CN117976743A - 太阳能电池片、电池组件和光伏系统 - Google Patents
太阳能电池片、电池组件和光伏系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117976743A CN117976743A CN202410389939.5A CN202410389939A CN117976743A CN 117976743 A CN117976743 A CN 117976743A CN 202410389939 A CN202410389939 A CN 202410389939A CN 117976743 A CN117976743 A CN 117976743A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- leakage
- impp
- blocked
- composite contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 122
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 84
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 47
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 19
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 31
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 8
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 2
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 241001128518 Tabris Species 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统，太阳能电池片包括硅片、第一掺杂层和第二掺杂层，第二掺杂层在预设位置处与第一掺杂层复合接触形成漏电复合接触结构，在太阳能电池片两端所施加的反向电压为17V或小于17V的情况下，漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S/N。Impp为太阳能电池片的最大功率点电流，S为太阳能电池片的面积，N为在太阳能电池片中，单位面积的漏电复合接触结构的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2。如此，可以在保证太阳能电池片的转换效率不会损失过大的情况下降低热斑风险，同时也可以将降低甚至取消太阳能电池片的缺陷管控要求，提升太阳能电池片的制造能力。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统。
背景技术
在相关技术中，光伏电池组件通常由多个电池片组成的电池阵列组成，为了有效的控制热斑风险，太阳能电池片通常采用低漏电特性+旁路旁路二极管的设计，通过降低电池片的漏电流，从而控制漏电点的发热功率。
然而，在这样的技术方案中，为了遏制热斑失效风险，需要将电池片的漏电流控制在一个较小的值，其对漏电流的管控要求较高。然而，这对于光伏行业制造能力来说是一个难以克服的问题，在制造太阳能电池片的过程中，引入的任何一个缺陷都可能会导致漏电流超过管控值，从而导致抗热斑风险的能力较差，其制造能力较低。
因此，如何开发一种新的制造能力更高的抗热斑技术，从而提高电池片的抗热斑风险的能力成为了技术人员研究的技术问题。
发明内容
本申请提供一种太阳能电池片、电池组件和光伏系统，旨在解决如何提高太阳能电池片的制造能力并且提高电池片的抗热斑风险的能力的技术问题。
本申请是这样实现的，本申请实施例的太阳能电池片包括：
硅片；
层叠设置在所述硅片上的第一掺杂层；和
层叠设置在所述硅片上的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一掺层的极性相反，所述第二掺杂层在预设位置处与所述第一掺杂层复合接触形成漏电复合接触结构，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为17V或小于17V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N，其中，Impp为所述太阳能电池片的最大功率点电流，S为太阳能电池片的面积，N为在所述太阳能电池片中，单位面积的所述漏电复合接触结构的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2。
更进一步地，N小于或者等于3.45cm/cm2。
更进一步地，N小于或者等于2.59cm/cm2。
更进一步地，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为9V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
更进一步地，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为6V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
更进一步地，所述太阳能电池片为双面太阳能电池片，所述硅片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一掺杂层层叠设置在所述第一表面上，所述第二掺杂层层叠设置在所述第二表面上，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层在所述硅片的边缘的预设位置处形成复合接触，从而形成所述漏电复合接触结构。
更进一步地，所述太阳能电池片为背接触太阳能电池片，所述硅片具有相对的正面和背面，所述背面上层叠设置有若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层依次交替间隔排列，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间具有间隔区，在所述间隔区的预设位置处，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层复合接触以形成所述漏电复合接触结构。
本申请还提供一种电池组件，所述电池组件包括上述任一项所述的太阳能电池片。
更进一步地，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片，所述电池串两端并联有旁路二极管；
被遮挡的所述太阳能电池片两端的反向偏压<D*Voc*（M-1）+L：
其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；Voc为所述太阳能电池片的开路电压，M为与所述旁路二极管并联的电池串中所述太阳能电池片的片数，D为小于1的常数，L为所述旁路二极管的启动电压。
更进一步地，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片；
被遮挡的所述太阳能电池片两端反向偏压<D*Voc*（P-1）；
其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；Voc为所述太阳能电池片的开路电压，P为与被遮挡的所述太阳能电池片串联的所述太阳能电池片的数量，D为小于1的常数。
更进一步地，D的取值范围为0.1-0.5。
更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，所述太阳能电池片中的单个所述漏电复合接触结构的发热功率小于8.85W。
更进一步地，所述太阳能电池片中的所述漏电复合接触结构的数量S满足以下条件：
S>（Impp*VImpp）/8.85W；
其中，Impp为所述太阳能电池片的最大功率点电流，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压，S为正整数。
更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<8.85W/VImpp；
其中，I漏为位于4cm*4cm的正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<4.54W/VImpp；
其中，I漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
更进一步地，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<2.26W/VImpp；
其中，I漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
更进一步地，在所述太阳能电池片中，相邻两个所述漏电复合接触结构之间的间距大于或者等于4cm。
本申请还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。
在本申请实施例的太阳能电池片、电池组件和光伏系统中，通过在预设位置引入两者不同极性的掺杂层所形成的漏电复合接触结构，并且对该漏电复合接触结构的单位长度的漏电流进行合理的设计，可以提高太阳能电池片的漏电能力，使得漏电复合接触结构具备高反向漏电特性。这样，随着漏电能力的提升，在组件端，在太阳能电池片遮挡时，在太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，被遮挡的太阳能电池片的两端的电压会降低，太阳能电池片的发热功率会降低，从而达到控制热斑风险的目的。同时，采用本申请的技术方案，通过在预设位置如特意引入漏电复合接触结构，其对于硅片本身的缺陷所引起的热斑具有保护作用，可以降低甚至取消对缺陷的管控要求，在降低了缺陷所引起的热斑风险的同时提升了太阳能电池片的制造能力。并且，在本申请中，通过对单位面积的漏电复合接触结构的长度进行合理的设计，可以避免效率损失过大，从而保证太阳能电池片的转换效率。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1是本申请实施例提供的光伏系统的模块示意图；
图2是本申请实施例提供的电池组件的模块示意图；
图3是本申请实施例提供的背接触太阳能电池片的平面结构示意图；
图4是图3中的背接触太阳能电池片沿线IV-IV的剖面示意图；
图5是图3中的背接触太阳能电池片沿线IV-IV的另一剖面示意图；
图6是图3中的背接触太阳能电池片沿线IV-IV的又一剖面示意图；
图7是本申请实施例提供的双面太阳能电池片的平面结构示意图；
图8是图7中的双面太阳能电池片沿线VIII-VIII的剖面示意图；
图9是图7中的双面太阳能电池片沿线VIII-VIII的另一剖面示意图；
图10是太阳能电池片的热斑温度与承载的发热功率的关系图；
图11是相关技术中的电池组件的等效电路图。
主要元件符号说明：
光伏系统1000、电池组件200、太阳能电池片100、预设位置101、硅片10、第一表面11、第二表面12、正面13、背面14、第一掺杂层20、第二掺杂层30、漏电复合接触结构40、间隔区50、第一介电层60、第二介电层70、第三介电层80、第四介电层90、第五介电层110、第六介电层120。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。
请参阅图1-图2，本申请实施例中的光伏系统1000可包括本申请实施例中的电池组件200，本申请实施例中的电池组件200可包括多个本申请实施例中的太阳能电池片100。在本申请的实施例中，电池组件200中的多个太阳能电池片100可依次串接在一起形成多个电池串，各个电池串可串联、并联、或者串并联组合后实现电流的汇流输出，例如，可通过焊接焊带的方式来实现各个电池片之间的连接，可通过汇流条来实现各个电池串之间的连接。在一些实施例中，各个电池串可组成电池片阵列，然后通过前板、前胶膜、后胶膜和背板封装在一起形成电池组件200。
请参阅图3-图8，本申请实施例中的太阳能电池片100可包括硅片10、第一掺杂层20和第二掺杂层30。硅片10可以是P型硅片也可以是N型硅片，具体在此不作限制。第一掺杂层20层叠设置在硅片10上，第二掺杂层30也层叠设置在硅片10上，第二掺杂层30与第一掺杂层20的极性相反。具体地，在本申请的实施例中，第一掺杂层20可为N型掺杂层，第二掺杂层30可为P型掺杂层，或者第一掺杂层20为P型掺杂层，第二掺杂层30为P型掺杂层，具体在此不作限制，只需要两者极性相反即可。
如图3和图7所示，在本申请中，太阳能电池片100的第二掺杂层30在预设位置101处与第一掺杂层20复合接触形成漏电复合接触结构40，在太阳能电池片100两端所施加的反向电压为17V或小于17V的情况下，漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流大于Impp/S/N。
其中，Impp为太阳能电池片100的最大功率点电流，S为太阳能电池片100的面积（也即硅片10受光面和背光面的面积），N为在太阳能电池片100中，单位面积的漏电复合接触结构40的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2。
需要说明的是，太阳能电池片100的最大功率点电流为：在标准测试条件下，电池片处于最大功率时的电流，其中，标准测试条件为太阳能电池技术领域通用且公知的标准测试技术，在此不作赘述。
