CN1384048A - 一种纳米级金属碲化物的制备方法 - Google Patents
一种纳米级金属碲化物的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1384048A CN1384048A CN 02121431 CN02121431A CN1384048A CN 1384048 A CN1384048 A CN 1384048A CN 02121431 CN02121431 CN 02121431 CN 02121431 A CN02121431 A CN 02121431A CN 1384048 A CN1384048 A CN 1384048A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- salt
- nano level
- powder
- room temperature
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001621 bismuth Chemical class 0.000 claims description 6
- -1 PbTe compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 4
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 13
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 6
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- YMUZFVVKDBZHGP-UHFFFAOYSA-N dimethyl telluride Chemical compound C[Te]C YMUZFVVKDBZHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAYQZIDUTPGBPA-UHFFFAOYSA-N dimethylbismuth Chemical compound C[Bi]C NAYQZIDUTPGBPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Te] PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WYUZTTNXJUJWQQ-UHFFFAOYSA-N tin telluride Chemical compound [Te]=[Sn] WYUZTTNXJUJWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
一种纳米级金属碲化物的制备方法,该方法以铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐及单质Te为原料,N,N－二甲基甲酰胺为溶剂,在碱和还原剂存在的条件下,于100℃－180℃反应合成纳米级热电材料MxTey(M=Bi、Sn、Pb)及以Bi2Te3或PbTe为基的掺杂Pb或Sn化合物。通过反应条件的控制,可方便地获得球形、方形及棒状纳米晶体粒子,其粒径小于100纳米。本方法具有操作简单(一次进料),能耗低(100℃～180℃合成),结晶度高,粒径小(平均50纳米左右),晶形可控(可得棒、球、片状产品)等特点;所制备的Bi2Te3、PbTe为基的化合物经烧结后分别是室温、中温区热电转换效率最高的热电材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种热电材料的制备方法，尤其涉及一种纳米级碲化物的合成技术。可用于温差发电(废热利用)、热电致冷和微电子器件(芯片)的冷却等技术领域。
背景技术
Rowe在其编著的《CRC Handbook of Thermoelectrics》(由CRC Press1995年出版)一书中对热电材料进行了详细的介绍。在目前所有热电材料中，碲化铋(Bi2Te3)系和碲化铅(PbTe)系半导体材料分别是目前公认最好的室温、中温区热电材料。它们的热电转换效率用热电品质因子ZT来表示，其中Bi2Te3的ZT约为0.6(纯Bi2Te3)和1.0(掺杂Bi2Te3)，它们已是当前商用热电器件的工业标准。由材料科学基础理论知：通过最优掺杂等手段控制半导体中载流子浓度，以达到增强半导体的电传输性能、同时增强对声子的散射作用，仍是提高热电材料性能的重要途径。故合成Bi2Te3或PbTe的固溶体或其掺杂化合物可改善材料的热电性能。
而制备工艺是热电材料技术的基础。目前碲化物热电材料有数种制备方法，大致可分固相法、液相法和气相法三大类。
固相法是最直接的合成方法，它是单质高温直接合成。Rowe在其书中详细介绍了碲化物热电材料的各种固相合成方法。包括熔融法，粉末冶金法，机械合金法，粉碎混合单质烧结法等。
由于固相法合成需较高的反应温度、相对长的反应时间及惰性气体的保护，材料的化学均匀性不好，且难以得到纳米级化合物。而化学成分均匀性与材料的热电性能密切相关，而纳米级前驱化合物也有利于降低材料的烧结温度。
Ritter报道了用有机金属配合物法合成碲化铋的方法(Inorg.Chem.1995，34，4278)。原料为Bi2O3、Te、酒石酸和硝酸等，但它也需要较高的反应温度及氢气的还原，产物中含有杂质，且反应物成本较高。
Warren等(J.Alloys Compd.1995，229，175)用金属盐溶液与H2Te反应合成了碲化铋。该方法使用了毒性大的气态H2Te，操作相对危险、毒性大，且H2Te室温下不稳定，易分解为氢气和单质碲，导致产物不纯。
气相法主要采用化学气相沉积。Boulouz等人(J.Cryst.Growth 1998，194，336)报道了以二甲基碲和二甲基铋为原料，气相沉积得到碲化物薄膜。但它也需要较高的反应温度(大于400℃)，且反应物成本较高。
发明内容
本发明的目的是为了解决传统方法中合成碲化物热电材料存在的诸多问题，采用溶液化学方法(溶剂热法)，在低温下直接合成碲化铋、碲化铅或碲化锡以及掺杂重原子的碲化铋、碲化铅，以降低反应温度、缩短反应时间，得到化学成分均匀的纳米级晶体材料，从而降低材料的烧结温度，节省能源。
