BR112021002846A2 - dispositivo emissor de luz - Google Patents

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BR112021002846-3A
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Jong Min JANG
Chang Yeon Kim
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Seoul Viosys Co., Ltd.
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Abstract

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ A presente invenção inclui uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa, uma primeira camada semicondutora do tipo p e um primeiro eletrodo transparente, uma segunda peça emissora de luz disposta sobre a primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora de tipo n, uma segunda camada ativa, uma segunda camada semicondutora de tipo p e um segundo eletrodo transparente, uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora de tipo n, uma terceira camada ativa, uma terceira camada semicondutora do tipo p e um terceiro eletrodo transparente, uma primeira camada de adesão disposta entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz, incluindo os primeiros padrões de acoplamento que são adesivos e condutores, e uma segunda camada de adesão disposta entre a segunda e a terceira peças emissoras de luz, incluindo os segundos padrões de acoplamento que são adesivos e condutores, em que a terceira peça emissora de luz tem estrutura em mesa que expõe uma porção dos segundos padrões de acoplamento da segunda camada de adesão.

Description

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ Campo de Aplicação
[001] A presente invenção se refere a um dispositivo emissor de luz e, mais particularmente, a um dispositivo emissor de luz incluindo uma pluralidade de camadas emissoras de luz empilhadas.
Estado da técnica
[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica , estão sendo amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido a sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta do que as fontes de luz convencionais.
[003] Um dispositivo de exibição tipicamente emite várias cores usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel de um dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, e a cor de um pixel específico pode ser determinada pela cor desses subpixels e uma imagem pode ser implementada por uma combinação desses pixels.
[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um visor de micro LED foi desenvolvido como um dispositivo de próxima geração, que diretamente exibe imagens usando diodos emissores de luz.
Descrição Geral da Invenção Problema Técnico
[005] Modalidades exemplificativas da presente invenção fornecem dispositivos emissores de luz com características leves, finas e compactas.
[006] Recursos adicionais dos conceitos inventivos serão apresentados na descrição a seguir e, em parte, serão evidentes a partir da descrição ou podem ser aprendidos pela prática dos conceitos inventivos.
Solução Técnica
[007] Um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa, uma primeira camada semicondutora do tipo p e um primeiro eletrodo transparente, uma segunda peça emissora de luz disposta sobre a primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n, uma segunda camada ativa, uma segunda camada semicondutora do tipo p e um segundo eletrodo transparente, uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n, uma terceira camada ativa, uma terceira camada semicondutora do tipo p e um terceiro eletrodo transparente, uma primeira camada de adesão disposta entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz e incluindo os primeiros padrões de acoplamento que são adesivos e condutores, e uma segunda camada de adesão disposta entre a segunda e a terceira peças emissoras de luz e incluindo segundos padrões de acoplamento que são adesivos e condutores, nos quais o a terceira peça emissora de luz tem uma estrutura em mesa expondo uma porção dos segundos padrões de acoplamento da segunda camada de adesão.
[008] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um pad de eletrodo comum eletricamente conectado ao primeiro, segundo e terceiro eletrodos transparentes, um primeiro pad de eletrodo conectado eletricamente à primeira camada semicondutora tipo n, um segundo pad de eletrodo eletricamente conectado à segunda camada semicondutora do tipo n e um terceiro pad de eletrodo conectado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n.
[009] Cada uma das primeira e segunda peças emissoras de luz pode ter uma forma substancialmente quadrangular, incluindo primeiro, segundo, terceiro e quarto cantos, respectivamente, correspondendo ao primeiro, segundo, terceiro e quarto cantos do dispositivo emissor de luz, e a terceira peça emissora de luz pode têm uma forma substancialmente quadrangular, a terceira peça emissora de luz tendo porções cortadas em áreas que correspondem ao segundo e terceiro cantos do dispositivo emissor de luz.
[010] Os segundos padrões de acoplamento podem ser expostos pela terceira peça emissora de luz em áreas que correspondem ao segundo e terceiro cantos do dispositivo emissor de luz.
[011] O primeiro pad de eletrodo pode ser disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz e o segundo pad de eletrodo pode ser disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
[012] Um comprimento da terceira peça emissora de luz entre as porções cortadas pode ser mais curto do que um comprimento da terceira peça emissora de luz entre dois cantos opostos da terceira peça emissora de luz que correspondem ao primeiro e quarto cantos do dispositivo emissor de luz.
[013] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma primeira estrutura direta que acopla eletricamente o primeiro, segundo e terceiro eletrodos transparentes com o pad de eletrodo comum, uma segunda estrutura que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora de tipo n e o primeiro pad de eletrodo e uma terceira estrutura direta que acopla eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n e o segundo pad de eletrodo.
[014] A primeira estrutura de passagem (through structure)pode incluir um primeiro padrão de passagem que acopla eletricamente o primeiro eletrodo transparente e o primeiro padrão de acoplamento, um segundo padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo eletrodo transparente e o segundo padrão de acoplamento e um terceiro padrão de passagem que acopla eletricamente o terceiro eletrodo transparente e o pad de eletrodo comum.
[015] A primeira estrutura de passagem pode incluir ainda um quarto padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o terceiro eletrodo transparente, o segundo padrão de acoplamento pode ser disposto entre o segundo e o quarto padrões de passagem para acoplar eletricamente o segundo e o quarto padrões de passagem e o primeiro padrão de acoplamento pode ser disposto entre o primeiro padrão de passagem e o segundo eletrodo transparente para acoplar eletricamente o primeiro padrão de passagem e o segundo eletrodo transparente.
[016] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de isolamento em torno de uma parede lateral externa do segundo padrão de passagem e se estendendo para a segunda camada semicondutora tipo n e uma segunda camada de isolamento circundando uma parede lateral externa do terceiro padrão de passagem.
[017] O primeiro padrão de passagem pode incluir uma parte superior mais larga do que uma parte inferior do mesmo e o primeiro padrão de acoplamento pode ser conectado à parte superior.
[018] A segunda estrutura de passagem pode incluir um primeiro padrão de passagem que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n e um primeiro padrão de acoplamento, um segundo padrão de passagem que acopla eletricamente o primeiro padrão de acoplamento e um segundo padrão de acoplamento e um terceiro padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o primeiro pad do eletrodo.
[019] O terceiro padrão de passagem pode ser disposto entre uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz e uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz.
[020] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada de passivação disposta sobre o segundo padrão de acoplamento e circundando o terceiro padrão de passagem e tendo uma superfície superior que é coplanar com uma superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n.
[021] O primeiro padrão de acoplamento pode incluir uma extensão estendida em direção a uma parte externa do primeiro padrão de passagem, e o segundo padrão de passagem pode ser conectado à extensão do primeiro padrão de acoplamento.
[022] Um primeiro eixo central vertical cruzando um centro do primeiro padrão de passagem pode ser afastado lateralmente de um segundo eixo central vertical cruzando um centro do segundo padrão de passagem.
[023] A terceira estrutura de passagem pode incluir um primeiro padrão de passagem de acoplamento eletricamente a terceira camada semicondutora tipo n e um segundo padrão de acoplamento e um segundo padrão de acoplamento eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o segundo pad de eletrodo.
[024] O segundo padrão de passagem pode ser disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
[025] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada de passivação em torno do segundo padrão de passagem sobre o segundo padrão de acoplamento e tendo uma superfície superior que é coplanar com uma superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n.
[026] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de cor disposto entre o primeiro eletrodo transparente e a primeira camada de adesão; e um segundo filtro de cor disposto entre a segunda camada de adesão e o terceiro eletrodo transparente.
[027] O primeiro filtro de cor e o segundo filtro de cor podem ter pelo menos um orifício de passagem para fornecer um caminho elétrico, respectivamente.
[028] O primeiro padrão de acoplamento pode ser disposto na mesma elevação que a primeira camada de adesão e o segundo padrão de acoplamento pode ser disposto na mesma elevação que a segunda camada de adesão.
[029] Os detalhes de outras modalidades estão incluídos na descrição detalhada e nas figuras.
