CN219738973U - 背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统 - Google Patents

Abstract

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，硅基底的背面的第二区域处形成有凹槽，在凹槽的预设位置处，第一掺杂层包括位于第一区域的第一部分和伸出至凹槽上方的第二部分，在预设位置处，第二掺杂层覆盖凹槽的底面和侧面且包饶第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。如此，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域所产生的边缘复合的影响范围较窄，可有效的提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，提升修复效率和效果。

Description

背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统。

背景技术

目前，在太阳能电池中，背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电流。

在传统的技术方案中，背接触太阳能电池的背面通常为平整的表面，在其背面上设有间隔的P区和N区，P区和N区至少一部分交界，在这样的境况下，背接触太阳能电池背面的P/N区交界区域产生的边缘复合较为严重，其影响的范围较广，影响电池的电性能，特别是填充因子，导致背接触太阳能电池的效率下降。

因此，如何减少降低背接触太阳能电池背面的P/N区交界区域的影响范围以提高电池的填充因子，进而提高转换效率成为了技术人员研究的技术问题。

实用新型内容

本申请提供一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统，旨在解决如何减少降低背接触太阳能电池背面的P/N区交界区域的影响范围以提高电池的填充因子，进而提高转换效率成的技术问题。

本申请是这样实现的，本申请实施例的背接触太阳能电池包括：

硅基底，所述硅基底的背面包括若干交替设置的第一区域和第二区域，所述第二区域处形成有凹槽；

设于所述第一区域上的第一掺杂层，在所述凹槽的预设位置处，所述第一掺杂层包括位于所述第一区域上方的第一部分和伸出至所述凹槽上方的第二部分；和

设于所述凹槽处的第二掺杂层，在所述预设位置处，所述第二掺杂层覆盖所述凹槽的底面和侧面且包饶所述第二部分朝向所述凹槽的表面和所述第二部分的侧面，所述第二掺杂层与所述第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。

更进一步地，所述背接触太阳能电池还包括设置在所述第一区域上的第一薄介电层，所述第一掺杂层设置在所述第一薄介电层上。

更进一步地，所述第二部分伸出至所述凹槽上方的长度为0.15um-10um。

更进一步地，在所述凹槽的长度方向，所述背接触太阳能电池上所有的所述第二部分的长度之和与所述硅基底的背面面积之比为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²。

更进一步地，在单个所述凹槽中，所述预设位置的数量为M个，所述第二部分的数量也为M个，在所述凹槽的长度方向上，M个所述第二部分的长度的总和与所述凹槽的长度的比值为0.005-0.5，其中，M为大于或者等于1的正整数。

更进一步地，在所述背接触太阳能电池中，所有的所述第二部分在所述硅基底的背面上的正投影面积之和占所述硅基底的背面总面积的4.5*10^-8-1.5*10^-5。

更进一步地，所述第二掺杂层与所述凹槽的底面和侧面之间设有第二薄介电层。

更进一步地，所述第二掺杂层和所述第二部分朝向所述凹槽的表面之间设有第三薄介电层，所述第二掺杂层与所述所述第二部分朝向所述凹槽的表面通过所述第三薄介电层复合接触。

更进一步地，所述第二掺杂层包饶所述第二部分朝向所述凹槽的表面和所述第二部分的侧面并延伸至所述第二部分背离所述凹槽的表面，所述第二掺杂层延伸至所述第二部分背离所述凹槽的表面的部分与所述第二部分之间设有绝缘层。

更进一步地，所述第二掺杂层与所述第二部分的侧面之间至少部分区域形成有间隙。

更进一步地，所述第一掺杂层的厚度为10nm-600nm。

更进一步地，所述凹槽的深度为0.1um-15um。

更进一步地，在所述第二区域中，除所述预设位置外，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间物理隔离。

本申请还提供一种电池组件，所述电池组件包括上述任一项所述的背接触太阳能电池。

本申请还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。

在本申请实施例的背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统中，硅基底的背面的第二区域处形成有凹槽，在凹槽的预设位置处，第一掺杂层包括位于第一区域的第一部分和伸出至凹槽上方的第二部分，在预设位置处，第二掺杂层覆盖凹槽的底面和侧面且包饶第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面。如此，由于凹槽的设置，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域的一侧并不存在基底部分，两者的交界区域所产生的边缘复合只会影响凹槽一侧的硅基底，其影响的范围较窄，可有效的减少交界区域所辐射的硅基底区域范围以减少硅基底被影响的载流子的数量，提升背接触太阳能电池的电性能，提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层包饶第一掺杂层的第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，可使得后续在修复背接触太阳能电池时修复效率和修复效果更好。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

图1是本申请实施例提供的光伏系统的模块示意图；

图2是本申请实施例提供的电池组件的模块示意图；

图3是本申请实施例提供的背接触太阳能电池的平面结构示意图；

图4是图3中的背接触太阳能电池沿线IV-IV的剖面示意图；

图5是现有技术中的背接触太阳能电池的剖面示意图；

图6是图3中的背接触太阳能电池沿线IV-IV的另一剖面示意图；

图7是图3中的背接触太阳能电池沿线IV-IV的又一剖面示意图；

图8是图3中的背接触太阳能电池沿线IV-IV的再一剖面示意图。

主要元件符号说明：

光伏系统1000、电池组件200、背接触太阳能电池100、硅基底10、第一区域11、第二区域12、凹槽121、预设位置122、第一掺杂层20、第一部分21、第二部分22、第二掺杂层30、第一薄介电层40、第二薄介电层50、第三薄介电层60、绝缘层70。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“顶”、“底”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。

本申请中，由于凹槽的设置，第二掺杂层与第一掺杂层复合接触的交界区域的一侧并不存在基底部分，两者的交界区域所产生的边缘复合只会影响凹槽一侧的硅基底，其影响的范围较窄，可有效的减少交界区域所辐射的硅基底区域范围以减少硅基底被影响的载流子的数量，提升背接触太阳能电池的电性能，提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置处，第二掺杂层包饶第一掺杂层的第二部分朝向凹槽的表面和第二部分的侧面，第二掺杂层与第二部分朝向凹槽的表面复合接触，第二掺杂层与第一掺杂层的接触面积较大，可增大电注入时的电流，可使得后续在修复背接触太阳能电池时修复效率和修复效果更好。

实施例一

请参阅图1-图2，本申请实施例中的光伏系统1000可包括本申请实施例中的电池组件200，本申请实施例中的电池组件200可包括多个本申请实施例中的背接触太阳能电池100。

在一些实施例中，电池组件200中的多个背接触太阳能电池100可依次串接在一起从而实现形成电池串，各个电池串可串联、并联、或者串并联组合后实现电流的汇流输出，例如，可通过焊接焊带的方式来实现各个电池片之间的连接，可通过汇流条来实现各个电池串之间的连接。

请参阅图3和图4，本申请实施例中的背接触太阳能电池100可包括硅基底10、第一掺杂层20和第二掺杂层30。

如图3和图4所示，硅基底10的背面可包括若干交替设置的第一区域11和第二区域12，第二区域12处形成有凹槽121，也即，可通过在硅基底10上形成若干间隔设置的凹槽121来形成第一区域11和第二区域12，相邻两个凹槽121的之间对应的区域为第一区域11，凹槽121对应的区域即为第二区域12，第一区域11和第二区域12可沿背接触太阳能电池100的横向方向交替排列，凹槽121则可沿纵向方向延伸。

如图4所示，第一掺杂层20可设于第一区域11上，在凹槽121的预设位置122处，第二掺杂层30可包括位于第一区域11上方的第一部分21和伸出至凹槽121上方的第二部分22。

第二掺杂层30可设于凹槽121处，在凹槽121的预设位置122处，第二掺杂层30覆盖凹槽121的底面和侧面且包饶第二部分22朝向凹槽121的表面221(即图中第二部分22的底面)和第二部分22的侧面222，第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221复合接触。

在本申请实施例中的背接触太阳能电池100中，硅基底10的背面的第二区域12处形成有凹槽121，在凹槽121的预设位置122处，第一掺杂层20包括位于第一区域11的第一部分21和伸出至凹槽121上方的第二部分22，在预设位置122处，第二掺杂层30覆盖凹槽121的底面和侧面且包饶第二部分22朝向凹槽121的表面221和第二部分22的侧面222，第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221复合接触。如此，由于凹槽121的设置，第二掺杂层30与第一掺杂层20复合接触的交界区域的一侧并不存在硅基底部分，两者的交界区域所产生的边缘复合只会影响凹槽121一侧的硅基底10(即附图中的阴影部分A)，其影响的范围较窄，可有效的减少交界区域所辐射的硅基底范围以减少硅基底10被影响的载流子的数量，提升背接触太阳能电池100的电性能，提高填充因子以提高效率。并且，在预设位置122处，第二掺杂层30包饶第一掺杂层20的第二部分22朝向凹槽121的表面221和第二部分22的侧面222，第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221复合接触，第二掺杂层30与第一掺杂层20的接触面积较大，可增大电注入时的电流，可使得后续在修复背接触太阳能电池100时修复效率和修复效果更好。

具体地，在本申请的实施例中，第一掺杂层20可为N型掺杂层，第二掺杂层30可为P型掺杂层，两者极性相反。如图5所示，图5示出的是传统技术中背接触太阳能电池的背面设计方案，在传统的技术方案中，背接触太阳能电池背面上的P型掺杂层2和N型掺杂层1平铺设置在硅片的背面，P型掺杂层2和N型掺杂层1交界，两者的交界处会产生边缘复合，影响载流子的数量，其影响范围如图5中的阴影部分B所示，其影响的范围较广，导致电池片效率较低。

然而，在本申请中，通过将第二掺杂层30设置凹槽121处，第二掺杂层30只在预设位置122处与第一掺杂层20的第二部分22的朝向凹槽121的表面221接触，两者交界的位置处只有第一区域11的一侧具有硅基底10，两者的边缘复合只会影响第一区域11一侧的硅基底10，其影响的范围较窄，可以有效地提高背接触太阳能电池100的效率。

需要说明的是，在本申请的实施例中，“凹槽121的预设位置122”可以理解为整个凹槽121或者是凹槽121的部分位置，具体在此不作限制，预设位置122优选为凹槽121的部分位置，在这样的情况下，在每个凹槽121中，预设位置122的数量可以是单个也可以是多个，多个预设位置122可沿纵向方向间隔设置，具体在此不作限制。例如，如图3所示，单个凹槽121中的预设位置122为两个，当然，单个凹槽121中的预设位置122的数量也可以为单个或者大于两个，具体在此不作限制，并且，在本申请的实施例中，具有预设位置122的凹槽121的数量可以是单个，也可以是多个，具体在此不作限制，例如，如图3所示，具有预设位置122的凹槽121为背接触太阳能电池100横向方向两侧边缘的凹槽121，当然，在其它实施例中，具有预设位置122的凹槽121也可以是单个或者大于两个，其位置也可以是位于背接触太阳能电池100的中间位置或者其它位置，具体在此不作限制。

此外，还需要说明的是，在本申请中。“第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221复合接触”所指的是两者之间没有绝缘，其可以是两者直接接触也可以是通过其它的介电层来实现复合接触，例如，两者可通过下文所提及的第三薄介电层60(氧化隧穿层)来进行复合接触。

在一些实施例中，预设位置122的数量可为多个，其可均匀分布在背接触太阳能电池100的背面，例如，如图3所示，预设位置122的数量可为4个，4个预设位置122可分布在背接触太阳能电池100的四个角落处，在背面引入第二掺杂层30与第一掺杂层20相接触的点位，可以增大电注入时的电流，进而提高后续对背接触太阳能电池100的修复效果。

在本申请中，硅基底10可以是P型硅片也可以是N型硅片，其可优选为N型硅片，具体在此不作限制。

在一个可能的实施例中，在制作过程中，可先对硅基底10进行清洗，然后在硅基底10的整个背面制备第一掺杂层20，然后通过刻蚀等方式形成凹槽121从而形成第一区域11和第二区域12并使得在预设位置122处第一掺杂层20的第二部分22伸出至凹槽121的上方，例如，在一个可能的实施例中，可以是先通过激光或者刻蚀方式形成部分凹槽，然后再通过刻蚀的方向横向扩大凹槽的面积以使第二部分22伸出至凹槽121上。

随后，可在凹槽121处制备第二掺杂层30并使得第二掺杂层30在预设位置122处覆盖凹槽121的底面和侧面且包饶第二部分22朝向凹槽121的表面221和第二部分22的侧面222，第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221复合接触，具体在此不作限制。

需要说明的是，如图4所示，第二部分22的侧面可以理解为第二部分22伸出至凹槽121上方的端面，也即是说，在一些实施例中，第二掺杂层30可以只是包饶第二部分22伸出至凹槽121上方的端面。当然，在一些实施例中，第二掺杂层30也可以是同时包饶第二部分22的所有侧面(即连接第二部分22底面和顶面的所有表面)，具体在此不作限制。

在本申请的实施例中，背接触太阳能电池100还可包括第一电极(图未示出)和第二电极(图未示出)，第一电极可为N型电极，第二电极可为P型电极，两者均为金属电极，在硅基底10的背面还可设有钝化膜层，第一电极位于第一区域11且穿设钝化膜层与第一掺杂层20欧姆接触并与第二掺杂层30绝缘隔离，也即，第一电极可位于第一掺杂层20未被第二掺杂层30包饶和覆盖的位置，第二电极可位于凹槽121处且穿设钝化膜层与第二掺杂层30欧姆接触。

请参阅图4以及图6和图7，进一步地，在一些实施例中，背接触太阳能电池100还包括设置在第一区域11上的第一薄介电层40，第一掺杂层20设置在第一薄介电层40上，也即，第一掺杂层20除第二部分22以外的区域与硅基底10之间设置有第一薄介电层40，第一薄介电层40可为隧穿层，例如，氧化硅隧穿层，具体在此不作限制。如此，第一薄介电层40的设置可以对第一区域11具有良好的钝化效果，保证效率。

实施例二

在一些实施例中，第二部分22伸出至凹槽121上方(即图6中位置121上方的部分)的长度为0.15um-10um。

如此，将第一部分21的伸出长度设置在上述这一合理的范围内可以有效的保证第二掺杂层30在预设位置122处于第二掺杂层30的接触面积，进而增大电注入时的电流，保证修复效率和效果。并且可以避免第二部分22的长度过短而导致接触面积过小而导致修复效果无法达到预期，同时也可以避免长度过长而导致两者的接触面积过于的大而影响背接触太阳能电池100的效率。

具体地，在这样的实施例中，“第二部分22伸出至凹槽121上方的长度”可以理解为第二部分22在第一区域11和第二区域12排列方向(即图3中的横向方向)上的长度尺寸。在本申请中，第二部分22伸出至凹槽121上方的长度可为0.15um、0.2um、0.4um、0.6um、0.8um、1um、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、10um或者0.15um-10um之间的任一数值，具体在此不作限制。

实施例三

在一些实施例中，在凹槽121的长度方向(即图3中的纵向方向)上，背接触太阳能电池100上所有的第二部分22的长度之和与硅基底10背面面积之比为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²。

如此，通过合理控制所有第二部分22在凹槽121长度方向上的长度的总和与硅基底10的背面面积的比值可以避免第二部分22在凹槽121长度方向的长度总和过小而导致修复效果无法达到预期，同时也可以避免第二部分22在背面所在的比值过大而影响电池效率，也即，可以在保证修复效果的同时保证背接触太阳能电池片100的效率。

具体地，在本申请中，如图3所示，凹槽121的长度方向即为凹槽121的延伸方向，也即背接触太阳能电池100的纵向方向，第二部分22在凹槽121长度方向的长度即为第二部分22沿背接触太阳能电池100的纵向方向的宽度，也即是说，整个电池上所有第二部分22在纵向方向上的宽度之和与硅基底10背面的面积之比为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²，例如，图3中的第二部分22的数量为4个，4个第二部分22在纵向方向上的宽度之和与背面面积的比值为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²。

例如，在本申请的实施例中，背接触太阳能电池100上的所有第二部分22的长度之和与硅基底10背面的面积之比可为为0.003cm/cm²、0.01cm/cm²、0.02cm/cm²、0.03cm/cm²、0.04cm/cm²、0.05cm/cm²、0.06cm/cm²、0.07cm/cm²、0.08cm/cm²、0.09cm/cm²、0.1cm/cm²、0.2cm/cm²、0.3cm/cm²、0.3cm/cm²、0.4cm/cm²、0.5cm/cm²、0.6cm/cm²或者为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²之间的任一数值，具体在此不作限制。

实施例四

在一些实施例中，在单个凹槽121中，预设位置122的数量为M个，第二部分22的数量也为M个(例如，如图3所示，单个凹槽121中的预设位置122的数量为两个)，在凹槽121的长度方向上，M个第二部分22的长度的总和与凹槽121的长度的比值为0.005-0.5，其中，M为大于或者等于1的正整数。

如此，在凹槽121的长度方向上，将所有预设位置122处的第二部分22的长度总和与凹槽121的长度的比值设置在这一合理范围内可以避免在单个凹槽121内的第二部分22长度占比过小而导致修复效果无法达到预期，同时也可以避免单个凹槽121内的第二部分22的长度占比过大而影响电池效率，也即，可以在保证修复效果的同时保证背接触太阳能电池片100的效率。

具体地，如图3所示，在这样的实施例中，“在凹槽121的长度方向上，M个第二部分22的长度的总和”可以理解为在背接触太阳能电池100的纵向方向上，所有第二部分22的宽度的总和，凹槽121的长度即为凹槽121在背接触太阳能电池100的纵向方向上的延伸长度，例如，在一些实施例中，单个第二部分22在纵向方向上的长度可为0.1cm，凹槽121的总长度为10cm，M为5，所有第二部分22的长度之和为0.5cm，其占凹槽121总长度的0.05。

在这样的实施例中，M个第二部分22的长度的总和与凹槽121的长度的比值可为为0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5或者为0.005-0.5之间的任一数值，具体在此不作限制。

实施例五

在一些实施例中，在背接触太阳能电池100中，所有的第二部分22在硅基底10的背面上的正投影面积(即沿厚度方向上的正投影面积)之和占硅基底10的背面总面积的4.5*10^-8-1.5*10^-5。

如此，将所有第二部分22的正投影面积占比设置在这一合理的范围内可以避免第二部分22的面积占比过小而导致修复效果较差，也可以避免第二部分22的面积占比过大而严重影响背接触太阳能电池100的效率，也即，可以在保证修复效果的同时保证背接触太阳能电池片100的效率。

具体地，在这样的实施例中，所有的所述第二部分22在所述硅基底10的背面上的正投影面积之在硅基底10的背面上的占比可为4.5*10^-8、5*10^-8、6*10^-8、7*10^-8、8*10^-8、9*10^-8、1*10^-7、1*10^-6、1*10^-5、1.5*10^-5或者为4.5*10^-8-1.5*10^-5之间的其它任意数值，具体在此不作限制。

实施例六

请参阅图6和图7，在一些实施例中，第二掺杂层30与凹槽121的底面和侧面之间可设有第二薄介电层50，第二薄介电层50可为隧穿氧化层。例如，在一些实施例中，第二薄介电层50可为氧化硅隧穿层，第二薄介电层50的设置可以实现第二区域12的良好钝化，第二薄介电层50的厚度可根据实际情况进行设置，具体在此不作限制。

实施例七

请继续参阅图6和图7，在一些实施例中，第二掺杂层30和第二部分22朝向凹槽121的表面221之间可设有第三薄介电层60，第二掺杂层30与第二部分22朝向凹槽121的表面221通过第三薄介电层60复合接触。

如此，第二掺杂层30可通过第三薄介电层60与第二部分22复合接触以可增大电注入时的电流，使得后续在修复背接触太阳能电池100时修复效率和修复效果更好。

具体地，第三薄介电层60也可为隧穿氧化层，例如，其可为氧化硅隧穿层，具体在此不作限制，第二薄介电层50的厚度可根据实际情况进行设置。

实施例八

请参阅图8，在一些实施例中，第二掺杂层30包饶第二部分22朝向凹槽121的表面221和第二部分22的侧面222，且第二掺杂层30延伸至第二部分22背离凹槽121的表面223(即图8中第二部分223的顶面)，第二掺杂层30可延伸至第二部分22背离凹槽121的表面223的部分与第二部分22之间设有绝缘层70。

如此，绝缘层70的设置可以将第二部分22的上表面和第二掺杂层30绝缘隔离开来，避免第二掺杂层30与第一掺杂层20大面积的接触。

具体地，在这样的实施例中，绝缘层70也可为氧化硅层，具体地，可通过调节氧化硅膜层的厚度来使得其具备绝缘性能，例如，在第一薄介电层40、第二薄介电层50、第三薄介电层60和绝缘层70均为氧化硅层时，可通过调节氧化硅层的厚度使其较薄从而使得第一薄介电层40、第二薄介电层50、第三薄介电层60具有隧穿功能，而在制备绝缘层70时，则可将氧化硅层的厚度设置的较厚以使其具备绝缘功能。

在这样的实施例中，第一电极可设置在第一掺杂层20没有被第二掺杂层30覆盖的区域与第一掺杂层20欧姆接触以实现与第二掺杂层30的绝缘隔离，第二电极则可设置在凹槽121对应的区域与第二掺杂层30欧姆接触。

实施例九

请参阅图7，在一些实施例中，第二掺杂层30与第二部分22的侧面222之间至少部分区域形成有间隙2221。

如此，第二部分22的侧面222与第二掺杂层30之间具有间隙2221可以减少第二掺杂层30与第二部分22的侧面222的接触面积，降低复合，也即是说，在第二掺杂层30与第二部分22的底面形成了足够的接触能够增强电注入效果的情况下，第二部分22的侧面222与第二掺杂层30之间的至少部分区域形成有间隙2221可以有效的保证效率。

具体地，在这样的，在制备的过程中，第二掺杂层30可与第二部分22的侧面222之间形成有孔洞结构从而使得第二掺杂层30与第二部分22的侧面222之间至少部分区域形成有间隙2221。

实施例十

在一些实施例中，第一掺杂层20的厚度可为10nm-600nm，如此，可在保证效果的前提下避免第一掺杂层20的厚度过厚而导致第二部分22的侧面22与第二掺杂层30的接触面积过大而影响效率。

具体地，第一掺杂层20的厚度可为10nm、50nm、80nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm或者10nm-600um之间的任一数值，具体在此不作限制。

同理，在这样的实施例中，第二掺杂层30的厚度也可为10nm-600nm，具体在此不作限制。

实施例十一

在一些实施例中，凹槽121的深度可为0.1um-15um。

如此，将凹槽121的深度设置在这一合理的范围内可以避免凹槽121的深度过浅而导致第二掺杂层30与第二部分22接触时所影响的区域扩大至凹槽121底部的硅基底10，同时也可以避免凹槽121的深度过大而导致硅基底10的强度大幅度降低，也即是说，将凹槽121的深度设置在这一合理范围内可以在保证硅基底10的强度的情况下尽可能的较少第二掺杂层30与第二部分22复合接触的影响范围。

具体地，本申请的发明人研究发现，在凹槽121的深度小于0.1um时，第二掺杂层30与第二部分22复合接触时的影响范围不仅仅只是位于凹槽121的一侧，而是会延伸至凹槽121的底部进而导致影响的范围会变得较大，而将深度设置的大于0.1um则可以避免这样的问题以尽可能的减少硅基底10被影响的范围。同时，若将凹槽121的深度设置的大于15um则会导致硅基底10的整体强度严重降低，裂片风险提高。

在这样的实施例中，凹槽121的深度可例如为0.1um、0.2um、0.3um、0.4um、0.5um、0.6um、0.7um、0.8um、0.9um、1um、2um、3um、4um、5um、6um、7um、8um、9um、10um、11um、12um、13um、14um、15um或者0.1um-15um之间的任一数值，具体在此不作限制。

实施例十二

在一些实施例中，在第二区域12中，除预设位置122外，第一掺杂层20与第二掺杂层30之间物理隔离。如此，除预设位置122对应的区域外，第一掺杂层20与第二掺杂层30物理隔离可以避免第一掺杂层20和第二掺杂层30之间的接触面积过大而影响背接触太阳能电池100的效率。

具体地，在这样的实施例中，除预设位置122以外，第一掺杂层20与第二掺杂层30之间可直接通过凹槽121物理隔离，也可以是通过其它的手段进行物理隔离，例如，可通过设置绝缘件来使两者实现隔离，具体在此不作限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

此外，以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底的背面包括若干交替设置的第一区域和第二区域，所述第二区域处形成有凹槽；

设于所述第一区域上的第一掺杂层，在所述凹槽的预设位置处，所述第一掺杂层包括位于所述第一区域上方的第一部分和伸出至所述凹槽上方的第二部分；和

设于所述凹槽处的第二掺杂层，在所述预设位置处，所述第二掺杂层覆盖所述凹槽的底面和侧面且包饶所述第二部分朝向所述凹槽的表面和所述第二部分的侧面，所述第二掺杂层与所述第二部分朝向所述凹槽的表面复合接触。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括设置在所述第一区域上的第一薄介电层，所述第一掺杂层设置在所述第一薄介电层上。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二部分伸出至所述凹槽上方的长度为0.15um-10um。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述凹槽的长度方向，所述背接触太阳能电池上所有的所述第二部分的长度之和与所述硅基底的背面面积之比为0.003cm/cm²-0.6cm/cm²。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在单个所述凹槽中，所述预设位置的数量为M个，所述第二部分的数量也为M个，在所述凹槽的长度方向上，M个所述第二部分的长度的总和与所述凹槽的长度的比值为0.005-0.5，其中，M为大于或者等于1的正整数。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述背接触太阳能电池中，所有的所述第二部分在所述硅基底的背面上的正投影面积之和占所述硅基底的背面总面积的4.5*10^-8-1.5*10^-5。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层与所述凹槽的底面和侧面之间设有第二薄介电层。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层和所述第二部分朝向所述凹槽的表面之间设有第三薄介电层，所述第二掺杂层与所述第二部分朝向所述凹槽的表面通过所述第三薄介电层复合接触。

9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层包饶所述第二部分朝向所述凹槽的表面和所述第二部分的侧面并延伸至所述第二部分背离所述凹槽的表面，所述第二掺杂层延伸至所述第二部分背离所述凹槽的表面的部分与所述第二部分之间设有绝缘层。

10.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层与所述第二部分的侧面之间至少部分区域形成有间隙。

11.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为10nm-600nm。

12.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1um-15um。

13.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，在所述第二区域中，除所述预设位置外，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间物理隔离。

14.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的背接触太阳能电池。

15.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求14所述的电池组件。