BRPI0417807A - material se alimentação de silìcio para produzir lingotes de silìcio multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por czochralski, láminas ou fitas de silìcio para a produção de pastilhas de silìcio para células solares pv e método para a produção do mesmo, e, lingote de silìcio multicristalino ou zona flutuante, direcionalmente solidificado por czochralski, ou lámina ou fita de silìcio para produzir pastilhas para células solares - Google Patents

material se alimentação de silìcio para produzir lingotes de silìcio multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por czochralski, láminas ou fitas de silìcio para a produção de pastilhas de silìcio para células solares pv e método para a produção do mesmo, e, lingote de silìcio multicristalino ou zona flutuante, direcionalmente solidificado por czochralski, ou lámina ou fita de silìcio para produzir pastilhas para células solares

Info

Publication number
BRPI0417807A
BRPI0417807A BRPI0417807-6A BRPI0417807A BRPI0417807A BR PI0417807 A BRPI0417807 A BR PI0417807A BR PI0417807 A BRPI0417807 A BR PI0417807A BR PI0417807 A BRPI0417807 A BR PI0417807A
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
silicon
solar cell
czochralski
floating zone
feed material
Prior art date
Application number
BRPI0417807-6A
Other languages
English (en)
Inventor
Erik Enebakk
Kenneth Friestad
Ragnar Tronstad
Cyrus Zahedi
Christian Dethloff
Original Assignee
Elkem As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elkem As filed Critical Elkem As
Publication of BRPI0417807A publication Critical patent/BRPI0417807A/pt
Publication of BRPI0417807B1 publication Critical patent/BRPI0417807B1/pt

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

"MATERIAL DE ALIMENTAçãO DE SILìCIO PARA PRODUZIR LINGOTES DE SILìCIO MULTICRISTALINOS OU ZONA FLUTUANTE, SOLIDIFICADOS DIRECIONALMENTE POR CZOCHRALSKI LáMINAS OU FITAS DE SILìCIO PARA A PRODUçãO DE PASTILHAS DE SILìCIO PARA CéLULAS SOLARES PV E MéTODO PARA A PRODUçãO DO MESMO, E, LINGOTE DE SILìCIO MULTICRISTALINO OU ZONA FLUTUANTE DIRECIONALMENTE SOLIDIFICADO POR CZOCHRALSKI, OU LáMINA OU FITA DE SILìCIO PARA PRODUZIR PASTILHAS PARA CéLULAS SOLARES". A presente invenção está relacionada a material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, lâminas ou fitas de silício, para produção de pastilhas de silício para células solares PV onde o material de alimentação de silício contém entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 10 ppma de fósforo distribuídos no material de alimentação. A invenção está relacionada também o lingote de silício direcionalmente solidificado, ou lâmina ou fita, para produzir pastilhas para células solares contendo entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 1O ppma de fósforo distribuídos no lingote, o dito lingote de silício possuindo uma mudança de tipo de tipo-p para tipo-n, ou de tipo-n para tipo-p, em uma posição entre 40 e 99 % da altura do lingote ou da espessura da folha ou da fita, e possuindo um perfil de resistividade descrito por uma curva exponencial que possui um valor de partida entre 0,4 e 10 ohm cm, e onde o valor da resistividade aumenta no sentido do ponto de mudança de tipo. Para finalizar, a invenção está relacionada a um método para produzir material de alimentação de silício para produção de lingotes solidificados direcionalmente de silício, lâminas e fitas, para produção de pastilhas de silício para células solares PV.
BRPI0417807-6A 2003-12-29 2004-01-12 Método para a produção de material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por Czochralski, material de alimentação de silício,e, lingote de silício, ou lâmina ou fita de silício para produzir pastilhas para células solares BRPI0417807B1 (pt)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20035830 2003-12-29
NO20035830A NO333319B1 (no) 2003-12-29 2003-12-29 Silisiummateriale for fremstilling av solceller
PCT/NO2004/000003 WO2005063621A1 (en) 2003-12-29 2004-01-12 Silicon feedstock for solar cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BRPI0417807A true BRPI0417807A (pt) 2007-04-10
BRPI0417807B1 BRPI0417807B1 (pt) 2014-09-23

Family

ID=34738092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BRPI0417807-6A BRPI0417807B1 (pt) 2003-12-29 2004-01-12 Método para a produção de material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por Czochralski, material de alimentação de silício,e, lingote de silício, ou lâmina ou fita de silício para produzir pastilhas para células solares

Country Status (11)

Country Link
US (2) US7381392B2 (pt)
EP (2) EP2607308A1 (pt)
JP (1) JP4580939B2 (pt)
CN (1) CN100457613C (pt)
AU (1) AU2004308879B2 (pt)
BR (1) BRPI0417807B1 (pt)
CA (1) CA2548936C (pt)
EA (1) EA009791B1 (pt)
ES (1) ES2441725T3 (pt)
NO (1) NO333319B1 (pt)
WO (1) WO2005063621A1 (pt)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO322246B1 (no) * 2004-12-27 2006-09-04 Elkem Solar As Fremgangsmate for fremstilling av rettet storknede silisiumingots
DE102005061690A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Solmic Gmbh Verfahren zur Herstellung solartauglichen Siliziums
EP2024285B1 (en) * 2006-04-04 2014-06-11 Silicor Materials Inc. Method for purifying silicon
US7682585B2 (en) * 2006-04-25 2010-03-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Silicon refining process
AU2007295860A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Silicium Becancour Inc. Process and apparatus for purifying low-grade silicon material
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller
US7651566B2 (en) * 2007-06-27 2010-01-26 Fritz Kirscht Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon
US8968467B2 (en) * 2007-06-27 2015-03-03 Silicor Materials Inc. Method and system for controlling resistivity in ingots made of compensated feedstock silicon
UA97691C2 (ru) 2007-09-13 2012-03-12 Силисиум Беканкур Инк. Способ получения твердого поликристаллического кремния высокой чистоты
KR101247666B1 (ko) 2007-10-03 2013-04-01 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 실리콘 결정을 얻기 위한 실리콘 분말의 가공 방법
WO2009062117A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Sunpreme, Inc. Low-cost solar cells and methods for their production
US8758507B2 (en) * 2008-06-16 2014-06-24 Silicor Materials Inc. Germanium enriched silicon material for making solar cells
US7887633B2 (en) * 2008-06-16 2011-02-15 Calisolar, Inc. Germanium-enriched silicon material for making solar cells
ITMI20081085A1 (it) * 2008-06-16 2009-12-17 N E D Silicon S P A Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza.
CN101676203B (zh) 2008-09-16 2015-06-10 储晞 生产高纯颗粒硅的方法
DE102009008371A1 (de) 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US20100213643A1 (en) * 2009-02-26 2010-08-26 Gadgil Prasad N Rapid synthesis of polycrystalline silicon sheets for photo-voltaic solar cell manufacturing
KR20120014011A (ko) * 2009-04-29 2012-02-15 칼리솔라, 인코포레이티드 고순도화한 금속급 실리콘 재료 정제를 위한 공정 제어
WO2010127184A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Calisolar, Inc. Quality control process for umg-si feedstock
US8547121B2 (en) * 2009-04-29 2013-10-01 Silicor Materials Inc. Quality control process for UMG-SI feedstock
US8562932B2 (en) 2009-08-21 2013-10-22 Silicor Materials Inc. Method of purifying silicon utilizing cascading process
KR101180353B1 (ko) * 2010-07-01 2012-09-06 연세대학교 산학협력단 태양전지용 실리콘제조를 위한 ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ을 이용한 ＭＧ-Ｓｉ중 불순물의 정련방법
CN102021650B (zh) * 2010-12-31 2012-06-06 常州天合光能有限公司 一种大型多晶锭的生产方法
CN102191562B (zh) * 2011-04-25 2012-08-29 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散方法
FR2978549B1 (fr) * 2011-07-27 2014-03-28 Commissariat Energie Atomique Determination des teneurs en dopants dans un echantillon de silicium compense
NO335110B1 (no) * 2011-10-06 2014-09-15 Elkem Solar As Fremgangsmåte for fremstilling av silisiummonokrystall og multikrystalline silisiumingoter
CN103014839B (zh) * 2013-01-09 2016-07-27 英利集团有限公司 一种p型掺杂剂及其制备方法
CN103147118B (zh) * 2013-02-25 2016-03-30 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法
NO339608B1 (no) 2013-09-09 2017-01-09 Elkem Solar As Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller
NO336720B1 (no) * 2013-09-09 2015-10-26 Elkem Solar As Fremgangsmåte for forbedring av effektiviteten av solceller.
FR3010721B1 (fr) * 2013-09-17 2017-02-24 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un lingot de silicium presentant une concentration homogene en phosphore

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4195067A (en) * 1977-11-21 1980-03-25 Union Carbide Corporation Process for the production of refined metallurgical silicon
JPS5913444B2 (ja) * 1977-11-21 1984-03-29 ユニオン・カ−バイド・コ−ポレ−シヨン 精製された金属シリコン製造方法
US4247528A (en) * 1979-04-11 1981-01-27 Dow Corning Corporation Method for producing solar-cell-grade silicon
DE2933164A1 (de) * 1979-08-16 1981-02-26 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von rohsilicium
US4612179A (en) * 1985-03-13 1986-09-16 Sri International Process for purification of solid silicon
JPH07206420A (ja) * 1994-01-10 1995-08-08 Showa Alum Corp 高純度ケイ素の製造方法
NO180532C (no) * 1994-09-01 1997-05-07 Elkem Materials Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium
CN1083396C (zh) * 1995-07-14 2002-04-24 昭和电工株式会社 高纯度硅的制造方法
US5961944A (en) * 1996-10-14 1999-10-05 Kawasaki Steel Corporation Process and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon, and process for manufacturing silicon wafer for solar cell
JPH10251010A (ja) * 1997-03-14 1998-09-22 Kawasaki Steel Corp 太陽電池用シリコン
US5972107A (en) * 1997-08-28 1999-10-26 Crystal Systems, Inc. Method for purifying silicon
CN1207192C (zh) * 1997-12-25 2005-06-22 新日本制铁株式会社 高纯硅的制造方法及装置
US6468886B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Midwest Research Institute Purification and deposition of silicon by an iodide disproportionation reaction
JP3446032B2 (ja) * 2000-02-25 2003-09-16 信州大学長 無転位シリコン単結晶の製造方法
AU2001285142A1 (en) * 2000-08-21 2002-03-04 Astropower Inc. Method and apparatus for purifying silicon
NO317073B1 (no) * 2001-06-05 2004-08-02 Sintef Elektrolytt samt fremgangsmate ved fremstilling eller raffinering av silisium
FR2827592B1 (fr) * 2001-07-23 2003-08-22 Invensil Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
JP4142332B2 (ja) * 2002-04-19 2008-09-03 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005063621A1 (en) 2005-07-14
NO333319B1 (no) 2013-05-06
US7931883B2 (en) 2011-04-26
AU2004308879B2 (en) 2008-01-03
EP1699737A1 (en) 2006-09-13
BRPI0417807B1 (pt) 2014-09-23
ES2441725T3 (es) 2014-02-06
JP4580939B2 (ja) 2010-11-17
AU2004308879A1 (en) 2005-07-14
EP1699737B1 (en) 2014-01-01
EP2607308A1 (en) 2013-06-26
US20080206123A1 (en) 2008-08-28
CN100457613C (zh) 2009-02-04
US20070128099A1 (en) 2007-06-07
NO20035830L (no) 2005-06-30
EA009791B1 (ru) 2008-04-28
CA2548936A1 (en) 2005-07-14
JP2007516928A (ja) 2007-06-28
EA200601259A1 (ru) 2007-02-27
CN1902129A (zh) 2007-01-24
US7381392B2 (en) 2008-06-03
CA2548936C (en) 2009-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0417807A (pt) material se alimentação de silìcio para produzir lingotes de silìcio multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por czochralski, láminas ou fitas de silìcio para a produção de pastilhas de silìcio para células solares pv e método para a produção do mesmo, e, lingote de silìcio multicristalino ou zona flutuante, direcionalmente solidificado por czochralski, ou lámina ou fita de silìcio para produzir pastilhas para células solares
BRPI0519503A2 (pt) mÉtodo para a produÇço de czochralski solidificado direcionalmente de lingotes de silÍcio ou chapas finas ou fitas de silÍcio multicristalino ou de zona flutuante para fabricaÇço de pastilhas para cÉlulas solares
US9112064B2 (en) Floating sheet production apparatus and method
CN102119444B (zh) 用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料
CN103094379A (zh) 太阳能电池
Kalejs Silicon ribbons and foils—state of the art
CN101999013A (zh) 通过添加掺杂杂质制造光伏级晶体硅的方法及光伏电池
TW200624610A (en) Method for producing polycrystalline silicon ingot
Hanoka An overview of silicon ribbon growth technology
PT1548159E (pt) Processo para produzir um po monocristalino cu (ln, ga) se2 e membranas monoparticulas utilizadas em celulas solares contendo este po
WO2007047094A3 (en) Composition and method for making silicon-containing products
CN101597790A (zh) 氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法
CN102719890A (zh) 利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法
TW200745389A (en) Method for manufacturing single crystal
EP2643500A1 (en) Germanium enriched silicon for solar cells
Gaspar et al. Silicon growth technologies for PV applications
JP5173013B1 (ja) シリコンの精製方法、結晶シリコン材料の製造方法、および、太陽電池の製造方法
Degoulange et al. Dopant specifications for p-type UMG silicon: mono-c vs multi-c
Ferber et al. Large-area silicon sheet technology status in United States' Department of Energy photovoltaics programs
Ying-Tian et al. Silicon purification by a new type of solar furnace
Azarenkov et al. Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n–and p–type
PT93109A (pt) Processo de fabrico de fitas de silicio
Sauar A path towards low-cost crystalline silicon PV
Wohlgemuth et al. Large-Scale PV Module Manufacturing Using Ultra-Thin Polycrystalline Slicon Solar Cells. Annual Subcontract Report
Du et al. Bridgman Growtth of Cu (In, Ga) Se2 for Photovoltaic Cells

Legal Events

Date Code Title Description
B06A Patent application procedure suspended [chapter 6.1 patent gazette]
B09A Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette]
B16A Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 10 (DEZ) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 23/09/2014, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS.

B25A Requested transfer of rights approved