本发明采用如下技术方案：
一种纳米级二元金属碲化物化合物的制备方法，该方法按如下步骤进行：
(1).按化学计量比将可溶性金属铋盐、锡盐或铅盐与碲粉相互混合，再称取相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾，将上述原料加入热压反应釜中；
(2).在热压反应釜中加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺至反应釜容量的80～90％，再加入一定量的氢氧化钾使碱浓度为1～2mol/L，在100℃～180℃反应15～40小时；然后自然冷却至室温，过滤，用水或乙醇充分洗涤，真空干燥，即得不同形貌的纳米级Bi2Te3或SnTe或PbTe化合物。
所述的铋盐、锡盐或铅盐为所述铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐。
本发明还提供了一种纳米级三元金属碲化物化合物的制备方法，该方法按如下步骤进行：
(1).将摩尔比为0.02～0.5∶1∶1.52～2的可溶性锡盐或铅盐与铋盐、Te粉相互混合，再加入相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾，将上述原料加入热压反应釜中；
(2).在热压反应釜中加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺至其容量的80～90％，再称取一定量的氢氧化钾使碱浓度为1～2mol/L， 在100℃～180℃反应15小时～40小时，然后自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空干燥，得黑色纳米级掺杂Pb或Sn的Bi2Te3或PbTe化合物。
本方法具有操作简单(一次进料)，能耗低(100～180℃合成)，结晶度高(产品为晶体)，粒径小(平均50纳米左右)，晶形可控等特点；通过反应条件的控制，可方便地获得球形、方形及棒状纳米晶体粒子。所制备的Bi2Te3、PbTe为基的化合物经烧结后分别是室温、中温区热电转换效率最高的热电材料。
附图说明
图1不同温度合成的Bi2Te3XRD谱
图2Bi2Te3纳米棒TEM照片
图3Bi2Te3纳米球TEM照片
图4Bi2Te3纳米球TEM照片
图5Bi2Te3纳米片TEM照片
图6合成的SnTe的XRD谱
图7合成的SnTe的TEM照片
图8合成的SnBi2Te4的XRD谱
图9合成的SnBi2Te4的TEM照片
图10合成的Sn0.2Bi2Te3.2的XRD谱
图11合成的Sn0.2Bi2Te3.2的TEM照片
图12合成的Pb0.02Bi2Te3.02的XRD谱
图13合成的Pb0.02Bi2Te3.02的TEM照片
具体实施方式
所有化学品均为市售分析纯，未经进一步纯化。
实施例1
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(90mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，100℃反应24小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空干燥，得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1a；形貌为棒状颗粒，棒径10纳米，长大于100纳米(见图2)。(图1已更改)
实施例2
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(120mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，130℃反应24小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1b；形貌为球形颗粒，平均粒径20纳米(见图3)。
实施例3
Bi(NO3)3·5H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(160mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的80％，100℃反应24小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空80℃干燥，得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1c；形貌为球形颗粒，平均粒径20纳米(见图4)。
实施例4
BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(30mmol)、KOH(150mmol)和KBH4(30mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，180℃反应15小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色Bi2Te3粉末。化合物XRD谱见图1d；形貌为片状颗粒，平均长度400纳米(见图5)。
实施例5
SnCl2·2H2O(20mmol)、Te粉(20mmol)、KOH(90mmol)和KBH4(20mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，180℃反应40小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色SnTe粉末。化合物XRD谱见图6；形貌为球形颗粒，平均粒径30纳米(见图7)。
实施例6
SnCl2·2H2O(10mmol)、BiCl3·2H2O(20mmol)、Te粉(40mmol)、KOH(140mmol)和KBH4(40mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，100℃反应40小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色SnBi2Te4粉末。化合物XRD谱见图8；形貌为球形颗粒，平均粒径20纳米(见图9)。
