CH433206A - Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Kohlenstoff, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden Trägerstäben dienen - Google Patents
Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Kohlenstoff, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden Trägerstäben dienenInfo
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Description
Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Kohlenstoff, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden Trägerstäben dienen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Gewinnung von Halbleitermaterial, z. B. Germanium oder Silizium, bei dem das Halbleitermaterial durch pyrolytische Zersetzung oder durch chemische Umset zung aus einer gasförmigen Verbindung des Halbleiter materials mit einem als Reaktionspartner, z. B. als Reduktionsmittel wirkenden Trägergas, innerhalb eines Reaktionsgefässes auf einem aus Halbleitermaterial be stehenden durch elektrischen Strom beheizten Träger körper abgeschieden wird. Derartige stabförmige Trä gerkörper werden innerhalb des Reaktionsgefässes ver mittels einer Halterung aus Kohlenstoff, z. B. Spektral kohle oder Reinstgraphit, befestigt. Ein derartiges Ver fahren ist beispielsweise aus der deutschen Patentschrift <B>1061</B> 593 bekannt. Die bei diesem Verfahren verwendeten Halterungen sind zwar aus handelsüblich sehr reinem Kohlenstoff hergestellt, enthalten aber dennoch für die Halbleiter technik ungeeignete Verunreinigungen, die beim Ab- scheidungsprozess teilweise durch Diffusion direkt von der Kohle in das abgeschiedene Halbleitermaterial ge langen können, und die teilweise vom Reaktionsgasge misch aus der Kohlehalterung gelöst und in das abge schiedene Halbleitermaterial eingebaut werden können. Es wurde bereits vorgeschlagen, derartige Kohlehal- terungen dadurch nachzureinigen, dass sie vor ihrer Verwendung der Einwirkung der Abgase aus dem Reak- tionsprozess in erhitztem Zustand, vorzugsweise bei ca. 600 C, ausgesetzt werden. Die Abgase des Reak tionsprozesses setzen sich teilweise aus Gasen zusam men, welche zur Entfernung der Verunreinigungen, ins besondere des in den Halterungen enthaltenen Phosphors, dienen können. Die Erfindung betrifft nun eine weitere Verbesse rung dieses Verfahrens. Sie bezieht sich deshalb auf ein Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Kohlen stoff, z. B. Spektralkohle oder Reinstgraphit, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden er hitzten Trägerstäben dienen, auf denen Halbleitermate- rial aus der Gasphase abgeschieden wird. Es ist erfin- dungsgemäss dadurch gekennzeichnet, dass die Halte rungen in einem Halogenwasserstoff oder einem Halo- g,2n-Kohlenwasserstoff auf eine Temperatur von 800 bis 3000 C erhitzt werden. Die Halterungen werden zweckmässigerweise in einem strömenden Gemisch der artiger Gase mit einem Trägergas, z. B. Wasserstoff, Argon oder Kohlenoxyd, erhitzt. Vorzugsweise wird dem Gemisch in geringen Mengen Wasser hinzugeführt, wodurch die Reaktion gefördert wird. Das Verfahren gemäss der Erfindung bringt gegen über dem vorbeschriebenen Verfahren insbesondere den Vorteil mit sich, dass erheblich höhere Temperaturen als bei jenem Verfahren angewendet werden können. So können die Halterungen z. B. auf mehr als 800 C er hitzt werden, ohne dass, wie bei dem vorgenannten Ver fahren, schädliche Reaktionen auftreten. Durch die An wendung höherer Temperaturen ergeben sich weitere Vorteile, insbesondere der Vorteil, dass die zur Durch führung des Verfahrens benötigten Zeiten erheblich ver kürzt werden können. An Hand eines Ausführungsbeispiels soll die Erfin- dung näher beschrieben werden. In der Zeichnung ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsge- mässen Verfahrens dargestellt. Selbstverständlich kön nen auch andere Vorrichtungen für die Durchführung des Verfahrens verwendet werden. Eine derartige Vorrichtung kann z. B. im wesentli chen aus zwei Quarzteilen zusammengesetzt sein, welche einen Reaktionsraum ergeben, und zwar einem oberen Quarzteil 2, welches die Form einer Glocke hat, und einem unteren Quarzteil 3. Beide Teile sind mit Hilfe eines Schliffes aneinander angepasst. Die Verwendung von Quarz für den Aufbau eines derartigen Gerätes empfiehlt sich deshalb, weil Quarz sowohl durchsichtig ist als auch die bei derartigen Ver fahren auftretenden höheren Temperaturen aushalten kann. Gegebenenfalls kann eine Kühlung durch von aussen aufgeblasene Luft oder darüber hinwegströmen- des Wasser vorgesehen sein. Ausserdem hat Quarz die für die Halbleitertechnik sehr wichtige Eigenschaft, dass er nicht zur Verunreinigung des Halbleitermaterials bei trägt. Im Unterteil 3 ist eine Halterung 4 angebracht, wel che z. B. ebenfalls aus einem Quarzrohr, welches gegen die Aussenluft abgeschlossen ist, bestehen kann. Ein weiteres Halteteil 5 ist in dieser Halterung 4 angeordnet. Dieses Halteteil 5 besteht zweckmässigerweise aus Spektralkohle oder Reinstgraphit. Es kann aber gegebe nenfalls ebenfalls aus Quarz bestehen. In diesem Halte teil 5 sind die Kohlehalterungen 6 gebündelt lotrecht aufgestellt. Sie berühren einander und sind somit elek trisch leitfähig miteinander verbunden. Vorzugsweise werden mehrere Kohlehalterungen übereinander ange ordnet, indem sie ineinandergesteckt bzw. in anderer geeigneter Weise aneinander befestigt werden. Durch ein Rohr 7 wird das Reaktionsgas zugeführt und durch einen Auslass 8 wird das Gas abgeführt. Eine Induktionsspule 9, welche z. B. aus von einem Kühlmit- tel durchströmten Rohren bestehen kann, umschliesst das glockenförmige Teil 2 in Höhe der Halterungen 6. Selbstverständlich kann auch eine andere Beheizung der Kohlehalterungen 6 z. B. durch Strahlung oder direkten Stromdurchgang, vorgesehen sein. Da aber die Kohlen halterungen infolge ihrer dichten Packung zur Aufnahme von elektrischem Strom geeignet sind, hat sich die Be- heizung durch induktive Hochfrequenzerhitzung als sehr vorteilhaft erwiesen. Das erfindungsgemässe Verfahren kann nun in fol gender Weise durchgeführt werden. Nachdem die Kohle halterungen 6 in das Halteteil 5 und dieses in die Halt rang 4 eingesetzt sind, wird das glockenförmige Teil 2 über die gesamte Anordnung gestülpt und danach in die Hochfrequenzspule 9 eingesetzt. Darauf wird ein geeig netes Gasgemisch zugeführt, z. B. ein. Gemisch aus Chlorwasserstoff und Wasserstoff. Darauf wird die Hoch- frequenzheizung eingeschaltet, und die Kohlehalterung 6 werden z. B. auf 1600 bis 1700 C erhitzt. Die Dauer des Verfahrens hängt im wesentlichen von den angewen deten Temperaturen ab. Bei den eben genannten Tempe raturen hat sich eine Behandlungsdauer von 3 bis 4 Stunden als ausreichend erwiesen. Bei der Beendigung des Verfahrens wird zweckmäs- sigerweise das gesamte Reaktionsgefäss mit reinem Was serstoff gefüllt und danach die Heizung abgeschaltet. Die Kohlehalterungen 6 werden also in dieser Wasserstoff atmosphäre abgekühlt. Als Reaktionspartner zur Reinigung der Kohlehal- terungen von unerwünschten Fremdstoffen sind alle Halogenwasserstoffe geeignet, also zum Beispiel Brom wasserstoff, Jodwasserstoff oder Chlorwasserstoff. Selbst Flussäure (HF) ist geeignet, muss aber absolut trocken sein. oder sehr stark verdünnt werden, damit sie nicht die Quarzgefässe angreift. Auch Halogen-Kohlenwasser- stoffe, wie beispielsweise Äthylchlorid (Cf!I4-C1), n-Pro- pyljodid (C.,H,J) oder Fluorbenzol (C,H$F), sind geeig- riet. Vorzugsweise werden die Gase mit einem grossen Wasserstoffüberschuss in den Reaktionsraum geführt. Das Mischungsverhältnis Halogen-Wasserstoff bzw. Halogen-Kohlenwasserstoff zu Wasserstoff kann von 1:1 bis 1:1000 oder mehr betragen. Bei Chlorwasserstoff be trägt es vorzugsweise 1:10 bis 1:100. Gegebenenfalls kann auch ein Gemisch aus Chlor und Wasserstoff in, den Reaktionsraum geführt werden. Der Chlorwasser stoff bildet sich dann von selbst. Selbstverständlich müs sen entsprechend der Gefährlichkeit einer derartigen Mi schung nur geringe Mengen Chlor verwendet werden. Vorteilhaft wird'dem Gasgemisch in geringem Masse Wasser zugesetzt, welches erfahrungsgemäss die Reak tion schneller ablaufen lässt. Der Feuchtigkeitszusatz kann etwa 10/" bis 1 % des Gewichts der Halogenver bindung betragen. Während: der Durchführung des Verfahrens kann das Reaktionsgasgemisch in dem Reaktionsraum ruhen. Es kann aber auch durch den Reaktionsraum hindurch strömen. Vorzugsweise wird ein strömendes Gasgemisch verwendet, wobei der Gasdurchsatz etwa 1001 Gas/Std. betragen kann, aber auch höher liegen kann.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Koh lenstoff, z. B. Spektralkohle oder Reinstgraphit, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden, erhitzten Trägerstäben dienen, auf denen Halbleiterma terial aus der Gasphase abgeschieden wird, dadurch ge kennzeichnet, dass die Halterungen in einem Halogen wasserstoff oder einem Halogenkohlenwasserstoff auf eine Temperatur von 800 bis 3000 C erhitzt werden. UNTERANSPRüCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass die Halterungen in einem strömenden Gas erhitzt werden.2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass dem Gas Wasser hinzugefügt wird. 3. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass dem Gas Wasserstoff beigemischt wird. 4. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekenn zeichnet, dass "die Halterungen auf 1600 bis 1700 C. erwärmt werden. 5. Verfahren nach Unteranspruch 3, dadurch ge kennzeichnet, dass ein Gemisch aus Chlorwasserstoff und Wasserstoff im Verhältnis 1:10 bis 1:100 verwendet wird.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
FR2465791A1 (fr) * | 1979-09-20 | 1981-03-27 | Philips Nv | Procede permettant de nettoyer un reacteur |
CN101683975A (zh) * | 2008-09-16 | 2010-03-31 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 多晶硅制备用碳部件的净化方法 |
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1964
- 1964-06-15 CH CH775864A patent/CH433206A/de unknown
- 1964-12-11 BE BE656986D patent/BE656986A/xx unknown
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CN101683975A (zh) * | 2008-09-16 | 2010-03-31 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 多晶硅制备用碳部件的净化方法 |
EP2163519A3 (de) * | 2008-09-16 | 2011-12-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Verfahren zur Verfeinerung von Kohlenstoffteilen zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
CN101683975B (zh) * | 2008-09-16 | 2013-09-25 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 多晶硅制备用碳部件的净化方法 |
US8551439B2 (en) | 2008-09-16 | 2013-10-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of refining carbon parts for production of polycrystalline silicon |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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BE656986A (de) | 1965-06-11 |
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