DE202023107467U1

DE202023107467U1 - Rückkontakt-Solarzelle, Rückkontakt-Solarzellenmodul und PV-Systeme

Info

Publication number: DE202023107467U1
Application number: DE202023107467.7U
Authority: DE
Original assignee: Solarlab Aiko Europe GmbH
Current assignee: Solarlab Aiko Europe GmbH
Priority date: 2023-03-16
Filing date: 2023-12-18
Publication date: 2024-01-17
Anticipated expiration: 2033-12-19
Also published as: JP7389934B1

Abstract

Rückkontakt-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst:Wafer, wobei der Wafer eine Lichtempfangsfläche und eine Abschattungsfläche aufweist, die voneinander abgewandt angeordnet sind, wobei auf der Abschattungsfläche eine Anzahl von beabstandeten Rillenbereichen und Nichtrillenbereichen ausgebildet ist, wobei eine Anzahl der Nichtrillenbereiche und Rillenbereiche aufeinanderfolgend in abwechselnder Reihenfolge angeordnet ist;erste Dotierungsschichten, die auf dem Nichtrillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die erste Dotierungsschicht an einer vorbestimmten Position im Rillenbereich einen vorstehenden Abschnitt aufweist, der sich über den Rillenbereich erstreckt, wobei der vorstehende Abschnitt eine erste Oberfläche aufweist, die dem Rillenbereich zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche, die dem Rillenbereich abgewandt ist;zweite Dotierungsschichten, die auf dem Rillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die zweite Dotierungsschicht eine zur ersten Dotierungsschicht entgegengesetzte Polarität aufweist, wobei die zweite Dotierungsschicht an der vorbestimmten Position einen Umhüllungsabschnitt aufweist, der sich entlang einer Seitenwandfläche des Rillenbereichs erstreckt und kaskadenförmig verläuft, um die erste Oberfläche zu bedecken, wobei der Umhüllungsabschnitt mit der ersten Oberfläche zusammengesetzt ist.

Description

INFORMATIONEN ÜBER PRIORITÄTEN
Diese Anmeldung beansprucht Priorität und Rechte an den Patentanmeldungen Nr. 202310282218 .X und 202320570099.3 , die am 16. März 2023 beim Staatlichen Amt für geistiges Eigentum in China eingereicht wurde, sowie an den Patentanmeldungen Nr. 202321268949.0 und 202310583236.1 , die am 23. Mai 2023 beim Staatlichen Amt für geistiges Eigentum in China eingereicht wurden, und ist hierin durch Verweis in vollem Umfang einbezogen.
TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf das technische Gebiet der Solarzellen, insbesondere auf eine Rückkontakt-Solarzelle, eine Rückkontakt-Solarzelle, ein Rückkontakt-Solarzellenmodul und ein PV-System.
STAND DER TECHNIK
Bei Solarzellen ist die Rückkontakt-Solarzelle derzeit eine Zelle, bei der sich sowohl die Emitter- als auch die Basiskontaktelektroden auf der Rückseite der Zelle (Abschattungsfläche) befinden und die Lichtempfangsfläche der Zelle nicht durch Metallelektroden abgeschirmt ist, wodurch sich der Kurzschlussstrom der Zelle effektiv erhöht.
Bei herkömmlichen technischen Lösungen ist die Rückseite eines Rückkontakt-Solarwafers in der Regel eine ebene Fläche, auf deren Rückseite sich nacheinander abwechselnd P-Flächen und N-Flächen befinden und die P-Flächen und N-Flächen sich zumindest teilweise überschneiden, wobei die im Überschneidungsbereich von P/N-Flächen auf der Rückseite der Rückkontakt-Solarzelle erzeugte Kantenzusammensetzung schwerwiegender ist und einen größeren Einfluss hat, was die elektrische Leistung der Zelle, insbesondere den Füllfaktor, beeinträchtigt, so dass der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle sinkt.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Anmeldung stellt eine Rückkontakt-Solarzelle, ein Rückkontakt-Solarzellenmodul und ein PV-System zur Verfügung und soll das technische Problem lösen, wie man den Umfang des Zusammensetzungseinflusses reduziert, der den Übergangsbereich von P/N-Flächen auf der Abschattungsfläche einer Rückkontakt-Solarzelle reduziert, um den Füllfaktor der Zelle und somit die Umwandlungseffizienz zu verbessern.
Die vorliegende Anmeldung ist so umgesetzt, dass die Rückkontakt-Solarzelle einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung umfasst:

Wafer, wobei der Wafer eine Lichtempfangsfläche und eine Abschattungsfläche aufweist, die voneinander abgewandt angeordnet sind, wobei auf der Abschattungsfläche eine Anzahl von beanstandeten Rillenbereichen und Nichtrillenbereichen ausgebildet ist, wobei eine Anzahl der Nichtrillenbereiche und Rillenbereiche aufeinanderfolgend in abwechselnder Reihenfolge angeordnet ist;
erste Dotierungsschichten, die auf dem Nichtrillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die erste Dotierungsschicht an einer vorbestimmten Position im Rillenbereich einen vorstehenden Abschnitt aufweist, der sich über den Rillenbereich erstreckt, wobei der vorstehende Abschnitt eine erste Oberfläche aufweist, die dem Rillenbereich zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche, die dem Rillenbereich abgewandt ist;
zweite Dotierungsschichten, die auf dem Rillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die zweite Dotierungsschicht eine zur ersten Dotierungsschicht entgegengesetzte Polarität aufweist, wobei die zweite Dotierungsschicht an der vorbestimmten Position einen Umhüllungsabschnitt aufweist, der sich entlang einer Seitenwandfläche des Rillenbereichs erstreckt und kaskadenförmig verläuft, um die erste Oberfläche zu bedecken, wobei der Umhüllungsabschnitt mit der ersten Oberfläche zusammengesetzt ist.

Die vorliegende Anmeldung stellt zusätzlich eine Rückkontakt-Solarzelle bereit, wobei die Rückkontakt-Solarzelle Folgendes umfasst:

Wafer, wobei die Abschattungsfläche des Wafers eine Anzahl von abwechselnd angeordneten Bereichen I und Bereichen II umfasst, wobei die Bereiche I ausgebildete Ausnehmungen aufweisen;
eine erste Dotierungsschicht, die über dem ersten Bereich angeordnet ist, wobei die erste Dotierungsschicht an einer vorbestimmten Position in der Ausnehmung einen ersten Abschnitt, der über dem ersten Bereich angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt, der über die Ausnehmung vorsteht, umfasst; und
zweite Dotierungsschichten, die an der Ausnehmung angeordnet sind, wobei die zweite Dotierungsschicht an der vorbestimmten Position den Boden und Seiten der Ausnehmung bedeckt, die Seiten des zweiten Abschnitts sowie die Oberfläche des zweiten Abschnitts umhüllt, die der Ausnehmung zugewandt ist, wobei zweite Dotierungsschicht mit der Oberfläche des zweiten Abschnitts zusammengesetzt ist, die der Ausnehmung zugewandt ist.

Die vorliegende Anmeldung stellt zusätzlich ein Rückkontakt-Solarzellenmodul bereit, wobei das Rückkontakt-Solarzellenmodul Rückkontakt-Solarzellen umfasst, die in einem der vorangehenden Punkte beschrieben sind.
Die vorliegende Anmeldung stellt auch ein PV-System zur Verfügung, wobei das PV-System ein Rückkontakt-Solarzellenmodul wie oben beschrieben umfasst.
In der Rückkontakt-Solarzelle, den Rückkontakt-Solarzellen und dem Rückkontakt-Solarzellenmodul und dem PV-System der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung ist einerseits der Umhüllungsabschnitt mit der ersten Oberfläche des vorstehenden Abschnitts aufgrund der Bereitstellung des Rillenbereiches, des Umhüllungsabschnitts und des vorstehenden Abschnitts zusammengesetzt, wobei eine Seite des zusammengesetzten Schnittbereiches der beiden der Rillenbereich ist und es keinen Waferabschnitt gibt. Die Kantenzusammensetzung des zusammengesetzten Schnittbereiches der beiden wirkt sich nur auf Wafer auf der Seite des Rillenbereichs gering aus, was den Bereich der Wafer, die durch den Zusammensetzungsbereich abgestrahlt werden, effektiv reduzieren kann, um die Anzahl der Träger in den Wafern, die betroffen sind, zu reduzieren, die elektrische Leistung der Rückkontakt-Solarzellen zu verbessern und den Füllfaktor und ferner die Effizienz zu verbessern. Andererseits werden der Umhüllungsabschnitt und die erste Oberfläche des vorstehenden Abschnitts an der vorbestimmten Position einer Zusammensetzung unterzogen, wodurch die beiden einen bestimmten Zusammensetzungsbereich aufweisen, der bewirkt, dass die beiden einen bestimmten Zusammensetzungsbereich haben, so dass der Strom zum Zeitpunkt der elektrischen Einspeisung erhöht werden kann, was dazu führt, die Reparatureffizienz und den Reparatureffekt zu verbessern, wenn die Rückkontakt-Solarzelle in einem nachfolgenden Prozess repariert wird. Gleichzeitig sind die Seiten des vorstehenden Abschnitts nicht durch den Umhüllungsabschnitt abgedeckt, wodurch vermieden werden kann, dass die Effizienz der Batterie durch die übermäßige Zusammensetzungsfläche des vorstehenden Abschnitts und des Umhüllungsabschnitts beeinträchtigt wird.
Weitere Aspekte sowie Vorteile der vorliegenden Anmeldung werden in der nachfolgenden Beschreibung teilweise genannt, teilweise ergeben sie sich aus der nachfolgenden Beschreibung oder werden durch die Praxis der Anmeldung erkannt.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

1 ist eine schematische Darstellung eines Moduls eines PV-Systems, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung vorgesehen ist;
2 ist eine schematische Darstellung eines Moduls eines Rückkontakt-Solarzellenmoduls, das in einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung vorgesehen ist;
3 ist eine schematische Darstellung einer planaren Struktur einer Rückkontakt-Solarzelle, die im Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Anmeldung vorgesehen ist;
4 ist eine schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
5 ist eine schematische Darstellung eines Querschnitts einer Rückkontakt-Solarzelle des Standes der Technik;
6 ist eine schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
7 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
8 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
9 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
10 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 3 entlang der Linie IV-IV;
11 ist eine schematische Darstellung einer planaren Struktur einer Rückkontakt-Solarzelle, die im Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Anmeldung vorgesehen ist;
12 ist eine schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 11 entlang der Linie XII-XII;
13 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 11 entlang der Linie XII-XII;
14 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 11 entlang der Linie XII-XII;
15 ist eine weitere schematische Querschnittsansicht der Rückkontakt-Solarzelle von 11 entlang der Linie XII-XII.