请参阅图3和图4，在一些实施例中，太阳能电池片100可为背接触太阳能电池片，在这样的情况下，硅片10可包括相背的正面13和背面14，背面14上可层叠设置有若干第一掺杂层20和若干第二掺杂层30，若干第一掺杂层20和若干第二掺杂层30依次交替间隔排列，第一掺杂层20和第二掺杂层30之间具有间隔区50，在间隔区50的预设位置101处，第一掺杂层20和第二掺杂层30复合接触以形成漏电复合接触结构40。具体地，如图3所示，在背接触太阳能电池片中，若干第一掺杂层20和若干第二掺杂层30可沿横向方向想依次交替间隔排列切均沿纵向方向延伸，相邻的第一掺杂层20和第二掺杂层30之间具有间隔区。
也即是说，如图4所示，在预设位置101处，可以是第一掺杂层20有一部分延伸至间隔区50从而与第二掺杂层30形成复合接触从而形成漏电复合接触结构40。可以理解的是，图4仅仅只是示出了一种实施方式，在其它实施例中，在预设位置101处，也可以是第二掺杂层30有一部分延伸至间隔区50从而与第一掺杂层20形成复合接触从而形成漏电复合接触结构40。再有，在一些实施例中，在预设位置101处，也可以是第一掺杂层20和第二掺杂层30均沿间隔区50延伸从而在间隔区50内两者复合接触从而形成漏电复合接触结构40，具体在此不作限制。
如图5所示，在一些实施例中，在背接触太阳能电池片中，背面14可具有若干间隔的沟槽。第一掺杂层20和第二掺杂层30可层叠设置在不具有沟槽的表面上，而沟槽则对应上述的间隔区50，在沟槽的两侧分别为第一掺杂层20和第二掺杂层30，第一掺杂层20和第二掺杂层30通过沟槽隔离。当然，可以理解的是，在一些实施例中，沟槽的宽度也可以设置得较宽，在这样的情况下，第一掺杂层20可设置在不具有沟槽的表面上，第二掺杂层30则可以设置在沟槽内，这样，第二掺杂层30与第一掺杂层20之间的沟槽部分即为本文中的间隔区50。
需要说明的是，在本申请中。“第一掺杂层20和第二掺杂层30复合接触从而形成漏电复合接触结构40”所指的在预设位置101处，第一掺杂层20和第二掺杂层30之间没有绝缘，两者在预设位置101处发生复合。其可以是两者直接接触从而形成复合接触，也可以是通过介电层来实现复合接触，从而形成漏电点位（也即漏电复合接触结构40），优选为通过介电层来实现复合接触。例如，如图6所示，在一些实施例中，第一掺杂层20和第二掺杂层30形成复合接触可以是在两者之间具有第一介电层60，第一介电层60可为隧穿氧化层等膜层，例如氧化硅膜层等具有钝化功能的膜层，第一介电层60至少部分区域具有隧穿功能从而实现第一掺杂层20和第二掺杂层30之间的复合接触，这样，第一介电层60可以在实现两者的复合接触的同时可以对两者接触的表面进行良好的钝化。
再有，请参阅图4-图6，在一些实施例中，在背接触太阳能电池片中还可包括层叠设置在第一掺杂层20和硅片10的背面14之间的第二介电层70以及层叠设置在在第二掺杂层30和硅片10的背面14之间的第三介电层80。第二介电层70和第三介电层80均可为隧穿层，例如氧化硅隧穿层等具有钝化和隧穿功能的膜层，其具体类型可根据实际情况进行选择，具体在此不作限制。也就是说，在整个太阳能电池片100中，只要具有第一掺杂层20的位置，就具备第二介电层70，只要有第二掺杂层30的位置，就具备第三介电层80。也即，若第一掺杂层20延伸至间隔区50，那么，延伸至间隔区50的第一掺杂层20的部分下方也具有第二介电层70（图未示出），若第二掺杂层30延伸至间隔区50，那么，延伸至间隔区50的第二掺杂层30的部分下方也具有第三介电层80（图未示出）。
如图3所示，不难理解的是，在背接触太阳能电池片中，漏电复合接触结构40的长度L所指的是漏电复合接触结构40在间隔区50的长度方向（即图3中的纵向方向，也即，第一掺杂层20和第二掺杂层30的延伸方向）上的长度，也即，漏电复合接触结构40在图3中的纵向方向上的长度，也即，第一掺杂层20与第二掺杂层30复合接触的表面在纵向方向上的长度。“漏电复合接触结构40的单位长度”所指的是单位面积下的漏电复合接触结构的长度，也即，所有漏电复合接触结构40的总长度与硅片10的背面13或者背面14的面积（也即太阳能电池片10的受光面积）之间的比值。“太阳能电池片100的面积”所指的是太阳能电池片100在厚度方向上的正投影面积，也即，太阳能电池片100的受光面和背光面的面积。
请参阅图7和图8，在一些实施例中，太阳能电池片100也可为双面太阳能电池片，例如PERC太阳能电池片、Topcon太阳能电池片等。
如图8所示，在这样的情况下，硅片10具有相对的第一表面11和第二表面12，第一掺杂层20层叠设置在第一表面11上，第二掺杂层30层叠设置在第二表面12上，第二掺杂层30与第一掺杂层20在硅片10的边缘的预设位置101处形成复合接触，从而形成漏电复合接触结构40。
具体地，如图8所示，在双面太阳能电池片中，第一掺杂层20和第二掺杂层30分别层叠设置在硅片10的相背的两个表面上，第一掺杂层20和第二掺杂层30则可在硅片10的边缘的预设位置101处形成复合接触从而形成漏电复合接触结构40。
如图8所示，在这样的实施例中，可以是第一掺杂层20层叠设置在第一表面11上的同时，在硅片10的边缘预设位置101处，第一掺杂层20沿硅片10的边缘向第二表面12延伸从而在第二表面12的边缘与第二掺杂层30形成复合接触，进而形成漏电复合接触结构40。
当然，可以理解的是，在一些实施例中，也可以是第二掺杂层30层叠设置在第二表面12上的同时，在硅片10的边缘预设位置101处，第二掺杂层30沿硅片10的边缘向第一表面11延伸从而在第一表面11的边缘与第一掺杂层20形成复合接触。此外，在另一些实施例中，也可以是第一掺杂层20和第二掺杂层30在硅片10边缘的预设位置101处相对延伸，从而在硅片10的侧面（也即连接第一表面11和第二表面12的平面）形成复合接触，具体在此不作限制，只需要两者能够在硅片10的边缘的部分区域形成复合接触即可。
同理，如图9所示，在双面太阳能电池片中，第一掺杂层20和第二掺杂层30形成复合接触可以是两者直接接触，也可以是在两者之间设有第四介电层90，第四介电层90材料和性质可与上述的第一介电层60相同，在此不作赘述。
需要指出的事，图8和图9中示出的双面太阳能电池片为双面Topcon太阳能电池片，在这样的电池中，在第一掺杂层20和第一表面11之间具有第五介电层110，在第二掺杂层30和第二表面12之间具有第六介电层120，第五介电层110和第六介电层120均可为隧穿层，例如氧化硅隧穿层等具有钝化和隧穿功能的膜层，其具体类型可根据实际情况进行选择，具体在此不作限制。
同理，如图7所示，不难理解的是，在双面太阳能电池片中，漏电复合接触结构40的长度L所指的是漏电复合接触结构40在硅片10的边缘的正投影的长度上的长度，也即，漏电复合接触结构40在图7中的纵向方向或者横向方向上的长度，在漏电复合接触结构40位于硅片10的左右两侧边缘时，其长度L为在纵向方向上的长度，在漏电复合接触结构40位于硅片上下两侧边缘时，其长度L为在横向方向上的长度，也即，第一掺杂层20与第二掺杂层30复合接触的表面在纵向方向或者横向方向上的长度。
“漏电复合接触结构40的单位长度”所指的是单位面积下的漏电复合接触结构的长度，也即，所有漏电复合接触结构40的总长度与硅片10的第一表面11或者第二表面12的面积（也即太阳能电池片10的受光面积）之间的比值。可以理解的是，这里所述的第一表面11和第二表面12实际上就相当于上述的正面13和背面14。
