CH397871A - Verfahren zur Herstellung einer grossflächigen, ebenflächigen gleichrichtenden Sperrschicht gesteuerter Tiefe in einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer grossflächigen, ebenflächigen gleichrichtenden Sperrschicht gesteuerter Tiefe in einer Halbleiterscheibe

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CH397871A
CH397871A CH1081760A CH1081760A CH397871A CH 397871 A CH397871 A CH 397871A CH 1081760 A CH1081760 A CH 1081760A CH 1081760 A CH1081760 A CH 1081760A CH 397871 A CH397871 A CH 397871A
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10P10/00—
    • H10P32/12—
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    • H10P95/00—
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CH1081760A 1959-09-29 1960-09-26 Verfahren zur Herstellung einer grossflächigen, ebenflächigen gleichrichtenden Sperrschicht gesteuerter Tiefe in einer Halbleiterscheibe CH397871A (de)

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