CH653138A5 - Verfahren zur herstellung von mattstreuenden strukturen neben opaken und/oder transparenten strukturen. - Google Patents
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Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben opaken und/oder transparenten Strukturen, bei dem auf einem transparenten Schichtträger eine zu strukturierende Schicht und darauf eine Photoresistschicht aufgebracht, die Photoresistschicht unter Verwendung einer Belichtungsmaske strukturmässig belichtet, die zu strukturierende Schicht an den nach dem Entwickeln der Photoresistschicht freiliegenden Stellen weggeätzt und die an diesen Stellen freiliegende Oberfläche des transparenten Schichtträgers angeätzt werden, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte zur Erzeugung der Belichtungsmaske:
a) Auf die die zu erzeugenden Strukturen tragende Belichtungsmaske ( _1 ) wird eine Photoresistschicht (6) aufgetragen und mit einer Mattscheibe (7) belichtet;
b) nach dem Entwickeln der Photoresistschicht (6) wird eine opake Schicht (8) aufgebracht und die restliche Photoresistschicht (6) mit der daran haftenden opaken Schicht (8) entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mattscheibe (7) auf mechanischem oder chemischem Weg hergestellt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die opake Schicht (8) aus Metall oder Metalloxyd besteht.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben opaken und/oder transparenten Strukturen gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Derartige mattstreuende Strukturen finden beispielsweise bei Sucherscheiben für Kameras und Strichplatten für Theodolite Verwendung.
Bislang konnten mattstreuende Strukturen dadurch hergestellt werden, dass die zu strukturierende Schicht auf eine mechanisch hergestellte Mattscheibe aufgebracht wurde. Dieses Verfahren hat aber den Nachteil, dass die zu strukturierende Schicht dabei zu Fehlstellen infolge Löcherbildung neigt. Zudem können bei diesem Verfahren nur mattstreuende und opake Strukturen erzielt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen auf einem transparenten Schichtträger neben opakten und/oder transparenten Strukturen äuf rein photolithographischem Weg anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, dass das vorgeschlagene Verfahren die Herstellung von mattstreuenden Strukturen neben transparenten und opaken Strukturen unter Verwendung nur einer Belich-s tungsmaske erlaubt.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. Es zeigen.
Fig. la-e die Herstellung einer Belichtungsmaske nach io der Erfindung und
Fig. 2a-d die Herstellung von mattstreuenden Strukturen.
Zur Herstellung einer Belichtungsmaske _1 nach der Erfindung werden auf einem transparenten polierten Schichtträger 2 eine Chromschicht 3 und darauf eine Photolackschicht 4 h aufgebracht (Fig. la). Diese Photolackschicht 4 wird mittels einer die herzustellende Struktur aufweisenden Hilfsmaske 5 belichtet; nach Entfernen der belichteten Strukturteile der Photolackschicht 4 werden die freiliegenden Teile der Chromschicht 3 weggeätzt und die verbliebene Photolackschicht 4 20 entfernt. Die Belichtungsmaske 1_ weist nun die herzustellende Struktur auf (Fig. lb).
Auf die die zu erzeugende Struktur aufweisende Belichtungsmaske 1_ wird eine weitere Photoackschicht 6 aufge-25 bracht und unter Verwendung einer mechanisch hergestellten Mattscheibe 7 belichtet (Fig. lc). Nach Entfernen der belichteten Teile der Photolackschicht 6 wird eine weitere Chromschicht 8 aufgebracht (Fig. ld) und anschliessend die restliche Photolackschicht 6 mitsamt der anhaftenden Chromschicht 8 30 entfernt. Die Belichtungsmaske 1. weist nun über die gesamte Oberfläche statistisch verteilte unterschiedlich grosse Chrompartikel 9 als Restbestandteile der Chromschicht 8 auf.
35 Zur Herstellung von mattstreuenden Strukturen werden auf einem transparenten Schichtträger 10 eine Chromschicht 11 und darauf eine Photolackschicht 12 aufgebracht (Fig. 2a). Diese Photolackschicht 12 wird unter Verwendung der oben beschriebenen Belichtungsmaske 1_ belichtet; nach Entfernen 40 der belichteten Teile der Photolackschicht 12 werden die freiliegenden Teile der Chromschicht 11 weggeätzt (Fig. 2b) und die restliche Photolackschicht 12 entfernt. Anschliessend wird die freiliegende Oberfläche des transparenten Schichtträgers 10 tiefgeätzt (Fig. 2c), bis die Chrompartikel 13 durch Unter-« ätzung entfernt sind. Die opaken Strukturen 11 können anschliessend ganz oder teilweise entfernt werden, so dass sich neben mattstreuenden Strukturen opake und transparente Strukturen ergeben.
C
1 Blatt Zeichnungen
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| US4902607A (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-20 | American Etching & Manufacturing | Metal-etching process |
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| US6010747A (en) * | 1996-12-02 | 2000-01-04 | Alliedsignal Inc. | Process for making optical structures for diffusing light |
| DE10161200A1 (de) * | 2001-12-13 | 2003-06-26 | Clariant Gmbh | Kompositmaske zur Herstellung eines Diffusors |
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| KR101476893B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이용 스크래치 방지 필름 |
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|---|---|---|---|---|
| US3240602A (en) * | 1961-07-18 | 1966-03-15 | Honeywell Inc | Control apparatus and photomechanical processes for producing such |
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| US3673018A (en) * | 1969-05-08 | 1972-06-27 | Rca Corp | Method of fabrication of photomasks |
| DE2261780C2 (de) * | 1972-12-16 | 1979-09-20 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Verfahren zur Herstellung von unmittelbar nebeneinander liegenden Strukturen |
| US4068018A (en) * | 1974-09-19 | 1978-01-10 | Nippon Electric Co., Ltd. | Process for preparing a mask for use in manufacturing a semiconductor device |
| DE2658400A1 (de) * | 1976-12-23 | 1978-06-29 | Ibm Deutschland | Verfahren zur herstellung einer negativen maske auf einem substrat |
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