Efeitos Vantajosos
[030] De acordo com as modalidades exemplificativas, um dispositivo emissor de luz pode incluir padrões de passagem que passam através de uma primeira peça emissora de luz, uma segunda peça emissora de luz e uma terceira peça emissora de luz e padrões de acoplamento dispostos em uma primeira camada de adesão e uma segunda camada de adesão que acopla eletricamente a primeira à terceira peças emissoras de luz com um pad de eletrodo comum, um primeiro pad de eletrodo, um segundo pad de eletrodo e um terceiro pad de eletrodo. Desta maneira, uma área de emissão de luz mais ampla pode ser obtida em comparação com quando cada uma das primeira e terceira peças emissoras de luz é formada para incluir uma estrutura de mesa. Além disso, em comparação com um caso em que a primeira à terceira peças emissoras de luz são eletricamente acopladas diretamente ao pad do eletrodo de comando, o primeiro pad do eletrodo, o segundo pad do eletrodo e o terceiro pad do eletrodo sem usar os padrões de passagem e os padrões de acoplamento, o grau de dificuldade no processo de fabricação pode ser reduzido.
Descrição das Figuras
[031] As Figs. 1A e 1B são vistas superiores de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[032] As Figs. 1C e 1D são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ do dispositivo emissor de luz da FIG. 1B, de acordo com modalidades exemplificativas.
[033] A Fig. 2 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[034] A Fig. 3 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[035] As Figs. 4, a 19 são vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
Melhor Modo de Realizar a Invenção
[036] A fim de compreender a configuração e o efeito da invenção suficientemente, as modalidades da invenção serão descritas com referência às figuras anexas. No entanto, a invenção não está limitada às modalidades aqui estabelecidas e pode ser implementada de várias formas, e uma variedade de mudanças podem ser adicionadas.
[037] Salvo definido em contrário, todos os termos aqui utilizados possuem os mesmos significados que os comumente entendidos por um técnico especialista no assunto aos quais a presente invenção é parte.
[038] A seguir, um dispositivo emissor de luz será descrito com referência às figuras anexas através de várias modalidades exemplificativas.
[039] As FIGs. 1A e 1B são vistas superiores de um dispositivo emissor luz de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 1C é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha A-A’ do dispositivo emissor de luz da FIG. 1A.
[040] Referindo às Figs. 1A a 1C, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3, que são empilhadas verticalmente sobre um substrato 100.
[041] O substrato 100 pode ser capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio sobre o mesmo e pode incluir uma safira (Al2O3), um carboneto de silício (SiC), um nitreto de gálio (GaN), um nitreto de índio e gálio (InGaN) , um nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), um nitreto de alumínio (AlN), um óxido de gálio (Ga2O3) ou silício. Em algumas modalidades exemplificativas, o substrato 100 pode ser um substrato de safira padronizado.
[042] Uma superfície do substrato 100 pode ser colocada em contato com a primeira peça emissora de luz LE1 e a outra superfície voltada para outra superfície pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Em algumas modalidades exemplificativas, o substrato 100 pode ser removido. Neste caso, uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1, que está voltada para o substrato 100, pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Quando a superfície de extração de luz é a outra superfície do substrato 100 ou uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1, o comprimento de onda da luz emitida da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser o mais curto, o comprimento de onda de luz emitida da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior que o comprimento de onda da primeira peça emissora de luz LE1 e ser menor que o comprimento de onda da luz emitida da terceira peça emissora de luz LE3, e o comprimento de onda de luz emitida da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o maior. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Em algumas modalidades exemplificativas, por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz com um comprimento de onda maior do que aquele da segunda peça emissora de luz LE2 ou da terceira peça emissora de luz LE3, e a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz tendo um comprimento de onda mais longo do que o da terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz verde, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz azul e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha.
[043] O substrato 100 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima. Daqui em diante, os respectivos cantos da estrutura substancialmente quadrangular podem ser referidos como uma primeira área AR1, uma segunda área AR2, uma terceira área AR3 e uma quarta área AR4. A primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ter substancialmente o mesmo tamanho de área de emissão de luz e estrutura de pilha semelhante, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma área de emissão de luz com um tamanho menor do que o da primeira peça emissora de luz LE1 ou a segunda peça emissora de luz LE2. Mais particularmente, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma estrutura em mesa, na qual o canto de cada uma da segunda área AR2 e da terceira área AR3 é gravado. Como a terceira peça emissora de luz tem a estrutura de mesa, na qual cada uma da segunda área AR2 e a terceira área AR3 é cortada (por exemplo, porções cortadas), a área emissora de luz da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser menor do que aquela da área emissora de luz da primeira peça emissora de luz LE1 ou da segunda peça emissora de luz LE2 quando vista de cima. A superfície lateral gravada da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma superfície lateral inclinada.
[044] De acordo com outra modalidade exemplificativa ilustrada mostrada na FIG. 1A, na terceira peça emissora de luz LE3, a segunda área AR2 e a terceira área AR3 podem ser cantos vizinhos. Um comprimento DT1 da terceira peça emissora de luz LE3 entre a segunda área AR2 e a terceira área AR3 pode ser mais curto do que um comprimento DT2 da terceira peça emissora de luz LE3 incluindo a primeira área AR1 e a quarta área AR4. O comprimento DT1 entre a segunda área AR2 e a terceira área AR3, e o comprimento DT2 incluindo a primeira área AR1 e a quarta área AR4 podem ser definidos como distâncias mais curtas.
[045] De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 1B, na terceira peça emissora de luz LE3, a segunda área AR2 e a terceira área AR3 podem ser cantos opostos. Um comprimento DT1 da terceira peça emissora de luz LE3 entre a segunda área AR2 e a terceira área AR3 pode ser mais curto do que um comprimento diagonal DT2 da terceira peça emissora de luz LE3 incluindo a primeira área AR1 e a quarta área AR4. O comprimento DT1 entre a segunda área AR2 e a terceira área AR3 e o comprimento DT2 incluindo a primeira área AR1 e a quarta área AR4 podem ser definidos como distâncias mais curtas.
[046] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda área AR2 e na terceira área AR3, a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser disposta para dentro em relação à parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2. Mais particularmente, na segunda área AR2 e na terceira área AR3, um quinto padrão de acoplamento 314 e um sexto padrão de acoplamento 316, que será descrito mais tarde, podem ser expostos pela parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3.
[047] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108, que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir um segundo eletrodo transparente 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, que são empilhadas sequencialmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente 308, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, que são empilhadas sequencialmente.
[048] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada uma da primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Si. Cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg. Cada uma da primeira camada ativa 104, a segunda camada ativa 204 e a terceira camada ativa 304 podem incluir um poço multiquântico (MQW) e a proporção da composição dos mesmos pode ser determinada para emitir luz de um comprimento de onda de pico desejado. Cada um do primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 podem incluir uma camada de óxido transparente, tal como um óxido de zinco (ZnO) , óxido de índio estanho (ITO), óxido de índio estanho dopado com zinco (ZITO), óxido de zinco e índio (ZIO), óxido de gálio e índio (GIO), óxido de zinco e estanho (ZTO), óxido de estanho dopado com flúor (FTO), óxido de zinco dopado com gálio (GZO), óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) ou outros.
[049] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad de eletrodo comum CEL, um primeiro pad de eletrodo EL1, um segundo pad de eletrodo EL2 e um terceiro pad de eletrodo EL3, que estão dispostas na terceira peça emissora de luz LE3.
[050] O pad de eletrodo comum CEL pode ser eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda camada semicondutora tipo p 206 da segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 da terceira peça emissora de luz LE3 na primeira área AR1. O primeiro pad de eletrodo EL1 pode ser eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 na segunda área AR2. O segundo pad de eletrodo EL2 pode ser eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 na terceira área AR3. O terceiro pad de eletrodo EL3 pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora do tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3 na quarta área AR4.
[051] Alternativamente, o pad de eletrodo comum CEL da primeira área AR1 pode ser eletricamente acoplada à primeira camada semicondutora de tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2, e a terceira camada semicondutora tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3. O primeiro pad de eletrodo EL1 na segunda área AR2 pode ser eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1, o segundo pad de eletrodo EL2 na terceira área AR3 pode ser eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p 206 da segunda peça emissora de luz LE2 e o terceiro pad de eletrodo EL3 na quarta área AR4 pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306 da terceira peça emissora de luz LE3.
[052] Na terceira peça emissora de luz LE3, pode ser fornecida adicionalmente uma camada de passivação PA cobrindo porções onde o canto da segunda área AR2 e o canto da terceira área AR3 na terceira peça emissora de luz LE3 são respectivamente removidos. A camada de passivação PA pode incluir um de SiO2, Al2O3, Si3N4, SOG (silício em vidro), epóxi, poli-imida, SU8 ou BCB (benzo ciclo buteno). Mais particularmente, a camada de passivação pode incluir uma camada de óxido ou camada de nitreto incluindo Si.
