CH516649A - Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls - Google Patents

Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls

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CH516649A
CH516649A CH1222069A CH1222069A CH516649A CH 516649 A CH516649 A CH 516649A CH 1222069 A CH1222069 A CH 1222069A CH 1222069 A CH1222069 A CH 1222069A CH 516649 A CH516649 A CH 516649A
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CH1222069A
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Erhard Dipl Ing Sussmann
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Siemens Ag
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CH1222069A 1968-08-14 1969-08-12 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls CH516649A (de)

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DE19681769968 DE1769968C3 (de) 1968-08-14 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines SiIiciumkristalls

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CH516649A true CH516649A (de) 1971-12-15

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CH1222069A CH516649A (de) 1968-08-14 1969-08-12 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls

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US3976512A (en) * 1975-09-22 1976-08-24 Signetics Corporation Method for reducing the defect density of an integrated circuit utilizing ion implantation
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DE1769968B2 (de) 1976-06-10
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GB1243890A (en) 1971-08-25
FR2016937A1 (enExample) 1970-05-15
SE348950B (enExample) 1972-09-18
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DE1769968A1 (de) 1971-11-04

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