实施例7
SnCl2·2H2O(2mmol)、BiCl3 2H2O(20mmol)、Te粉(32mmol)、KOH(150mmol)和KBH4(32mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的80％，180℃反应15小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色Sn0.2Bi2Te3.2粉末。化合物XRD谱见图10；形貌为球形颗粒，平均粒径50纳米(见图11)。
实施例8
Pb(NO3)2(1mmol)、BiCl3·2H2O(100mmol)，Te粉(150mmol)，KOH(150mmol)和KBH4(150mmol)加入到100ml热压反应釜中，加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺(DMF)至其容量的90％，180℃反应30小时。自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空60℃干燥，得黑色Pb0.02Bi2Te3.02粉末。化合物XRD谱见图12；形貌为球形颗粒，平均粒径30纳米(见图13)。
Claims (3)
1.一种纳米级二元金属碲化物的制备方法，该方法按如下步骤进行：
(1)按化学计量比将可溶性金属铋盐、锡盐或铅盐与碲粉相互混合，再称取相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾，将上述原料加入热压反应釜中；
(2)在热压反应釜中加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺至反应釜容量的80～90％，再加入一定量的氢氧化钾使碱浓度为1～2mol/L，在100℃～180℃反应15～40小时；然后自然冷却至室温，过滤，用水或乙醇充分洗涤，真空干燥，即得不同形貌的纳米级Bi2Te3或SnTe或PbTe化合物。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征是：所述的铋盐、锡盐或铅盐为所述铋、锡或铅的硝酸盐或氯化盐。
3.一种纳米级三元金属碲化物的制备方法，该方法按如下步骤进行：
(1)将摩尔比为0.02～0.5∶1∶1.52～2的可溶性锡或铅盐与铋盐、Te粉相互混合，再加入相当于碲粉摩尔量的硼氢化钾，将上述原料加入热压反应釜中；
(2)在热压反应釜中加入溶剂N，N-二甲基甲酰胺至其容量的80～90％，再称取一定量的氢氧化钾使碱浓度为1～2mol/L，在100℃～180℃反应15小时～40小时，然后自然冷却至室温，过滤，水、乙醇充分洗涤，真空干燥，得黑色纳米级掺杂Pb或Sn的Bi2Te3或PbTe化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB02121431XA CN1159212C (zh) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 一种纳米级金属碲化物的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB02121431XA CN1159212C (zh) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 一种纳米级金属碲化物的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1384048A true CN1384048A (zh) | 2002-12-11 |
| CN1159212C CN1159212C (zh) | 2004-07-28 |
Family
ID=4744964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB02121431XA Expired - Fee Related CN1159212C (zh) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 一种纳米级金属碲化物的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1159212C (zh) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333093C (zh) * | 2005-11-17 | 2007-08-22 | 钢铁研究总院 | 铋－碲基热电合金的制备方法 |
| CN100348755C (zh) * | 2003-12-25 | 2007-11-14 | 同济大学 | 方钴矿系热电材料的合成方法 |
| CN100355645C (zh) * | 2004-12-24 | 2007-12-19 | 同济大学 | 纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法 |
| CN100419130C (zh) * | 2004-11-03 | 2008-09-17 | 中国科学技术大学 | Sb2Te3单晶纳米线有序阵列及其制备方法 |
| CN100428516C (zh) * | 2003-05-20 | 2008-10-22 | 松下电器产业株式会社 | 热电转换材料及其制造方法 |
| CN100585032C (zh) * | 2007-10-23 | 2010-01-27 | 南京航空航天大学 | 一种碲化铅纳米线制备方法 |
| CN101327915B (zh) * | 2008-07-17 | 2010-04-07 | 武汉理工大学 | Sb2Te3热电化合物的制备方法 |
| CN101311384B (zh) * | 2008-02-27 | 2010-07-14 | 中国科学院理化技术研究所 | CuTe单晶纳米带及其制备方法 |
