US4189611A
(en)
*
|
1975-01-30 |
1980-02-19 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Ortho-nitrophenylethylene glycols
|
US4004043A
(en)
*
|
1975-09-26 |
1977-01-18 |
International Business Machines Corporation |
Nitrated polymers as positive resists
|
US4108839A
(en)
*
|
1977-01-21 |
1978-08-22 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Photosensitive polyaldehydes and use in photoimaging
|
JPS54141128A
(en)
*
|
1978-04-25 |
1979-11-02 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
Processing method of picture image forming material
|
DE2922746A1
(de)
*
|
1979-06-05 |
1980-12-11 |
Basf Ag |
Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial
|
US4478967A
(en)
*
|
1980-08-11 |
1984-10-23 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
|
US4599273A
(en)
*
|
1980-08-11 |
1986-07-08 |
Minnesota Mining And Manufacturing Co. |
Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
|
US4467022A
(en)
*
|
1980-08-11 |
1984-08-21 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Imaging process and article employing photolabile, blocked surfactant
|
US4369244A
(en)
*
|
1980-08-11 |
1983-01-18 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Imaging process and article employing photolabile, blocked surfactant
|
US4551416A
(en)
*
|
1981-05-22 |
1985-11-05 |
At&T Bell Laboratories |
Process for preparing semiconductors using photosensitive bodies
|
US4400461A
(en)
*
|
1981-05-22 |
1983-08-23 |
Bell Telephone Laboratories, Incorporated |
Process of making semiconductor devices using photosensitive bodies
|
JPS5868743A
(ja)
*
|
1981-10-21 |
1983-04-23 |
Hitachi Ltd |
放射線感応性有機高分子材料
|
DE3231144A1
(de)
*
|
1982-08-21 |
1984-02-23 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen |
Verfahren zur herstellung von tiefdruckformen mit kunststoff-druckschichten
|
DE3231147A1
(de)
*
|
1982-08-21 |
1984-02-23 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen |
Positiv arbeitendes verfahren zur herstellung von reliefbildern oder resistmustern
|
DE3231145A1
(de)
*
|
1982-08-21 |
1984-02-23 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen |
Negativ arbeitendes verfahren zur herstellung von reliefbildern oder resistmustern
|
US4994373A
(en)
|
1983-01-27 |
1991-02-19 |
Enzo Biochem, Inc. |
Method and structures employing chemically-labelled polynucleotide probes
|
US4469774A
(en)
*
|
1983-03-28 |
1984-09-04 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive-working photosensitive benzoin esters
|
US4666820A
(en)
*
|
1983-04-29 |
1987-05-19 |
American Telephone And Telegraph Company, At&T Laboratories |
Photosensitive element comprising a substrate and an alkaline soluble mixture
|
DE3331691A1
(de)
*
|
1983-09-02 |
1985-03-21 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen |
Als positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial geeignetes lichtempfindliches, haertbares gemisch
|
DE3340154A1
(de)
*
|
1983-11-07 |
1985-05-15 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen |
Verfahren zur herstellung von bildmaessig strukturierten resistschichten und fuer dieses verfahren geeigneter trockenfilmresist
|
JPS60152509A
(ja)
*
|
1984-01-19 |
1985-08-10 |
Idemitsu Kosan Co Ltd |
高分子化合物
|
EP0155231B2
(fr)
*
|
1984-03-07 |
1997-01-15 |
Ciba-Geigy Ag |
Procédé pour réaliser des images
|
US4740600A
(en)
*
|
1984-05-10 |
1988-04-26 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same
|
US4632891A
(en)
*
|
1984-10-04 |
1986-12-30 |
Ciba-Geigy Corporation |
Process for the production of images
|
US4735885A
(en)
*
|
1985-12-06 |
1988-04-05 |
Allied Corporation |
Deep UV photoresist composition with 1,3-disubstituted-5-diazobarbituric acids
|
DE3642184A1
(de)
*
|
1986-12-10 |
1988-06-23 |
Basf Ag |
Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen und deren verwendung
|
US4857437A
(en)
*
|
1986-12-17 |
1989-08-15 |
Ciba-Geigy Corporation |
Process for the formation of an image
|
DE3701569A1
(de)
*
|
1987-01-21 |
1988-08-04 |
Basf Ag |
Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen, deren verwendung sowie verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
|
DE3702035A1
(de)
*
|
1987-01-24 |
1988-08-04 |
Basf Ag |
Copolymerisate mit o-nitrocarbinolestergruppierungen und verfahren zur herstellung von zweilagenresisten sowie von halbleiterbauelementen
|
US6379895B1
(en)
|
1989-06-07 |
2002-04-30 |
Affymetrix, Inc. |
Photolithographic and other means for manufacturing arrays
|
US5744101A
(en)
|
1989-06-07 |
1998-04-28 |
Affymax Technologies N.V. |
Photolabile nucleoside protecting groups
|
US6346413B1
(en)
|
1989-06-07 |
2002-02-12 |
Affymetrix, Inc. |
Polymer arrays
|
US6309822B1
(en)
|
1989-06-07 |
2001-10-30 |
Affymetrix, Inc. |
Method for comparing copy number of nucleic acid sequences
|
US6919211B1
(en)
|
1989-06-07 |
2005-07-19 |
Affymetrix, Inc. |
Polypeptide arrays
|
US5424186A
(en)
|
1989-06-07 |
1995-06-13 |
Affymax Technologies N.V. |
Very large scale immobilized polymer synthesis
|
US5143854A
(en)
|
1989-06-07 |
1992-09-01 |
Affymax Technologies N.V. |
Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
|
US6406844B1
(en)
|
1989-06-07 |
2002-06-18 |
Affymetrix, Inc. |
Very large scale immobilized polymer synthesis
|
US6955915B2
(en)
|
1989-06-07 |
2005-10-18 |
Affymetrix, Inc. |
Apparatus comprising polymers
|
US20060194258A1
(en)
*
|
1989-06-07 |
2006-08-31 |
Affymetrix, Inc. |
Polypeptide array synthesis
|
US5547839A
(en)
|
1989-06-07 |
1996-08-20 |
Affymax Technologies N.V. |
Sequencing of surface immobilized polymers utilizing microflourescence detection
|
US5800992A
(en)
|
1989-06-07 |
1998-09-01 |
Fodor; Stephen P.A. |
Method of detecting nucleic acids
|
US6551784B2
(en)
|
1989-06-07 |
2003-04-22 |
Affymetrix Inc |
Method of comparing nucleic acid sequences
|
DE69029104T2
(de)
|
1989-07-12 |
1997-03-20 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse
|
US6506558B1
(en)
|
1990-03-07 |
2003-01-14 |
Affymetrix Inc. |
Very large scale immobilized polymer synthesis
|
JPH06504997A
(ja)
*
|
1990-12-06 |
1994-06-09 |
アフィメトリックス, インコーポレイテッド |
非常に大きい規模の固定化されたポリマーの合成
|
WO1992010588A1
(fr)
|
1990-12-06 |
1992-06-25 |
Affymax Technologies N.V. |
Mise en sequence par hybridation d'un acide nucleique cible en une matrice d'oligonucleotides determines
|
US6468740B1
(en)
|
1992-11-05 |
2002-10-22 |
Affymetrix, Inc. |
Cyclic and substituted immobilized molecular synthesis
|
JP2944296B2
(ja)
|
1992-04-06 |
1999-08-30 |
富士写真フイルム株式会社 |
感光性平版印刷版の製造方法
|
US5395734A
(en)
*
|
1992-11-30 |
1995-03-07 |
Minnesota Mining And Manufacturing Company |
Shoot and run printing materials
|
US5986076A
(en)
*
|
1994-05-11 |
1999-11-16 |
Trustees Of Boston University |
Photocleavable agents and conjugates for the detection and isolation of biomolecules
|
US6589736B1
(en)
*
|
1994-11-22 |
2003-07-08 |
The Trustees Of Boston University |
Photocleavable agents and conjugates for the detection and isolation of biomolecules
|
US7625697B2
(en)
*
|
1994-06-17 |
2009-12-01 |
The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University |
Methods for constructing subarrays and subarrays made thereby
|
US7323298B1
(en)
*
|
1994-06-17 |
2008-01-29 |
The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University |
Microarray for determining the relative abundances of polynuceotide sequences
|
US7378236B1
(en)
|
1994-06-17 |
2008-05-27 |
The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University |
Method for analyzing gene expression patterns
|
JPH0876380A
(ja)
|
1994-09-06 |
1996-03-22 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
ポジ型印刷版組成物
|
JPH0954437A
(ja)
|
1995-06-05 |
1997-02-25 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
化学増幅型ポジレジスト組成物
|
CN1150219C
(zh)
*
|
1996-09-18 |
2004-05-19 |
克拉瑞特金融(Bvi)有限公司 |
辐射吸收聚合物及含该聚合物的成膜组合物和抗反射涂层
|
JP4165922B2
(ja)
*
|
1998-03-17 |
2008-10-15 |
Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 |
光吸収性ポリマーおよびその反射防止膜への応用
|
US6545264B1
(en)
|
1998-10-30 |
2003-04-08 |
Affymetrix, Inc. |
