CH396228A - Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents

Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium

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CH396228A
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silicon
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CH136163A 1962-05-29 1963-02-04 Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium CH396228A (de)

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