[053] Em uma modalidade exemplificativa, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1, uma primeira camada de adesão AD1 e uma segunda camada de adesão AD2, que estão dispostas entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2, e um segundo filtro de cor CF2 e uma terceira camada de adesão AD3, que estão dispostas entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor CF2 e o segundo filtro de cor CF2 podem ser omitidos. O primeiro filtro de cor CF1 pode ser disposto adjacente ao primeiro eletrodo transparente 108 da primeira peça emissora de luz LE1 e a primeira camada de adesão AD1 pode ser disposta no primeiro filtro de cor CF1. A primeira camada de adesão AD1 pode ser ligada com a segunda camada de adesão AD2 para ligar a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 uma à outra. Além disso, o segundo filtro de cor CF2 pode ser disposto adjacente ao terceiro eletrodo transparente 308 da terceira peça emissora de luz LE3 e a terceira camada de adesão AD3 pode ligar a segunda peça emissora de luz LE2 e o segundo filtro de cor CF2 para ligar a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 uma à outra. Em algumas modalidades exemplificativas, uma quarta camada de adesão pode ser fornecida adicionalmente entre o segundo filtro de cor CF2 e a terceira camada de adesão AD3.
[054] Cada um do primeiro filtro de cor CF1 e do segundo filtro de cor CF2 pode incluir um DBR (refletor de Bragg distribuído), no qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente. Por exemplo, o primeiro filtro de cor CF1 e o segundo filtro de cor CF2 podem ser diferentes na proporção de composição e ordem de empilhamento alternada e número de TiO2 e SiO2. Cada uma da primeira camada de adesão AD1 e da segunda camada de adesão AD2 pode ser uma camada de adesão isolante e transparente e inclui, por exemplo, SOG (silício em vidro), epóxi, poli-imida, SU8 ou BCB.
[055] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira estrutura de passagem TVP1, que acopla eletricamente o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 com o pad de eletrodo comum CEL. Daqui em diante, 'primeiro,' 'segundo,' 'terceiro,' 'quarto,' 'quinto,' 'sexto,' 'sétimo,' 'oitavo' e 'nono' são simplesmente usados como números ordinais para distinguir padrões e a ordem de descrição pode não ser sequencial.
[056] A primeira estrutura de passagem TVP1 pode incluir padrões de passagem 112, 214, 310 e 320, que passam através da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 e acopla eletricamente o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 e padrões de acoplamento 116, 210 e 312, que passam através da primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2 e a terceira camada de adesão AD3, e são eletricamente acoplados direta ou indiretamente através dos padrões de passagem 112, 214, 310 e 320 com o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308.
[057] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira estrutura de passagem TVP1 pode incluir um primeiro padrão de passagem 112, que passa pelo primeiro filtro de cor CF1 e é colocado em contato elétrico com o primeiro eletrodo transparente 108, um primeiro padrão de acoplamento 116 e um terceiro padrão de acoplamento 210, que passam através da primeira camada de adesão AD1 e da segunda camada de adesão AD2 e são colocados em contato elétrico com o primeiro padrão de passagem 112 e o segundo eletrodo transparente 208, um terceiro padrão de passagem 214, que passa através da segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 e é colocada em contato elétrico com o segundo eletrodo transparente 208, um quarto padrão de acoplamento 312, que passa através da terceira camada de adesão AD3 e é colocado em contato elétrico com o terceiro padrão de passagem 214, um sexto padrão de passagem 310, que passa através do segundo filtro de cor CF2 e é colocado em contato elétrico com o quarto padrão de acoplamento 312 e o terceiro eletrodo transparente 308, e um sétimo padrão de passagem 320, que passa através da terceira camada semicondutora tipo p 306, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 e é colocado em contato elétrico com o terceiro eletrodo transparente 308 e o pad de eletrodo comum CEL. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro filtro de cor CF1 pode circundar a parede lateral exterior do primeiro padrão de passagem 112. O segundo filtro de cor CF2 pode circundar a parede lateral externa do sexto padrão de passagem 310.
