CH375451A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors, mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors, mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium

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CH375451A
CH375451A CH7829459A CH7829459A CH375451A CH 375451 A CH375451 A CH 375451A CH 7829459 A CH7829459 A CH 7829459A CH 7829459 A CH7829459 A CH 7829459A CH 375451 A CH375451 A CH 375451A
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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US3200490A (en) * 1962-12-07 1965-08-17 Philco Corp Method of forming ohmic bonds to a germanium-coated silicon body with eutectic alloyforming materials
DE1298632B (de) * 1965-10-26 1969-07-03 Siemens Ag Verfahren zum sperrfreien Verbinden eines Halbleiterkoerpers mit einer metallischen Tragplatte

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