CH347579A - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher DotierungInfo
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES42354A DE1105621B (de) | 1955-01-13 | 1955-01-13 | Verfahren zur Beeinflussung der Kristallisation aus einer Schmelze aus Halbleitergrundstoff nach dem Stufen-ziehverfahren unter Anwendung des Peltier-Effektes |
DE347579X | 1955-01-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH347579A true CH347579A (de) | 1960-07-15 |
Family
ID=39187020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH347579D CH347579A (de) | 1955-01-13 | 1956-01-12 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH347579A (ja) |
DE (2) | DE1105621B (ja) |
GB (1) | GB813841A (ja) |
NL (1) | NL105554C (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB844813A (en) * | 1957-05-01 | 1960-08-17 | Sylvania Electric Prod | Zone melting apparatus |
NL247569A (ja) * | 1959-01-22 | |||
NL301226A (ja) * | 1962-12-03 | |||
DE1262978B (de) * | 1965-01-05 | 1968-03-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereinkristalls |
DE1297584B (de) * | 1965-02-02 | 1969-06-19 | Akademie D Wissenschaften Berl | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
DE1282612B (de) * | 1965-08-26 | 1968-11-14 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren zur Homogenisierung der Dotierungsstoffe in Halbleitereinkristallen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE514119A (ja) * | 1951-09-13 |
-
0
- NL NL105554D patent/NL105554C/xx active
-
1955
- 1955-01-13 DE DES42354A patent/DE1105621B/de active Pending
- 1955-01-14 DE DES42295A patent/DE964708C/de not_active Expired
-
1956
- 1956-01-12 CH CH347579D patent/CH347579A/de unknown
- 1956-01-13 GB GB1283/56A patent/GB813841A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB813841A (en) | 1959-05-27 |
DE1105621B (de) | 1961-04-27 |
NL105554C (ja) | |
DE964708C (de) | 1957-05-29 |
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