Systems and methods for high performance scanning
|
GB9921779D0
(en)
|
1999-09-16 |
1999-11-17 |
Ciba Sc Holding Ag |
UV-Curable compositions
|
US20040106769A1
(en)
*
|
2000-07-11 |
2004-06-03 |
Hatton Kevin Brian |
High functional polymers
|
US7008749B2
(en)
*
|
2001-03-12 |
2006-03-07 |
The University Of North Carolina At Charlotte |
High resolution resists for next generation lithographies
|
US7192681B2
(en)
|
2001-07-05 |
2007-03-20 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Positive photosensitive composition
|
US7776505B2
(en)
*
|
2001-11-05 |
2010-08-17 |
The University Of North Carolina At Charlotte |
High resolution resists for next generation lithographies
|
US7521168B2
(en)
|
2002-02-13 |
2009-04-21 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
|
US20040180368A1
(en)
*
|
2002-12-23 |
2004-09-16 |
Affymetrix, Inc. |
Method for producing a high density nucleic acid array using activators
|
US7090958B2
(en)
*
|
2003-04-11 |
2006-08-15 |
Ppg Industries Ohio, Inc. |
Positive photoresist compositions having enhanced processing time
|
US8119392B2
(en)
*
|
2003-05-02 |
2012-02-21 |
The University Of North Carolina At Charlotte |
Biocompatible resists
|
US7635727B2
(en)
|
2003-06-24 |
2009-12-22 |
Ppg Industries Ohio, Inc. |
Composite transparencies
|
US7771915B2
(en)
|
2003-06-27 |
2010-08-10 |
Fujifilm Corporation |
Two-photon absorbing optical recording material and two-photon absorbing optical recording and reproducing method
|
US6984262B2
(en)
*
|
2003-07-16 |
2006-01-10 |
Transitions Optical, Inc. |
Adhesion enhancing coating composition, process for using and articles produced
|
JP4612999B2
(ja)
|
2003-10-08 |
2011-01-12 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4448705B2
(ja)
|
2004-02-05 |
2010-04-14 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4524154B2
(ja)
|
2004-08-18 |
2010-08-11 |
富士フイルム株式会社 |
化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US7504193B2
(en)
|
2004-09-02 |
2009-03-17 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
JP4469692B2
(ja)
|
2004-09-14 |
2010-05-26 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4452632B2
(ja)
|
2005-01-24 |
2010-04-21 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
US7947421B2
(en)
|
2005-01-24 |
2011-05-24 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition for immersion exposure and pattern-forming method using the same
|
JP4562537B2
(ja)
|
2005-01-28 |
2010-10-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4439409B2
(ja)
|
2005-02-02 |
2010-03-24 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US7541131B2
(en)
|
2005-02-18 |
2009-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition
|
EP1698937B1
(fr)
|
2005-03-04 |
2015-12-23 |
FUJIFILM Corporation |
Composition pour réserve de type positif et procédé de formation de motifs employant ladite composition
|
US20060204732A1
(en)
|
2005-03-08 |
2006-09-14 |
Fuji Photo Film Co., Ltd. |
Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate
|
JP4579019B2
(ja)
|
2005-03-17 |
2010-11-10 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
|
EP1720072B1
(fr)
|
2005-05-01 |
2019-06-05 |
Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. |
Compositions et procédés pour lithographie en immersion
|
JP4724465B2
(ja)
|
2005-05-23 |
2011-07-13 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4861767B2
(ja)
|
2005-07-26 |
2012-01-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
|
JP4580841B2
(ja)
|
2005-08-16 |
2010-11-17 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4695941B2
(ja)
|
2005-08-19 |
2011-06-08 |
富士フイルム株式会社 |
液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
DE602006003029D1
(de)
|
2005-08-23 |
2008-11-20 |
Fujifilm Corp |
Härtbare Tinte enthaltend modifiziertes Oxetan
|
JP4757574B2
(ja)
|
2005-09-07 |
2011-08-24 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版
|
TWI403843B
(zh)
|
2005-09-13 |
2013-08-01 |
Fujifilm Corp |
正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
|
DE602006019366D1
(de)
|
2005-11-04 |
2011-02-17 |
Fujifilm Corp |
Härtbare Tintenzusammensetzung und Oxetanverbindung
|
EP1795960B1
(fr)
|
2005-12-09 |
2019-06-05 |
Fujifilm Corporation |
Composition de réserve positive, procédé de formation de motif utilisant la composition de réserve positive, utilisation de la composition de réserve positive
|
ATE496766T1
(de)
|
2006-03-03 |
2011-02-15 |
Fujifilm Corp |
Härtbare zusammensetzung, tintenzusammensetzung, tintenstrahlaufzeichnungsverfahren und flachdruckplatte
|
JP4911456B2
(ja)
|
2006-11-21 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
|
JP4554665B2
(ja)
|
2006-12-25 |
2010-09-29 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
|
JP2008189776A
(ja)
|
2007-02-02 |
2008-08-21 |
Fujifilm Corp |
活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版
|
JP4905786B2
(ja)
|
2007-02-14 |
2012-03-28 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
EP1962139A1
(fr)
|
2007-02-23 |
2008-08-27 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de réserve négative et procédé de formation de motif l'utilisant
|
JP2008208266A
(ja)
|
2007-02-27 |
2008-09-11 |
Fujifilm Corp |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版
|
JP5162290B2
(ja)
|
2007-03-23 |
2013-03-13 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
US8088566B2
(en)
|
2007-03-26 |
2012-01-03 |
Fujifilm Corporation |
Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
|
US7592118B2
(en)
|
2007-03-27 |
2009-09-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
EP1975714A1
(fr)
|
2007-03-28 |
2008-10-01 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de réserve positive et procédé de formation de motifs
|
US7635554B2
(en)
|
2007-03-28 |
2009-12-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method
|
US8182975B2
(en)
|
2007-03-28 |
2012-05-22 |
Fujifilm Corporation |
Positive resist composition and pattern forming method using the same
|
US20080241745A1
(en)
|
2007-03-29 |
2008-10-02 |
Fujifilm Corporation |
Negative resist composition and pattern forming method using the same
|
JP4982228B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-07-25 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
JP5039622B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2012-10-03 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
JP5159141B2
(ja)
|
2007-03-30 |
2013-03-06 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版
|
EP1980911A3
(fr)
|
2007-04-13 |
2009-06-24 |
FUJIFILM Corporation |
Procédé de formation de motifs, composition de réserve à utiliser dans le procédé de formation de motifs, solution de développement de négatifs à utiliser dans le procédé de formation de motifs, et solution de rinçage pour le développement de négatifs utilisée dans le procédé de formation de motifs
|
KR100990106B1
(ko)
|
2007-04-13 |
2010-10-29 |
후지필름 가부시키가이샤 |
패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
|
JP4617337B2
(ja)
|
2007-06-12 |
2011-01-26 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法
|
JP2009020510A
(ja)
|
2007-06-15 |
2009-01-29 |
Fujifilm Corp |
パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
|
JP2008311474A
(ja)
|
2007-06-15 |
2008-12-25 |
Fujifilm Corp |
パターン形成方法
|
JP2009009047A
(ja)
|
2007-06-29 |
2009-01-15 |
Fujifilm Corp |
パターン形成方法
|
JP2009053688A
(ja)
|
2007-07-30 |
2009-03-12 |
Fujifilm Corp |
ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
|
JP5066405B2
(ja)
|
2007-08-02 |
2012-11-07 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
|
KR101440941B1
(ko)
|
2007-08-03 |
2014-09-17 |
후지필름 가부시키가이샤 |
신규의 술포늄 화합물을 함유하는 레지스트 조성물, 그 레지스트 조성물을 사용한 패턴 형성 방법, 및 신규의 술포늄 화합물
|
WO2009022561A1
(fr)
|
2007-08-10 |
2009-02-19 |
Fujifilm Corporation |
Composition de résist positive et procédé pour la formation de motif à l'aide de la composition de résist positive
|
JP5449675B2
(ja)
|
2007-09-21 |
2014-03-19 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
|
JP5111039B2
(ja)
|
2007-09-27 |
2012-12-26 |
富士フイルム株式会社 |
重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物
|
JP4911469B2
(ja)
|
2007-09-28 |
2012-04-04 |
富士フイルム株式会社 |
レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
US8240838B2
(en)
|
2007-11-29 |
2012-08-14 |
Fujifilm Corporation |
Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material
|
JP5150296B2
(ja)
|
2008-02-13 |
2013-02-20 |
富士フイルム株式会社 |
電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
|
US9046773B2
(en)
|
2008-03-26 |
2015-06-02 |
Fujifilm Corporation |
Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
|
WO2009152276A2
(fr)
|
2008-06-10 |
2009-12-17 |
University Of North Carolina At Charlotte |
Générateurs de photoacides et résists lithographiques les comprenant
|
JP5997873B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2016-09-28 |
富士フイルム株式会社 |
感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5244711B2
(ja)
|
2008-06-30 |
2013-07-24 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5746818B2
(ja)
|
2008-07-09 |
2015-07-08 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP5383133B2
(ja)
|
2008-09-19 |
2014-01-08 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法
|
ATE541905T1
(de)
|
2008-09-26 |
2012-02-15 |
Fujifilm Corp |
Tintenzusammensetzung und tintenaufzeichnungsverfahren
|
JP5461809B2
(ja)
|
2008-09-29 |
2014-04-02 |
富士フイルム株式会社 |
インク組成物、及び、インクジェット記録方法
|
EP2356517B1
(fr)
|
2008-12-12 |
2017-01-25 |
FUJIFILM Corporation |
Composition de résine sensible aux rayons actiniques, et procédé de formation d'un motif utilisant cette composition
|
JP2010235911A
(ja)
|
2009-03-11 |
2010-10-21 |
Konica Minolta Ij Technologies Inc |
活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
|
JP5964007B2
(ja)
|
2009-04-02 |
2016-08-03 |
コニカミノルタ株式会社 |
活性エネルギー線硬化型インクジェットインク、インクジェット記録方法及び印刷物
|
US8252412B2
(en)
|
2009-06-16 |
2012-08-28 |
Ppg Industries Ohio, Inc |
Angle switchable crystalline colloidal array films
|
JP5783687B2
(ja)
*
|
2009-06-23 |
2015-09-24 |
住友化学株式会社 |
樹脂及びレジスト組成物
|
US8592129B2
(en)
*
|
2009-08-31 |
2013-11-26 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP2011074365A
(ja)
*
|
2009-09-02 |
2011-04-14 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US20110135888A1
(en)
|
2009-12-04 |
2011-06-09 |
Ppg Industries Ohio, Inc. |
Crystalline colloidal array of particles bearing reactive surfactant
|
US8582194B2
(en)
|
2010-04-29 |
2013-11-12 |
Ppg Industries Ohio, Inc. |
Thermally responsive crystalline colloidal arrays
|
KR101841000B1
(ko)
|
2010-07-28 |
2018-03-22 |
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 |
포토레지스트 조성물
|
JP6195692B2
(ja)
|
2010-08-30 |
2017-09-13 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに新規化合物及び樹脂
|
JP2012087294A
(ja)
|
2010-09-21 |
2012-05-10 |
Sumitomo Chemical Co Ltd |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
|
JP5824320B2
(ja)
|
2010-10-26 |
2015-11-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5824321B2
(ja)
|
2010-10-26 |
2015-11-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9022648B2
(en)
|
2010-11-11 |
2015-05-05 |
Prc-Desoto International, Inc. |
Temperature sensitive composite for photonic crystals
|
JP5879834B2
(ja)
|
2010-11-15 |
2016-03-08 |
住友化学株式会社 |
塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6088133B2
(ja)
|
2010-12-15 |
2017-03-01 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2016-07-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5829941B2
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|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP5829939B2
(ja)
|
2011-02-25 |
2015-12-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2016-04-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-02-25 |
2016-07-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-02-25 |
2016-11-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-02-25 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-02-25 |
2016-04-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-04-07 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-04-07 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-04-07 |
2016-06-15 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
CA2837855C
(fr)
|
2011-06-17 |
2021-01-19 |
Henkel Ag & Co. Kgaa |
Revetement a deposition automatique en un seul bain pour substrats metalliques composites et procedes s'y rapportant
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2016-09-06 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
2016-10-25 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2011-07-19 |
2016-08-24 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2011-07-19 |
2017-05-17 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
*
|
2012-08-31 |
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住友化学株式会社 |
高分子化合物、及び該高分子化合物を含む絶縁層材料
|
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(ja)
|
2014-08-25 |
2019-09-18 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2014-08-25 |
2019-07-10 |
住友化学株式会社 |
塩、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-08-25 |
2019-10-23 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2014-08-25 |
2019-10-23 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-08-25 |
2019-12-04 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2014-08-25 |
2019-04-24 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9983478B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-05-29 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
US9996002B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-06-12 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP6541525B2
(ja)
|
2014-09-16 |
2019-07-10 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US9869929B2
(en)
|
2014-09-16 |
2018-01-16 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resin, resist composition and method for producing resist pattern
|
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(ja)
|
2014-09-16 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-09-16 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-11-11 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-11-11 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-11-11 |
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住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-11-26 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2014-11-26 |
2020-07-15 |
住友化学株式会社 |
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|
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(ja)
|
2015-03-31 |
2020-11-11 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
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住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2015-03-31 |
2021-03-17 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
2015-03-31 |
2020-09-30 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2015-05-12 |
2020-10-14 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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|
2015-06-26 |
2021-04-28 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
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|
2015-06-26 |
2021-06-09 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
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|
2015-06-26 |
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住友化学株式会社 |
レジスト組成物
|
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|
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住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP6963979B2
(ja)
|
2016-12-14 |
2021-11-10 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
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2022-02-16 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
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(ja)
|
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2023-05-30 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US11378883B2
(en)
|
2018-04-12 |
2022-07-05 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
US11820735B2
(en)
|
2018-04-12 |
2023-11-21 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP7269093B2
(ja)
|
2018-05-29 |
2023-05-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2020029451A
(ja)
|
2018-08-17 |
2020-02-27 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7341787B2
(ja)
|
2018-08-27 |
2023-09-11 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7389622B2
(ja)
|
2018-11-20 |
2023-11-30 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7412186B2
(ja)
|
2019-01-18 |
2024-01-12 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7471828B2
(ja)
|
2019-01-18 |
2024-04-22 |
住友化学株式会社 |
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7492842B2
(ja)
|
2019-03-25 |
2024-05-30 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
TW202108567A
(zh)
|
2019-05-17 |
2021-03-01 |
日商住友化學股份有限公司 |
鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
JP7537913B2
(ja)
|
2019-06-04 |
2024-08-21 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7499071B2
(ja)
|
2019-06-04 |
2024-06-13 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩の製造方法
|
JP2021038203A
(ja)
|
2019-08-29 |
2021-03-11 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP7545834B2
(ja)
|
2019-08-29 |
2024-09-05 |
住友化学株式会社 |
塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021130807A
(ja)
|
2019-12-18 |
2021-09-09 |
住友化学株式会社 |
樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに化合物
|
US20230051188A1
(en)
|
2019-12-18 |
2023-02-16 |
3M Innovative Properties Company |
Composition including unsaturated polyester resin, epoxy resin, and photoinitiator and method of using the same
|
JP2021123579A
(ja)
|
2020-02-06 |
2021-08-30 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021123580A
(ja)
|
2020-02-06 |
2021-08-30 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US11681220B2
(en)
|
2020-03-05 |
2023-06-20 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11740555B2
(en)
|
2020-03-05 |
2023-08-29 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11675267B2
(en)
|
2020-03-23 |
2023-06-13 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
|
US11822241B2
(en)
|
2020-04-22 |
2023-11-21 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP2021181431A
(ja)
|
2020-05-15 |
2021-11-25 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、クエンチャー、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2021181429A
(ja)
|
2020-05-15 |
2021-11-25 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
TW202202476A
(zh)
|
2020-05-21 |
2022-01-16 |
日商住友化學股份有限公司 |
鹽、酸產生劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
TWI849314B
(zh)
|
2020-06-01 |
2024-07-21 |
日商住友化學股份有限公司 |
化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
|
JP2021188041A
(ja)
|
2020-06-01 |
2021-12-13 |
住友化学株式会社 |
化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022008152A
(ja)
|
2020-06-25 |
2022-01-13 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022013736A
(ja)
|
2020-07-01 |
2022-01-18 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022075556A
(ja)
|
2020-11-06 |
2022-05-18 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022077505A
(ja)
|
2020-11-11 |
2022-05-23 |
住友化学株式会社 |
カルボン酸塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022077982A
(ja)
|
2020-11-12 |
2022-05-24 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022123839A
(ja)
|
2021-02-12 |
2022-08-24 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022164585A
(ja)
|
2021-04-15 |
2022-10-27 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022164583A
(ja)
|
2021-04-15 |
2022-10-27 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US20230004084A1
(en)
|
2021-05-06 |
2023-01-05 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
|
JP2022183077A
(ja)
|
2021-05-28 |
2022-12-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
JP2022183074A
(ja)
|
2021-05-28 |
2022-12-08 |
住友化学株式会社 |
塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
|
US20230113512A1
(en)
|
2021-08-06 |
2023-04-13 |
Sumitomo Chemical Company, Limited |
Resist composition and method for producing resist pattern
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