KONKRETE AUSFÜHRUNGSFORMEN
Zum besseren Verständnis der Gegenstände, technischen Lösungen und Vorteile der vorliegenden Anmeldung folgt eine weitere detaillierte Beschreibung der vorliegenden Anmeldung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen und Ausführungsbeispielen. Beispiele für die beschriebenen Ausführungsformen sind in den beigefügten Zeichnungen dargestellt, wobei in der gleichen Ausführungsform die gleichen oder ähnlichen Bezeichnungen durchweg die gleichen oder ähnlichen Elemente oder Elemente mit den gleichen oder ähnlichen Funktionen bezeichnen. Die nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschriebenen Ausführungsformen sind beispielhaft und sollen nur zur Erläuterung der vorliegenden Anmeldung dienen und sind nicht als Einschränkung der vorliegenden Anmeldung zu verstehen. Darüber hinaus ist zu verstehen, dass die hier beschriebenen spezifischen Ausführungsformen nur dazu dienen, die Anmeldung zu erläutern, und nicht dazu, die Anmeldung einzuschränken.
Bei der Beschreibung ist zu beachten, dass bei den Begriffen „Länge“, „Breite“, „oben“, „unten“, „Spitze“, „Boden“, „transversal“, „vertikal“ usw. die angegebene Ausrichtung oder Lagebeziehung auf der in den beigefügten Zeichnungen gezeigten Ausrichtung oder Lagebeziehung beruht, und dient lediglich der Erleichterung und Vereinfachung der Beschreibung der Anmeldung und soll nicht darauf hinweisen oder implizieren, dass die Anordnung oder die Komponente, auf die Bezug genommen wird, eine bestimmte Ausrichtung hat, und in einer bestimmten Weise gebaut und betrieben werden muss, und ist daher nicht als Einschränkung der Anmeldung zu verstehen.
Darüber hinaus werden Begriffe „erst“ und „zweit“ nur zu beschreibenden Zwecken verwendet und sollten nicht so ausgelegt werden, dass sie eine relative Bedeutung angeben oder implizieren, oder als implizite Angabe der Anzahl der hingewiesenen technischen Merkmale zu verstehen sind. So kann ein Merkmal, das mit „ersten“ und „zweiten“ bezeichnet wird, explizit oder implizit ein oder mehrere solcher Merkmale enthalten. In der Beschreibung dieser Anmeldung bedeutet eine „Vielzahl“, sofern nicht anders angegeben, zwei oder mehr.
Bei der Beschreibung der Anmeldung ist zu beachten, dass bei den Begriffen „installieren“, „verbinden“ und „anschließen“ vorkommen, sind sie weit auszulegen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben und eingeschränkt ist. Es kann sich beispielsweise um eine feste Verbindung, eine lösbare Verbindung oder eine einteilige Verbindung, eine mechanische Verbindung oder eine elektrische Verbindung, eine direkte Verbindung oder eine indirekte Verbindung über ein Zwischenmedium oder eine Verbindung innerhalb zweier Bauteile handeln. Für einen Fachmann ist die spezifische Bedeutung der oben genannten Begriffe im Zusammenhang mit der Anmeldung im Einzelfall nachvollziehbar.
Sofern nicht ausdrücklich anders angegeben und eingeschränkt, kann das erste Merkmal „über“ oder „unter“ dem zweiten Merkmal der Anmeldung einen direkten Kontakt zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal umfassen, oder es kann auch umfassen, dass das erste Merkmal und das zweite Merkmal nicht direkt, sondern durch ein zusätzliches Medium in Kontakt kommt. Darüber hinaus beinhaltet es, dass das erste Merkmal „über“, „oberhalb“ und „auf“ dem zweiten Merkmal liegt, dass das erste Merkmal direkt und diagonal über dem zweiten Merkmal liegt oder einfach anzeigt, dass das erste Merkmal horizontal höher über dem zweiten Merkmal ist. Dass, das erste Merkmal „unter“, „unterhalb“ und „unten“ dem zweiten Merkmal liegt, beinhaltet es, dass das erste Merkmal direkt unter und diagonal unter dem zweiten Merkmal liegt, oder gibt einfach an, dass das erste Merkmal horizontal niedriger als das zweite Merkmal ist.
Die folgende Offenlegung enthält eine Reihe verschiedener Ausführungsformen oder Beispiele für die Umsetzung der verschiedenen Strukturen der vorliegenden Anmeldung. Um die Darstellung der vorliegenden Anmeldung zu vereinfachen, werden im Folgenden die Komponenten und Einstellungen bestimmter Beispiele beschrieben. Sie sind natürlich nur beispielhaft und sollen die vorliegende Anmeldung nicht einschränken. Darüber hinaus kann es in der vorliegenden Anmeldung vorkommen, dass Referenznummern und/oder Referenzbuchstaben in verschiedenen Beispielen wiederholt werden, wobei eine solche Wiederholung der Einfachheit und Klarheit dient und an sich kein Hinweis auf eine Beziehung zwischen den verschiedenen diskutierten Ausführungsformen und/oder Einstellungen ist. Darüber hinaus werden in dieser Anmeldung verschiedene spezifische Beispiele für Verfahren und Materialien angeführt, doch kann ein Fachmann auch andere Anwendungen von Verfahren und/oder andere Szenarien für die Verwendung von Materialien kennen.
Ausführungsbeispiel 1
Unter Bezugnahme auf 1-2 kann das PV-System 1000 in diesem Ausführungsbeispiel der Anmeldung ein Rückkontakt-Solarzellenmodul 200 (d.h. ein Rückkontakt-Solarzellenmodul) enthalten, und das Rückkontakt-Solarzellenmodul 200 kann in dieser Anwendungsausführung eine Vielzahl von Rückkontakt-Solarzellen 100 (d.h. Rückkontakt-Solarzellen) enthalten.
Eine Vielzahl von Rückkontakt-Solarzellen 100 im Rückkontakt-Solarzellenmodul 200 kann sequentiell in Reihe geschaltet werden, um eine Vielzahl von Batteriesträngen zu bilden, und jeder Batteriestrang kann in Reihe, parallel oder in einer Kombination der Reihen- und Parallelschaltung geschaltet werden, um die Konvergenz des Stromausgangs zu erreichen, z.B. mittels Lötstreifen, um die Verbindung jeder Zelle zu einem Batteriestrang zu erreichen, und mittels Sammelstreifen, um die Verbindung jedes Batteriestrangs zu erreichen. In einigen Ausführungsformen können einzelne Batteriestränge eine Zellenanordnung bilden, die dann durch eine Frontplatte, eine vordere Klebefolie, eine hintere Klebefolie und eine Rückplatte zu einem Rückkontakt-Solarzellenmodul 200 verkapselt wird.
Wie in 3 und 4 dargestellt kann die Rückkontakt-Solarzelle 100 in einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung einen Wafer 10, eine erste Dotierungsschicht 20 und eine zweite Dotierungsschicht 30 umfassen.
Der Wafer 10 hat eine Lichtempfangsfläche und 11 eine Abschattungsfläche 12 aufweist, die voneinander abgewandt angeordnet sind, wobei auf der Abschattungsfläche 12 eine Anzahl von beabstandeten Rillenbereichen 121 und Nichtrillenbereichen 122 ausgebildet ist, wobei eine Anzahl der Nichtrillenbereiche 122 und Rillenbereiche 121 aufeinanderfolgend in abwechselnder Reihenfolge angeordnet ist; Insbesondere können, wie in 3 gezeigt, der Rillenbereich 121 und der Nichtrillenbereich 122 abwechselnd entlang der Querrichtung des Wafers 10 angeordnet sein; in der dargestellten Ausführungsform ist der Randbereich des Wafers 10 der Nichtrillenbereich 122; sowohl der Rillenbereich 121 als auch der Nichtrillenbereich 122 erstrecken sich in der Längsrichtung des Wafers 10; der Rillenbereich 121 und der Nichtrillenbereich 122 können durchs Bilden einer Anzahl von voneinander beabstandeten Rillen auf dem Wafer 10 gebildet werden, wobei die gebildeten Rillen dem Rillenbereich 121 entsprechen und der Bereich zwischen zwei benachbarten Rillen dem Nichtrillenbereich 122 entspricht.
Wie in den 3 und 4 gezeigt können erste Dotierungsschichten 20 kaskadenförmig über dem Nichtrillenbereich 122 angeordnet; an einer vorbestimmten Position 123 des Rillenbereichs 121 hat die erste Dotierungsschicht 20 einen vorstehenden Abschnitt 21, der sich über den Rillenbereich 121 hinaus erstreckt; der vorstehende Abschnitt 21 hat eine erste Oberfläche 211, die dem Rillenbereich 121 zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche 212, die dem Rillenbereich 121 abgewandt liegt.
Zweite Dotierungsschichten 30 können kaskadenförmig innerhalb des Rillenbereichs 121 angeordnet sein, wobei die zweite Dotierungsschicht 30 eine Polarität aufweist, die der Polarität der ersten Dotierungsschicht 20 entgegengesetzt ist. Insbesondere kann es sich bei der ersten Dotierungsschicht 20 µm eine N-Dotierungsschicht und bei der zweiten Dotierungsschicht 30 µm eine P-Dotierungsschicht handeln, oder die erste Dotierungsschicht 20 kann eine P-Dotierungsschicht und die zweite Dotierungsschicht 30 eine N-Dotierungsschicht sein, und die Einzelheiten sind hier nicht festgelegt, sondern nur, dass beide entgegengesetzte Polaritäten haben. An der vorbestimmten Position 123 des Rillenbereichs 121 weist die zweite Dotierungsschicht 30 einen Umhüllungsabschnitt 31 auf, wobei sich der Umhüllungsabschnitt 31 entlang einer Seitenwandfläche des Rillenbereichs 121 erstreckt und kaskadenförmig verläuft, um die erste Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 zu bedecken, wobei der Umhüllungsabschnitt 31 mit der ersten Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 zusammengesetzt ist.
In der Rückkontakt-Solarzelle 100, dem Rückkontakt-Solarzellenmodul 200 und dem PV-System 1000 einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung ist eine Anzahl von abwechselnd angeordneten Rillenbereichen 121 und Nichtrillenbereichen 122 auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 gebildet, wobei die erste Dotierungsschicht 20 einen vorstehenden Abschnitt 21 hat, der sich über den Rillenbereich 121 an einer vorbestimmten Position 123 des Rillenbereiches 121 erstreckt. Die zweite Dotierungsschicht 30 hat einen Umhüllungsabschnitt 31, der kaskadenförmig verläuft und so bewirkt, um die erste Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 zu bedecken, wobei der Umhüllungsabschnitt 31 mit der ersten Oberfläche 211 zusammengesetzt ist. So ist einerseits der Umhüllungsabschnitt 31 mit der ersten Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 aufgrund der Bereitstellung des Rillenbereiches 121, des Umhüllungsabschnitts 31 und des vorstehenden Abschnitts 21 zusammengesetzt, wobei eine Seite des zusammengesetzten Schnittbereiches der beiden der Rillenbereich 121 ist und es keinen Waferabschnitt gibt (d.h. eine Seite des Zusammensetzungsbereichs Rillenbereich ist). Die Kantenzusammensetzung des zusammengesetzten Schnittbereiches der beiden wirkt sich nur auf Wafer 10 (d.h. der schraffierte Teil A in 4) auf der Seite des Rillenbereichs 121 gering aus, was den Bereich der Wafer 10, die durch den Zusammensetzungsbereich abgestrahlt werden, effektiv reduzieren kann, um die Anzahl der Träger in den Wafern 10, die betroffen sind, zu reduzieren, die elektrische Leistung der Rückkontakt-Solarzellen 100 zu verbessern und den Füllfaktor und ferner die Effizienz zu verbessern. Andererseits werden der Umhüllungsabschnitt 31 und die erste Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 an der vorbestimmten Position 123 einer Zusammensetzung unterzogen, wodurch die beiden einen bestimmten Zusammensetzungsbereich aufweisen, der bewirkt, dass die beiden einen bestimmten Zusammensetzungsbereich haben, so dass der Strom zum Zeitpunkt der elektrischen Einspeisung erhöht werden kann, was dazu führt, die Reparatureffizienz und den Reparatureffekt zu verbessern, wenn die Rückkontakt-Solarzelle 100 in einem nachfolgenden Prozess repariert wird.
Es versteht sich, dass bei einer solchen Ausführungsform die Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 von dem Umhüllungsabschnitt 31 bedeckt sein kann oder nicht, und es ist bevorzugt, dass die Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 nicht von dem Umhüllungsabschnitt 31 bedeckt ist (wie in 4 gezeigt), so dass die Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 nicht von dem Umhüllungsabschnitt 31 bedeckt ist und vermieden werden kann, dass die zusammengesetzte Fläche des vorstehenden Abschnitts 21 mit dem Umhüllungsabschnitt 31 zu groß ist und den Wirkungsgrad der Batterie beeinträchtigt, wobei die Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Wie in 5 gezeigt, illustriert 5 ein Designschema für eine Abschattungsfläche einer Rückkontakt-Solarzelle im Stand der Technik. Im konventionellen technischen Schema sind die P-Typ-Dotierungsschicht 2 und die N-Typ-Dotierungsschicht 1 auf der Abschattungsfläche der Rückkontakt-Solarzelle flach auf die Abschattungsfläche des Wafers gesetzt; die P-Typ-Dotierungsschicht 2 und die N-Typ-Dotierungsschicht 1 überschneiden sich, wobei eine Kantenzusammensetzung an der Überschneidung der beiden erzeugt wird, was die Anzahl der Ladungsträger und den Umfang ihres Einflusses beeinflusst; wie im schattierten Bereich B in 5 gezeigt, ist der Einflussbereich größer, was zu einem geringeren Wirkungsgrad der Zelle führt.
In der vorliegenden Anmeldung wird die zweite Dotierungsschicht 30 jedoch innerhalb des Rillenbereichs 121 angeordnet und die erste Dotierungsschicht 20 verfügt über einen vorstehenden Abschnitt 21, der sich über den Rillenbereich 121 erstreckt, wobei die zweite Dotierungsschicht 30 nur an der vorbestimmten Position 123 einen Umhüllungsabschnitt 31 aufweist, der mit der ersten Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 zusammengesetzt ist; beim Schnittbereich vom Umhüllungsabschnitt 31 und vorstehenden Abschnitt 21 weist nur eine Seite des Rillenbereiches 121 den Wafer 10 auf, wobei sich die Randzusammensetzung der beiden nur geringermaßen auf den Wafer 10 auf der Seite des Rillenbereichs 121 auswirkt, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 effektiv verbessern kann.
Es ist anzumerken, dass in der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung „die vorbestimmte Position 123 des Rillenbereichs 121“ als der gesamte Rillenbereich 121 oder ein Teil des Rillenbereichs 121 verstanden werden kann, und die Einzelheiten sind hier nicht beschränkt; wenn die vorbestimmte Position 123 der gesamte Rillenbereich 121 ist, hat die gesamte Abschattungsfläche 12 nur einen einzigen Rillenbereich 121 die vorbestimmte Position 123 oder nur ein Teil der Rillenbereiche 121 vorbestimmte Positionen 123 haben.
In Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung befinden sich die vorbestimmten Positionen 123 vorzugsweise teilweise im Rillenbereich 121, wobei die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 eine einzige oder eine Vielzahl in jedem der Rillenbereiche 121 sein kann und die Vielzahl der vorbestimmten Positionen 123 in einer Längsrichtung voneinander Abstand haben kann, wie hierin ohne Einschränkung angegeben. Wie in 3 gezeigt, sind die vorbestimmten Positionen 123 im Einzelnen Rillenbereich 121 beispielsweise zwei, und natürlich kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 im Einzelnen Rillenbereich 121 eine einzige oder mehr als zwei sein, und die Besonderheiten sind hier nicht begrenzt.
Darüber hinaus kann in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung die Anzahl der Rillenbereiche 121, die die vorbestimmte Position 123 haben, eine einzelne oder eine Vielzahl von ihnen sein und ist hierin nicht begrenzt, zum Beispiel, wie in 3 gezeigt, sind die Rillenbereiche 121, die vorbestimmte Positionen 123 haben, die Rillenbereiche 121 an den Rändern beider Seiten der Rückkontakt-Solarzellen 100 in einer Querrichtung, und natürlich können in anderen Ausführungsformen die Rillenbereiche 121, die vorbestimmte Positionen 123 haben, auch eine einzelne oder mehr als zwei sein, und ihre Positionen können auch in der mittleren Position der Rückkontakt-Solarzelle 100 oder in anderen Positionen liegen, wobei die Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Es ist auch wichtig zu beachten, dass in dieser Anmeldung: „Zusammensetzung des Umhüllungsabschnitts 31 und des vorstehenden Abschnitts 21 der ersten Oberfläche 211 hin“ bedeutet, dass es keine Isolierung zwischen den beiden gibt, und die Zusammensetzung kann entweder durch direkten Kontakt zwischen den beiden oder durch Tunneln durch andere dielektrische Schichten erfolgen, um die Zusammensetzungsfunktion zu erreichen, z. B. können die beiden durch die zweite dielektrische Schicht 80 zusammengesetzt werden, wie unten erwähnt.
In einigen Ausführungsformen kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 eine Vielzahl sein, die gleichmäßig auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 verteilt sein kann, zum Beispiel, wie in 3 gezeigt, kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 vier sein, wobei die vier vorbestimmten Positionen 123 an den vier Ecken der Rückkontakt-Solarzelle 100 verteilt sein können, um eine Vielzahl von Punkten an der Abschattungsfläche 12 einzuführen, an denen die zweite Dotierungsschicht 30 in Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 kommt, so dass der Strom während der elektrischen Einspeisung erhöht werden kann, wodurch der nachfolgende Reparatureffekt auf der Rückkontakt-Solarzelle 100 verbessert wird.
In der vorliegenden Anmeldung kann der Wafer 10 ein P-Typ-Wafer oder ein N-Typ-Wafer sein, der vorzugsweise ein N-Typ-Wafer sein kann, wobei die Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
In einer möglichen Ausführungsform kann der Wafer 10 im Herstellungsprozess zuerst gereinigt werden, und dann kann die erste Dotierungsschicht 20 auf der gesamten Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 hergestellt werden; dann durchs Entfernen eines Teils der ersten Dotierungsschicht 20 mittels Ätzen oder ähnlichem eine Anzahl von Rillen auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 gebildet werden, um Nichtrillenbereiche 122 und Rillenbereiche 121 zu bilden und zu bewirken, dass die erste Dotierungsschicht 20 einen vorstehenden Abschnitt 21 aufweist, der sich über die erste Dotierungsschicht 20 an der vorbestimmten Position 123 erstreckt, beispielsweise kann in einer möglichen Ausführungsform ein Abschnitt des Rillenbereichs zuerst durch Laser oder Ätzen gebildet werden, und dann wird die Fläche des Rillenbereichs 121 transversal mittels des Ätzens erweitert, so dass sich der vorstehende Abschnitt 21 über den Rillenbereich erstreckt.
Anschließend kann die zweite Dotierungsschicht 30 im Rillenbereich 121 so hergestellt werden, dass die zweite Dotierungsschicht 30 an der vorbestimmten Position 123 einen Umhüllungsabschnitt 31 aufweist, der sich entlang einer Seitenwandfläche des Rillenbereichs 121 erstreckt und die erste Fläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 bedeckt.
Es ist zu beachten, dass die Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 als die Oberfläche im vorstehenden Abschnitt 21 verstanden werden kann, die die erste Oberfläche 211 und die zweite Oberfläche 212 verbindet, d. h. die Endfläche eines Endes des vorstehenden Abschnitts 21, wie in 4 gezeigt.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung umfasst die Rückkontakt-Solarzelle 100 ferner eine erste Elektrode 40 und eine zweite Elektrode 50, wobei die erste Elektrode 40 auf dem Nichtrillenbereich 122 angeordnet werden kann und einen ohmschen Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 bildet, wobei die zweite Elektrode 50 auf dem Rillenbereich 121 angeordnet werden kann und einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Dotierungsschicht 30 bildet. Die erste Elektrode 40 kann eine N-Typ-Elektrode und die zweite Elektrode 50 eine P-Typ-Elektrode sein, oder die erste Elektrode 40 kann eine P-Typ-Elektrode und die zweite Elektrode 50 eine N-Typ-Elektrode sein, wobei die Polarität der ersten Elektrode 40 der Polarität der ersten Dotierungsschicht 20 entspricht und die Polarität der zweiten Elektrode 50 der Polarität der zweiten Dotierungsschicht 30 entspricht, wobei beide Metallelektroden sind.
Des Weiteren kann in der Rückkontakt-Solarzelle 100 der Ausführungsform der Anmeldung gemäß 6 auch eine Passivierungsfilmschicht 60 auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 vorgesehen sein, wobei die Passivierungsfilmschicht 60 die gesamte Abschattungsfläche 12 bedeckt, wobei die erste Elektrode 40 an dem Nichtrillenbereich 122 angeordnet ist und die Passivierungsfilmschicht 60 durchdringt, um einen ohmschen Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 zu bilden, wobei die zweite Elektrode 50 an dem Rillenbereich 121 angeordnet ist und die Passivierungsfilmschicht 60 durchdringt, um einen ohmschen Kontakt mit der zweiten Dotierungsschicht 30 zu bilden.
Es ist auch zu verstehen, dass in der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung im Rillenbereich 121 die erste Dotierungsschicht 20 von der zweiten Dotierungsschicht 30 physisch isoliert ist, außer an der vorbestimmten Position 123, d.h. die erste Dotierungsschicht 20 hat keinen vorstehenden Abschnitt 21 und die zweite Dotierungsschicht 30 hat keinen Umhüllungsabschnitt 31, außer an der vorbestimmten Position 123.
Auf diese Weise kann die physikalische Isolierung der ersten Dotierungsschicht 20 und der zweiten Dotierungsschicht 30 mit Ausnahme des Bereichs, der der vorbestimmten Position 123 entspricht, verhindern, dass die Kontaktfläche zwischen der ersten Dotierungsschicht 20 und der zweiten Dotierungsschicht 30 zu groß wird, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 beeinträchtigen könnte.
Insbesondere können in einer solchen Ausführungsform die erste Dotierungsschicht 20 und die zweite Dotierungsschicht 30 mit Ausnahme der vorbestimmten Position 123 direkt durch den Rillenbereich 121 physisch voneinander isoliert sein, oder sie können durch andere Mittel physisch isoliert sein, zum Beispiel durch die Bereitstellung eines isolierenden Elements, wobei dessen Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Bezug nehmend auf 7 kann die Rückkontakt-Solarzelle 100 in einigen Ausführungsformen auch eine erste dielektrische Schicht 70 enthalten, die auf dem Nichtrillenbereich 122 kaskadenförmig angeordnet sind, wobei erste Dotierungsschichten 20 auf der ersten dielektrischen Schicht 70 kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die erste dielektrische Schicht 70 eine Tunnelfunktion haben kann, d.h. mit Ausnahme des vorstehenden Abschnitts 21 gibt es zwischen der ersten Dotierungsschicht 20 und dem Wafer 10 eine erste dielektrische Schicht 70, wobei die erste dielektrische Schicht 70 eine Tunnelschicht sein, bspw. wie eine Filmschicht mit Passivierungs- und Tunnelfunktionen, bzw. eine Siliziumoxid-Tunnelschicht, deren spezifischer Typ je nach der tatsächlichen Situation ausgewählt werden kann und deren Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Auf diese Weise kann die erste dielektrische Schicht 70 so beschaffen sein, dass die Tunnelfunktion erreicht werden kann, während der Nichtrillenbereich 122 gut passiviert ist, um die Effizienz zu gewährleisten.
Bezugnehmend auf 7 kann die Rückkontakt-Solarzelle der Rückkontakt-Solarzelle 100 in einigen Ausführungsformen ferner eine zweite dielektrische Schicht 80 umfassen, die auf der ersten Oberfläche 211 zusammengesetzt ist, wobei der Umhüllungsabschnitt 31 so zusammengesetzt ist, dass er die zweite dielektrische Schicht 80 bedeckt und der Umhüllungsabschnitt 31 durch die zweite dielektrische Schicht 80 hindurch mit der ersten Oberfläche 211 zusammengesetzt ist.
Auf diese Weise kann die Bereitstellung der zweiten dielektrischen Schicht 80 zwischen dem Umhüllungsabschnitt 31 und der ersten Oberfläche 211 eine Passivierungsfunktion der ersten Oberfläche 211 erreichen, während gleichzeitig eine Zusammensetzung zwischen dem Umhüllungsabschnitt 31 und der ersten Oberfläche 211 auftritt, um den elektrischen Strom während der elektrischen Einspeisung zu erhöhen und die Reparatureffizienz sowie den Reparatureffekt zu verbessern, d.h. die Bereitstellung der zweiten dielektrischen Schicht 80 kann den Passivierungseffekt des vorstehenden Abschnitt 21 sicherstellen und gleichzeitig die Reparatureffizienz sowie den Reparatureffekt verbessern.
Insbesondere kann die zweite dielektrische Schicht 80 eine Oxidschicht sein, z. B. eine Filmschicht wie eine Siliziumoxid-Filmschicht, deren spezifischer Typ je nach der tatsächlichen Situation ausgewählt werden kann und deren Besonderheiten hier nicht eingeschränkt sind.
In einigen Ausführungsformen kann die zweite dielektrische Schicht 80 eine Dicke von 0,5 nm - 50 nm haben.
Auf diese Weise kann die Einstellung der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 in einem vernünftigen Bereich von 0,5 nm-50 nm den Passivierungseffekt der ersten Oberfläche 211 sicherstellen und gleichzeitig einen besseren elektrischen Einspeisungseffekt der Batteriezelle bewirken; es kann vermieden werden, dass die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 zu dünn ist, was zu einem schlechteren Passivierungseffekt führt; es kann ebenfalls vermieden werden, dass die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 zu dick ist, was zu einer geringeren Tunneleffizienz derselben führt.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 beispielsweise 0,5 nm, 1 nm, 1,5 nm, 2 nm, 2,5 nm, 3 nm, 3,5 nm, 4 nm, 4,5 nm, 5,5 nm, 6 nm, 7 nm, 8 nm, 9 nm, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm, 50 nm oder ein beliebiger Wert zwischen 0,5 nm-50 nm sein, wobei das Spezifische hier nicht begrenzt ist.
Bezugnehmend auf 8 weist die erste Oberfläche 211 in einigen Ausführungsformen benachbarte und zusammenhängende erste Bereiche 213 und zweite Bereiche 214 entlang der Anordnungsrichtung der Rillenbereiche 121 und Nichtrillenbereiche 122 auf. Die zweite dielektrische Schicht 80 ist kaskadenförmig auf der ersten Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 angeordnet, und die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 ist größer als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213; der im ersten Bereich 213 angeordnete Abschnitt der zweiten dielektrischen Schicht 80 hat eine Tunnelfunktion.
Insbesondere kann die zweite dielektrische Schicht 80 eine Oxidschicht sein, wie z.B. eine Filmschicht mit Passivierungsfunktion, wie z.B. eine Siliziumoxid-Filmschicht, die eine Tunnelfunktion im ersten Bereich 213 hat, und deren spezifischer Typ je nach der tatsächlichen Situation ausgewählt werden kann und deren Besonderheiten hier nicht eingeschränkt sind.
Da der Abschnitt der zweiten dielektrischen Schicht 80, der sich im ersten Bereich 213 befindet, eine Tunnelfunktion hat und die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 größer ist als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213, kann der Umhüllungsabschnitt 51 mit dem vorstehenden Abschnitt 21 im ersten Bereich 213 zusammengesetzt werden, was den Strom während der elektrischen Einspeisung und somit die nachfolgende Reparaturwirkung und -effizienz verbessern kann. Gleichzeitig wird die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 dünner eingestellt, um einen besseren elektrischen Einspeisungseffekt zu erzielen, und die Dicke des zweiten Bereichs 214 wird dicker eingestellt, um den Passivierungseffekt zu verbessern, d.h. die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 wird größer eingestellt als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213, um einen besseren Passivierungseffekt zu erzielen und gleichzeitig einen elektrischen Einspeisungs-Effekt sicherzustellen, um die Reparatureffizienz und den Reparatureffekt zu verbessern.
In einer möglichen Ausführungsform kann der Wafer 10 im Herstellungsprozess zuerst einem Prozess wie Reinigen und Fusseln unterzogen werden, dann kann eine erste dünne dielektrische Schicht 70 auf der gesamten Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 abgeschieden werden und dann kann die erste Dotierungsschicht 20 durchs Abscheiden auf der ersten dünnen dielektrischen Schicht 70 entfernt werden, und dann können die erste Dotierungsschicht 20 sowie die erste dünne dielektrische Schicht 70 teilweise durchs Ätzen usw. entfernt werden, und eine Anzahl von Rillen auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 hergestellt wird, wodurch eine Anzahl von abwechselnd angeordneten Rillenbereichen 121 und Nichtrillenbereichen 122 gebildet wird und es bewirkt wird, dass die erste Dotierungsschicht 20 einen vorstehenden Abschnitt 21 an der vorbestimmten Position 123 aufweist, der sich über den Rillenbereich 121 erstreckt; beispielsweise kann in einer möglichen Ausführungsform ein Abschnitt des Rillenbereichs zuerst durch Laser oder Ätzen gebildet werden, und dann wird die Fläche des Rillenbereichs transversal mittels des Ätzens erweitert, so dass sich die erste Dotierungsschicht 20 einen vorstehenden Abschnitt 21 aufweist, der über den Rillenbereich 121 erstreckt.
Anschließend kann eine zweite dielektrische Schicht 80 durch die Abscheidung auf der ersten Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 gebildet werden; in einigen möglichen Ausführungsformen kann es zweimal abgeschieden werden, so dass die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80, die sich im ersten Bereich 213 der ersten Oberfläche 211 befindet, geringer ist als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80, die sich im zweiten Bereich 214 der ersten Oberfläche 211 befindet.
Die zweite polare Dotierungsschicht 50 kann dann im Rillenbereich 121 durch die Abscheidung abgeschieden werden, und zwar so, dass die zweite polare Dotierungsschicht 50 an der vorbestimmten Position 123 einen Umhüllungsabschnitt 51 aufweist, und zwar so, dass der Umhüllungsabschnitt 51 kaskadenartig die zweite dielektrische Schicht 80 bedeckt.
Bezugnehmend auf 9 kann in einigen Ausführungsformen an einer vorbestimmten Position 123 des Rillenbereichs 121 der Umhüllungsabschnitt 51 auch die erste Oberfläche 211, den Endabschnitt und die zweite Oberfläche 212 des gesamte vorstehenden Abschnitts 21 umhüllen, d.h. der Umhüllungsabschnitt 51 kann sich entlang der Seite des Rillenbereichs 121 erstrecken, um die zweite dielektrische Schicht 80 zu bedecken und um den Endabschnitt des vorstehenden Abschnitts 21 zu umhüllen und sich zu erstrecken, um die zweite Oberfläche 212 des vorstehenden Abschnitts 21 zu bedecken, und kann sich sogar weiter erstrecken, um die erste Dotierungsschicht 20 teilweise zu bedecken, die auf dem Nichtrillenbereich 122 vorgesehen ist, wobei in diesem Fall eine Isolierschicht 120 (dargestellt in 9) zwischen dem Umhüllungsabschnitt 51 und der zweiten Oberfläche 212 vorgesehen werden kann, wobei die Isolierschicht 120 eine dielektrische Schicht mit isolierender Funktionalität sein kann, wie beispielsweise eine Siliziumoxidschicht, eine Siliziumnitridschicht und dergleichen mit isolierender Funktionalität.
Wie in 4 bis 8 dargestellt, kann der Umhüllungsabschnitt 51 in einigen Ausführungsformen natürlich auch einfach nur die erste Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 bedecken. In anderen Ausführungsformen kann der Umhüllungsabschnitt 51 auch nur die erste Oberfläche 211 des vorstehenden Abschnitts 21 und das Ende des vorstehenden Abschnitts 21 (d. h. die Endfläche des vorstehenden Endes des vorstehenden Abschnitts 21 in 4 bis 8) bedecken, wie hierin ohne Einschränkung angegeben.
In einigen Ausführungsformen kann die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 0,5 nm - 6 nm betragen, wobei die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 2 nm - 50 nm betragen kann.
Auf diese Weise kann die Einstellung der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 in einem vernünftigen Bereich von 0,5 nm-6 nm den Passivierungseffekt des ersten Bereichs 213 sicherstellen und gleichzeitig einen besseren elektrischen Einspeisungseffekt der Batteriezelle bewirken, und es kann vermieden werden, dass die Dicke des ersten Bereichs 213 zu dünn ist, was zu einem schlechten Passivierungseffekt führt; und es kann ebenfalls vermieden werden, dass die Dicke des ersten Bereichs 213 zu dick ist, was zu einer geringeren Tunneleffizienz führt. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 ist in einem vernünftigen Bereich von 2 nm - 50 nm festzulegen, wodurch vermieden werden kann, dass die Dicke des zweiten Bereichs 214 zu dünn ist und zu einem schlechten Passivierungseffekt führt, und auch vermieden werden kann, dass die Dicke des zweiten Bereichs zu dick ist und zu höheren Kosten führt.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 beispielsweise 0,5 nm, 1 nm, 1,5 nm, 2 nm, 2,5 nm, 3 nm, 3,5 nm, 4 nm, 4,5 nm, 5 nm, 5,5 nm, 6 nm oder ein beliebiger Wert im Bereich von 0,5 nm bis 6 nm sein, wobei die Einzelheiten hier nicht beschränkt sind. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 kann z. B. 2 nm, 3 nm, 4 nm, 5 nm, 6 nm, 7 nm, 8 nm, 9 nm, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm, 50 nm oder ein beliebiger Wert im Bereich von 2 nm-50 nm sein, dessen Spezifität hier nicht eingeschränkt wird.
Ferner beträgt in einer solchen Ausführungsform die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 vorzugsweise 4 nm bis 5 nm, und die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 kann im zweiten Bereich 214 vorzugsweise 15 nm bis 45 nm betragen.
Insbesondere hat der Erfinder der vorliegenden Anmeldung verifiziert und erforscht, dass, wenn die Dicke am ersten Bereich 213 kleiner als 4 nm ist, dies wahrscheinlich zu einer Verringerung des Passivierungseffekts am ersten Bereich 213 führt; wenn die Dicke am ersten Bereich 213 größer als 5 nm ist, dies zu einer Verringerung der Tunneleffizienz des ersten Bereichs 213 führt. Wenn gleichzeitig die Dicke des zweiten Bereichs 214 weniger als 15 nm beträgt, führt dies zu einer Abnahme des Passivierungseffekts des zweiten Bereichs 214, und wenn die Dicke des zweiten Bereichs 214 größer als 45 nm ist, führt dies zu einer signifikanten Erhöhung seiner Kosten. Es hat sich gezeigt, dass die Einstellung der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 des ersten Bereichs 213 im bevorzugten Bereich von 4 nm bis 5 nm den Passivierungseffekt des ersten Bereichs 213 sicherstellen und gleichzeitig die Tunneleffizienz gewährleisten kann, um die nachfolgende Reparatureffizienz zu verbessern. Durch die Einstellung der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 des zweiten Bereichs 214 im bevorzugten Bereich von 15 nm bis 45 nm können die Kosten wirksam kontrolliert und gleichzeitig die Passivierungswirkung des zweiten Bereichs 214 sichergestellt werden.
Es wird deutlich, dass in einer solchen Ausführungsform die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im ersten Bereich 213 vorzugsweise 4 nm, 4,1 nm, 4,2 nm, 4,3 nm, 4,4 nm, 4,5 nm, 4,6 nm, 4,7 nm, 4,8 nm, 4,9 nm, 5 nm oder ein beliebiger Wert im Bereich von 4 nm - 5 nm sein, und die Einzelheiten sind hier nicht beschränkt. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 80 im zweiten Bereich 214 kann vorzugsweise 15 nm, 20 nm, 25 nm, 30 nm, 35 nm, 40 nm, 45 nm oder ein beliebiger Wert zwischen 15 nm und 45 nm sein, insbesondere ohne Einschränkung hierin.
In einigen Ausführungsformen kann der erste Bereich 213 eine Länge von 0,05 µm-1 µm und der zweite Bereich 214 eine Länge von 0,1 µm-10 µm entlang der Anordnungsrichtung des Rillenbereichs 121 und des Nichtrillenbereichs 122 (d.h. transversal in 3) haben.
Auf diese Weise kann das Einstellen der Längen des ersten Bereichs 213 und des zweiten Bereichs 214 innerhalb des oben genannten angemessenen Bereichs effektiv sicherstellen, dass die Zusammensetzungsfläche des Umhüllungsabschnitts 51 und des vorstehenden Abschnitts 21 innerhalb eines angemessenen Bereichs liegt, wodurch der Strom während der elektrischen Einspeisung erhöht bzw. die Reparatureffizienz und -wirkung sichergestellt wird; es kann vermieden werden, dass die Längen des ersten Bereichs 213 und des zweiten Bereichs 214 zu kurz sind und zu einer Zusammensetzungsfläche führen, die zu klein ist und somit dazu führt, dass die Reparaturwirkung nicht die Erwartungen erfüllt; es kann auch vermieden werden, dass der erste Bereich 213 sowie der zweite Bereich 214 zu lang sind und dazu führen, dass die Zusammensetzungsfläche von beiden zu groß ist und den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 beeinträchtigt.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform die Länge des ersten Bereichs 213 zum Beispiel 0,05 µm, 0,1 µm, 0,15 µm, 0,4 µm, 0,25 µm, 0,3 µm, 0,35 µm, 0,4 µm, 0,45 µm, 0,5 µm, 0,55 µm, 0,6 µm, 0,65 µm, 0,7 µm, 0,75 µm, 0,8 um 0,85 µm, 0,9 µm, 0,95 µm, 1 µm oder jeder Wert zwischen 0,05 µm und 1 µm sein, wobei die Werte hier nicht beschränkt sind. Die Länge des zweiten Bereichs 214 kann beispielsweise 0,1 µm, 0,5 µm, 0,6 µm, 0,7 µm, 0,8 µm, 0,9 µm, 1 µm, 4 µm, 3 µm, 4 µm, 5 µm, 6 µm, 7 µm, 8 µm, 9 µm, 10 µm oder einen Wert zwischen 0,1 µm und 10 µm sein.
Ferner kann in einer solchen Ausführungsform eine Länge des ersten Bereichs 213 vorzugsweise 0,5 µm-1 µm und eine Länge des zweiten Bereichs 214 vorzugsweise 0,5 µm-3 µm entlang der Anordnungsrichtung des Rillenbereichs 121 und des Nichtrillenbereichs 122 betragen.
Auf diese Weise gewährleistet die Einstellung der Längen des ersten Bereichs 213 und des zweiten Bereichs 214 innerhalb des oben genannten bevorzugten Bereichs die Effizienz, während der Strom bei der elektrischen Einspeisung maximiert wird, um die Reparatureffizienz und den Reparatureffekt zu verbessern, d.h. es kann die Effizienz der Batteriezelle und den elektrischen Einspeiseeffekt ausgleichen.
Insbesondere hat der Erfinder der vorliegenden Anmeldung überprüft und erforscht, dass die Reparatureffizienz schlecht ist, wenn die Länge des ersten Bereichs 213 weniger als 0,5 µm beträgt, und dass die Effizienz sinkt, wenn die Länge des ersten Bereichs 213 mehr als 1 µm beträgt. Nach einer Überprüfung durch die Forschung wurde festgestellt, dass die Länge des ersten Bereichs 213 im bevorzugten Bereich von 0,5 µm bis 1 µm die nachfolgende Reparatureffizienz und den Reparatureffekt gewährleisten kann, während die Effizienz im Wesentlichen stabil ist. Was die Länge des zweiten Bereichs 214 betrifft, so hat der Erfinder der vorliegenden Anmeldung überprüft, erforscht und festgestellt, dass, wenn die Länge des zweiten Bereichs 214 kleiner als 0,5 µm ist, es leicht zu einem schlechten Passivierungseffekt des vorstehenden Abschnitts 21 führen wird, und wenn die Länge des zweiten Bereichs 214 zu lang ist (größer als 3um), wird es dazu führen, dass der gesamte vorstehende Abschnitt 21 zu lang ist, was zu einer viel höheren Schwierigkeit des Prozesses führt, was wiederum zu einer Erhöhung der Kosten führt. Daher kann die Einstellung der Länge des zweiten Bereichs 214 im bevorzugten Bereich von 0,5 µm - 3 liegen, um die Kosten effektiv zu kontrollieren und gleichzeitig den Passivierungseffekt sicherstellen.
Bezugnehmend auf 9, kreuzen sich in einigen Ausführungsformen die erste Oberfläche 211 und die zweite Oberfläche 212 an einem Ende des vorstehenden Abschnitts 21, um einen Spitzenabschnitt 32 zu bilden, und der Umhüllungsabschnitt 51 umhüllt den Spitzenabschnitt 32.
Auf diese Weise ist das Ende des vorstehenden Abschnitts 21 spitz, und selbst wenn der Umhüllungsabschnitt 51 den Spitzenabschnitt 32 umhüllt, besteht nur ein linienförmiger Oberflächenkontakt zwischen dem Umhüllungsabschnitt 51 und der Spitze des Spitzenabschnitts 32, was die Kontaktfläche zwischen dem Ende des vorstehenden Abschnitts 21 und dem Umhüllungsabschnitt 51 verringert und die Zusammensetzung reduziert.
Es versteht sich von selbst, dass in einigen Ausführungsformen die Enden des vorstehenden Abschnitts 21 nicht auch als Spitzen ausgebildet sind, d.h. die erste Oberfläche 211 und die zweite Oberfläche 212 können durch eine Endfläche verbunden sein (wie in 4 gezeigt). In einem solchen Fall kann der Umhüllungsabschnitt 51 die Endfläche des vorstehenden Abschnitts 21 umhüllen oder nicht das Ende des vorstehenden Abschnitts 21 umhüllen (wie in 4 gezeigt), wobei die Einzelheiten hier nicht eingeschränkt werden. Wenn der Umhüllungsabschnitt 51 die Endfläche des vorstehenden Abschnitts 21 umhüllt, kann eine dielektrische Schicht zwischen der Endfläche und dem Umhüllungsabschnitt 51 vorgesehen sein oder nicht, und im Fall, in dem die dielektrische Schicht vorgesehen ist, kann die dielektrische Schicht eine Filmschicht wie eine Metalloxidschicht, eine intrinsische Siliziumschicht usw. sein, deren Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Ferner kann in einigen Ausführungsformen ein Endabschnitt des Spitzenabschnitts 32 mit Bohrungen versehen sein.
Auf diese Weise kann die Bildung von Bohrungen im Endabschnitt des Spitzenabschnitts 32 die Kontaktfläche zwischen dem Umhüllungsabschnitt 51 und dem Endabschnitt des Spitzenabschnitts 32 verringern, wodurch die Zusammensetzung reduziert wird.
In einigen Ausführungsformen hat der vorstehende Abschnitt 21 eine Länge von 0,15 µm bis 10 µm in der Richtung (d. h. transversal), in der der Rillenbereich 121 und der Nichtrillenbereich 122 aufeinander ausgerichtet sind.
Auf diese Weise kann die Einstellung der vorstehenden Länge des vorstehenden Abschnitts 21 innerhalb dieses angemessenen Bereichs, wie oben beschrieben, effektiv die Zusammensetzungsfläche des Umhüllungsabschnitts 31 mit dem vorstehenden Abschnitt 21 an der vorbestimmten Position 123 sicherstellen, wodurch der Strom während der elektrischen Einspeisung erhöht und die Reparatureffizienz und -wirkung sichergestellt wird. Und es kann vermieden werden, dass die Länge des vorstehenden Abschnitts 21 zu kurz ist und die Zusammensetzungsfläche zu klein wird, was dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht das gewünschte Niveau erzielen kann, und es kann auch vermieden werden, dass die Länge zu groß ist und die Zusammensetzungsfläche der beiden zu groß wird, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 beeinträchtigt.
Insbesondere kann die Länge des vorstehenden Abschnitts 21 beispielsweise 0,15 µm, 0,4 µm, 0,4 µm, 0,6 µm, 0,8 µm, 1 µm, 4 µm, 3 µm, 4 µm, 5 µm, 6 µm, 7 µm, 8 µm, 9 µm, 10 µm oder einen beliebigen Wert im Bereich von 0,15 µm - 10 µm sein und ist hierin nicht beschränkt.
In einigen Ausführungsformen beträgt das Verhältnis zwischen der Summe der Längen aller vorstehenden Abschnitte 21 auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 und der Fläche der Abschattungsfläche 12 in der Längsrichtung (d.h. der Längsrichtung in 3) des Rillenbereichs 121 0,003cm/cm²-0,6cm/cm².