| CN101602496B (zh) * | 2009-07-07 | 2011-05-25 | 同济大学 | 碲化铅薄膜和纳米粉体的同步制备方法 |
| CN101656293B (zh) * | 2004-12-07 | 2012-01-11 | 丰田技术中心美国公司 | 形成块状热电材料的方法 |
| CN103058151A (zh) * | 2013-01-16 | 2013-04-24 | 吉林大学 | 一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法 |
| CN103274371A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-09-04 | 吉林大学 | 以烷基酰胺为溶剂制备油溶性碲化物半导体纳米晶的方法 |
| CN103569975A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-12 | 北方民族大学 | 一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法 |
| CN105200520A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 广东工业大学 | 一种制备Bi2(SexTe1-x)3单晶纳米片的方法 |
| CN105819411A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-08-03 | 山东科技大学 | 一种以三角形为基本单元的八面体SnTe纳米晶的制备方法 |
| CN108367922A (zh) * | 2015-06-01 | 2018-08-03 | 宝山钢铁股份有限公司 | 制造金属硫属元素化物纳米材料的水基方法 |
| CN112723322A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-30 | 河南科技大学 | 一种利用水热法制备层状碲化铋纳米颗粒的方法 |
| CN113582143A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 西安石油大学 | 一种金属碲化物纳米管及其普适性的制备方法 |
-
2002
- 2002-06-21 CN CNB02121431XA patent/CN1159212C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100428516C (zh) * | 2003-05-20 | 2008-10-22 | 松下电器产业株式会社 | 热电转换材料及其制造方法 |
| CN100348755C (zh) * | 2003-12-25 | 2007-11-14 | 同济大学 | 方钴矿系热电材料的合成方法 |
| CN100419130C (zh) * | 2004-11-03 | 2008-09-17 | 中国科学技术大学 | Sb2Te3单晶纳米线有序阵列及其制备方法 |
| CN101656293B (zh) * | 2004-12-07 | 2012-01-11 | 丰田技术中心美国公司 | 形成块状热电材料的方法 |
| CN100355645C (zh) * | 2004-12-24 | 2007-12-19 | 同济大学 | 纳米级银和锑或银和铋掺杂的碲化铅的制备方法 |
| CN1333093C (zh) * | 2005-11-17 | 2007-08-22 | 钢铁研究总院 | 铋－碲基热电合金的制备方法 |
| CN100585032C (zh) * | 2007-10-23 | 2010-01-27 | 南京航空航天大学 | 一种碲化铅纳米线制备方法 |
| CN101311384B (zh) * | 2008-02-27 | 2010-07-14 | 中国科学院理化技术研究所 | CuTe单晶纳米带及其制备方法 |
| CN101327915B (zh) * | 2008-07-17 | 2010-04-07 | 武汉理工大学 | Sb2Te3热电化合物的制备方法 |
| CN101602496B (zh) * | 2009-07-07 | 2011-05-25 | 同济大学 | 碲化铅薄膜和纳米粉体的同步制备方法 |
| CN103058151A (zh) * | 2013-01-16 | 2013-04-24 | 吉林大学 | 一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法 |
| CN103058151B (zh) * | 2013-01-16 | 2015-02-04 | 吉林大学 | 一种分级结构的碲化铋纳米晶及其制备方法 |
| CN103274371A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-09-04 | 吉林大学 | 以烷基酰胺为溶剂制备油溶性碲化物半导体纳米晶的方法 |
| CN103569975A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-12 | 北方民族大学 | 一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法 |
| CN103569975B (zh) * | 2013-11-22 | 2015-09-09 | 北方民族大学 | 一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法 |
| CN108367922A (zh) * | 2015-06-01 | 2018-08-03 | 宝山钢铁股份有限公司 | 制造金属硫属元素化物纳米材料的水基方法 |
| CN105200520A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-30 | 广东工业大学 | 一种制备Bi2(SexTe1-x)3单晶纳米片的方法 |
| CN105819411A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-08-03 | 山东科技大学 | 一种以三角形为基本单元的八面体SnTe纳米晶的制备方法 |
| CN112723322A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-30 | 河南科技大学 | 一种利用水热法制备层状碲化铋纳米颗粒的方法 |
| CN113582143A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 西安石油大学 | 一种金属碲化物纳米管及其普适性的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1159212C (zh) | 2004-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1159212C (zh) | 一种纳米级金属碲化物的制备方法 | |
| Yu et al. | A new low temperature one-step route to metal chalcogenide semiconductors: PbE, Bi 2 E 3 (E= S, Se, Te) | |
| CN1159211C (zh) | 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法 | |
| CN108367922A (zh) | 制造金属硫属元素化物纳米材料的水基方法 | |
| Wang et al. | One-pot fabrication and thermoelectric properties of Ag2Te–polyaniline core–shell nanostructures | |
| KR20110049580A (ko) | 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 | |
| CN100545081C (zh) | 树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法 | |
| US9634220B2 (en) | Fabrication method for synthesizing a BixSb2-xTe3 thermoelectric nanocompound and thermoelectric nanocompound thereby | |
| CN102760829B (zh) | PbTe立方颗粒/石墨烯复合材料及其制备方法和应用 | |
| Nithiyanantham et al. | Low temperature formation of rectangular PbTe nanocrystals and their thermoelectric properties | |
| CN115038666A (zh) | 一种纳米钛酸盐、纳米钛酸、纳米TiO2的制备方法及用途 | |
| Thakur et al. | Investigating phase transition and morphology of Bi-Te thermoelectric system | |
| Li et al. | A solvothermal route to nanocrystalline Cu7Te4 at low temperature | |
| CN104310320B (zh) | 一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法 | |
| Jiang et al. | Microwave-assisted preparation of Bi2Te3 hollow nanospheres | |
| CN1526637A (zh) | 一种Bi2Te3基化合物纳米管的制备方法 | |
| CN1267338C (zh) | 含稀土元素的Bi2Te3基热电材料纳米粉的制备方法 | |
| CN101074463A (zh) | 一种填充型锑基方钴矿化合物及其制备方法 | |
| WO2022211739A1 (en) | Ambient scalable synthesis of surfactant-free nanostructured chalcogenide particles for near room-temperature thermoelectric applications | |
| Bai et al. | Synthesis of various metal selenide nanostructures using the novel selenium precursor 1, 5-bis (3-methylimidazole-2-selone) pentane | |
| Ota et al. | Synthesis and optical properties of Sb2Se3 nanorods | |
| CN1240620C (zh) | 方钴矿结构过渡金属三锑化物的制备方法 | |
| CN101074462A (zh) | 填充型锑基方钴矿化合物及其制备方法 | |
| Xiang et al. | Solution synthesis ultrathin PbTe0. 5Se0. 5 nanowires and the low lattice thermal conductivity | |
| Capezzuto et al. | New fluorescent polymeric nanocomposites synthesized by antimony dodecyl-mercaptide thermolysis in polymer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040728 Termination date: 20110621 |