CH656485A5 - Halbleiterelement. - Google Patents

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CH656485A5
CH656485A5 CH3374/81A CH337481A CH656485A5 CH 656485 A5 CH656485 A5 CH 656485A5 CH 3374/81 A CH3374/81 A CH 3374/81A CH 337481 A CH337481 A CH 337481A CH 656485 A5 CH656485 A5 CH 656485A5
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CH
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layer
cathode
emitter
gate
semiconductor element
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CH3374/81A
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Victor Albert Keith Temple
Original Assignee
Gen Electric
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/121—BJTs having built-in components
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D84/101—Integrated devices comprising main components and built-in components, e.g. IGBT having built-in freewheel diode
    • H10D84/131—Thyristors having built-in components
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SE457837B (sv) 1989-01-30
JPS5710972A (en) 1982-01-20
CA1163020A (en) 1984-02-28
SE8103222L (sv) 1981-11-24
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