Auf diese Weise kann durch eine vernünftige Einstellung des Verhältnisses zwischen der Summe der Längen aller vorstehenden Abschnitte 21 in Längsrichtung des Rillenbereichs 121 und der Fläche der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 vermieden werden, dass die Summe der Längen der vorstehenden Abschnitte 21 in Längsrichtung des Rillenbereichs 121 zu klein ist, was dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht den Erwartungen entspricht, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass das Verhältnis der vorstehenden Abschnitte 21 zu viel ausmacht, was den Wirkungsgrad der Zelle beeinträchtigt, d.h. der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 kann bei gleichzeitiger Gewährleistung des Reparatureffekts sichergestellt werden.
Insbesondere ist in der vorliegenden Anmeldung, wie in 3 gezeigt, die Längsrichtung des Rillenbereichs 121 die Ausdehnungsrichtung des Rillenbereichs 121, d.h. die Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, und die Länge des zweiten Abschnitts 21 in der Längsrichtung des Rillenbereichs 121 ist die Breite des vorstehenden Abschnitts 21 entlang der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, d.h. das Verhältnis der Summe der Breiten der vorstehenden Abschnitte 21 in der Längsrichtung zur Fläche der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 ist 0,003cm/cm²-0,6cm/cm², z.B. ist die Anzahl der vorstehenden Abschnitte 21 in 3 4, und das Verhältnis der Summe von Breiten der 4 vorstehenden Abschnitte 21 in der Längsrichtung zur Fläche der Abschattungsfläche 12 ist 0,003cm/cm²-0,6cm/cm².
In Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung kann das Verhältnis der Summe der Längen aller vorstehenden Abschnitte 21 auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 zur Fläche der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 beispielsweise ein beliebiger Wert unter 0,003cm/cm², 0,01cm/cm², 0,02cm/cm², 0,03cm/cm², 0,04cm/cm², 0,05cm/cm², 0,06cm/cm², 0,07cm/cm², 0,08cm/cm², 0,09cm/cm², 0,lcm/cm², 0,2cm/cm², 0,3cm/cm², 0,4cm/cm², 0,5cm/cm², 0,6cm/cm², dessen Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
In einigen Ausführungsformen ist die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 im einzelnen Rillenbereich 121 M, und die Anzahl der vorstehenden Abschnitte 21 und der Umhüllungsabschnitte 31 ist ebenfalls M (z.B. ist die Anzahl der vorbestimmten Positionen 123 im einzelnen Rillenbereich 121 zwei, wie in 3 gezeigt); in der Längsrichtung des Rillenbereichs 121 ist ein Verhältnis zwischen der Summe der Längen der M vorstehenden Abschnitte 21 und der Länge des einzelnen Rillenbereichs 121 0,005 - 0,5, wobei M eine positive ganze Zahl größer oder gleich eins ist.
Auf diese Weise kann in Längsrichtung des Rillenbereichs 121 durch die Einstellung des Verhältnisses zwischen der Summe der Längen der vorstehenden Abschnitte 21 an allen vorbestimmten Positionen 123 und der Länge des Rillenbereichs 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass die Länge der vorstehenden Abschnitte 21 in einem einzelnen Rillenbereich 121 einen zu kleinen Anteil ausmacht und dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht das gewünschte Niveau erzielt, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass die vorstehenden Abschnitte 21 in einem einzelnen Rillenbereich 121 zu groß sind und die Effizienz der Batterie beeinträchtigen, d.h. der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 kann bei gleichzeitiger Gewährleistung des Reparatureffekts sichergestellt werden.
Insbesondere kann, wie in 3 gezeigt, in einer solchen Ausführungsform „die Summe der Längen der M vorstehenden Abschnitte 21 in der Längsrichtung des Rillenbereichs 121“ als die Summe der Breiten aller vorstehenden Abschnitte 21 in der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100 verstanden werden, und die Länge des Rillenbereichs 121 ist die Erstreckungslänge des Rillenbereichs 121 in der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, z.B. ein einzelner vorstehender Abschnitt 21 kann in einigen Ausführungsformen 0,1 cm sein, und die Gesamtlänge des Rillenbereichs 121 beträgt 10 cm, und M ist 5, und die Summe der Längen aller vorstehenden Abschnitte 21 beträgt 0,5 cm, was 0,05 der Gesamtlänge des Rillenbereichs 121 ausmacht.
In einer solchen Ausführungsform kann das Verhältnis der Summe der Längen der M vorstehenden Abschnitte 21 zur Länge des Rillenbereichs 121 0,005, 0,006, 0,007, 0,008, 0,009, 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5 oder ein beliebiger Wert zwischen 0,005 und 0,5 sein, ohne Einschränkung hierin.
In einigen Ausführungsformen auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 beträgt das Verhältnis zwischen der Summe der orthographischen Projektionsflächen aller vorstehenden Abschnitte 21 der vorstehenden Abschnitte auf der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 (d.h. die orthographische Projektionsfläche in der Dickenrichtung) und der Fläche der Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 4,5*10^-8-1,5*10^-5.
Auf dieser Weise kann durch die Einstellung des Verhältnisses der orthographischen Projektionsfläche aller vorstehenden Abschnitte 21 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass der Anteil der Fläche der vorstehenden Abschnitte 21 zu klein ist, was zu einem schlechten Reparatureffekt führt, und es kann auch vermieden werden, dass der Anteil der Fläche der vorstehenden Abschnitte 21 zu groß ist, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 ernsthaft beeinträchtigt, d.h. es kann den Reparatureffekt garantieren, während der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 garantiert wird.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform das Verhältnis der Summe der Fläche von der orthographischen Projektion der gesamten vorstehenden Abschnitte 21 auf die Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 zur Abschattungsfläche 12 des Wafers 10 ein beliebiger Wert unter 4,5*10^-8 5*10^-8, 6*10^-8, 7*10^-8, 8* 0^-8, 9* 10^-8, 1* 10^-7, 1* 10^-6, 1* 10^-5, 1,5*10^-5 oder 4,5*10^-8 - 1,5*10^-5, auf die hier nicht näher eingegangen werden soll.
Unter Bezugnahme auf 7 und 9 kann in einigen Ausführungsformen eine dritte dielektrische Schicht 90 zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und dem Boden bzw. den Seiten des Rillenbereichs 121 vorgesehen sein, und die dritte dielektrische Schicht 90 kann eine tunnelnde Oxidschicht sein. In einigen Ausführungsformen kann die dritte dielektrische Schicht 90 beispielsweise eine Siliziumoxid-Tunnelschicht sein, wobei die dritte dielektrische Schicht 90 bereitgestellt werden kann, um eine gute Passivierung des Rillenbereichs 121 zu erreichen; die Dicke der dritten dielektrischen Schicht 90 kann entsprechend der tatsächlichen Situation eingestellt werden, und die Details sind hier nicht beschränkt.
Bezugnehmend auf 10 werden in einigen Ausführungsformen an einer vorbestimmten Position 123 dritte Dotierungsschichten 110 auf der zweiten Oberfläche des vorstehenden Abschnitts 21 kaskadenförmig angeordnet sind, wobei dritte Dotierungsschichten 110 die gleiche Polarität wie zweite Dotierungsschichten 30 aufweisen, wobei dritte Dotierungsschichten 110 die zweite Oberfläche 212 bedecken, wobei eine Isolierschicht 120 zwischen den dritten Dotierungsschichten 110 und der zweiten Oberfläche 212 des vorstehenden Abschnitts 21 vorgesehen ist, die zum Rillenbereich 121 abgewandt ist.
Insbesondere kann sich bei der Herstellung der Rückkontakt-Solarzelle 100, wenn die zweite Dotierungsschicht 30 zur Bildung des Umhüllungsabschnitts 31 abgeschieden wird, der Umhüllungsabschnitt 31 so erstrecken, dass er die erste Oberfläche 211, die Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 und die zweite Oberfläche 212, die sich zur ersten Oberfläche 211 abgewandt befindet, bedeckt, und um zu vermeiden, dass der Umhüllungsabschnitt 31 an der Seite 213 des vorstehenden Abschnitts 21 zusammengesetzt wird, ist es anschließend erforderlich, den Umhüllungsabschnitt 31 an der Seite 213 zu entfernen. In einem solchen Fall kann durch das Anbringen der Isolierschicht 120 auf der Oberfläche des vorstehenden Abschnitts 21 und der ersten Oberfläche 211 die Dotierungsschicht auf der zweiten Oberfläche 212, die der ersten Oberfläche 211 abgewandt liegt, durch die Isolierschicht 120 von dem vorstehenden Abschnitt 21 isoliert werden, um zu vermeiden, dass die Zusammensetzung zu groß wird, und gleichzeitig kann durch das Anbringen der Isolierschicht 120 die Dotierungsschicht auf der Seite 213 einfach durch einen Prozess entfernt werden, ohne dass die Dotierungsschicht auf der zweiten Oberfläche 212 entfernt werden muss, die der ersten Oberfläche 211 abgewandt liegt, was die Schwierigkeit des Verfahrens verringert und die Kosten reduziert, wobei die auf der der zweiten Oberfläche 212 abgewandten ersten Oberfläche 211 verbleibende Dotierungsschicht die dritte Dotierungsschicht 110 ist.
In einer solchen Ausführungsform kann die Isolierschicht 120 eine dielektrische Schicht mit isolierender Funktionalität sein kann, wie beispielsweise eine Siliziumoxidschicht, eine Siliziumnitridschicht und dergleichen mit isolierender Funktionalität.
Wie in 10 gezeigt, kann in einer solchen Ausführungsform die dritte Dotierungsschicht 110 auch bis zu einem Teil der ersten Dotierungsschicht 20 bedeckt sein, wobei in diesem Fall die dritte Dotierungsschicht 110 und die erste Dotierungsschicht 20 auch durch die Isolierschicht 120 isoliert sind, wobei die erste Elektrode 40 in einem Bereich der ersten Dotierungsschicht 20 vorgesehen werden, der nicht von der dritten Dotierungsschicht 110 in ohmschem Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 bedeckt ist, um eine Isolierung von der dritten Dotierungsschicht 110 zu erreichen; die zweite Elektrode 50 kann in einem Bereich vorgesehen werden, der dem Rillenbereich 121 in ohmschem Kontakt mit der zweiten Dotierungsschicht 30 entspricht.
In einigen Ausführungsformen kann die Tiefe des Rillenbereichs 121 (d. h. die Tiefe der Vertiefung, d. h. die Tiefe der Rille, die den Rillenbereich 121 bildet) 0,1 µm - 15 µm betragen.
Auf diese Weise kann durchs Einstellen der Tiefe des Rillenbereichs 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass die Tiefe des Rillenbereichs 121 zu gering ist, was dazu führen kann, dass sich der Bereich, der durch die Zusammensetzung zwischen der zweiten Dotierungsschicht 31 und dem vorstehenden Abschnitt 21 betroffen ist, auf den Wafer 10 am Boden des Rillenbereichs 121 ausdehnt, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass die Tiefe des Rillenbereichs 121 zu groß ist, was dazu führen kann, dass die Festigkeit des Wafers 10 wesentlich verringert wird, d.h. durchs Einstellen der Tiefe des Rillenbereichs 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs kann der Bereich, der durch den Zusammensetzungskontakt zwischen der zweiten Dotierungsschicht 31 und dem vorstehenden Abschnitt 21 betroffen ist, minimiert werden, während sichergestellt wird, dass die Festigkeit des Wafers 10 erhalten bleibt.
Insbesondere hat der Erfinder der vorliegenden Anmeldung herausgefunden, dass, wenn die Tiefe der Ausnehmung 121 weniger als 0,1 µm beträgt, liegt der Einflussbereich der zweiten Dotierungsschicht 31 im Zusammensetzungskontakt mit dem zweiten Abschnitt 21 nicht nur auf einer Seite der Ausnehmung 121, sondern erstreckt sich bis zum Boden der Ausnehmung 121, was zu einem größeren Einflussbereich führt; und eine Einstellung der Tiefe auf mehr als 0,1 µm kann ein solches Problem vermeiden, um den Einflussbereich des Wafers 10 zu minimieren. Gleichzeitig führt eine Tiefe des Rillenbereichs 121 von mehr als 15 µm zu einer erheblichen Verringerung der Gesamtfestigkeit des Wafers 10 und zu einem erhöhten Risiko von Rissen.
In einer solchen Ausführungsform kann die Tiefe des Rillenbereichs 121 zum Beispiel 0,1 µm, 0,2 µm, 0,3 µm, 0,4 µm, 0,5 µm, 0,6 µm, 0,7 µm, 0,8 µm, 0,9 µm, 1 µm, 2 µm, 3 µm, 4 µm, 5 µm, 6 µm, 7 µm, 8 µm, 9 µm, 10 µm, 11 µm, 12 µm, 13 µm, 14 µm, 15um oder ein beliebiger Wert zwischen 0,1 µm und 15 µm sein, wobei die Angaben hier nicht beschränkt sind.
Ausführungsbeispiel 2
Es ist zu beachten, dass das schematische Strukturdiagramm im Ausführungsbeispiel 2 in 11-15 gezeigt ist. In 11-15 repräsentieren gleiche oder ähnliche Beschriftungen von Anfang bis Ende gleiche oder ähnliche Elemente oder Elemente mit gleichen oder ähnlichen Funktionen. Die Kennzeichnungsregeln im Ausführungsbeispiel 2 unterscheiden sich von den Kennzeichnungsregeln im Ausführungsbeispiel 1.
Wie in 11 und 12 dargestellt kann die Rückkontakt-Solarzelle 100 in einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung einen Wafer 10, eine erste Dotierungsschicht 20 und eine zweite Dotierungsschicht 30 umfassen.
Wie in 11 und 12 gezeigt, kann die Abschattungsfläche des Wafers 10 eine Anzahl von abwechselnd vorgesehenen Nichtrillenbereichen 11 (d.h. entsprechend dem Nichtrillenbereich 122 im Ausführungsbeispiel 1) und Rillenbereichen 12 (d.h., entsprechend dem Rillenbereich 121 in Ausführungsbeispiel 1) umfassen, und der Rillenbereich 12 ist mit einer Ausnehmung 121 gebildet, d.h. der Nichtrillenbereich 11 und der Rillenbereich 12 können durchs Bilden einer Anzahl von räumlich vorgesehenen Ausnehmungen 121 auf dem Wafer 10 gebildet werden. Der Bereich, der dem Bereich zwischen zwei benachbarten Rillenbereiche 121 entspricht, ist der Nichtrillenbereich 11, und Bereiche, der der Rillenbereiche 121 entsprechen, sind Rillenbereiche 12; der Nichtrillenbereich 11 und der Rillenbereich 12 können abwechselnd entlang der Querrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100 angeordnet sein, und Rillenbereiche 121 können sich entlang der Längsrichtung erstrecken.
Wie in 12 gezeigt, kann die erste Dotierungsschicht 20 auf dem Nichtrillenbereich 11 angeordnet sein, und an einer vorbestimmten Position 122 der Ausnehmung 121 kann die zweite Dotierungsschicht 30 einen ersten Abschnitt 21, der oberhalb des Nichtrillenbereichs 11 angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt 22 (d.h. entsprechend dem Erstreckungsabschnitt im Ausführungsbeispiel 1), der sich über die Ausnehmung 121 erstreckt, umfassen.
