BRPI0616443A2 - processo para a produção de monossilano - Google Patents

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BRPI0616443A2
BRPI0616443A2 BRPI0616443-9A BRPI0616443A BRPI0616443A2 BR PI0616443 A2 BRPI0616443 A2 BR PI0616443A2 BR PI0616443 A BRPI0616443 A BR PI0616443A BR PI0616443 A2 BRPI0616443 A2 BR PI0616443A2
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BR
Brazil
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reactor
product
countercurrent reactor
countercurrent
trichlorosilane
Prior art date
Application number
BRPI0616443-9A
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English (en)
Inventor
Peter Adler
Yurity Kasatkin
Adolf Petrik
Leonid Schwarzmann
Raymund Sonnesnchein
Original Assignee
Evonik Degussa Gmbh
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Abstract

PROCESSO PARA A PRODUçãO DE MONOSSILANO. A presente invenção refere-se a uma instalação e a um processo para a produção contínua de monossilano e de tetraclorossilano através da dismutação catalítica do triclorossilano em uma temperatura de operação e a uma pressão a partir de 100 a 5000 KPa (1 a 50 bar) abs., em uma instalação de acordo com a reivindicação 1 na qual o triclorossilano (A) é preaquecido em um comutador de calor (7), e alimentado para o reator 10 de contra-corrente (1) que é provido com o catalisador (3), - a mistura do produto formada no reator de contracorrente (1) é pelo menos condensada por meio do condensador (5) em uma temperatura na faixa a partir de -25 até 50<198>C com o condensado fluindo de volta para o interior do reator de contracorrente (1), - a fase do produto que não é condensada no condensador (5) é passada 15 a unidade de condensação (8) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -40 até -110<198>C, - a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação (8) é alimentada para a coluna de destilação (9) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -60 até -170<198>C e o monossilano (C) é descarregado no topo da coluna de destilação (9), 20 - os materiais de fundo que contêm o SiCI4 a partir do reator de contracorrente (1) são trazidos para uma temperatura na faixa a partir de 60 até 110<198>C na unidade de vaporização (6) e - o produto do fundo do vaporizador (6) é transportado através do comutador de calor (7) para o interior da parede dupla (2) do reator de contracorrente (1) e a corrente de produto que contém o SiCI4 (6) é descarregada em um nível na região superior do reator (1).

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "PROCESSOPARA A PRODUÇÃO DE MONOSSILANO".
A presente invenção refere-se a um processo contínuo para aprodução de monossilano e tetracloreto de silício através da dismutação detriclorossilano na presença de um catalisador.
O monossilano é um material de partida importante para a pro-dução de silício solar.
O monossilano é atualmente produzido geralmente através dadismutação do triclorossilano (como por exemplo, nos DE 21 62 537, DE 2507 864, DE 39 25 357, DE 33 11 650, DE 100 17 168, US 3 968 199).
Na dismutação catalítica do triclorossilano (TCS, HSiCI3), o mo-nossilano é formado junto com o co-produto tetracloreto de silício (STC, Si-Cl4) que pode ser usado, por exemplo, para a produção de Si02. Na reaçãode dismutação, o diclorossilano (DCS, H2SiCI2) e o mono-clorossilano (MCS,H3SiCI) são formados como intermediários:
2HSiCl3 Φ H2SiCl2 + SiCl4 (I)2H2SiCl2 Φ H3SiCl + HSiCl3 (II)2H3SiCl Φ SiH4 + H2SiCl2 (III)4HSiCl3 SiH4 + 3SiCl4 (IV)
Como catalisadores para a dismutação é usualmente feito usode comutadores de íon, como por exemplo, na forma de poliestirenos fun-cionalizados com amina (DE 100 57 521), suportes inorgânicos funcionaliza-dos com amina (EP 0 474 265, EP 0 285 937) ou catalisadores de organopo-lisiloxano (DE 39 25 357). Esses catalisadores podem ser introduzidos dire-tamente na coluna, tanto como um leito cheio (DE 25 07 864), em camadas(US 5 338 518, US 5 776 320), ou em uma estrutura de malha trançada (WO90/02603). Com o uma alternativa, o catalisador pode ser acomodado emum ou mais reatores externos, com entradas e saídas estando conectadas adiversos pontos na coluna de destilação(US 4 676 967, EP 0 474 265, EP 0285 937, DE 37 11 444).
Devido às propriedades físicas dos silanos envolvidos, conformea tabela 1, e a posição quase sempre não favorável do equilíbrio químico nareação de dismutação, a reação e o trabalho através de destilação são emgeral operados como um processo integrado.
TABELA 1: DADOS FÍSICOS COM RELAÇÃO AOS CLOROSSILANOS EAO MONOSSILANO.
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Desse modo, o DE 198 60 146 descreve um processo contínuopara a produção de monossilano através da dismutação catalítica de TCSem uma coluna de destilação reativa na faixa de pressão a partir de 100 a5000 Kpa (1 a 50 bar) absolutos, com a mistura do produto obtido dessa for-ma sendo temporariamente condensada em uma faixa de temperatura a par-tir de -25eC até 50eC (refluxo da fase líquida no interior da coluna) e a fasedo produto que contem o monossilano, não condensada, sendo condensadaem um condensador no topo da coluna de destilação reativa e descarregadocomo um produto final. Além disso, o SiCI4 é formado como um produto defundo de alta ebulição na coluna de destilação reativa neste processo e édescarregado a partir do sistema através de um comutador de calor.
Além, disso, os clorossilanos que no referido processo são obti-dos como a fração de fundo na corrente do produto que contem o monossi-lano em um condensador no topo da coluna de destilação reativa pode ser,pelo menos parcialmente recirculado para região de reação reativa de desti-lação da coluna.
Para compensar a desvantagem de uma baixa taxa de reaçãona referida destilação reativa, o problema é contra-atacado de uma maneiradispendiosa por meio de um volume maior de catalisador com a adição deum ou mais reatores laterais. Um rendimento ainda mais elevado com basena sílica usada poderia ser desejável. Além disso, a pureza do monossilanoobtido através do referido processo é de cerca de 98%.
Por esse motivo, foi um objetivo da presente invenção de proverum outro processo para a produção de monossilano. Um objetivo específicofoi o de evitar de forma substancial as desvantagens acima mencionadas.
O objetivo á alcançado de acordo com a invenção da maneiradescrita nas reivindicações.
Assim, foi descoberto de forma surpreendente que o monossila-no tendo um alto grau de pureza, de por exemplo, 99,5% pode ser prepara-do de forma contínua em um excelente rendimento com base em u ma sílicausada de até 98,6% do rendimento de forma estequiométrica possível juntocom o co-produto tetraclorossilano em uma temperatura e uma pressão deoperação e a partir de 100 a 5000 Kpa (1 a 50 bar) abs., de preferência apartir de 200 a 2000 Kpa (2 a 20 bar) abs., especificamente de preferência apartir de 300 a 1500 Kpa (3 a 15 bar), de forma específica a partir de 400 a1000 Kpa (4 a 10 bar) abs., quando, como esboçado nas figuras 1 e 2,
- o triclorossilano (A) é preaquecido por meio de um comutadorde calor (7), de preferência para uma temperatura na faixa a partir de 55 até65-C, especificamente até cerca de 605C, em uma pressão a partir de 100 a1000 Kpa (1 a 10 bar) abs., como indicado acima, e alimentado para um rea-tor de contracorrente (1) que está provido com o catalisador (3);
- mistura de produto formada no reator de contracorrente (1) épelo menos parcialmente condensada por meio de um condensador (5) emuma temperatura na faixa a partir de -25 até 50QC, de preferência a partir de-25 até -15QC, com o condensado fluindo de volta para dentro do reator decontracorrente (1);
- a fase do produto que não está condensada no condensador(5) é passada para a unidade de condensação (8) que é operada em umatemperatura na faixa a partir de -110 até -409C;
- a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação(8) é alimentada para a coluna de destilação 9 que é operada em uma tem-peratura na faixa a partir de -60-C até -1709C e o monossilano (C)1 tendovantajosamente uma pureza de cerca de 99,5% é descarregado no topo dacoluna de destilação (9);
- os produtos do fundo contendo SiCI4 a partir do condensadorde contracorrente (1) são levados para uma temperatura na faixa de a partirde 60 até 1109C1 de preferência a partir de 70 até 909C, na unidade de vapo-rização (6); e
- o produto do fundo do vaporizador (6) é transportado atravésde um comutador de calor (7) para dentro da parede dupla (2) do reator decontracorrente (1) e a corrente (B) que contem o produto SiCI4 é descarre-gada em um nível na região superior do reator (1).
Além disso, o presente processo é favorável de forma energéticae o desembolso em termos de aparelhagem para a provisão de uma instala-ção que esteja vantajosamente de acordo com a invenção é comparativa-mente baixo.
Pode ser feita uma menção específica a utilização vantajosa daenergia do produto do fundo (tetracloreto de silício) para o preaquecimentoda corrente de alimentação (triclorossilano), a fixação do aquecimento adi-cional e da temperatura objetivada da região do catalisador (zona de reaçãodo reator de contracorrente) e das regiões abaixo, e também a oportunidade,com a suas vantagens associadas, de reciclagem das correntes do clorossi-Iano condensado no isolamento do monossilano.
Dessa forma, o processo de etapa única de dismutação catalíti-ca do triclorossilano para a produção de um grau de monossilano que é exí-gido para a produção de sílica solar foi capaz de ser aperfeiçoado de formasignificativa tanto com relação à qualidade do produto como com relação àeconomia de uma maneira especificamente vantajosa.
A presente invenção em conseqüência proporciona uma instala-ção para a produção contínua de monossilano e tetraclorossilano através dedismutação catalítica do triclorossilano em uma temperatura de operação e auma pressão a partir de 100 a 500 Kpa (1 a 50 bar) abs. que é baseada nasunidades que se seguem:• um reator de contracorrente(1 ) que tem uma parede dupla (2),
• pelo menos um leito de catalisador (4) que está localizado noreator de contracorrente(1 ) e que é provido com o catalisador (3),
• um condensador (5) no topo do reator de contracorrente (1 ),
· uma unidade de vaporizador (6) no fundo do reator de contra-
corrente (1 ),
• pelo menos uma linha de alimentação de triclorossilano (A) pa-ra a introdução do triclorossilano (7.1 , 7.2) no interior do reator de contracor-rente(1 ),
um comutador de calor (7), com o triclorossilano sendo primei-ramente transportado por meio de uma linha (7.1 , 7.2) através do comutadorde calor (7) e preaquecido no mesmo e o produto de fundo da unidade devaporizador (6) sendo, para essa finalidade, alimentado por meio de umalinha(6.1 , 6.2) através do comutador de calor(7) para o interior da parededupla (2) em um nível na parte mais baixa do reator de contracorrente (1 ) edescarregado (2.1 ) a partir da parede dupla (2) em um nível na parte supe-rior do reator de contracorrente (1 ), isto é, descarga do tetracloreto de silício(B)1
• uma unidade de condensação (8) instalada à jusante da unida-de (5) e
• uma coluna subseqüente de destilação (9)
• que tem uma saída para o monossilano (C).
Nas instalações da invenção, a introdução do triclorossilano (A)é realizada de forma vantajosa por meio de uma ou mais unidades de ali-mentação que se encaminham de preferência para a região do meio ou azona de reação do reator de contracorrente (1).
Dessa forma, a entrada para o triclorossilano (A) é de preferên-cia disposta abaixo do leito de catalisador fixado e/ou a meia altura do leitode catalisador.
Na instalação da invenção, o leito de catalisador (4) pode serconfigurado de uma maneira conhecida per se como um leito fixo, por exem-plo, como mostrado na figura 2 e ser provido com um catalisador como des-crito no início. Desse modo, um ou mais leitos fixos (4) podem ser superpos-tos no reator (1).
No entanto, foi descoberto como sendo especificamente vanta-joso que o reator de contracorrente (1) de acordo com a invenção seja equi-pado com um leito da catalisador (4) que compreenda pelo menos um ele-mento tubular (4-1), de preferência a partir de 3 até 6400 elementos tubula-res, de preferência específica a partir de 7 até 1600 e de modo específico apartir de 13 até 400 elementos tubulares, conforme os elementos (4.1) mos-trados na figura 1. Nesse contexto, esses elementos tubulares (4.1) têm a-propriadamente um diâmetro de mais do que 50 mm, de preferência a partirde 100 até 300 mm, em uma espessura de parede dos tubos de, por exem-plo, a partir de 2 até 4 mm. Os elementos tubulares podem ser feitos de ummaterial que corresponda àquele material do reator. Os materiais adequadospara a construção dos reatores para a execução das reações de dismutaçãosão conhecidos per se. As paredes dos elementos tubulares podem ser sóli-das, perfuradas, por exemplo, para prover uma multiplicidade de orifícios oufendas ou cortes, ou ter uma construção de malha. De forma específica, oslados de entrada e de saída dos elementos tubulares individuais são configu-rados de tal forma que, em primeiro lugar, os elementos tubulares possamacomodar o catalisador e em segundo lugar, a mistura de reação possa cir-cular sem uma resistência de fluxo relativamente grande a partir do reatorpara o interior do elemento tubular e de novo para fora. As soluções hidrodi-nâmicas apropriadas são conhecidas per se por aqueles versados na técni-ca. Desse modo, por exemplo, os lados de entrada e de saída dos elemen-tos tubulares podem ser providos com uma malha de arame. Esses elemen-tos tubulares (4.1) podem estar dispostos em feixes ou estar suspensos indi-vidualmente no reator (1). Também é possível que um ou mais feixes de tu-bos sejam superpostos no reator.
Em instalações de acordo com a invenção, também é especifi-camente vantajoso, especialmente em vista da produção com base na sílicausada, que o condensado rico em clorossilano obtido no fundo da unidadede condensação (8) seja recirculado através da linha (8.2) para a parte supe-rior do reator de contracorrente (1).
Além do mais, pode ser uma vantagem adicional em instalaçõesde acordo com a invenção com relação a placas de separação (10) e/ou apacotes de separação (11) a serem localizados em uma ou mais regiões doreator de contracorrente (1). Da mesma forma, a coluna de destilação reativa(9) pode ser provida de forma vantajosa com placas de separação (10) e/oupacotes de separação (11) conhecidos per se.
As modalidades preferidas das instalações de acordo com a in-venção estão mostradas como diagramas de fluxo nas figuras 1 e 2. Alémdisso, bombas, controles e reguladores que tornam a implementação de a -cordo com a invenção do presente processo possível na pratica podem serusados de uma maneira conhecida , daqueles versados na técnica.
A presente invenção, da mesma forma, proporciona um proces-so para a produção contínua de monossilano e tetracloreto de silício atravésde dismutação catalítica do triclorossilano em uma temperatura de operaçãoe em uma pressão de 100 a 500 Kpa (1 a 50 bars) abs. em uma instalaçãode acordo com a invenção, na qual
- O triclorossilano (A) é preaquecido em um comutador de calor(7), e alimentado para o reator de contracorrente(1 ) que está provido comum catalisador (3),
- a mistura do produto formada no reator de contracorrente (1 ) épelo menos condensada parcialmente por meio do condensador (5) em umatemperatura de operação na faixa a partir de -25 até 50°C, com o conden-sado fluindo de volta para o interior do reator de contracorrente (1 ),
- a fase do produto que não é condensada no condensador (5) épassada para a unidade de condensação (8) que é operada em uma tempe-ratura na faixa a partir de -40 até -110°C,
- a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação(8) é alimentada para a coluna de destilação (9) que é operada em umatemperatura na faixa a partir de -60 até -170 Ceo monossilano (C) é des-carregado no topo da coluna de destilação (9),
- os produtos de fundo que contêm o SiCI4 a partir do reator decontracorrente (1) são levados para uma temperatura de operação na faixa apartir de 60 até 1100Cj de preferência a partir de 70 até 90°C, na unidadede vaporização (6) e
- o produto de fundo a partir do vaporizador (6) é transportadoatravés de um comutador de calor (7) para o interior da parede dupla (2) doreator de contracorrente (1) e o produto que contém a corrente de SiCI4 (B) édescarregado em um nível na região superior do reator (1).
O triclorossilano puro pode ser usado na presente invenção. Noentanto, também é possível e vantajoso o uso no processo da invenção deum tipo de clorossilano industrial, que tenha, por exemplo, uma pureza apartir de 98,8% até 99,5%.
O reator de contracorrente (1) do processo da invenção é opera-do, de preferência a um temperatura na faixa a partir de 70 a 909C e a umapressão a partir de 1 até 10 bar abs. na região do leito do catalisador (4),com a reação de dismutação continuando de forma exotérmica e auxiliandoa continuação da reação. Sob as condições que prevalecem neste contexto,a mistura de produto gasoso ascende no reator de contracorrente (1) en-quanto que uma fase líquida compreendendo de modo predominante o te-tracloreto de silício desce para baixo da região do fundo do reator.
Além disso, a mistura do produto formada no reator de contra-corrente (1) no processo da invenção é parcialmente condensada por meiodo condensador (5), de preferência em uma temperatura na faixa a partir de-10 até 25SC e em uma pressão a partir de 1 até 10 bar abs, especificamentea partir de cerca de -152C até -20gC e em uma pressão a partir de 1 até 10bar abs,
A fase do produto que não é condensada no condensador (5) éajustada de preferência para um teor de monossilano a partir de > 60 até80% em peso.
Durante a continuação do curso do processo da invenção, a uni-dade de condensação (8) é operada de preferência em uma temperatura nafaixa a partir de -40 até 11 OOgC e a uma pressão a partir de 1 até 10 barabs., de preferência a < -60eC e a uma pressão de a partir de 1 até 10 barabs., especificamente à -95QC e a uma pressão a partir de 1 até 10 bar abs.
O condensado contendo clorossilano obtido no condensador (8)é vantajosamente reciclado para o reator de contracorrente (1). O conden-sado é de preferência recirculado para o interior da parte superior do reator(1), apropriadamente abaixo do topo do reator, especificamente na região doreator na qual prevalece uma temperatura de 209C.
No processo da invenção, a fase do produto volátil a partir daunidade de condensação (8) é vantajosamente ajustada em um teor de clo-rossilano de < 1 % em peso, com a unidade (8) sendo operada de preferên- cia em uma pressão a partir de 5 até 10 bar abs. Esta fase é comprimida deforma apropriada por meio de uma bomba antes que seja alimentada para aunidade (9).
A coluna de destilação (9) é operada, de acordo com a invençãoem uma temperatura na faixa a partir de -90 até -HO9C especificamente de forma vantajosa a cerca de -100eC, e a uma pressão a partir de 1 até 10 barabs. O monossilano tendo uma alta pureza a partir de 99,5% até 99,8% é emseguida obtido de forma vantajosa no topo da coluna de destilação (9) e po-de ser descarregado através da linha (9.1).
O co-produto tetraclorossilano é obtido como uma fase quentedo produto no fundo do reator de contracorrente (1), isto é, no vaporizador(6).
No processo da invenção, o produto fundo quente do vaporiza-dor (6) é especificamente transportado de forma vantajosa através da linha(6.1) para o comutador de calor (7) e a linha (6.2) para o interior da parededupla (2) do reator de contracorrente (1) em um nível na região mais baixado reator e a corrente de produto (B) que compreende essencialmente o te-tracloreto de silício é descarregada em um nível na região superior do reator(1), especificamente imediatamente abaixo do topp (5) do reator. O tetraclo-reto de silício obtido aqui pode ser usado vantajosamente para a produção de sílica, especificamente sílica pirogênica.
Em geral, o processo da invenção pode ser realizado como se
segue:Em uma instalação de acordo com a invenção, como pode serobservado, por exemplo, nas figuras 1 ou 2, o triclorossilano é preaquecido ealimentado a partir de 100 a 500 Kpa (1 a 50 bar) abs. para o interior de umreator de contracorrente, que é provido com um leito de catalisador e queestá na temperatura de operação. Para o preaquecimento da corrente dealimentação, é vantajosa a utilização da corrente de produto quente a partirdo fundo do reator. Além disso, a energia/calor no produto SiCI4 obtido podeser utilizada para um aquecimento adicional vantajoso do reator de contra-corrente por meio da parede dupla, especificamente na região do leito docatalisador. A mistura do produto formada na reação de dismutação no rea-tor de contracorrente pode ser parcialmente condensada no topo do reator,com o clorossilano fluindo essencialmente em forma líquida de volta para ointerior do reator. A fase do produto não condensada é passada de formavantajosa para uma unidade de condensação adicional que é operada depreferência sob uma pressão superatmosférica em uma temperatura na faixaa partir de -40 até - 1102C. O condensado que contém o clorossilano obtidonessa ocasião é recirculado vantajosamente para a parte superior do reatorde contracorrente. A fase volátil do produto a partir de depois do condensa-dor pode em seguida ser passada para uma coluna de destilação a partir daqual o monossilano pode ser descarregado como um produto de topo em umrendimento comparativamente elevado e em uma elevada pureza.
A presente invenção é ilustrada através do exemplo que se se-gue, sem restringir como tal o âmbito da mesma.
EXEMPLO
O processo da invenção foi testado sob condições de produçãoem uma instalação que é mostrada em princípio como uma modalidade depreferência na figura 1 e cujo modo de operação de preferência foi descritoacima. Foi usado triclorossilano de qualidade técnica (98,8%) como o mate-rial de partida. A resina de troca de ânion Amberlyst 21 foi usada como ocatalisador. O consumo de triclorossilano foi de 700 kg por hora.
O modo de operação de acordo com a invenção efetivou umaumento na recuperação de sílica a partir de 98,2 até 98,6% do valor este-quiométrico possível. O monossilano obtido nessa forma tinha uma purezade 99,5%. Além disso, os custos do produto puderam ser reduzidos em umfator a partir de 2 até 2,2, com a utilização no modo de operação de acordocom a invenção.

Claims (17)

1. Instalação para a produção contínua de monossilano e tetra-clorossilano através de dismutação catalítica de triclorossilano em uma tem-peratura de operação e pressão a partir de 100 a 5000 Kpa (1 a 50 bar) abs.Caracterizada pelo fato de que é baseada nas unidades que se seguem:• um reator de contracorrente(1 ) que tem uma parede dupla (2),• pelo menos um leito de catalisador (4) que está localizado noreator de contracorrente(1 ) e que é provido com o catalisador (3),• um condensador (5) no topo do reator de contracorrente (1 ),· uma unidade de vaporizador (6) no fundo do reator de contra-corrente (1 ),• pelo menos uma linha de alimentação de triclorossilano (A) pa-ra a introdução do triclorossilano (7.1 , 7.2) no interior do reator de contracor-rente(1 ),- um comutador de calor (7), com o triclorossilano sendo primei-ramente transportado por meio de uma linha (7.1 , 7.2) através do comutadorde calor (7) e preaquecido no mesmo e o produto de fundo da unidade devaporizador (6) sendo, para essa finalidade, alimentado por meio de umalinha(6.1 , 6.2) através do comutador de calor(7) para o interior da parededupla (2) em um nível na parte mais baixa do reator de contracorrente (1 ) edescarregado (2.1, b) a partir da parede dupla (2) em um nível na parte su-perior do reator de contracorrente (1 ),• uma unidade de condensação (8) instalada à jusante da unida-de (5) e· uma coluna subseqüente de destilação (9)• que tem uma saída para o monossilano (C).
2. Instalação de acordo com a reivindicação 1, caracterizada pe-lo fato de que, pelo menos um elemento tubular (4.1) como um leito de cata-lisador (4).
3. Instalação de acordo com as reivindicações 1 ou 2, caracteri-zada pelo fato de que uma ou mais linhas de alimentação de triclorossilano(A) que se encaminham para o interior da região média ou da zona de rea-ção do reator de contracorrente (1).
4. Instalação de acordo com a reivindicação 3, caracterizada pe-lo fato de que a entrada para o triclorossilano (A) está disposta abaixo doleito de catalisador fixo e/ou a meia altura do leito de catalisador.
5. Instalação de acordo com qualquer uma das reivindicações de-1 a 4, caracterizada pelo fato de que uma linha (8.2) se encaminha a partirdo fundo da unidade de condensação (8) para o interior da parte superior doreator de contracorrente (1).
6. Instalação de acordo com qualquer uma das reivindicações de-1 a 5, caracterizada pelo fato de que as placas de separação (10) e/ou paco-tes de separação (11) estão localizadas em uma ou mais regiões do reatorde contracorrente (1).
7. Instalação de acordo com qualquer uma das reivindicações de-1 a 6, caracterizada pelo fato de que a coluna de destilação (9) é providacom placas (10) e/ou pacotes (11) de separação.
8. Processo para a produção contínua de monossilano e tetra-cloreto de silício através da dismutação do triclorossilano em uma tempera-tura de operação e em uma pressão a partir de 100 a 5000 Kpa (1 a 50 bar)abs. em uma instalação como definida na reivindicação 1, caracterizado pelodato de que:- Triclorossilano (A) é preaquecido em um trocador de calor (7) ealimentado para reator de contracorrente (1) que é provido com catalisador (3),- a mistura do produto formada no reator de contracorrente (1 ) épelo menos condensada parcialmente por meio do condensador (5) em umatemperatura de operação na faixa a partir de -25 até 50°C, com o conden-sado fluindo de volta para o interior do reator de contracorrente (1 ),- a fase do produto que não é condensada no condensador (5) épassada para a unidade de condensação (8) que é operada em uma tempe-ratura na faixa a partir de -40 até -1100C1- a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação(8) é alimentada para a coluna de destilação (9) que é operada em umatemperatura na faixa a partir de -60 até -170°C e o monossilano (C) é des-carregado no topo da coluna de destilação (9),- os produtos de fundo que contém o SiCI4 a partir do reator decontracorrente (1) são levados para uma temperatura de operação na faixa apartir de 60 até 110°C de preferência a partir de 70 até 90°C, na unidadede vaporização (6) e- o produto de fundo a partir do vaporizador (6) é transportadoatravés de um comutador de calor (7) para o interior da parede dupla (2) doreator de contracorrente (1) e o produto que contém a corrente de SiCI4 (B) édescarregado em um nível na região superior do reator (1).
9. Processo de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelofayo de que o processo é operado em uma pressão na faixa a partir de 100 a-1000 kpa (1 a 10 bar) abs.
10. Processo de acordo com as reivindicações 8 ou 9, caracteri-zado pelo fato de que o reator de contracorrente (1) é operado em uma tem-peratura na faixa de 70 a 909C e em uma pressão a partir de 100 a 1000Kpa (1 a 10 bar) abs., na região do leito de catalisador (4).
11. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 10, caracterizado pelo fato de que a mistura de produto formada noreator de contracorrente (1) é parcialmente condensada por meio de umcondensador (5) em uma temperatura na faixa a partir de -25 até -IO9C e auma pressão de 100 a 1000 Kpa (1 a 10 bar) abs.
12. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 11, caracterizado pelo fato de que a fase do produto que não é con-densada no condensador (5) é ajustada para um conteúdo de monossilanode > 60% em peso.
13. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 12, caracterizado pelo fato de que a unidade de condensação (8) éoperada a uma temperatura de < -609C e a uma pressão a partir de 100 a-1000 Kpa (1 a 10 bar) abs.
14. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 13, caracterizado pelo fato de que o condensado que contém o cio-rossilano obtido no condensador (8) é reciclado para o reator de contracor-rente (1).
15. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 14, caracterizado pelo fato de que a fase do produto volátil da unida-de de condensação (8) é ajustada para um teor de clorossilano de < 1% empeso e comprimida, com a unidade (8) sendo operada a uma pressão a par-tir de 500 a 1000 Kpa (5 a 10 bar) abs.
16. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 15, caracterizado pelo fato de que a coluna de destilação (9) é opera-da em uma temperatura na faixa a partir de -90 até -1109C e a uma pressãoa partir de 100 a 1000 kpa (1 a 10 bar) abs.
17. Processo de acordo com qualquer uma das reivindicaçõesde 8 a 16, caracterizado pelo fato de que o produto do fundo quente do va-porizador (6) é transportado através da linha (6.1), o comutador de calor (7)e a linha (6.2) para o interior da parede dupla (2) do reator de contracorrente(1) em um nível na região mais baixa do reator e a corrente de produto quecontém o SiCI4 (B) é descarregada em um nível na região superior do reator (1).
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