004-12-15
CN100348755C true CN100348755C (zh) 2007-11-14

Family

ID=34338779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101228089A Expired - Fee Related CN100348755C (zh) 2003-12-25 2003-12-25 方钴矿系热电材料的合成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100348755C (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100344544C (zh) * 2005-11-29 2007-10-24 武汉理工大学 乙醇Sol-Gel法制备方钴矿热电化合物纳米粉体的方法
JP4803282B2 (ja) * 2009-06-18 2011-10-26 トヨタ自動車株式会社 ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060563A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Chichibu Onoda Cement Corp 三アンチモン化コバルト系複合材料
CN1199020A (zh) * 1997-04-23 1998-11-18 松下电器产业株式会社 Co-Sb系热电材料及其制造方法
JP2002255561A (ja) * 2001-02-23 2002-09-11 Ricoh Co Ltd フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、その製造方法及びこのCoSb3基化合物を含有する熱電変換材料
CN1384048A (zh) * 2002-06-21 2002-12-11 清华大学 一种纳米级金属碲化物的制备方法
CN1422969A (zh) * 2002-12-16 2003-06-11 华中科技大学 Co-Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法
JP2003304006A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Toshiba Corp 熱電変換モジュールおよびそれを用いた熱交換器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060563A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Chichibu Onoda Cement Corp 三アンチモン化コバルト系複合材料
CN1199020A (zh) * 1997-04-23 1998-11-18 松下电器产业株式会社 Co-Sb系热电材料及其制造方法
JP2002255561A (ja) * 2001-02-23 2002-09-11 Ricoh Co Ltd フィルドスクッテルダイト構造を有するCoSb3基化合物、その製造方法及びこのCoSb3基化合物を含有する熱電変換材料
JP2003304006A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Toshiba Corp 熱電変換モジュールおよびそれを用いた熱交換器
CN1384048A (zh) * 2002-06-21 2002-12-11 清华大学 一种纳米级金属碲化物的制备方法
CN1422969A (zh) * 2002-12-16 2003-06-11 华中科技大学 Co-Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1554786A (zh) 2004-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Su et al. Growth of large CH3NH3PbX3 (X= I, Br) single crystals in solution
Fresno et al. Comparative study of the activity of nickel ferrites for solar hydrogen production by two-step thermochemical cycles
CN113501709B (zh) 水热法合成尖晶石型高熵氧化物材料(MCoFeCrMn)3O4的方法
CN102633297A (zh) 一种通用多元金属硫化物纳米材料的制备方法
CN1384047A (zh) 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法
CN101513994B (zh) 一种铋基储氢材料及其制备方法
CN110205674A (zh) 一种以白磷为原料制备二维黑磷晶体的方法
CN112174212B (zh) 一种羟基氯化锰纳米材料及其制备方法
CN100348755C (zh) 方钴矿系热电材料的合成方法
CN108706558A (zh) 一种在铜基上生长八硒四铜一钾微米线阵列的制备方法
CN108557866A (zh) 一种在铜基上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法
WO1989003368A1 (en) Process for producing chevrel compounds
CN105036192B (zh) 一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途
CN104310320A (zh) 一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法
CN101148266A (zh) In2O3纳米线的制造方法
CN103043631B (zh) 一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法
CN108163820A (zh) 一种低温制备二硒化锡纳米线的方法
CN104961107B (zh) 一种制备碲化银锑热电材料的方法
CN108585055A (zh) 一种过渡金属钒硫化物mv2s4的制备方法
CN109626446B (zh) 一种立方结构CoSbS热电化合物的制备方法
CN1268013C (zh) 一种过渡金属二锑化物的制备方法
CN103613115A (zh) 气相阴离子交换合成氧化锌/硒化锌同轴纳米结构的方法
CN108821771B (zh) 一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法
CN104925854B (zh) 一种PbS热电化合物的制备方法
CN100384718C (zh) 纳米级银和锑或银和铋掺杂的硒化铅及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071114

Termination date: 20101225