Die zweite Dotierungsschicht 30 kann an der Ausnehmung 121 angeordnet sein, und an der vorbestimmten Position 122 der Ausnehmung 121 bedeckt die zweite Dotierungsschicht 30 die Boden- und Seitenflächen der Ausnehmung 121 und umhüllt die Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22 in Richtung der Ausnehmung 121 (d.h. die Bodenfläche des zweiten Abschnitts 22 in der Figur, die der ersten Oberfläche in der ersten Ausführungsform entspricht) sowie die Seite 222 des zweiten Abschnitts 22; die zweite Dotierungsschicht 30 ist in Zusammensetzungskontakt mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22 in Richtung der Ausnehmung 121.
In einer solchen Ausführungsform wird in einem Rillenbereich 12 einer Abschattungsfläche des Wafers 10 eine Ausnehmung 121 gebildet, und an einer vorbestimmten Position 122 der Ausnehmung 121 umfasst die erste Dotierungsschicht 20 einen ersten Abschnitt 21, der im Nichtrillenbereich 11 angeordnet ist, und einen zweiten Abschnitt 22, der sich über die Ausnehmung 121 erstreckt, und an der vorbestimmten Position 122 bedeckt die zweite Dotierungsschicht 30 die Bodenfläche und die Seitenfläche der Ausnehmung 121 und umhüllt den zweiten Abschnitt 22 in Richtung der Oberfläche 221 der Ausnehmung 121 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22, wobei die zweite Dotierungsschicht 30 im Zusammensetzungskontakt mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22 in Richtung der Ausnehmung 121 steht.
Auf diese Weise gibt es aufgrund der Einstellung der Ausnehmung 121 keinen Siliziumscheibenabschnitt auf einer Seite des Schnittbereichs, wo die zweite Dotierungsschicht 30 im Zusammensetzungskontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 steht, und die im Schnittbereich der beiden erzeugte Kantenzusammensetzung wirkt sich nur auf den Wafer 10 auf einer Seite der Ausnehmung 121 gering aus, was den Bereich der Wafer, die durch den Zusammensetzungsbereich abgestrahlt werden, effektiv reduzieren kann, um die Anzahl der Träger in den Wafern 10, die betroffen sind, zu reduzieren, die elektrische Leistung der Rückkontakt-Solarzellen 100 zu verbessern und den Füllfaktor und ferner die Effizienz zu verbessern. Und an der vorbestimmten Position 122 umhüllt die zweite Dotierungsschicht 30 die Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22 der ersten Dotierungsschicht 20, die der Ausnehmung 121 zugewandt ist, und noch die Seite 222 des zweiten Abschnitts 22; die zweite Dotierungsschicht 30 ist in Zusammensetzungskontakt mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 zugewandt ist; die zweite Dotierungsschicht 30 hat einen größeren Kontaktbereich mit der ersten Dotierungsschicht 20, was den Strom während der elektrischen Einspeisung erhöhen kann und die die nachfolgende Reparatureffizienz und den Reparatureffekt der Rückkontakt-Solarzelle 100 verbessern kann.
Es ist anzumerken, dass in einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung „die vorbestimmten Positionen 122 der Ausnehmung 121" als die gesamte Ausnehmung 121 oder ein Teil der Ausnehmung 121 verstanden werden kann, insbesondere ohne Einschränkung hierin, und die vorbestimmten Positionen 122 sind vorzugsweise ein Teil der Ausnehmung 121, und in einem solchen Fall kann in jeder der Ausnehmungen 121 die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 eine einzige oder eine Vielzahl sein, und die Vielzahl der vorbestimmten Positionen 122 kann entlang der Längsrichtung voneinander im Abstand sein, insbesondere ohne Einschränkung hierin. Wie in 11 gezeigt, sind die vorbestimmten Positionen 122 in der einzelnen Ausnehmung 121 beispielsweise zwei, und natürlich kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 in der einzelnen Ausnehmung 121 eine einzige oder mehr als zwei sein, insbesondere ohne Einschränkung hierin. Darüber hinaus kann in den Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung die Anzahl der Ausnehmungen 121, die die vorbestimmte Position 122 haben, eine einzelne oder eine Vielzahl von ihnen sein und ist hierin nicht begrenzt, zum Beispiel, wie in 3 gezeigt, sind die Ausnehmungen 121, die vorbestimmte Positionen 122 haben, die Ausnehmungen 121 an den Rändern beider Seiten der Rückkontakt-Solarzellen 100 in einer Querrichtung, und natürlich können in anderen Ausführungsformen die Ausnehmungen 121, die vorbestimmte Positionen 122 haben, auch eine einzelne oder mehr als zwei sein, und ihre Positionen können auch in der mittleren Position der Rückkontakt-Solarzelle 100 oder in anderen Positionen liegen, wobei die Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
Es ist auch wichtig zu beachten, dass in dieser Anmeldung: Der „Zusammensetzungskontakt der zweiten Dotierungsschicht 30 mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22 in Richtung der Ausnehmung 121“ bedeutet, dass es keine Isolierung zwischen den beiden gibt, und die Zusammensetzung kann entweder durch direkten Kontakt zwischen den beiden oder durch Tunneln durch andere dielektrische Schichten erfolgen, um den Zusammensetzungskontakt zu erreichen, z. B. können die beiden durch die dritte dielektrische Schicht 60 (Oxidationstunnelschicht) zusammengesetzt werden, wie unten erwähnt.
In einigen Ausführungsformen kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 eine Vielzahl sein, die gleichmäßig auf der Abschattungsfläche der Rückkontakt-Solarzelle 100 verteilt sein kann, zum Beispiel, wie in 11 gezeigt, kann die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 vier sein, wobei die vier vorbestimmten Positionen 122 an den vier Ecken der Rückkontakt-Solarzelle 100 verteilt sein können, um eine Vielzahl von Punkten an der Abschattungsfläche einzuführen, an denen die zweite Dotierungsschicht 30 in Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 kommt, so dass der Strom während der elektrischen Einspeisung erhöht werden kann, wodurch der nachfolgende Reparatureffekt auf der Rückkontakt-Solarzelle 100 verbessert wird.
In einer möglichen Ausführungsform kann der Wafer 10 im Herstellungsprozess zuerst gereinigt werden, und dann kann die erste Dotierungsschicht 20 auf der gesamten Abschattungsfläche des Wafers 10 hergestellt werden; dann kann eine Ausnehmung 121 durch Ätzen oder ähnliches gebildet werden, um den Nichtrillenbereich 11 und den Rillenbereich 12 zu bilden und zu bewirken, dass der zweite Abschnitt 22 der ersten Dotierungsschicht 20 auf der Oberseite des Rillenbereichs 121 an der vorbestimmten Position 122 herausragt, beispielsweise kann in einer möglichen Ausführungsform ein Abschnitt der Ausnehmung zuerst durch Laser oder Ätzen gebildet werden, und dann wird die Fläche der Ausnehmung transversal mittels des Ätzens erweitert, so dass sich der zweite Abschnitt 22 über die Ausnehmung 121 erstreckt.
Anschließend kann die zweite Dotierungsschicht 30 an der Ausnehmung 121 und so vorbereitet werden, dass die zweite Dotierungsschicht 30 den Boden und die Seiten der Ausnehmung 121 an der vorbestimmten Position 122 bedeckt und die Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 zugewandt ist, und die Seiten 222 des zweiten Abschnitts 22 umhüllt, wobei die zweite Dotierungsschicht 30 im Zusammensetzungskontakt mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 zugewandt ist, steht, was hierin nicht eingeschränkt ist.
Es ist anzumerken, dass, wie in 12 gezeigt, die Seiten des zweiten Abschnitts 22 als die Endflächen des zweiten Abschnitts 22 verstanden werden können, die über die Ausnehmung 121 hinausragen, d.h. in einigen Ausführungsformen kann die zweite Dotierungsschicht 30 einfach die Endflächen des zweiten Abschnitts 22 umhüllen, die über die Ausnehmung 121 hinausragen. Natürlich kann in einigen Ausführungsformen die zweite Dotierungsschicht 30 auch eine sein, die alle Seiten des zweiten Abschnitts 22 gleichzeitig umhüllt (d.h. alle Oberflächen, die die Unter- und Oberseite des zweiten Abschnitts 22 verbinden), und ist hierin ausdrücklich nicht beschränkt.
In dieser Ausführungsform kann die Rückkontakt-Solarzelle 100 auch eine erste Elektrode (in den 11-15 nicht dargestellt) und eine zweite Elektrode (in den 11-15 nicht dargestellt) enthalten, wobei die erste Elektrode eine N-Typ-Elektrode sein kann, die zweite Elektrode eine P-Typ-Elektrode sein kann und beide Metallelektroden sind, und eine Passivierungsfilmschicht kann auf der Abschattungsfläche des Wafers 10 vorgesehen sein; die erste Elektrode befindet sich in dem Nichtrillenbereich 11 und bohrt die Passivierungsfilmschicht durch, steht in ohmschem Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 und ist von der zweiten Dotierungsschicht 30 isoliert, das heißt, die erste Elektrode kann sich an einer Position befinden, an der die erste Dotierungsschicht 20 nicht von der zweiten Dotierungsschicht 30 umhüllt und bedeckt ist; die zweite Elektrode kann sich in der Ausnehmung 121 befindet und bohrt die Passivierungsfilmschicht durch, steht in ohmschem Kontakt mit der zweiten Dotierungsschicht 30.
Bezugnehmend auf 13 sowie 14 umfasst der Rückkontakt-Solarwafer 100 in einigen Ausführungsformen ferner eine erste dünne dielektrische Schicht 40, die auf dem Nichtrillenbereich 11 angeordnet ist, wobei die erste Dotierungsschicht 20 auf der ersten dünnen dielektrischen Schicht 40 angeordnet ist, d.h. die erste Dotierungsschicht 20 in einem anderen Bereich als dem zweiten Abschnitt 22 eine erste dünne dielektrische Schicht 40 in der Zwischenzone zum Wafer 10 aufweist, wobei die erste dünne dielektrische Schicht 40 eine Tunnelschicht sein kann, z.B. eine Siliziumoxid-Tunnelschicht, deren Einzelheiten hier nicht beschränkt sind. Auf dieser Weise kann die erste dünne dielektrische Schicht 40 mit einem guten Passivierungseffekt auf dem Nichtrillenbereich 11 versehen werden, um die Effizienz zu gewährleisten.
In einigen Ausführungsformen erstreckt sich der zweite Abschnitt 22 über die Ausnehmung 121 (d.h. der Abschnitt oberhalb der Position 121 in 13) über eine Länge von 0,15 µm - 10 µm.
Auf diese Weise kann die Einstellung der vorstehenden Länge des ersten Abschnitts 21 innerhalb dieses angemessenen Bereichs, wie oben beschrieben, effektiv die Kontaktfläche der zweiten Dotierungsschicht 30 an der vorbestimmten Position 122 mit der zweiten Dotierungsschicht 30 sicherstellen, wodurch der Strom während der elektrischen Einspeisung erhöht und die Reparatureffizienz und -wirkung sichergestellt wird. Und es kann vermieden werden, dass die Länge des zweiten Abschnitts 22 zu kurz ist und die Zusammensetzungsfläche zu klein wird, was dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht das gewünschte Niveau erzielen kann, und es kann auch vermieden werden, dass die Länge zu groß ist und die Zusammensetzungsfläche der beiden zu groß wird, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 beeinträchtigt.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform „die Länge des zweiten Abschnitts 22, die sich über die Ausnehmung 121 erstreckt“ als die Längenabmessung des zweiten Abschnitts 22 in der Anordnungsrichtung des Nichtrillenbereichs 11 und des Rillenbereichs 12 (d.h. transversal in 11) verstanden werden. In der vorliegenden Anmeldung kann die Länge des zweiten Abschnitts 22, der sich über die Ausnehmung 121 erstreckt, 0,15 µm, 0,4 µm, 0,4 µm, 0,6 µm, 0,8 µm, 1 µm, 4 µm, 3 µm, 4 µm, 5 µm, 6 µm, 7 µm, 8 µm, 9 µm, 10 µm oder einen beliebigen Wert zwischen 0,15 µm und 10 µm betragen, und die Einzelheiten sind hier nicht beschränkt.
In einigen Ausführungsformen beträgt das Verhältnis der Summe der Längen aller zweiten Abschnitte 22 auf der Rückkontakt-Solarzelle 100 zur Fläche der Abschattungsfläche des Wafers 10 in Längsrichtung der Ausnehmung 121 (d.h. in der Längsrichtung in 11) 0,003cm/cm² - 0,6cm/cm².
Auf dieser Weise kann durch eine vernünftige Einstellung des Verhältnisses zwischen der Summe der Längen aller zweiten Abschnitte 22 in Längsrichtung der Ausnehmung 121 und der Fläche der Abschattungsfläche des Wafers 10 vermieden werden, dass die Summe der Längen der zweiten Abschnitte 22 in Längsrichtung der Ausnehmung 121 zu klein ist, was dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht den Erwartungen entspricht, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass das Verhältnis der zweiten Abschnitte 22 zu viel ausmacht, was den Wirkungsgrad der Zelle beeinträchtigt, d.h. der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 kann bei gleichzeitiger Gewährleistung des Reparatureffekts sichergestellt werden.
Insbesondere ist in der vorliegenden Anwendung, wie in 11 gezeigt, die Längsrichtung der Aussparung 121 die Erstreckungsrichtung der Aussparung 121, d.h. die Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, und die Länge des zweiten Abschnitts 22 in der Längsrichtung der Aussparung 121 ist die Breite des zweiten Abschnitts 22 entlang der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, d.h. das Verhältnis der Summe der Breiten aller zweiten Abschnitte 22 in der Längsrichtung auf der gesamten Zelle zur Fläche der Abschattungsfläche der Rückkontakt-Solarzelle 10 ist 0,003 cm/cm²- 0,6 cm/cm², z.B. ist die Anzahl der zweiten Abschnitte 22 in 11 vier, das Verhältnis der Summe der Breiten der vier zweiten Abschnitte 22 in Längsrichtung zur Fläche der Abschattungsfläche beträgt 0,003 cm/cm²-0,6 cm/cm².
Zum Beispiel kann in Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung das Verhältnis der Summe der Längen aller zweiten Abschnitte 22 auf der Rückkontakt-Solarzelle 100 zur Fläche der Abschattungsfläche des Wafers 10 ein Wert von 0,003 cm/cm², 0,01 cm/cm², 0,02 cm/cm², 0,03 cm/cm², 0,04cm/cm², 0,05 cm/cm², 0,06 cm/cm², 0,07 cm/cm², 0,08 cm/cm², 0,09 cm/cm², 0,1 cm/cm², 0,2 cm/cm², 0,3 cm/cm², 0,4 cm/cm², 0,5 cm/cm², 0,6 cm/cm² oder 0,003 cm/cm² - 0,6 cm/cm², dessen Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
In einigen Ausführungsformen ist die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 im einzelnen Rillenbereich 121 M, und die Anzahl der zweiten Abschnitte 22 ist ebenfalls M (z.B. ist die Anzahl der vorbestimmten Positionen 122 im einzelnen Rillenbereich 121 zwei, wie in 11 gezeigt); in der Längsrichtung der Ausnehmung 121 ist ein Verhältnis zwischen der Summe der Längen der M zweiten Abschnitte 22 und der Länge der einzelnen Ausnehmung 121 0,005 - 0,5, wobei M eine positive ganze Zahl größer oder gleich 1 ist.
Auf dieser Weise kann in Längsrichtung der Ausnehmung 121 durch die Einstellung des Verhältnisses zwischen der Summe der Längen der zweiten Abschnitte 22 an allen vorbestimmten Positionen 122 und der Länge der Ausnehmung 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass die Länge der zweiten Abschnitte 22 in einer einzelnen Ausnehmung 121 einen zu kleinen Anteil ausmacht und dazu führt, dass der Reparatureffekt nicht das gewünschte Niveau erzielt, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass die zweiten Abschnitte 22 in einer einzelnen Ausnehmung 121 zu groß sind und die Effizienz der Batterie beeinträchtigen, d.h. der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 kann bei gleichzeitiger Gewährleistung des Reparatureffekts sichergestellt werden.
Insbesondere kann, wie in 11 gezeigt, in einer solchen Ausführungsform „die Summe der Längen der M zweiten Abschnitte 22 in der Längsrichtung der Ausnehmung 121“ als die Summe der Breiten aller zweiten Abschnitte 22 in der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100 verstanden werden, und die Länge der Ausnehmung 121 ist die Erstreckungslänge der Ausnehmung 121 in der Längsrichtung der Rückkontakt-Solarzelle 100, z.B. kann ein einzelner zweiter Abschnitt 22 in einigen Ausführungsformen eine Länge der Ausnehmung 121 von 0,1 cm aufweisen. Die Gesamtlänge der Ausnehmung 121 beträgt 10 cm, und M ist 5, und die Summe der Längen aller zweiten Abschnitte 22 beträgt 0,5 cm, was 0,05 der Gesamtlänge der Ausnehmung 121 ausmacht.
In einer solchen Ausführungsform kann das Verhältnis der Summe der Längen der M zweiten Abschnitte 22 zu der Länge der Ausnehmung 121 0,005, 0,006, 0,007, 0,008, 0,009, 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5 oder 0,005-0,5 sein, ohne Einschränkung hierin.
In einigen Ausführungsformen in Rückkontakt-Solarzellen 100 macht der Summe der orthographischen Projektionsflächen aller zweiten Abschnitte 22 am Wafer 10 (d.h. die orthographische Projektionsfläche in der Dickenrichtung) 4,5*10^-8-1,5*10^-5 der Fläche der Abschattungsfläche des Wafers 10.
Auf diese Weise kann durch die Einstellung des Verhältnisses der orthographischen Projektionsfläche aller zweiten Abschnitte 22 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass der Anteil der Fläche der zweiten Abschnitte 22 zu klein ist, was zu einem schlechten Reparatureffekt führt, und es kann auch vermieden werden, dass der Anteil der Fläche der zweiten Abschnitte 22 zu groß ist, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 ernsthaft beeinträchtigt, d.h. es kann den Reparatureffekt garantieren, während der Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 garantiert wird.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform das Verhältnis der Summe der Fläche von der orthographischen Projektion der gesamten zweiten Abschnitte 22 auf die Abschattungsfläche des Wafers 10 zur Abschattungsfläche des Wafers 10 ein beliebiger Wert unter 4,5*10^-8 , 5*10^-8, 6*10^-8, 7*10^-8, 8*10^-8, 9*10^-8, 1*10^-7, 1*10^-6, 1*10^-5, 1,5*10^-5 oder 4,5* 10^-8 -1,5*10^-5 sein, auf die hier nicht näher eingegangen werden soll.
Unter Bezugnahme auf 13 und 14 kann in einigen Ausführungsformen eine zweite dünne dielektrische Schicht 50 zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und dem Boden bzw. den Seiten der Ausnehmung 121 vorgesehen sein, und die zweite dünne dielektrische Schicht 50 kann eine tunnelnde Oxidschicht sein. In einigen Ausführungsformen kann die zweite dünne dielektrische Schicht 50 beispielsweise eine Siliziumoxid-Tunnelschicht sein, wobei die zweite dünne dielektrische Schicht 50 bereitgestellt werden kann, um eine gute Passivierung des Rillenbereichs 12 zu erreichen; die Dicke der zweiten dünnen dielektrischen Schicht 50 kann entsprechend der tatsächlichen Situation eingestellt werden, und die Details sind hier nicht beschränkt.
Zurückkommend auf die 13 und 14 kann in einigen Ausführungsformen eine dritte dünne dielektrische Schicht 60 zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 gegenüberliegt, vorgesehen sein; die zweite Dotierungsschicht 30 ist über die dritte dünne dielektrische Schicht 60 in Zusammensetzungskontakt mit der Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 gegenüberliegt.
Auf dieser Weise kann die zweite Dotierungsschicht 30 durch die dritte dünne dielektrische Schicht 60 mit dem zweiten Abschnitt 22 in Zusammensetzungskontakt gebracht werden, um den Strom während der elektrischen Einspeisung zu erhöhen, was zu einer besseren Reparatureffizienz und einem besseren Reparatureffekt bei der anschließenden Reparatur der Rückkontakt-Solarzelle 100 führt.
Insbesondere kann die dritte dünne dielektrische Schicht 60 auch eine tunnelnde Oxidschicht sein, zum Beispiel eine tunnelnde Siliziumoxidschicht, deren Einzelheiten hier nicht beschränkt sind, und die Dicke der zweiten dünnen dielektrischen Schicht 50 kann entsprechend der tatsächlichen Situation eingestellt werden.
Bezugnehmend auf 15 umhüllt in einigen Ausführungsformen die zweite Dotierungsschicht 30 die Oberfläche 221 des zweiten Abschnitts 22, die der Ausnehmung 121 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 zugewandt ist; die zweite Dotierungsschicht 30 erstreckt sich bis zur Oberfläche 223 des zweiten Abschnitts 22, die von der Ausnehmung 121 abgewandt ist (d.h. die obere Oberfläche des zweiten Abschnitts 223 in 15); der Erstreckungsabschnitt der zweiten Dotierungsschicht 30 auf die Oberfläche 223, die sich über den zweiten Abschnitt 22 erstreckt und von der Ausnehmung 121 abgewandt ist, ist mit einer Isolierschicht 70 zum zweiten Abschnitt 22 versehen.
Auf diese Weise kann die Isolierschicht 70 vorgesehen werden, um die Oberseite des zweiten Abschnitts 22 von der zweiten Dotierungsschicht 30 zu isolieren, so dass ein Kontakt zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der ersten Dotierungsschicht 20 über einen großen Bereich vermieden wird.
Insbesondere kann in einer solchen Ausführungsform die Isolierschicht 70 auch eine Siliziumoxidschicht sein, und insbesondere kann die Dicke der Siliziumoxidschicht so eingestellt werden, dass sie Isolierungseigenschaften aufweist, z.B. wenn die erste dünne dielektrische Schicht 40, die zweite dünne dielektrische Schicht 50, die dritte dünne dielektrische Schicht 60 und die Isolierschicht 70 Siliziumoxidschichten sind, kann die Dicke der Siliziumoxidschicht so eingestellt werden, dass sie dünner ist, so dass die erste dünne dielektrische Schicht 40, die zweite dünne dielektrische Schicht 50, die dritte dünne dielektrische Schicht 60 eine Tunnelfunktion haben, und wenn die Isolierschicht 70 vorbereitet wird, kann die Dicke der Siliziumoxidschicht so eingestellt werden, dass sie dicker ist, um isolierende Funktionen bereitzustellen.
In einer solchen Ausführungsform kann die erste Elektrode in einem Bereich der ersten Dotierungsschicht 20 vorgesehen werden, der nicht von der zweiten Dotierungsschicht 30 in ohmschem Kontakt mit der ersten Dotierungsschicht 20 bedeckt ist, um eine Isolierung von der zweiten Dotierungsschicht 30 zu erreichen; die zweite Elektrode kann in einem Bereich vorgesehen werden, der der Ausnehmung 121 in ohmschem Kontakt mit der zweiten Dotierungsschicht 30 entspricht.
Wie in 14 dargestellt, wird in einigen Ausführungsformen zumindest teilweise eine Lücke 2221 zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 gebildet.
Auf diese Weise kann das Vorhandensein einer Lücke 2221 zwischen der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 und der zweiten Dotierungsschicht 30 die Kontaktfläche zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 verringern und die Zusammensetzung reduzieren, d.h. wenn die zweite Dotierungsschicht 30 und die Bodenfläche des zweiten Abschnitts 22 einen ausreichenden Kontakt gebildet haben, der die Wirkung der elektrischen Einspeisung verstärken kann, kann die Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 und die zweite Dotierungsschicht 30 mit einer Lücke 2221, die in zumindest einem Teil der Fläche zwischen dem zweiten Abschnitt und der zweiten Dotierungsschicht gebildet ist, die Effizienz effektiv sicherstellen.
Insbesondere kann während der Herstellung eine Lochstruktur zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 gebildet werden, wodurch eine Lücke 2221 in mindestens einem Teilbereich zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und der Seite 222 des zweiten Abschnitts 22 gebildet wird.
In einigen Ausführungsformen kann die Dicke der ersten Dotierungsschicht 20 10 nm - 600 nm betragen, so dass vermieden werden kann, dass die Dicke der ersten Dotierungsschicht 20 zu groß ist und die Kontaktfläche zwischen der Seite 22 des zweiten Abschnitts 22 und der zweiten Dotierungsschicht 30 zu groß wird und den Wirkungsgrad unter der Prämisse der Gewährleistung des Effekts beeinträchtigt.
Insbesondere kann die Dicke der ersten Dotierungsschicht 20 10nm, 50 nm, 80 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm oder ein beliebiger Wert zwischen 10 nm und 600 µm betragen und ist hierin nicht beschränkt.
In ähnlicher Weise kann in einer solchen Ausführungsform die Dicke der zweiten Dotierungsschicht 30 auch 10nm - 600nm betragen, wie hier ohne Einschränkung angegeben.
In einigen Ausführungsformen kann die Tiefe der Ausnehmung 121 0,1 µm-15um betragen.
Auf diese Weise kann durchs Einstellen der Tiefe der Ausnehmung 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs vermieden werden, dass die Tiefe der Ausnehmung 121 zu gering ist, was dazu führen kann, dass sich der Bereich, der durch den Kontakt zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und dem zweiten Abschnitt 22 betroffen ist, auf den Wafer 10 am Boden der Ausnehmung 121 ausdehnt, und gleichzeitig kann vermieden werden, dass die Tiefe der Ausnehmung 121 zu groß ist, was dazu führen kann, dass die Festigkeit des Wafers 10 wesentlich verringert wird, d.h. durchs Einstellen der Tiefe der Ausnehmung 121 innerhalb dieses angemessenen Bereichs kann der Bereich, der durch den Zusammensetzungskontakt zwischen der zweiten Dotierungsschicht 30 und dem zweiten Abschnitt 22 betroffen ist, minimiert werden, während sichergestellt wird, dass die Festigkeit des Wafers 10 erhalten bleibt.
Insbesondere haben die Erfinder der vorliegenden Anmeldung herausgefunden, dass, wenn die Tiefe der Ausnehmung 121 weniger als 0,1 µm beträgt, liegt der Einflussbereich der zweiten Dotierungsschicht 30 im Zusammensetzungskontakt mit dem zweiten Abschnitt 22 nicht nur auf einer Seite der Ausnehmung 121, sondern erstreckt sich bis zum Boden der Ausnehmung 121, was zu einem größeren Einflussbereich führt; und eine Einstellung der Tiefe auf mehr als 0,1 µm kann ein solches Problem vermeiden, um den Einflussbereich des Wafers 10 zu minimieren. Wird die Tiefe der Ausnehmung 121 jedoch auf mehr als 15 µm festgelegt, so führt dies zu einer erheblichen Verringerung der Gesamtfestigkeit des Wafers 10 und zu einem höheren Risiko von Rissen.
In einer solchen Ausführungsform kann die Tiefe der Ausnehmung 121 zum Beispiel 0,1 µm, 0,2 µm, 0,3 µm, 0,4 µm, 0,5 µm, 0,6 µm, 0,7 µm, 0,8 µm, 0,9 µm, 1 µm, 2 µm, 3 µm, 4 µm, 5 µm, 6 µm, 7 µm, 8 µm, 9 µm, 10 µm, 11 µm, 12 µm, 13 µm, 14 µm, 15 µm oder ein beliebiger Wert zwischen 0,1um und 15um sein, wobei die Angaben hier nicht beschränkt sind.
In einigen Ausführungsformen ist die erste Dotierungsschicht 20 von der zweiten Dotierungsschicht 30 im Rillenbereich 12 physisch isoliert, außer an der vorbestimmten Position 122. Auf diese Weise kann die physikalische Isolierung der ersten Dotierungsschicht 20 und der zweiten Dotierungsschicht 30 mit Ausnahme des Bereichs, der der vorbestimmten Position 122 entspricht, verhindern, dass die Kontaktfläche zwischen der ersten Dotierungsschicht 20 und der zweiten Dotierungsschicht 30 zu groß wird, was den Wirkungsgrad der Rückkontakt-Solarzelle 100 beeinträchtigen könnte.
Insbesondere können in einer solchen Ausführungsform die erste Dotierungsschicht 20 und die zweite Dotierungsschicht 30 mit Ausnahme der vorbestimmten Position 122 direkt durch die Ausnehmung 121 physisch voneinander isoliert sein, oder sie können durch andere Mittel physisch isoliert sein, zum Beispiel können die beiden durch ein isolierendes Element isoliert sein, dessen Einzelheiten hier nicht beschränkt sind.
In der Beschreibung dieser Spezifikation beziehen sich die Begriffe „Ausführungsbeispiel 1“, „Ausführungsbeispiel 2“, „einige Ausführungsbeispiele“, „schematische Ausführungsformen“, „Beispiele“, „spezifische Beispiele“, „beispielhaft“ oder „einige Beispiele“ auf die spezifischen Merkmale, Strukturen, Materialien oder Eigenschaften, die im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel oder den Beispielen beschrieben werden und in mindestens einer Ausführungsform oder einem Beispiel der Anmeldung enthalten sind. In dieser Beschreibung müssen sich die schematischen Ausdrücke der obigen Begriffe nicht auf das gleiche Ausführungsbeispiel oder das gleiche Beispiel beziehen. Darüber hinaus können die beschriebenen spezifischen Merkmale, Strukturen, Materialien oder Eigenschaften in geeigneter Weise in einem oder mehreren Ausführungsbeispielen oder Beispielen kombiniert werden.
Die obige Beschreibung ist außerdem nur eine bevorzugte Ausführungsform der Anmeldung und soll den Schutzbereich der Anmeldung nicht einschränken. Jede Abänderung, jeder gleichwertige Ersatz, jede Verbesserung usw., die dem Geist und den Grundsätzen der Anmeldung entspricht, fällt in den Schutzbereich der Anmeldung.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 202310282218 [0001]
WO 202320570099 [0001]
CN 202321268949 [0001]
CN 202310583236 [0001]

Claims

Rückkontakt-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst: Wafer, wobei der Wafer eine Lichtempfangsfläche und eine Abschattungsfläche aufweist, die voneinander abgewandt angeordnet sind, wobei auf der Abschattungsfläche eine Anzahl von beabstandeten Rillenbereichen und Nichtrillenbereichen ausgebildet ist, wobei eine Anzahl der Nichtrillenbereiche und Rillenbereiche aufeinanderfolgend in abwechselnder Reihenfolge angeordnet ist; erste Dotierungsschichten, die auf dem Nichtrillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die erste Dotierungsschicht an einer vorbestimmten Position im Rillenbereich einen vorstehenden Abschnitt aufweist, der sich über den Rillenbereich erstreckt, wobei der vorstehende Abschnitt eine erste Oberfläche aufweist, die dem Rillenbereich zugewandt ist, und eine zweite Oberfläche, die dem Rillenbereich abgewandt ist; zweite Dotierungsschichten, die auf dem Rillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei die zweite Dotierungsschicht eine zur ersten Dotierungsschicht entgegengesetzte Polarität aufweist, wobei die zweite Dotierungsschicht an der vorbestimmten Position einen Umhüllungsabschnitt aufweist, der sich entlang einer Seitenwandfläche des Rillenbereichs erstreckt und kaskadenförmig verläuft, um die erste Oberfläche zu bedecken, wobei der Umhüllungsabschnitt mit der ersten Oberfläche zusammengesetzt ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückkontakt-Solarzelle ferner erste dielektrische Schichten umfasst, die auf dem Nichtrillenbereich kaskadenförmig angeordnet sind, wobei erste Dotierungsschichten auf den ersten dielektrischen Schichten kaskadenförmig angeordnet sind.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückkontakt-Solarzelle ferner zweite dielektrische Schichten umfasst, die auf der ersten Oberfläche kaskadenförmig angeordnet sind, wobei der Umhüllungsabschnitt zweite dielektrische Schichten kaskadenförmig bedeckt, wobei der Umhüllungsabschnitt durch die zweiten dielektrischen Schichten mit der ersten Oberfläche zusammengesetzt ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht eine Dicke von 0,5 nm-50 nm aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Oberfläche benachbarte und aufeinanderfolgende erste und zweite Bereiche entlang der Richtung der Ausrichtung der Rillenbereiche und der Nichtrillenbereiche aufweist; wobei die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht im zweiten Bereich größer ist als die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht im ersten Bereich, wobei der im ersten Bereich angeordnete Abschnitt der zweiten dielektrischen Schicht eine Tunnelfunktion hat.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht im ersten Bereich eine Dicke von 0,5 nm-6 nm und im zweiten Bereich eine Dicke von 2 nm - 50 nm aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht im ersten Bereich eine Dicke von 4 nm-5 nm und im zweiten Bereich eine Dicke von 15 nm-45 nm aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge des ersten Bereichs 0,05 µm - 1 µm und die Länge des zweiten Bereichs 0,1 µm - 10 µm entlang der Anordnungsrichtung der Rillenbereiche und der Nichtrillenbereiche beträgt.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge des ersten Bereichs 0,5 µm - 1 µm und die Länge des zweiten Bereichs 0,5 µm - 3 µm entlang der Anordnungsrichtung der Rillenbereiche und der Nichtrillenbereiche beträgt.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste Oberfläche und die zweite Oberfläche am Ende des vorstehenden Abschnitts kreuzen, um einen Spitzenabschnitt zu bilden, wobei der Umhüllungsabschnitt den Spitzenabschnitt umhüllt.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Spitzenabschnitt an seinem Ende mit Bohrungen versehen ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der vorstehende Abschnitt eine Länge von 0,15 µm bis 10 µm in der Anordnungsrichtung der Rillenbereiche und der Nichtrillenbereiche aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der Längsrichtung der Rillenbereiche das Verhältnis der Summe der Längen aller vorstehenden Abschnitte mit der Fläche von den Abschattungsflächen 0,003cm/cm²-0,6cm/cm² ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in einem einzelnen Rillenbereich die Anzahl der vorbestimmten Positionen M ist, die Anzahl der vorstehenden Abschnitte und Umhüllungsabschnitte ebenfalls M ist und in der Längsrichtung des Rillenbereichs das Verhältnis der Summe der Längen von M vorstehenden Abschnitte zur Länge eines einzelnen Rillenbereichs 0,005-0,5 ist, wobei M eine positive ganze Zahl ist, die größer oder gleich 1 ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Summe der orthographischen Projektionsflächen aller vorstehenden Abschnitte der Gesamtfläche der Abschattungsflächen .
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an der vorbestimmten Position dritte Dotierungsschichten auf der zweiten Oberfläche kaskadenförmig angeordnet sind, wobei dritte Dotierungsschichten die gleiche Polarität wie zweite Dotierungsschichten aufweisen, wobei dritte Dotierungsschichten die zweite Oberfläche bedecken, wobei eine Isolierschicht zwischen den dritten Dotierungsschichten und der zweiten Oberfläche vorgesehen ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe des Rillenbereichs 0,1 µm bis 15 µm beträgt.
Rückkontakt-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst: Wafer, wobei die Abschattungsfläche des Wafers eine Anzahl von abwechselnd angeordneten Nichtrillenbereichen und Rillenbereichen umfasst, wobei die Rillenbereiche ausgebildete Ausnehmungen aufweisen; erste Dotierungsschichten, die auf dem Nichtrillenbereich angeordnet sind, wobei die erste Dotierungsschicht an einer vorbestimmten Position in der Ausnehmung einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt aufweist, wobei sich der erste Abschnitt über dem Nichtrillenbereich befindet, wobei sich der zweite Abschnitt über der Ausnehmung befindet; und zweite Dotierungsschichten, die an der Ausnehmung angeordnet sind, wobei die zweite Dotierungsschicht an der vorbestimmten Position den Boden und Seiten der Ausnehmung bedeckt, die Seiten des zweiten Abschnitts sowie die Oberfläche des zweiten Abschnitts umhüllt, die der Ausnehmung zugewandt ist, wobei zweite Dotierungsschicht mit der Oberfläche des zweiten Abschnitts zusammengesetzt ist, die der Ausnehmung zugewandt ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückkontakt-Solarzelle ferner erste dünne dielektrische Schichten umfasst, die auf dem Nichtrillenbereich angeordnet sind, wobei erste Dotierungsschichten auf den ersten dünnen dielektrischen Schichten angeordnet sind.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass sich der zweite Abschnitt um eine Länge von 0,15 µm bis 10 µm über die Ausnehmung erstreckt.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass in der Längsrichtung der Ausnehmung das Verhältnis der Summe der Längen aller zweiten Abschnitte der Rückkontakt-Solarzelle mit der Fläche von den Abschattungsflächen des Wafers 0,003cm/cm²-0,6cm/cm² ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass in einer einzelnen Ausnehmung die Anzahl der vorbestimmten Positionen M ist, die Anzahl der zweiten Abschnitte ebenfalls M ist und in der Längsrichtung der Ausnehmung das Verhältnis der Summe der Längen von M der zweiten Abschnitte zur Länge einer einzelnen Ausnehmung 0,005-0,5 ist, wobei M eine positive ganze Zahl ist, die größer oder gleich 1 ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass in der Rückkontakt-Solarzelle die Summe der orthographischen Projektionsflächen aller zweiten Abschnitte 4,5*10^-8-1,5*10^-5 der Gesamtfläche von den Abschattungsflächen des Wafers ausmacht.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite dünne dielektrische Schicht zwischen der zweiten Dotierungsschicht und dem Boden und den Seiten der Ausnehmung vorgesehen ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine dritte dünne dielektrische Schicht zwischen der zweiten Dotierungsschicht und der Oberfläche des zweiten Abschnitts, der der Ausnehmung zugewandt ist, vorgesehen ist, wobei die zweite Dotierungsschicht durch die dritte dünne dielektrische Schicht im Verbundkontakt mit der Oberfläche des zweiten Abschnitts, der der Ausnehmung zugewandt ist, steht.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Dotierungsschicht die Oberfläche des zweiten Abschnitts in Richtung der Ausnehmung und Seiten des zweiten Abschnitts umhüllt und sich bis zur Oberfläche des zweiten Abschnitts erstreckt, die von der Ausnehmung abgewandt ist, wobei eine Isolierschicht zwischen dem zweiten Abschnitt und dem Abschnitt der zweiten Dotierungsschicht, der sich bis zur Oberfläche des zweiten Abschnitts erstreckt, der von der Ausnehmung abgewandt ist, vorgesehen ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass eine Lücke zumindest teilweise in einem Bereich zwischen der zweiten Dotierungsschicht und einer Seite des zweiten Abschnitts ausgebildet ist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Dotierungsschicht eine Dicke von 10 nm bis 600 nm aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmung eine Tiefe von 0,1 µm bis 15 µm aufweist.
Rückkontakt-Solarzelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass im Rillenbereich die erste Dotierungsschicht von der zweiten Dotierungsschicht mit der Ausnahme der vorbestimmten Position physikalisch getrennt ist.
Rückkontakt-Solarzellenmodul, dadurch gekennzeichnet, dass es Rückkontakt-Solarzellen nach einem der Ansprüche 1-30 umfasst.
PV-System, dadurch gekennzeichnet, dass es Rückkontakt-Solarzellenmodul nach Anspruch 31 umfasst.