综上，在本申请实施例中的太阳能电池片100、电池组件200和光伏系统1000中，太阳能电池片100中的第一掺杂层20和第二掺杂层30在预设位置101处复合接触形成了漏电复合接触结构40，在太阳能电池片100两端所施加的反向电压为17V或小于17V的情况下，漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流大于Impp/S /N，Impp为太阳能电池片100的最大功率点电流，S为太阳能电池片100的面积，N为在太阳能电池片100中，单位面积的漏电复合接触结构40的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2。
如此，通过在预设位置101引入两者不同极性的掺杂层所形成的漏电复合接触结构40，并且对该漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流进行合理的设计，可以提高太阳能电池片100的漏电能力，使得漏电复合接触结构40具备高反向漏电特性。这样，随着漏电能力的提升，在组件端，在太阳能电池片100遮挡时，在太阳能电池片100的漏电流达到最大功率点电流（Impp）时，被遮挡的太阳能电池片100的两端的电压会降低（电压小于其它与该电池片串联且未被遮挡的电池片的电压之和），太阳能电池片100的发热功率会降低，从而达到控制热斑风险的目的。同时，采用本申请的技术方案，通过在预设位置101如特意引入漏电复合接触结构40，其对于硅片10本身的缺陷所引起的热斑具有保护作用（也即可以减少缺陷所引起的发热量），可以降低甚至取消对缺陷的管控要求，在降低了缺陷所引起的热斑风险的同时提升了太阳能电池片100的制造能力。并且，在本申请中，通过对单位面积的漏电复合接触结构40的长度进行合理的设计，可以避免效率损失过大，从而保证太阳能电池片100的转换效率。
也即是说，采用本申请的技术方案，通过对漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流以及单位面积下的漏电复合接触结构40的长度进行合理的设计，可以平衡转换效率和控制热斑风险之间的关系，其可以在保证太阳能电池片100的转换效率不会损失过大的情况下降低热斑风险，同时也可以将降低甚至取消太阳能电池片100的缺陷管控要求，提升太阳能电池片100的制造能力。
此外，在本申请中，通过在预设位置101引入漏电复合接触结构40，在电池串中，其作用于旁路二极管的作用相当，因此，在一些实施例中，在电池组件200中，其可省略旁路二极管从而降低成本。当然，在一些实施例中，在电池组件200中，也可设置旁路二极管，具体在此不作限制。
需要说明的是，在本申请的实施例中，“预设位置101”所指的是第一掺杂层20和第二掺杂层30接触形成复合接触所在的位置，例如，在背接触太阳能电池片中，预设位置101所指的是间隔区50的部分区域或者整个区域，优选为部分区域，单个间隔区50内可以具有一个或者多个预设位置101。在双面太阳能电池片中，预设位置101所指的则是硅片10的边缘的部分区域或者整个边缘，优选为部分区域，硅片10的每个边缘均可具有一个或者多个预设位置101，具体在此不作限制。
可以理解的是，在太阳能电池片100中，预设位置101的数量可为多个，其可均匀分布也可不均匀分布，具体在此不作限制。
下面，阐述本申请的具体背景以及本申请的技术方案的具体原理。
在太阳能电池技术领域，在以往的经验中，其通常采用低漏电方案+旁路二极管的方式来进行热斑控制，其使用旁路二极管将电池两端的电压限制在一定范围内，然后通过优化硅片中的缺陷从而来降低电池的漏电流，从而控制缺陷引起的漏电点的发热功率，然而，这样对电池片的漏电管控难度较大，难以实现。
具体地，在目前的晶硅组件的封装材料和技术下，在热斑的温度大于160℃时，封装材料开始出现分解、碳化，导致外观失效并出现火灾风险。
由图10可知，图10所表示的是热斑温度与其承载的发热功率的关系图，其横坐标为发热功率，纵坐标为热斑温度。黑色曲线表示的是漏电点位间距较大情况，蓝色曲线表示的是漏电点位间距较小的情况。在现有技术中，为了满足热斑要求，其热斑通常为缺陷点引起，往往为单点漏电引起热斑效率，漏电点的间距较大，其可参考黑色曲线。由图10可以看到，为了满足热斑要求以避免封装材料分解、碳化而影响火灾，要求单点的发热功率最低要求为：发热功率至少要小于8.85W。
进一步地，请参阅图11，图11所示出的是现有技术中采用低漏电方案的电池组件的等效电路图。在目前IBC、TOPCon、HJT 等高效电池最先进的产能下，开路电压通常在0.73-0.755V之间，取0.74V作为代表，短路电流电流密度在38-43mA/cm2，取42mA/cm2作为代表；而在组件端电池的Vmpp、Jmpp分别取 0.634V 、39.5mA/cm2作为代表，取电池尺寸为18.2cm*9.1cm，版型为72版型，则短路电流及Impp电流（最大功率点电流）取：6.95A、6.54A。
如图11所示，在单片电池（图11左下角中阴影部分）被遮挡时，因为遮挡电池为低反向漏电方案，该电池片两端的电压升高至最高值。具体体，在这样的情况下，在图11中，I1=Isc=6.95A，因电池均为低漏电方案，所以其通过的电流最高上升到Isc值，Isc是短路电流；
当P/N结之间存在缺陷引入点漏电时，那么：
I3=I4=I5=I6=6.54A，I7=6.54A*2-6.95A-3A=3.13A，I8=I9=0A；
假设旁路二极管的启动电压大约为1V，那么V4-V3大约为-1V；那么，被遮挡的电池片的两端的反向偏压为：
V6-V5=-1V-（0.74V*（24-1）=-18V；
其中，V3-V2=V2-V1=15.2V；
若反向偏压为18V时该漏电点漏电流为3A，当缺陷引入点漏电时，其发热功率P=18V*3A=54W，远大于8.85W。由此可以看到，传统的低漏电方案，存在极大的热斑失效、火灾隐患。
由此可知，在传统的低漏电方案中，热斑发热功率P=承载的反向偏压*承载的反向偏压下的漏电流；其中承载的反向偏压=电池开路电压*（单个旁路二极所管控的电池数目-1）+旁路二极管的启动电压。
在传统技术方案中，对于72版型组件，单个旁路二极管所管控的电池数目为24pcs；由此可知，对于不同版型以及不同类型的组件，以旁路二极管的启动电压为1V为例，经过实验计算可知，当硅片中存在缺陷引入了漏电点时，为了满足热斑温度＜160℃，其需要保障在电池在承载的反向片压下的漏电流＜8.85W/（电池开路电压*（单个旁路二极管所管控的电池数目-1）+1V），从而得到下表1，下表1所示出的是PERC、Topcon、HJT以及BC组件的电性能参数以及其所需要管控的漏电流的大小，表中的承载电压即为电池片被遮挡时，其两端的反向偏压。
表1
由上表1可以看到，以Topcon太阳能电池片为例，在72版型组件中，其在-17.8V的反向偏压下，需要将漏电流降低至0.52A，才能起到达到遏制热斑失效的风险，即使是54版型组件，也需要在-13.4V的反向偏压下，将漏电流降低至0.66A。这对于目前光伏行业制造能力来说是一个难以克服的问题，在电池片的生产过程中引入的任何一个缺陷都会导致漏电流超过管控值。
