CH408216A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus Galliumarsenid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus GalliumarsenidInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL252383 | 1960-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH408216A true CH408216A (de) | 1966-02-28 |
Family
ID=19752397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH658261A CH408216A (de) | 1960-06-07 | 1961-06-05 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus Galliumarsenid |
Country Status (5)
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3484657A (en) * | 1966-07-11 | 1969-12-16 | Susanna Gukasovna Madoian | Semiconductor device having intermetallic compounds providing stable parameter vs. time characteristics |
| US3959098A (en) * | 1973-03-12 | 1976-05-25 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electrolytic etching of III - V compound semiconductors |
| GB1552268A (en) * | 1977-04-01 | 1979-09-12 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor etching |
| US4154663A (en) * | 1978-02-17 | 1979-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing thinned layer of epitaxial semiconductor material having substantially uniform reverse breakdown voltage characteristic |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE970420C (de) * | 1951-03-10 | 1958-09-18 | Siemens Ag | Elektrisches Halbleitergeraet |
| US2802159A (en) * | 1953-10-20 | 1957-08-06 | Hughes Aircraft Co | Junction-type semiconductor devices |
| US2912371A (en) * | 1953-12-28 | 1959-11-10 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating semiconductive translating devices |
| US2940024A (en) * | 1954-06-01 | 1960-06-07 | Rca Corp | Semi-conductor rectifiers |
| BE544034A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1954-12-31 | |||
| NL211922A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1955-11-04 | |||
| NL122283C (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * | 1958-07-25 | |||
| GB872531A (en) * | 1959-03-24 | 1961-07-12 | Ass Elect Ind | Improvements relating to the production of transistors |
| US3088888A (en) * | 1959-03-31 | 1963-05-07 | Ibm | Methods of etching a semiconductor device |
| FR1256826A (fr) * | 1959-05-13 | 1961-03-24 | Ass Elect Ind | Perfectionnements apportés à la fabrication de transistors à jonctions |
| US3117899A (en) * | 1960-07-18 | 1964-01-14 | Westinghouse Electric Corp | Process for making semiconductor devices |
| US3110949A (en) * | 1962-09-13 | 1963-11-19 | Tullio Alfred Di | Gang mold for casting concrete and the like |
-
0
- NL NL252383D patent/NL252383A/xx unknown
-
1961
- 1961-04-25 US US105475A patent/US3251757A/en not_active Expired - Lifetime
- 1961-06-02 GB GB19981/61A patent/GB964178A/en not_active Expired
- 1961-06-05 DE DEN20141A patent/DE1253825B/de active Pending
- 1961-06-05 CH CH658261A patent/CH408216A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3251757A (en) | 1966-05-17 |
| NL252383A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) | |
| DE1253825B (de) | 1967-11-09 |
| GB964178A (en) | 1964-07-15 |
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