CH516649A - Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls - Google Patents

Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls

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CH516649A
CH516649A CH1222069A CH1222069A CH516649A CH 516649 A CH516649 A CH 516649A CH 1222069 A CH1222069 A CH 1222069A CH 1222069 A CH1222069 A CH 1222069A CH 516649 A CH516649 A CH 516649A
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silicon crystal
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CH1222069A
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CH1222069A 1968-08-14 1969-08-12 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von anorganischem Material auf der gereinigten Oberfläche eines Siliciumkristalls CH516649A (de)

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