目前，为保证良率以让制造出来的产品具有成本上的竞争力，通常会采用-12V偏压来管控漏电流，其中漏电流管控<1A或者<0.5A。然而，即使在生产过程中对漏电流进行了一定的管控，但是实际上其还是具有较高的热斑风险，因为反向漏电流大小与反向偏压并不是线性关系，在反向偏压为18V情况下的漏电流大小是12V的4倍以上，也即是说，如果在组件端，被遮挡的电池片的两端的反向偏压为18V，其漏电流会达到2A，此时发热功率~36W，超过160℃管控要求的4倍以上。然而，若直接采用组件端的偏压来对电池片的漏电流进行管控，其对电池片的质量要求非常高，导致良率答复较低，导致制造能力较差。
由此可知，在现有技术中，采用低漏电方案并对漏电流进行管控的方案是难以实现的，其良率较低，对于对于目前光伏行业制造能力来说是一个难以克服的问题。
基于此，本申请的发明人经过研究发现，在太阳能电池片100中，若太阳能电池片100具有高反向漏电特性（漏电能力提升），则在太阳能电池片100被遮挡时，只需要比较小的反向电压就可以达到比较大的反向漏电流。具体地，对于太阳能电池片100而言，在电池被遮挡时，随着电池的反向漏电能力变强，反向漏电流增加，电池两端的电压保持不变，发热功率增加。在反向漏电流增加到电流最高值（Impp）的情况下，发热功率也增加到功率极值。
然而，随着电池的反向漏电能力的增强，反向漏电流在电流最高值保持不变，但电池两端的电压相较于漏电能力较低的电池降低，使得发热功率相较于反向漏电能力更差的电池降低。也即，随着电池的反向漏电能力变强，反向漏电流增加，发热功率存在最高值，在漏电能力进一步提升时，发热功率将降低，从而可以遏制热斑效应。也即是说，通过提高太阳能电池片的漏电能力使其具有高反向漏电特性，在电池片被遮挡时，只需要较小的反向电压即可使得电池片的反向漏电流达到最高值（即太阳能电池片100的Impp点）。换一个角度来说，随着漏电能力的提升，在反向漏电流达到最高值时，被遮挡的电池两端电压会变得较小，从而使得发热功率反而会降低。
并且，随着电池漏电能力的提高，发热功率存在极值，在反向漏电流增加到电流最高值的情况下，随着漏电能力的提升，发热功率将降低。当漏电流达到太阳能电池片100的最大功率点电流时，被遮挡的电池两端的电压与串联的电池的数目无关，而是受限于电池本身的反向电流电压特性。也即，在电池片被遮挡时，其两端的电压并不是由与其串联的电池片的数目来决定的，而是由电池片本身的反向电流电压特性来决定的，在漏电能力提升时，其两端的反向电压会变得较小。这样，
基于此，本申请的发明人发现，可以通过在太阳能电池片100上引入特定的漏电复合接触结构40从而使得太阳能电池片100具备高反向漏电特性，并且能够实现控制热斑风险以及保护缺陷的目的。具体地，通过引入漏电复合接触机构40，可以降低太阳能电池片100的反向偏压，从而降低缺陷所引起的发热点的发热功率，进而降低在生产过程中对漏电流的管控要求。同时，考虑到引入漏电复合接触结构40会影响电池片的效率，而所期望的效率损失要不大于0.5%。
在此基础上，本申请的发明人经过详细的研究和验证后发现，在太阳能电池片100中，单位面积下的漏电复合接触结构40的长度对效率的影响为0.1158%，在18.2*18.2在太阳能电池片100中，漏电复合接触结构40的长度每增加1cm，对效率的影响为3.5*10-4%。
因此，为了控制效率损失不大于0.5%这一要求，本申请发明人研究发现，需要将漏电复合接触结构40的单位面积的长度N设置成小于或者等于4.32cm/cm2。基于此，本申请的发明人经过研究验证发现，为了在效率影响不大于0.5%的情况下使得太阳能电池片100具有高反向漏电特性从而对热斑进行有效的管控并且降低对漏电流的管控以提升制造能力，则至少需要保证太阳能电池片100中在被施加17V以及小于17V的反向电压的情况下能够满足漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流大于Impp/S /N这一条件，其中，Impp为所述太阳能电池片100的最大功率点电流，S为太阳能电池片100的面积，N为在所述太阳能电池片100中，单位面积的所述漏电复合接触结构40的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2，进而得到本申请的技术方案，也即是说，这是为了在避免效率损失过大以及控制热斑风险和提高制造能力的条件。
进一步地，在一些实施例中，为了使得太阳能电池片100的效率损失不大于0.4%，上述数值N可小于或者等于3.45cm/cm2。如此，可以在进一步降低效率损失，同时又可以使得太阳能电池片100具有高反向漏电特性。
较佳地，在一些实施例中，为了使得太阳能电池片100的效率损失不大于0.3%，上述数值N可优选小于或者等于2.59cm/cm2。如此，可以在更加进一步降低效率损失，同时又可以使得太阳能电池片100具有高反向漏电特性。
在一些实施例中，在太阳能电池片100两端所施加的反向电压为9V的情况下，漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流也满足大于Impp/S /N这一条件。在太阳能电池片100两端所施加的反向电压为6V的情况下，漏电复合接触结构40的单位长度的漏电流也满足大于Impp/S /N这一条件。
在一些实施例中，在电池组件200中，电池组件200包括若干电池串，电池串包括若干串联的太阳能电池片100，电池串两端并联有旁路二极管；
被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压<D*Voc*（M-1）+L：
其中，反向偏压为在太阳能电池片100被遮挡，且被遮挡的太阳能电池片100的漏电流达到最大功率点电流时，被遮挡的太阳能电池片100两端的电压；Voc为太阳能电池片100的开路电压，M为与旁路二极管并联的电池串中太阳能电池片100的片数，D为小于1的常数，L为旁路二极管的启动电压。
如此，在电池组件200中设有旁路二极管且在太阳能电池片100被遮挡时，太阳能电池片100工作在最大功率点电流时的反向偏压满足上述条件，其比传统方案中的反向偏压小，发热功率较小，从而达到控制热斑风险的目的。
具体地，在这样的实施例中，VImpp的大小是由太阳能电池片100的具有高反向漏电特性的漏电能力决定的，反向漏电能力越强，VImpp越小，也即，反向漏电能力越强，在被遮挡的电池片的漏电流达到最大功率点电流时，电池片两端的反向偏压就越小。也就是说，采用这样的技术方案，相较于传统的常规方案来说，在电池片被遮挡时，其两端的反向电压要小于传统技术方案中的电池片两端的反向电压，进而降低发热功率，降低缺陷所引起的热斑风险，同时也能够降低生产过程中对于漏电流的管控要求。
当然，在一些实施例中，在电池组件200中，被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压<D*Voc*（P-1）；
其中，反向偏压为在太阳能电池片100被遮挡，且被遮挡的太阳能电池片100的漏电流达到最大功率点电流时，被遮挡的太阳能电池片100两端的电压；Voc为太阳能电池片100的开路电压，P为与被遮挡的太阳能电池片100串联的太阳能电池片100的数量，D为小于1的常数。
也就是说，在这样的实施例，无论电池串是否并联有旁路二极管，被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压均满足这样的条件。这样，被遮挡的太阳能电池片100的发热功率较小，从而达到控制热斑风险的目的。
进一步地，在上述实施例中，常数D的取值范围优选为0.1-0.5。如此，被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压相较于传统技术方案中的电压大幅度降低，可大幅度地减少发热功率。也就是说，通过提高太阳能电池片100的漏电能力，可以使得被遮挡的太阳能电池片100能够在较小的反向偏压下就可以达到最大功率点电流。
在一些实施例中，在电池组件200中，在太阳能电池片100被遮挡时，单个漏电复合接触结构40的发热功率小于8.85W。
如此，在太阳能电池片100被遮挡时，每个漏电复合接触结构40的发热功率均小于8.85W，可以避免发热功率过大而导致组件的封装材料出现分解和碳化而造成火灾风险。
在这样的实施例中，单个漏电复合接触结构40的发热功率可优选小于6.23W。
具体地，如图10所示，同时实验验证得出，在太阳能电池片100中，在漏电点的间距较大时，其需要控制发热功率小于8.85W，在漏电点间距较小时，其需要控制发热功率小于6.23W。因此，通过将个漏电复合接触结构40的发热功率至少要小于8.85W，优选小于6.23W可以避免组件的封装材料被分解、碳化，降低火灾风险。
在一些实施例中，在电池组件200中，漏电复合接触结构40的数量S满足以下条件：
S>（Impp*VImpp）/8.85W；
其中，Impp为太阳能电池片100的最大功率点电流，VImpp为在太阳能电池片100被遮挡，且被遮挡的太阳能电池片100的漏电流达到最大功率点电流时，被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压，S为正整数。
如此，为了满足每个漏电复合接触结构40的发热量都至少不会超过8.85W，可以将太阳能电池片100上的漏电复合接触结构40的数量设置得较多，这样，在最大功率点电流以及电池片两端的反向偏压一定时，通过设置数量足够多的漏电复合接触结构40，可以对发热量进行分摊，避免单点的发热量过高而造成封装材料分解和碳化。
具体地，下表2示出了漏电复合接触结构40的数量与总发热功率之间的最低要求关系；
表2
由上表2，可以看到，为实现接触的抗热斑效果，点状分布的漏电复合接触结构40，其在电池片上数目最小值应该满足大于（Impp*（V@Impp）/8.85W。
在一些实施例中，S可优选大于（Impp*VImpp）/6.23W。这样，即使相邻的漏电复合结构之间的间距较小，也可以避免造成封装材料分解和碳化。
当然，在一个可能的实施例中，也可以将太阳能电池片100设计为，在太阳能电池片100被遮挡时，所有的漏电复合接触结构40的发热量的总和小于8.85W。这样，不论漏电复合接触结构40的数量多少，所有的漏电复合接触结构40的发了热量之和都不会大于8.85W，可以最大程度的实现抗热斑火灾风险。
请参阅图3和图7，在一些实施例中，在太阳能电池片100中，相邻两个漏电复合接触结构40之间的间距大于或者等于4cm。
如此，可以避免漏电复合接触结构40分布得过于密集而导致散热效果不佳从而导致被遮挡时产生的热量过于集中而导致温度升高。
具体地，不难理解，在太阳能电池片100中，最终热平衡时的温度的影响因素为：1）发热功率；2）材料热容；3）热导率；4）散热效果。
目前，晶体硅电池的材料搭配相对固定，在一定的材料热容、热导率、散热情况下通过实验的方法得出了单点发热功率<8.85W的需求，但如果发热点为多点，其分布对散热效果存在显著影响，从图10可以知道，在发热点距离较远时，要求单点发热功率<8.85W，单发热点相对靠近时，其功率要求降低至<6.23W，是因为过于靠近的发热点降低了其周围的温度梯度，导致散热效果较差。
基于此，通过本申请发明人研究后发现，在发热点的最近间距为4cm时，可以看到其周围的温度梯度已开始出现明显影响，降低了散热效果，因此为保证热斑温度得到有效控制，发热点之间的距离需要得到控制，使得多点散热点需要在硅片10上尽量间隔均匀分布。基于此，本申请的发明人研究发现，通过控制相邻两个漏电复合接触结构40之间的间距不小于4cm可以实现更好的散热效果，避免热量过于集中而导致过热。
可以理解的是，“相邻两个漏电复合接触结构40之间的间距大于或者等于4cm”所指的是，在一个漏电复合接触结构40的周围4cm范围内，无论哪一个方向上都不存在其它的漏电复合接触结构40。
在一些实施例中，在太阳能电池片100被遮挡时，在太阳能电池片100中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，太阳能电池片100的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<8.85W/VImpp；
其中，I漏为位于4cm*4cm的正方形范围内的所有漏电复合接触结构40的漏电流之和，VImpp为在太阳能电池片100被遮挡，且被遮挡的太阳能电池片100的漏电流达到最大功率点电流时，被遮挡的太阳能电池片100两端的反向偏压。
如此，通过对4×4正方形范围的所有漏电复合接触结构40的漏电流的总和进行上述限定，一方面可以避免热量在某个区域内过于集中而导致温度升高，另一方面，可以限制4×4正方形范围的总发热量至少小于8.85W，从而避免发热所产生的温度大于160℃而导致封装材料出现分解和碳化。
进一步地，在一些实施例中，为了进一步降低发热所产生的温度小于130℃，以进一步降低火灾风险，在太阳能电池片100被遮挡时，在太阳能电池片100中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，太阳能电池片100的漏电流I漏可满足以下条件：I漏<4.54W/VImpp。
再进一步地，在一些实施例中，为了更进一步降低发热所产生的温度小于110℃，以更进一步降低火灾风险，在太阳能电池片100被遮挡时，在太阳能电池片100中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，太阳能电池片100的漏电流I漏满足以下条件：I漏<2.26W/VImpp。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
此外，以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (18)
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：
硅片；
层叠设置在所述硅片上的第一掺杂层；和
层叠设置在所述硅片上的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一掺层的极性相反，所述第二掺杂层在预设位置处与所述第一掺杂层复合接触形成漏电复合接触结构，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为17V或小于17V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N，其中，Impp为所述太阳能电池片的最大功率点电流，S为太阳能电池片的面积，N为在所述太阳能电池片中，单位面积的所述漏电复合接触结构的长度，N小于或者等于4.32cm/cm2。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，N小于或者等于3.45cm/cm2。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，N小于或者等于2.59cm/cm2。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为9V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述太阳能电池片两端所施加的反向电压为6V的情况下，所述漏电复合接触结构的单位长度的漏电流大于Impp/S /N。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片为双面太阳能电池片，所述硅片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一掺杂层层叠设置在所述第一表面上，所述第二掺杂层层叠设置在所述第二表面上，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层在所述硅片的边缘的预设位置处形成复合接触，从而形成所述漏电复合接触结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片为背接触太阳能电池片，所述硅片具有相对的正面和背面，所述背面上层叠设置有若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层依次交替间隔排列，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间具有间隔区，在所述间隔区的预设位置处，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层复合接触以形成所述漏电复合接触结构。
8.一种电池组件，其特征在于，包括若干权利要求1-7任一项所述的太阳能电池片。
9.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片，所述电池串两端并联有旁路二极管；
被遮挡的所述太阳能电池片两端的反向偏压<D*Voc*（M-1）+L：
其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；Voc为所述太阳能电池片的开路电压，M为与所述旁路二极管并联的电池串中所述太阳能电池片的片数，D为小于1的常数，L为所述旁路二极管的启动电压。
10.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述电池组件包括若干电池串，所述电池串包括若干串联的所述太阳能电池片；
被遮挡的所述太阳能电池片两端反向偏压<D*Voc*（P-1）；
其中，所述反向偏压为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的电压；Voc为所述太阳能电池片的开路电压，P为与被遮挡的所述太阳能电池片串联的所述太阳能电池片的数量，D为小于1的常数。
11.根据权利要求9或10中所述的电池组件，其特征在于，D的取值范围为0.1-0.5。
12.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，所述太阳能电池片中的单个所述漏电复合接触结构的发热功率小于8.85W。
13.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，所述太阳能电池片中的所述漏电复合接触结构的数量S满足以下条件：
S>（Impp*VImpp）/8.85W；
其中，Impp为所述太阳能电池片的最大功率点电流，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压，S为正整数。
14.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<8.85W/VImpp；
其中，I漏为位于4cm*4cm的正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
15.根据权利要求14所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<4.54W/VImpp；
其中，I漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
16.根据权利要求15所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片被遮挡时，在所述太阳能电池片中，在任何一个4cm*4cm的正方形范围内，所述太阳能电池片的漏电流I漏满足以下条件：
I漏<2.26W/VImpp；
其中，I漏为位于所述正方形范围内的所有所述漏电复合接触结构的漏电流之和，VImpp为在所述太阳能电池片被遮挡，且被遮挡的所述太阳能电池片的漏电流达到最大功率点电流时，所述被遮挡的太阳能电池片两端的反向偏压。
17.根据权利要求8所述的电池组件，其特征在于，在所述太阳能电池片中，相邻两个所述漏电复合接触结构之间的间距大于或者等于4cm。
18.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求8-17中任一项所述的电池组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410389939.5A CN117976743A (zh) | 2024-04-02 | 2024-04-02 | 太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410389939.5A CN117976743A (zh) | 2024-04-02 | 2024-04-02 | 太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117976743A true CN117976743A (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=90866109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410389939.5A Pending CN117976743A (zh) | 2024-04-02 | 2024-04-02 | 太阳能电池片、电池组件和光伏系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117976743A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
| JPH11112010A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US20020007846A1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-01-24 | Kenzo Kawano | Solar cell and method for fabricating the same |
| CN105244392A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-01-13 | 常州天合光能有限公司 | 一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法 |
| CN219738973U (zh) * | 2023-03-16 | 2023-09-22 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统 |
| CN117334760A (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-02 | 天合光能股份有限公司 | 一种全背接触电池结构及其制备方法 |
-
2024
- 2024-04-02 CN CN202410389939.5A patent/CN117976743A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5609694A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and a method of manufacturing thereof |
| JPH11112010A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
| US20020007846A1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-01-24 | Kenzo Kawano | Solar cell and method for fabricating the same |
| CN105244392A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-01-13 | 常州天合光能有限公司 | 一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法 |
| CN219738973U (zh) * | 2023-03-16 | 2023-09-22 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统 |
| CN117334760A (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-02 | 天合光能股份有限公司 | 一种全背接触电池结构及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 邓士锋等: "高功率组件热斑风险研究", 《电源技术 研究与设计》, vol. 45, no. 1, 31 January 2021 (2021-01-31) * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI631720B (zh) | 太陽能電池組件 | |
| CN106252444A (zh) | 一种太阳能电池组件及制作方法 | |
| US20130206203A1 (en) | Photovoltaic module with integrated solar cell diodes | |
| CN210926043U (zh) | 光伏组件 | |
| CN208422933U (zh) | 光伏组件 | |
| US20100089434A1 (en) | Efficient Air-Cooled Solar Photovoltaic Modules and Collectors for High Power Applications | |
| JP2006216608A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| US20120234367A1 (en) | Photovoltaic module | |
| US10446733B2 (en) | Hybrid solar cell | |
| CN116314400B (zh) | Ibc太阳能电池片、ibc太阳能电池组件和光伏系统 | |
| CN219738973U (zh) | 背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统 | |
| CN117976743A (zh) | 太阳能电池片、电池组件和光伏系统 | |
| KR20120040016A (ko) | 태양 전지용 기판 및 태양 전지 | |
| CN212342649U (zh) | 光伏组件 | |
| WO2022237313A1 (zh) | 一种太阳能光伏组件 | |
| CN115084300A (zh) | 单体薄膜光伏电池、光伏电池板及其制造方法 | |
| CN112186057B (zh) | 一种并联-串联结构光伏组件 | |
| CN211828786U (zh) | 光伏组件 | |
| CN211789055U (zh) | 一种高功率无热斑效应组件 | |
| CN211480062U (zh) | 光伏组件 | |
| US20180269344A1 (en) | Solar cell module | |
| CN216624304U (zh) | 光伏组件 | |
| KR102472172B1 (ko) | 역 스트레인 층을 갖는 다중접합 태양전지 | |
| CN216213494U (zh) | 光伏组件 | |
| CN214898471U (zh) | 光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |