CH646402A5 - Procede de production de grenat de gadolinium et de gallium. - Google Patents

Procede de production de grenat de gadolinium et de gallium. Download PDF

Info

Publication number
CH646402A5
CH646402A5 CH282380A CH282380A CH646402A5 CH 646402 A5 CH646402 A5 CH 646402A5 CH 282380 A CH282380 A CH 282380A CH 282380 A CH282380 A CH 282380A CH 646402 A5 CH646402 A5 CH 646402A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
iridium
crucible
bath
piriform
garnet
Prior art date
Application number
CH282380A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
John Benson Jun Hassell
Original Assignee
Union Carbide Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Union Carbide Corp filed Critical Union Carbide Corp
Publication of CH646402A5 publication Critical patent/CH646402A5/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
CH282380A 1979-04-12 1980-04-11 Procede de production de grenat de gadolinium et de gallium. CH646402A5 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2921679A 1979-04-12 1979-04-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH646402A5 true CH646402A5 (fr) 1984-11-30

Family

ID=21847874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH282380A CH646402A5 (fr) 1979-04-12 1980-04-11 Procede de production de grenat de gadolinium et de gallium.

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5918360B2 (nl)
CA (1) CA1171341A (nl)
CH (1) CH646402A5 (nl)
DE (1) DE3013045C2 (nl)
FR (1) FR2453916A1 (nl)
GB (1) GB2047113B (nl)
NL (1) NL8002144A (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS605094A (ja) * 1983-06-13 1985-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ガリウムガ−ネツト単結晶の製造方法
FR2548689B1 (fr) * 1983-07-07 1985-11-08 Crismatec Procede de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth a fort rendement de scintillation
US6451711B1 (en) * 2000-05-04 2002-09-17 Osemi, Incorporated Epitaxial wafer apparatus
US6936900B1 (en) 2000-05-04 2005-08-30 Osemi, Inc. Integrated transistor devices
US7187045B2 (en) 2002-07-16 2007-03-06 Osemi, Inc. Junction field effect metal oxide compound semiconductor integrated transistor devices
JP6134379B2 (ja) * 2012-04-24 2017-05-24 フォルシュングスフェアブント・ベルリン・アインゲトラーゲナー・フェライン インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）単結晶を成長させる方法及び装置並びにインジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）
CN104313693B (zh) * 2014-09-19 2017-01-18 北京雷生强式科技有限责任公司 掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法
CN112703277A (zh) * 2019-08-21 2021-04-23 眉山博雅新材料有限公司 多组分石榴石结构闪烁晶体生长方法及设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723599A (en) * 1971-08-18 1973-03-27 Bell Telephone Labor Inc Technique for growth of single crystal gallium garnet
CA1080589A (en) * 1976-06-24 1980-07-01 Union Carbide Corporation Method for producing single crystal gadolinium gallium

Also Published As

Publication number Publication date
DE3013045A1 (de) 1980-10-16
NL8002144A (nl) 1980-10-14
FR2453916A1 (fr) 1980-11-07
JPS5918360B2 (ja) 1984-04-26
GB2047113B (en) 1983-08-03
GB2047113A (en) 1980-11-26
DE3013045C2 (de) 1983-11-03
CA1171341A (en) 1984-07-24
JPS55136200A (en) 1980-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2511708A1 (fr) Procede et appareil pour regler l'atmosphere entourant une zone de croissance cristalline
EP0007063B1 (fr) Procédé et dispositif d'élaboration de silicium polycristallin
FR2602503A1 (fr) Procede et appareillage pour la purification du silicium
EP2048261A1 (fr) Générateur de vapeur industriel pour le dépôt d'un revêtement d'alliage sur une bande métallique
WO2009087724A1 (ja) 単結晶製造装置
EP0130865B1 (fr) Dispositif d'élaboration d'un monocristal
FR2477581A1 (fr) Procede de fabrication d'un cristal de silicium a partir d'une masse de silicium en fusion
CH646402A5 (fr) Procede de production de grenat de gadolinium et de gallium.
FR2670507A1 (fr) Procede d'infiltration chimique en phase vapeur.
EP0005442B1 (fr) Procédé et dispositif de formation de nitrure d'aluminium convenant à des applications électroniques
FR2501354A1 (fr) Four electrique pour la fusion d'une charge non homogene et le melange de la matiere fondue, et procede pour optimiser la fusion d'un oxyde et melanger l'oxyde
CA2154431C (fr) Torche a plasma par induction
CA2569755C (fr) Installation d'affinage de silicium
EP0614852A1 (fr) Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et réacteur pour sa mise en oeuvre
FR2553232A1 (fr) Procede et dispositif pour elaborer un lingot d'un materiau semi-conducteur polycristallin
EP0522986A1 (fr) Dispositif et procédé de dépot de diamant par DCPV assisté par plasma microonde
FR2482078A1 (fr) Procede et dispositif pour la production de corps en verre de quartz, plats, transparents et pauvres en bulles
FR2528454A1 (fr) Creuset modifie pour la methode de cristallisation par goutte pendante
EP1399606B1 (fr) Dispositif de fabrication de cristaux d'alliage
EP0775766A1 (fr) Four de cristallisation pour matériau à faible conductivité thermique et/ou faible dureté
US20030070612A1 (en) Vented susceptor
FR2499964A1 (fr) Procede permettant de reduire les striures dans la silice fondue
EP0036360A1 (fr) Procédé de croissance d'un mono-cristal dans une enceinte tubulaire fermée
EP0457674B1 (fr) Dispositif et procédé pour la préparation d'alliages en poudre, par solidification rapide
WO2016034501A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat de silicium

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased