CH696374A5 - Herstellungsverfahren für eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung, und eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung. - Google Patents
Herstellungsverfahren für eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung, und eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung. Download PDFInfo
- Publication number
- CH696374A5 CH696374A5 CH00145/03A CH1452003A CH696374A5 CH 696374 A5 CH696374 A5 CH 696374A5 CH 00145/03 A CH00145/03 A CH 00145/03A CH 1452003 A CH1452003 A CH 1452003A CH 696374 A5 CH696374 A5 CH 696374A5
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- layer
- junction diode
- diode device
- cathode layer
- ions
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/01—Manufacture or treatment
- H10D8/045—Manufacture or treatment of PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/50—Physical imperfections
- H10D62/53—Physical imperfections the imperfections being within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/912—Displacing pn junction
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002023676A JP4146645B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | pn接合ダイオードの製造方法及びpn接合ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH696374A5 true CH696374A5 (de) | 2007-05-15 |
Family
ID=27606411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH00145/03A CH696374A5 (de) | 2002-01-31 | 2003-01-31 | Herstellungsverfahren für eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung, und eine PN-Sperrschicht-Diodenvorrichtung. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6709914B2 (https=) |
| JP (1) | JP4146645B2 (https=) |
| CH (1) | CH696374A5 (https=) |
| DE (1) | DE10303942B4 (https=) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108346A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ型半導体素子とその製造方法 |
| CN100361316C (zh) * | 2005-10-28 | 2008-01-09 | 冯守华 | 原子级p-n结单晶整流器及其应用 |
| JP5374883B2 (ja) | 2008-02-08 | 2013-12-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2963204B2 (ja) | 1990-12-12 | 1999-10-18 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH10116998A (ja) | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Toyota Motor Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| GB9709642D0 (en) | 1997-05-14 | 1997-07-02 | Plessey Semiconductors Ltd | Improvements in or relating to semiconductor devices |
| US6261874B1 (en) * | 2000-06-14 | 2001-07-17 | International Rectifier Corp. | Fast recovery diode and method for its manufacture |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002023676A patent/JP4146645B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-31 US US10/331,646 patent/US6709914B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-31 CH CH00145/03A patent/CH696374A5/de not_active IP Right Cessation
- 2003-01-31 DE DE10303942A patent/DE10303942B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030141513A1 (en) | 2003-07-31 |
| DE10303942A1 (de) | 2003-08-21 |
| US6709914B2 (en) | 2004-03-23 |
| JP4146645B2 (ja) | 2008-09-10 |
| DE10303942B4 (de) | 2007-12-06 |
| JP2003224134A (ja) | 2003-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19824514B4 (de) | Diode | |
| EP1408554B1 (de) | Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement | |
| DE2711562C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE102011003660B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbidhalbleitervorrichtung | |
| DE3131727C2 (https=) | ||
| DE112010005626B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE112012001565B4 (de) | Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE112018000517B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE112016005210T5 (de) | Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2246115A1 (de) | Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung | |
| DE102014209935A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| WO2016151112A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterkörpers | |
| DE102015209570B4 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
| DE202023107467U1 (de) | Rückkontakt-Solarzelle, Rückkontakt-Solarzellenmodul und PV-Systeme | |
| DE3788470T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate. | |
| EP0557318B1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden | |
| DE1949161A1 (de) | Halbleiterlaser sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2500775C3 (de) | Hochspannungsfestes planeres Halbleiterbauelement | |
| WO2001024276A1 (de) | Ladungskompensationshalbleiteranordnung | |
| DE112018007354T5 (de) | Siliciumcarbid-halbleitereinheit und herstellungsverfahren für dieselbe | |
| DE10119216A1 (de) | Verfahren zur Ausformung eines Halbleiterfilms vom Typ P und eine dieses nutzende lichtemittierende Vorrichtung | |
| DE69531783T2 (de) | Herstellungsverfahren für Leistungsanordnung mit Schutzring | |
| DE10203820B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE10015884A1 (de) | Schottky-Diode | |
| EP3857617B1 (de) | Verfahren zum vereinzeln eines halbleiterbauelementes mit einem pn-übergang |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased |