BRPI0822520B1 - Sistema de plasma - Google Patents

Sistema de plasma Download PDF

Info

Publication number
BRPI0822520B1
BRPI0822520B1 BRPI0822520-6A BRPI0822520A BRPI0822520B1 BR PI0822520 B1 BRPI0822520 B1 BR PI0822520B1 BR PI0822520 A BRPI0822520 A BR PI0822520A BR PI0822520 B1 BRPI0822520 B1 BR PI0822520B1
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
vacuum
vacuum chamber
plasma
conduit
substrate
Prior art date
Application number
BRPI0822520-6A
Other languages
English (en)
Inventor
Ricardo Enrique Biana
Original Assignee
Alytus Corporation S.A.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alytus Corporation S.A. filed Critical Alytus Corporation S.A.
Publication of BRPI0822520A2 publication Critical patent/BRPI0822520A2/pt
Publication of BRPI0822520B1 publication Critical patent/BRPI0822520B1/pt

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

sistema de plasma sistema e técnica para deposição química a vapor assistida por plasma (pecvo) em que superfícies selecionadas de substratos tubulares podem ser tratadas pela deposição de filmes finos de um material desejado, em que um dos eletrodos empregados no sistema de plasma é formado pelo substrato ou peça, sem a necessidade de reatores de plasma volumosos.

Description

SISTEMA DE PLASMA
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
Campo da invenção
A presente invenção se relaciona ao campo da deposição de filmes pelo uso de plasma e, mais particularmente, se refere a uma nova técnica e sistema para deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD - Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), em que superfícies selecionadas de substratos tubulares podem ser tratadas pela deposição de filmes finos de um material desejado, com um sistema inventivo direto e simples, em que um dos eletrodos 10 empregados no sistema de plasma é formado pelo mencionado substrato ou peça, sem a necessidade de reatores de plasma volumosos.
Descrição do estado prévio da técnica
A Deposição Química a Vapor Assistida por Plasma (PECVD - PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition) é um processo baseado no uso de um gás 15 ionizado geralmente denominado plasma. Plasma é qualquer gás em que uma percentagem significativa dos átomos ou moléculas se encontra ionizada.
Plasma é um estado da matéria, distinto dos gases comuns e possui propriedades únicas. O termo ionizado refere-se à presença de um ou mais elétrons livres, que não estão ligados a um átomo ou molécula. As cargas elétricas livres tornam o 20 plasma eletricamente condutor, de forma que ele responde fortemente aos campos elétricos, magnéticos e eletromagnéticos.
Diferentes tipos de plasma podem ser formados pelo aquecimento e ionização de um gás, afastando os elétrons dos átomos, permitindo que as cargas positivas e negativas se movam mais livremente. As propriedades do plasma 25 permitem realizar um processo, especificamente o PECVD, para depositar filmes
2/13 finos, partindo de um estado gasoso (vapor) para um estado sólido, sobre algum substrato, como uma peça. A deposição a plasma é geralmente realizada sob descarga de RF (radiofrequência), freqüência de CA (corrente alternada), ou CC (corrente contínua) entre dois eletrodos, em que a região entre os eletrodos é preenchida com os gases reagentes. O substrato é exposto a estes gases reagentes e a deposição resulta em um filme quimicamente aderido, ou integrado, à superfície do substrato. O plasma é normalmente mais positivo do que qualquer objeto com o qual esteja em contato, caso contrário, um grande fluxo de elétrons fluiría do plasma para o objeto. A tensão elétrica entre o plasma e os objetos com os quais esteja em contato cai normalmente ao longo de uma região da camada fina. Os átomos ou moléculas ionizadas que se difundem para a borda da região de película sofrem uma força eletrostática e são acelerados em direção à superfície vizinha. Assim, todas as superfícies expostas ao plasma recebem bombardeamento energético de íons.
Diversos tipos de reatores de plasma são conhecidos na técnica, e todos eles são basicamente compostos por uma volumosa câmara de vácuo fechada, com dois eletrodos instalados em seu interior. Os eletrodos são conectados respectivamente a cargas elétricas opostas, através das respectivas ligações externas da câmara de vácuo fechada. Um reator pode ser operado por descarga de corrente contínua (DC) que pode ser criada entre os dois eletrodos condutores, e pode ser adequado à deposição de materiais condutores. Também é possível excitar uma descarga capacitiva, aplicando-se uma corrente alternada (CA) ou sinal de radiofreqüência (RF) entre um eletrodo e as paredes condutoras de uma câmara de reator, ou entre dois eletrodos condutores cilíndricos contrapostos. O tipo de reator dependerá do tipo de peças a serem submetidas ao tratamento.
A câmara possui várias conexões para receber os gases de processo e os
3/13 materiais precursores necessários à reação química sob um campo eletromagnético, elétrico, ou de RF. O plasma é gerado no interior da câmara de vácuo e o substrato é posicionado na câmara de vácuo, de maneira a ser exposto ao plasma e a receber o material como uma deposição, para formar a película de cobertura ou de revestimento desejada. As câmaras de vácuo podem ser pequenas ou grandes, dependendo das peças que devam comportar. Porém, geralmente, utilizam-se câmaras volumosas, para que se tenha capacidade suficiente para comportar todos os tipos de peças. Sempre, no interior da câmara, a peça inteira é exposta ao plasma, e a deposição será realizada em todas as superfícies expostas da peça.
Uma preocupação frequente consiste em que algumas peças volumosas não podem ser tratadas, devido à inexistência de reatores de plasma adequados; ademais, projetar e fabricar um reator especial para um determinado tipo de peça poderá não ser economicamente viável. Outra preocupação reside em que o plasma causa a deposição de filme por todas as superfícies da peça, no interior da câmara 15 de vácuo, mesmo quando, em alguns casos, deseja-se a deposição sobre apenas algumas partes ou superfícies do substrato. Para trabalhos especiais, pode-se desejar a deposição somente em superfícies selecionadas da peça, como por exemplo, a superfície interna de um tubo, cano ou conduto. Se um tubo for introduzido na câmara de vácuo, embora a deposição possa não ser necessária na 20 superfície externa do tubo, todas as superfícies do mesmo serão recobertas pela deposição de filme. Geralmente, o tratamento só é necessário na superfície interna de um tubo. Um exemplo claro está na reciclagem [reutilização] de tubos usados, ou na proteção de novas tubulações, em qualquer indústria e, em particular, no setor petrolífero. Considerando-se as dimensões dos tubos envolvidos, câmaras de 25 plasma para este serviço não estão facilmente disponíveis.
4/13
Sob as circunstâncias acima, seria muito conveniente dispor de uma técnica e sistema novos para a realização de PECVD em peças tubulares, tanto de pequenas dimensões quanto de grande porte, bem como para a obtenção de uma deposição seletiva, em apenas algumas partes da peça em tratamento, sem a necessidade de um sistema volumoso e instalações fixas.
RESUMO DA INVENÇÃO
É, portanto, um objetivo da presente invenção prover um novo equipamento ou sistema que seja simples, direto e economicamente conveniente para a deposição de plasma em substratos e peças que exijam grande espaço e/ou deposição seletiva.
Constitui, ainda, um outro objetivo da presente invenção prover um novo sistema e técnica para trabalhos especiais, tais como aqueles em que se deseje a deposição somente em superfícies selecionadas da peça, como, por exemplo, somente na superfície interna de um duto ou conduto, para reciclagem [reutilização] e/ou proteção do mesmo, em setores industriais como, por exemplo, o setor petrolífero.
Um objetivo adicional da presente invenção consiste em prover um sistema e tecnologia novos, para tratamento de uma superfície desejada, em peças tubulares tais como dutos, tubulações, condutos, barris, tambores, contentores, tanques e similares, com pelo menos uma extremidade aberta, sem a necessidade de câmaras volumosas ou instalações fixas.
Um objetivo adicional da presente invenção consiste em prover um sistema e tecnologia novos, para tratamento de grandes tubulações, tais como condutos, dutos e revestimentos, na indústria petrolífera, em que o sistema seja pequeno e portátil.
Um objetivo adicional da presente invenção consiste em prover um sistema e
5/13 técnica para deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD - PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition) em que superfícies selecionadas de substratos tubulares podem ser tratadas através do depósito de filmes finos de um material desejado, em que a câmara de vácuo e um dos eletrodos empregados no sistema de plasma são formados pelo substrato ou peça, sem a necessidade de reatores de plasma volumosos.
Um objetivo adicional da presente invenção consiste em prover um sistema de plasma para deposição química a vapor assistida por plasma, compreendendo: uma câmara de vácuo,
- pelo menos dois eletrodos,
- um substrato ou peça, e
- um material a ser ionizado para deposição sobre pelo menos uma superfície desejada do substrato, em que o substrato compreende uma peça tubular possuindo duas extremidades, com pelo menos uma das duas extremidades sendo uma extremidade aberta, fechada por uma tampa removível, de forma que a câmara de vácuo seja definida pela peça de trabalho e pela tampa, e em que a peça de trabalho defina um dos eletrodos, com o outro dos dois eletrodos se estendendo através da tampa e no interior da peça de trabalho, e com pelo menos uma superfície desejada do substrato sendo definida por uma superfície interna da peça de trabalho tubular.
Os objetivos acima e os demais objetivos, recursos e vantagens desta invenção serão mais bem compreendidos quando considerados em conjunto com os desenhos e descrição anexados.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
A presente invenção é ilustrada através de exemplos, nos desenhos a seguir,
6/13 em que:
A Figura 1 apresenta uma representação esquemática de um sistema de plasma de acordo com o estado prévio da técnica;
A Figura 2 apresenta uma vista em perspectiva de um reator de plasma e câmara de vácuo para peças de grandes dimensões, também de acordo com o estado prévio da técnica;
A Figura 3 apresenta uma vista esquemática do sistema de plasma de acordo com uma concretização preferida da invenção;
A Figura 4 apresenta uma vista de seção transversal do sistema de plasma da Figura 3;
A Figura 5 apresenta uma vista de seção transversal de um sistema de plasma de acordo com uma outra concretização da invenção;
A Figura 6 apresenta uma vista de seção transversal do eletrodo central, mostrando em maior detalhe os condutos de gás e de precursor, com os respectivos bicos de difusão, bem como o conduto de vácuo tendo as aberturas de sucção abertas no interior da câmara de vácuo, de acordo com a concretização da Figura 4; e
A Figura 7 apresenta uma vista de seção transversal do eletrodo central, mostrando em maior detalhe os condutos de precursor e de gás, com os respectivos bicos de difusão, bem como o conduto de vácuo tendo as aberturas de sucção abertas no interior da câmara de vácuo, de acordo com a concretização da Figura 5. DESCRIÇÃO DAS CONCRETIZAÇÕES PREFERIDAS
Agora, em referência detalhada aos desenhos, nos referiremos primeiramente a alguns sistemas do estado prévio da técnica, conforme mostrados nas Figuras 1 e 2. Um sistema de plasma muito bem conhecido, para Deposição Química a Vapor
7/13
Assistida por Plasma (PECVD - Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), está esquematicamente ilustrado na Figura 1. O sistema consiste basicamente de uma câmara de vácuo definida por um contentor ou recipiente adequado, para receber um substrato ou peça a ser submetida ao tratamento a plasma. Dois eletrodos localizados no interior da câmara geram as condições de campo para a reação dos gases de processo injetados na referida câmara, sob o controle, por exemplo, de válvulas de gás. Com a finalidade de iniciar o processo para atingir as condições para a mencionada reação, forma-se vácuo no interior da câmara, pela utilização de uma a bomba. A peça é aquecida, os gases são injetados, e são iniciadas as condições de campo para se obter a região de plasma. A peça está agora em condições de ser tratada. Com a finalidade de executar o tratamento a plasma de um substrato ou peça já localizados no interior da câmara, esta é evacuada pelo uso de uma bomba. Então, o gás ou gases de processo é/são injetado(s) na câmara e a ignição é iniciada pela aplicação do campo. Algumas vezes, o aquecimento do recipiente é feito pela utilização de aquecedores periféricos não ilustrados. Durante um período de tempo determinado, o plasma depositará o material precursor sobre a peça e, quando esse tempo já houver decorrido, de acordo com determinado programa de tratamento, a câmara será ventilada e a peça tratada será removida.
O esquema acima é encontrado basicamente em todos os sistemas de plasma, os quais podem ser de diversos tipos, dependendo da forma, tamanho e outros parâmetros do substrato. Por exemplo, o recipiente da Figura 1 pode abrigar um tambor rotativo (não mostrado) projetado para conter os substratos ou peças em tratamento, sob a forma de material a granel. Com a rotação do tambor, as amostras se movimentam em seu interior, com a finalidade de receber uma deposição de filme uniforme e completa. Em outros tipos de sistemas, o eletrodo no interior da câmara
8/13 pode ser projetado para ser adaptado à forma do substrato e, até mesmo em outro tipo (não mostrado), quando folhas e mantas devam ser tratadas, a câmara pode incluir um par de eletrodos paralelos, de frente para a folha que é acomodada em um mecanismo bobinamento, todos no interior da câmara de vácuo. Outro tipo de sistema pode se caracterizar por um grande recipiente, como mostrado na Figura 2, com uma porta fechando o acesso para pessoal, e um grande espaço com uma pluralidade de bandejas internas, para organizar diversos substratos ou peças.
Em todos estes casos, o sistema compreende um contentor ou recipiente definindo a câmara de vácuo, cuja forma e cujo tamanho dependerão da forma e tamanho da(s) peça(s). Isto pode tornar o sistema dramaticamente volumoso, como mostrado na Figura 2, e levar à necessidade de instalações fixas e edificações. Se, por exemplo, tiverem de ser tratados substratos como tubulações para a indústria do petróleo, revestimentos, tanques ou tambores, o recipiente para a câmara de vácuo deverá ser grande e longo, com os inconvenientes de espaço disponível e de custos em que isto implicaria.
O inventor enfrentou o problema, quando necessitou de um sistema de plasma para tratar peças de grandes dimensões, como tubos de revestimento, tubos e tubulações para a indústria de petróleo e outras indústrias pesadas, sem câmaras de vácuo facilmente disponíveis para tais substratos. Outro problema abordado pelo inventor consistia em executar uma deposição seletivamente, em peças nas quais nem todas as partes ou superfícies precisavam ser tratadas, enquanto somente superfícies selecionadas haviam sido projetadas para serem tratadas por plasma.
Agora, em conexão com a presente invenção, enquanto a presente descrição fará referência específica à aplicação do sistema inventivo a substratos ou peças
9/13 tubulares cilíndricas, tais como tubos, condutos e tubulações, ficará prontamente, aparente para qualquer especialista na técnica, que o sistema pode ser formado por qualquer outra forma de uma peça em que, com os ensinamentos da invenção, pelo menos uma parte da peça defina pelo menos uma parte das paredes da câmara de vácuo e um dos eletrodos do sistema.
Como mostrado nas Figuras 3-7, a invenção provê um sistema de plasma para deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD), preferivelmente utilizado para tratamento de substratos ou peças tais como peças tubulares e similares. As peças tubulares podem incluir dutos, tubulações, condutos, tanques, caldeiras, tambores, contentores e similares. Embora os corpos cilíndricos ou de revolução sejam preferíveis, as peças tubulares podem ter quaisquer secções convenientes, tais como seções quadradas, seções poligonais, seções ovais, incluindo pescoços de ganso e cotovelos, e similares. Como qualquer sistema de plasma convencional, o novo sistema é composto basicamente de uma câmara de vácuo, pelo menos dois eletrodos, um substrato ou peça a ser tratada, e um material a ser ionizado, para deposição sobre pelo menos uma superfície desejada do substrato.
De acordo com a invenção, no novo sistema, o substrato compreende uma peça tubular possuindo duas extremidades,com pelo menos uma das duas extremidades sendo uma extremidade aberta, fechada por uma tampa removível, de forma que a câmara de vácuo seja definida pela peça de trabalho e pela tampa, e em que a peça de trabalho defina um dos eletrodos, com o outro dos dois eletrodos se estendendo através da tampa e no interior da peça de trabalho, e com pelo menos uma superfície desejada do substrato sendo definida por uma superfície interna da peça de trabalho tubular.
10/13
Mais particularmente, o sistema inventivo, conforme mostrado na Figura 3, compreende uma câmara de vácuo 1, definida ou encerrada ao menos parcialmente pelo substrato ou peça (que consiste de uma peça tubular 2), e pelo menos dois eletrodos, em que um eletrodo é definido pelo substrato ou peça 2, formando um eletrodo periférico, e o outro eletrodo é definido por um eletrodo central, preferivelmente um eletrodo central tubular 3. O substrato ou peça tubular 2 possui duas extremidades, nomeadamente extremidade 4 e extremidade 5, sendo ambas as extremidades abertas, conforme mostrado na concretização da Figura 4, ou uma extremidade sendo parcialmente ou completamente fechada, conforme mostrado na concretização da Figura 5. Um duto provavelmente terá ambas as extremidades abertas, enquanto a tambor, por exemplo, terá uma extremidade fechada.
Agora, nos referiremos à concretização da Figura 4, em que ambas as extremidades 4, 5 serão conectadas às respectivas tampas removíveis 6, 7, com a finalidade de manter a câmara 1 adequadamente fechada, para manter o vácuo em seu interior e para conter em segurança as reações físico-químicas. Portanto, de acordo com um aspecto importante da invenção, a câmara de vácuo é definida pelo substrato e pelas tampas. As tampas 6, 7 podem ser feitas qualquer material apropriado, eletricamente não-condutivo, e resistente a altas temperaturas, da ordem de 1000°C. As tampas 6, 7 podem ser fixadas às extremidades 4, 5 por quaisquer meios, tais como conexões roscadas, conexões de fricção etc. e serão dotadas de orifícios 8, 9, através dos quais o eletrodo central poderá passar, para ter as suas respectivas extremidades situadas no lado externo da câmara de vácuo. Para fins de clareza, o eletrodo central da concretização da Figura 4 será indicado pelo número de referência 3a, e o eletrodo central da concretização da Figura 5 será indicado por 3b e, quando se fizer referência ao eletrodo 3, isto significará que a
ι.
11/13 referência é aplicável ao eletrodo 3a e/ou 3b. Meios de vedação, tais como O-rings 10, 11, também põem ser arranjados entre os orifícios 8, 9 e o eletrodo central 3. O conjunto de tampas e substrato pode ser girado pela utilização de um motor 12, com meios de transmissão 13, tais como engrenagens, correias, e similares, sendo o conjunto suportado pelos correspondentes mancais, tais como rolamentos, 14, 15 ou equivalentes (Figuras 5, 6).
Também de acordo com a invenção, o eletrodo central, constituído de uma estrutura de eletrodo tubular, possui uma pluralidade de condutos em comunicação fluida com a câmara de vácuo, com a finalidade de alimentar gás de processo e material precursor ao interior da referida câmara de vácuo, para obter a reação necessária para gerar a desejada deposição somente sobre a superfície interna 16, do substrato tubular. Esta é uma deposição seletiva obtida pelo sistema inventivo. O gás de processo pode ser fornecido por uma fonte de gás 17, tal como um cilindro ou tanque, através de condutos externos 18, possuindo dispositivos de controle de vazão 19, para administrar o suprimento de gás ao interior da câmara de vácuo. De forma similar, o material precursor pode ser fornecido por uma fonte de material precursor 20 através de condutos externos 21, também possuindo dispositivos de controle de vazão 22, para administrar o suprimento ao interior da câmara de vácuo. De acordo com a concretização das Figuras 3, 4, um conduto externo 23, conectado a uma bomba de sucção 24, é empregado para criar vácuo no interior da câmara 1. Conforme mostrado na Figura 3, pode-se prover um manômetro 25 em pelo menos uma das tampas, e uma fonte de campo 26 será conectada aos eletrodos 3 e 2, para proporcionar um campo de alta-freqüência, ou campo de micro-ondas, ou campo de energia pulsante, ou campo de RF, ou campo de CC, ou campo de CA, etc. Caso o processo exija aquecimento, também se poderá prover uma pluralidade de
12/13 aquecedores 27 (dos quais somente dois foram ilustrados), como é conhecido na técnica.
A pluralidade de condutos do eletrodo tubular inclui pelo menos um conduto de gás 28, para conduzir o gás de processo através do conduto externo 18, da fonte de gás 17 ao interior da câmara de vácuo, pelo menos um conduto de precursor 29, para conduzir um material precursor através de conduto externo 21, da fonte 20 ao interior da câmara de vácuo, e pelo menos um conduto de vácuo 30, para gerar vácuo no interior da câmara de vácuo, a partir da bomba 24, através de conduto externo 23. Geralmente, em quaisquer das concretizações das Figuras 3, 4 e Figura 5, os condutos são preferivelmente arranjados concentricamente, no eletrodo tubular. Os condutos 28, 29 possuem os respectivos bicos de difusão 31, 32 abertos no interior da câmara de vácuo para prover (conforme indicado nas Figuras 6, 7, pelas setas saindo dos bicos) gás de processo e material precursor, respectivamente. No que se refere ao conduto de vácuo, o mesmo é dotado de pelo menos uma abertura de sucção 33, também abertas para o interior da câmara de vácuo, com a finalidade de evacuar a câmara (conforme mostrado pelas setas entrando nas aberturas 33, nas Figuras 6, 7). O eletrodo tubular possui as suas extremidades situadas fora da peça, para permitir as conexões entre os diversos condutos do interior do dito eletrodo e as fontes de gás, de material, e a bomba.
De acordo com uma outra concretização da invenção, ilustrada nas Figuras 5 e 7, o substrato tubular pode possuir uma extremidade fechada, indicada pelo número de referência 34. Nesta concretização, é empregada somente uma tampa 6, uma vez que o eletrodo central 3b não atravessa a extremidade 34 para sair da câmara de vácuo. O processo e sistema são similares aos da concretização das Figuras 3, 4, exceto pelo fato de que os condutos de vácuo 23, 30 e as aberturas de
13/13 vácuo 33 estão arranjados no lado esquerdo, juntamente com os condutos para os gases de processo de precursor. Em ambas as concretizações, o eletrodo central 3 é projetado de tal forma que a seja garantido um suprimento uniforme e contínuo de gases e sejam atingidos valores de vácuo suficientes.
Ainda de acordo com a invenção, o gás de processo pode incluir argônio, hidrogênio, nitrogênio, hélio, metano, oxigênio, e misturas dos mesmos, e o material precursor pode ser qualquer gás capaz de ser ionizado, mas de preferência diclorosilano, silano e óxido, amônia, nitrogênio, titanatos, cromatos, aluminatos, e misturas dos mesmos. A peça ou substrato 2 pode incluir quaisquer materiais, tais 10 como metais, vidro, plásticos, cerâmicas, fibras de carbono e suas misturas. A forma e o tipo das peças podem ser dutos, tubos, condutos, barris, tambores, caixas esféricas, etc. e suas combinações, incluindo pescoços de ganso e cotovelos.
Conquanto tenham sido descritas e ilustradas concretização preferidas da presente invenção, estará óbvio, para aqueles hábeis na técnica, que diversas 15 mudanças e modificações podem ser feitas, sem se afastar do âmbito da invenção, tal como definido nas reivindicações anexadas.

Claims (8)

  1. REIVINDICAÇÕES
    1. SISTEMA DE PLASMA PARA DEPOSIÇÃO QUÍMICA A VAPOR ASSISTIDA POR PLASMA, compreendeendo:
    uma câmara de vácuo, pelo menos dois eletrodos, um substrato, e um material a ser ionizado para deposição sobre pelo menos uma superfície desejada do substrato, em que o substrato compreende uma peça tubular possuindo duas extremidades, com pelo menos uma das duas extremidades sendo uma extremidade aberta, fechada por uma tampa removível, de forma que a câmara de vácuo seja definida pela peça de trabalho e pela tampa, e em que a peça de trabalho defina um dos eletrodos, com o outro dos dois eletrodos se estendendo através da tampa e no interior da peça de trabalho, e com pelo menos uma superfície desejada do substrato sendo definida por uma superfície interna da peça de trabalho tubular; e pelo menos dois eletrodos incluírem um eletrodo periférico formado pela peça tubular e um eletrodo central formado pelo referido outro eletrodo;
    pelo eletrodo central compreender um eletrodo tubular possuindo uma pluralidade de condutos em comunicação fluida com a câmara de vácuo, caracterizado pelo fato de que pela pluralidade de condutos do eletrodo tubular incluir pelo menos um conduto de gás para conduzir gás de processo ao interior da câmara de vácuo, pelo menos um conduto de precursor para conduzir um material precursor ao interior da câmara de vácuo, e pelo menos um conduto de vácuo para gerar vácuo no interior da câmara de vácuo; e cada um dos condutos de gás e o conduto precursor serem dotados de bicos de
    Petição 870190018189, de 22/02/2019, pág. 5/19
  2. 2/3 difusão, no interior da câmara de vácuo, e o conduto de vácuo seja dotado de pelo menos uma abertura de sucção, aberta no interior da câmara de vácuo.
    2. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo conduto de gás, o conduto de precursor e o conduto de vácuo serem arranjados concentricamente, no eletrodo tubular.
  3. 3. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo eletrodo tubular possuir pelo menos uma extremidade externa situada fora da peça, e a extremidade externa inclua pelo menos uma conexão de gás do conduto de gás, pelo menos uma conexão de precursor do conduto de material precursor, e pelo menos uma conexão de vácuo do conduto de vácuo, com a dita pelo menos uma conexão de gás conectada a uma fonte de gás de processo, a dita pelo menos uma conexão de precursor conectada a uma fonte de material precursor, e a dita pelo menos uma conexão de vácuo conectada a uma bomba de vácuo.
  4. 4. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo gás de processo ser selecionado a partir de um grupo consistindo de argônio, hidrogênio, nitrogênio, hélio, metano, oxigênio, e suas misturas.
  5. 5. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo material precursor ser selecionado a partir de um grupo consistindo de diclorosilano, silano e óxido, amônia, nitrogênio, titanatos, cromatos, aluminatos e suas misturas.
  6. 6. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo substrato ser selecionado a partir de um grupo consistindo de metais, vidros, plásticos, cerâmica, fibras de carbono e suas misturas.
  7. 7. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela peça ser selecionada a partir de um grupo consistindo de tubos, condutos, barris, tambores, contentores esféricos e combinações dos mesmos.
    Petição 870190018189, de 22/02/2019, pág. 6/19
    3/3
  8. 8. SISTEMA, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo eletrodo periférico formado pela peça tubular ser um tubo com duas extremidades abertas e a mencionada pelo menos uma tampa removível compreenda uma tampa removível fechando cada uma das extremidades abertas, e o eletrodo central se estenda longitudinalmente ao longo de um centro do tubo, com o referido eletrodo central passando através das tampas, de uma forma que mantenha a câmara de vácuo fechada e mantenha um isolamento elétrico com relação às tampas, com o eletrodo central possuindo duas extremidades situadas fora da câmara de vácuo.
BRPI0822520-6A 2008-03-12 2008-03-12 Sistema de plasma BRPI0822520B1 (pt)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EPPCTEP2008001967 2008-03-12
PCT/EP2008/001967 WO2009112053A1 (en) 2008-03-12 2008-03-12 Plasma system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BRPI0822520A2 BRPI0822520A2 (pt) 2015-06-16
BRPI0822520B1 true BRPI0822520B1 (pt) 2019-05-21

Family

ID=39865243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BRPI0822520-6A BRPI0822520B1 (pt) 2008-03-12 2008-03-12 Sistema de plasma

Country Status (13)

Country Link
US (1) US8505480B2 (pt)
EP (1) EP2253008B1 (pt)
JP (1) JP5458445B2 (pt)
KR (1) KR101514479B1 (pt)
CN (1) CN101971288B (pt)
AR (1) AR071923A1 (pt)
BR (1) BRPI0822520B1 (pt)
CA (1) CA2718253C (pt)
DK (1) DK2253008T3 (pt)
ES (1) ES2621951T3 (pt)
MX (1) MX2010009997A (pt)
RU (1) RU2476953C2 (pt)
WO (1) WO2009112053A1 (pt)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2476953C2 (ru) 2008-03-12 2013-02-27 Алитус Корпорейшн, С.А. Плазменная система
US7985188B2 (en) 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
DK2251454T3 (da) 2009-05-13 2014-10-13 Sio2 Medical Products Inc Coating og inspektion af beholder
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8715789B2 (en) * 2009-12-18 2014-05-06 Sub-One Technology, Inc. Chemical vapor deposition for an interior of a hollow article with high aspect ratio
CN102238795A (zh) * 2010-04-28 2011-11-09 盐城豪瑞达实业有限公司 一种惰性气体保护电弧等离子体石墨电极抗氧化烧蚀损耗的技术
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
EP2683836B1 (en) * 2011-03-10 2021-02-17 Kaiatech, Inc. Method and apparatus for treating containers
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US20120312233A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Ge Yi Magnetically Enhanced Thin Film Coating Method and Apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
DE102012103425A1 (de) 2012-04-19 2013-10-24 Roth & Rau Ag Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
CN102905455A (zh) * 2012-10-17 2013-01-30 浙江理工大学 对织物或聚合物薄膜连续聚合改性的大气压等离子体系统
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
CN102942950B (zh) * 2012-11-16 2015-01-28 中科合成油技术有限公司 一种提质重质碳氢化合物生产轻质油品的方法及其等离子体加氢反应器
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
KR102211788B1 (ko) 2013-03-11 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 코팅된 패키징
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
JP6277398B2 (ja) * 2013-08-27 2018-02-14 株式会社ユーテック プラズマｃｖｄ装置及び配管内の成膜方法
CN106062246B (zh) * 2014-03-03 2020-05-08 皮考逊公司 用ald涂层保护中空体的内部
JP6302082B2 (ja) * 2014-03-03 2018-03-28 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
KR101594904B1 (ko) * 2014-09-19 2016-02-18 재단법인 포항산업과학연구원 플라즈마 코팅장치
KR20180048694A (ko) 2015-08-18 2018-05-10 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기
CN108559977B (zh) * 2018-01-22 2020-11-20 大连理工大学 一种在细长金属管内壁低温涂层的方法及设备
CN108601192B (zh) * 2018-06-25 2019-07-12 超力等离子技术(常州)有限公司 一种等离子发生器
JP6595671B2 (ja) * 2018-07-20 2019-10-23 ピコサン オーワイ Ａｌｄコーティングによる中空ボディ内面の保護
US11371137B2 (en) 2019-03-15 2022-06-28 Halliburton Energy Services, Inc. Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools
US11371145B2 (en) 2019-03-15 2022-06-28 Halliburton Energy Services, Inc. Depositing coatings on and within a housing, apparatus, or tool using a coating system positioned therein
CN110331373A (zh) * 2019-07-04 2019-10-15 国家电网有限公司 一种实现固体绝缘件表面电导率调控的装置及方法
CN113124683B (zh) * 2020-01-15 2022-09-27 株洲弗拉德科技有限公司 一种带上料器真空气相沉积炉
US11788189B2 (en) 2020-08-27 2023-10-17 Halliburton Energy Services, Inc. Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools utilizing pressurized cells
US11788187B2 (en) 2020-08-27 2023-10-17 Halliburton Energy Services, Inc. Depositing coatings on and within housings, apparatus, or tools utilizing counter current flow of reactants
WO2024091420A1 (en) * 2022-10-24 2024-05-02 Lam Research Corporation Showerhead with three plenums

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2030180B (en) * 1978-01-26 1983-05-25 Secr Defence Vapour deposition of metal in plasma discharge
IL74787A (en) * 1985-04-02 1988-12-30 Univ Ramot Method of depositing heat-reflecting coatings on tube and apparatus useful in such method
US5391232A (en) * 1985-12-26 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Device for forming a deposited film
JPH0651908B2 (ja) * 1985-12-28 1994-07-06 キヤノン株式会社 薄膜多層構造の形成方法
US5322568A (en) * 1985-12-28 1994-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming deposited film
JPS62167887A (ja) * 1986-01-20 1987-07-24 Nippon Kokan Kk <Nkk> 加熱式コ−テイング装置
JPS62167882A (ja) * 1986-01-20 1987-07-24 Nippon Kokan Kk <Nkk> 移動電極式コ−テイング方法
JPS62170477A (ja) 1986-01-22 1987-07-27 Nippon Kokan Kk <Nkk> 管内外面のコ−テイング方法
JPS6326373A (ja) * 1986-07-18 1988-02-03 Kobe Steel Ltd プラズマｃｖｄによる管内面のコ−テイング方法
JPH05124841A (ja) * 1991-06-12 1993-05-21 Sumitomo Electric Ind Ltd ハーメチツクコート光フアイバの製造方法
MX9303141A (es) * 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
US5308649A (en) * 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
JPH06326373A (ja) 1993-05-10 1994-11-25 Toyota Autom Loom Works Ltd 磁気抵抗半導体装置
US6112695A (en) * 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
JP3684011B2 (ja) * 1996-12-12 2005-08-17 キヤノン株式会社 プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び装置
DE19722272A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
JP3844274B2 (ja) * 1998-06-25 2006-11-08 独立行政法人産業技術総合研究所 プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ方法
US6641673B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-04 General Electric Company Fluid injector for and method of prolonged delivery and distribution of reagents into plasma
US7052736B2 (en) * 2002-06-11 2006-05-30 Southwest Research Institute Method for depositing coatings on the interior surfaces of tubular structures
US7300684B2 (en) * 2004-07-15 2007-11-27 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces of prefabricated process piping in the field
JP4664658B2 (ja) * 2004-12-02 2011-04-06 麒麟麦酒株式会社 プラズマｃｖｄ成膜装置及びガスバリア性を有するプラスチック容器の製造方法
US7608151B2 (en) * 2005-03-07 2009-10-27 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating sections of internal surfaces
JP5260050B2 (ja) * 2005-05-27 2013-08-14 麒麟麦酒株式会社 ガスバリア性プラスチック容器の製造装置及びその容器の製造方法
RU2311492C1 (ru) * 2006-04-28 2007-11-27 Виктор Иванович Чайрев Устройство для высокоскоростного магнетронного распыления
JP4382784B2 (ja) * 2006-08-17 2009-12-16 ふくはうちテクノロジー株式会社 ダイヤモンドライクカーボン膜の製膜装置
US8029875B2 (en) * 2007-05-23 2011-10-04 Southwest Research Institute Plasma immersion ion processing for coating of hollow substrates
RU2476953C2 (ru) 2008-03-12 2013-02-27 Алитус Корпорейшн, С.А. Плазменная система

Also Published As

Publication number Publication date
CA2718253C (en) 2016-04-19
KR101514479B1 (ko) 2015-04-22
AR071923A1 (es) 2010-07-28
JP5458445B2 (ja) 2014-04-02
JP2011513593A (ja) 2011-04-28
US8505480B2 (en) 2013-08-13
CN101971288B (zh) 2012-09-05
ES2621951T3 (es) 2017-07-05
MX2010009997A (es) 2010-12-14
WO2009112053A1 (en) 2009-09-17
RU2010140972A (ru) 2012-04-20
KR20110006655A (ko) 2011-01-20
BRPI0822520A2 (pt) 2015-06-16
EP2253008B1 (en) 2017-02-01
EP2253008A1 (en) 2010-11-24
CA2718253A1 (en) 2009-09-17
RU2476953C2 (ru) 2013-02-27
US20110030617A1 (en) 2011-02-10
CN101971288A (zh) 2011-02-09
DK2253008T3 (en) 2017-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0822520B1 (pt) Sistema de plasma
US7967945B2 (en) RF antenna assembly for treatment of inner surfaces of tubes with inductively coupled plasma
JP2828257B2 (ja) 大面積マイクロ波プラズマ装置
JP4584722B2 (ja) プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子
JP2008069402A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
CA2772178A1 (en) Penetrating plasma generating apparatus for high vacuum chambers
US11898241B2 (en) Method for a treatment to deposit a barrier coating
JP2009224269A (ja) プラズマ装置、プラズマ処理ユニット及びプラズマ処理方法
JP5508651B2 (ja) 流体加熱装置およびそれを用いた基板処理装置
JP2017150023A (ja) リモートプラズマ処理装置
WO2011024174A1 (en) Penetrating plasma generating apparatus for high vacuum chambers
KR20120110850A (ko) 플라즈마 일체형 패럴린 코팅장치
US20130175927A1 (en) Plasma treatment apparatus using leakage current transformer
CN210458360U (zh) 布气结构
JP7561902B2 (ja) 基板処理装置及び方法
KR20180093685A (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR20070024912A (ko) 반응가스 가열 수단
WO2024054162A1 (en) A nano tube production chamber and production method
TW202025243A (zh) 輻射裝置、用於在一基板上沉積一材料的沉積設備、及利用一沉積設備用於在一基板上沉積一材料的方法
WO2023172141A1 (en) Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition
KR20030030767A (ko) 플라즈마를 이용한 금속의 표면처리장치
JP2011114230A (ja) 基板処理装置
CN102140630A (zh) 镀膜装置
JPH02115363A (ja) プラスマ処理−真空蒸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
B06T Formal requirements before examination [chapter 6.20 patent gazette]
B06F Objections, documents and/or translations needed after an examination request according [chapter 6.6 patent gazette]
B09A Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette]
B16A Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 21/05/2019, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. (CO) 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 21/05/2019, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS