CH347579A - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung

Info

Publication number
CH347579A
CH347579A CH347579DA CH347579A CH 347579 A CH347579 A CH 347579A CH 347579D A CH347579D A CH 347579DA CH 347579 A CH347579 A CH 347579A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
zones
production
different doping
semiconductor crystals
crystals
Prior art date
Application number
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Heinz Dr Dorendorf
Heinz Dr Henker
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH347579A publication Critical patent/CH347579A/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04CELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
    • G04C11/00Synchronisation of independently-driven clocks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • C30B15/18Heating of the melt or the crystallised materials using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
CH347579D 1955-01-13 1956-01-12 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung CH347579A (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES42354A DE1105621B (de) 1955-01-13 1955-01-13 Verfahren zur Beeinflussung der Kristallisation aus einer Schmelze aus Halbleitergrundstoff nach dem Stufen-ziehverfahren unter Anwendung des Peltier-Effektes
DE347579X 1955-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH347579A true CH347579A (de) 1960-07-15

Family

ID=39187020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH347579D CH347579A (de) 1955-01-13 1956-01-12 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH347579A (ja)
DE (2) DE1105621B (ja)
GB (1) GB813841A (ja)
NL (1) NL105554C (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB844813A (en) * 1957-05-01 1960-08-17 Sylvania Electric Prod Zone melting apparatus
NL247569A (ja) * 1959-01-22
NL301226A (ja) * 1962-12-03
DE1262978B (de) * 1965-01-05 1968-03-14 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleitereinkristalls
DE1297584B (de) * 1965-02-02 1969-06-19 Akademie D Wissenschaften Berl Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes
DE1282612B (de) * 1965-08-26 1968-11-14 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Verfahren zur Homogenisierung der Dotierungsstoffe in Halbleitereinkristallen

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE514119A (ja) * 1951-09-13

Also Published As

Publication number Publication date
GB813841A (en) 1959-05-27
DE1105621B (de) 1961-04-27
NL105554C (ja)
DE964708C (de) 1957-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH416582A (de) Verfahren zum Herstellen von kristallischem Silizium für Halbleiteranordnungen
CH384082A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
CH346864A (de) Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidkristallen durch Sublimation
CH362061A (de) Verfahren zum Herstellen von reinem Bornitrid
CH425738A (de) Verfahren zur Gewinnung von kristallinem Halbleitermaterial
CH416576A (de) Verfahren zum Herstellen von Körpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial
CH426745A (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen, einkristallinen halbleitenden Schichten
CH342657A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
CH357121A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
CH373903A (de) Verfahren zum tiegellosen Zonenziehen von Halbleitermaterial
CH341910A (de) Verfahren zum Herstellen stabförmiger Halbleiterkristalle
CH414865A (de) Verfahren zum Herstellen von gleichzeitig mehreren Halbleiterbauelementen
CH336903A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern mit aneinandergrenzenden Zonen verschiedener Leitfähigkeit
CH426742A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium
CH347579A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung
AT317316B (de) Verfahren zum Herstellen von III - V - Halbleitereinkristallen für elektrolumineszierende Halbleiterbauelemente
CH449590A (de) Verfahren zum Herstellen von III-V-Verbindungen in kristalliner Form
CH485327A (de) Verfahren zum Herstellen von Fotolackmasken für Halbleiterzwecke
CH440227A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkristallen, mit einstellbarer Fremdstoffkonzentration
CH433191A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Halbleitermaterial
CH367898A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
FR1170750A (fr) Procédé de production de cyanoalkylsilanes
CH413110A (de) Verfahren zum Herstellen von gesinterten Halbleiterkörpern
FR1169052A (fr) Procédé de production de gamma-cyanopropylsilanes
CH369830A (de) Verfahren zum Herstellen von stabförmigen Halbleiterkörpern