CH408216A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus Galliumarsenid - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus Galliumarsenid

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CH408216A
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484657A (en) * 1966-07-11 1969-12-16 Susanna Gukasovna Madoian Semiconductor device having intermetallic compounds providing stable parameter vs. time characteristics
US3959098A (en) * 1973-03-12 1976-05-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electrolytic etching of III - V compound semiconductors
GB1552268A (en) * 1977-04-01 1979-09-12 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor etching
US4154663A (en) * 1978-02-17 1979-05-15 Texas Instruments Incorporated Method of providing thinned layer of epitaxial semiconductor material having substantially uniform reverse breakdown voltage characteristic

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE970420C (de) * 1951-03-10 1958-09-18 Siemens Ag Elektrisches Halbleitergeraet
US2802159A (en) * 1953-10-20 1957-08-06 Hughes Aircraft Co Junction-type semiconductor devices
US2912371A (en) * 1953-12-28 1959-11-10 Bell Telephone Labor Inc Method of fabricating semiconductive translating devices
US2940024A (en) * 1954-06-01 1960-06-07 Rca Corp Semi-conductor rectifiers
BE544034A (de) * 1954-12-31
NL105577C (de) * 1955-11-04
NL122283C (de) * 1958-07-25
GB872531A (en) * 1959-03-24 1961-07-12 Ass Elect Ind Improvements relating to the production of transistors
US3088888A (en) * 1959-03-31 1963-05-07 Ibm Methods of etching a semiconductor device
FR1256826A (fr) * 1959-05-13 1961-03-24 Ass Elect Ind Perfectionnements apportés à la fabrication de transistors à jonctions
US3117899A (en) * 1960-07-18 1964-01-14 Westinghouse Electric Corp Process for making semiconductor devices
US3110949A (en) * 1962-09-13 1963-11-19 Tullio Alfred Di Gang mold for casting concrete and the like

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