[058] Cada um do primeiro padrão de passagem 112, do terceiro padrão de passagem 214, do sexto padrão de passagem 310 e do sétimo padrão de passagem 320 da primeira estrutura de passagem TVP1 pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, Cr, Cu, TiW, ou Mo. Cada um dentre o primeiro padrão de acoplamento 116, o terceiro padrão de acoplamento 210 e o quarto padrão de acoplamento 312 da primeira estrutura de passagem TVP1 podem incluir metal com baixa temperatura de fusão, como Sn ou In, que também tem uma propriedade de adesão e uma condutividade elétrica. Quando o primeiro padrão de acoplamento 116 e o terceiro padrão de acoplamento 210 incluem substancialmente o mesmo material, o primeiro padrão de acoplamento 116 e o terceiro padrão de acoplamento 210 podem não ser distinguidos um do outro. Cada um do primeiro padrão de passagem 112, o terceiro padrão de passagem 214 e o sétimo padrão de passagem 320 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que uma largura da mesma diminua gradualmente em uma direção para baixo. O sexto padrão de passagem 310 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que uma largura da mesma aumenta gradualmente na direção para baixo.
[059] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma superfície do primeiro padrão de passagem 112 é colocada em contato elétrico com o primeiro eletrodo transparente 108 e a outra superfície do primeiro padrão de passagem 112 pode ser eletricamente acoplada ao segundo eletrodo transparente 208 através do primeiro acoplamento padrão 116 e o terceiro padrão de acoplamento 210. O segundo eletrodo transparente 208 pode ser colocado em contato elétrico com uma superfície do terceiro padrão de passagem 214 e a outra superfície do terceiro padrão de passagem 214 pode ser colocada em contato elétrico com o quarto padrão de acoplamento 312. O quarto padrão de acoplamento 312 pode ser eletricamente acoplado com uma superfície do terceiro eletrodo transparente 308 através do sexto padrão de passagem 310. A outra superfície do terceiro eletrodo transparente 308 pode ser colocada em contato elétrico com o pad de eletrodo comum CEL pelo sétimo padrão de passagem 320. Neste caso, o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 podem não ser gravados e podem ser eletricamente acoplados um ao outro através dos padrões de passagem e dos padrões de acoplamento, que passam pela primeira luz peça emissora LE1, a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2, a segunda peça emissora de luz LE2, a terceira camada de adesão AD3 e a terceira peça emissora de luz LE3. Desta forma, uma vez que as áreas de contato através das quais o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 são colocados em contato com os padrões de passagem 112, 214, 310 e 320, ou os padrões de acoplamento 116, 210 e 312 podem ser aumentados, a confiabilidade elétrica do dispositivo emissor de luz pode ser melhorada.
[060] Na primeira estrutura de passagem TVP1, o primeiro padrão de passagem 112 pode ser disposto para ser alinhado com o primeiro eletrodo transparente 108 na primeira área AR1 e o primeiro padrão de acoplamento 116 pode ser disposto para ser alinhado com o primeiro padrão de passagem 112. O terceiro padrão de passagem 214 pode ser disposto para ser alinhado com o segundo eletrodo transparente 208 na primeira área AR1 e ser alinhado com o primeiro padrão de acoplamento 116 na primeira área AR1. O quarto padrão de acoplamento 312 pode ser disposto para ser alinhado com o terceiro padrão de passagem 214, e o sexto padrão de passagem 310 pode ser disposto para ser alinhado com o quarto padrão de acoplamento 312. O sétimo padrão de passagem 320 pode ser disposto para ser alinhado com o terceiro eletrodo transparente 308 na primeira área AR1 e ser alinhado com uma posição onde o pad de eletrodo comum CEL deve ser formado.
[061] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda camada de isolamento 212, que circunda a parede lateral externa do terceiro padrão de passagem 214. A segunda camada de isolamento 212 pode isolar a segunda camada semicondutora do tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora do tipo p 206 do terceiro padrão de passagem 214. A segunda camada de isolamento 212 pode incluir, por exemplo, SiO2 ou Si3N4, que tem alta transmitância de luz e uma propriedade de isolamento elétrico. A segunda camada de isolamento 212 pode se estender para a segunda camada semicondutora tipo n 202, como mostrado nas figuras, no entanto, em algumas modalidades exemplificativas, a segunda camada de isolamento 212 pode envolver apenas a parede lateral externa do terceiro padrão de passagem 214.
[062] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma terceira camada de isolamento 318, que circunda a parede lateral externa do sétimo padrão de passagem 320. A terceira camada de isolamento 318 pode isolar a terceira camada semicondutora do tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora do tipo p 306 do sétimo padrão de passagem 320. A terceira camada de isolamento 318 pode incluir, por exemplo, SiO2 ou Si3N4, que têm alta transmitância de luz e uma propriedade de isolamento elétrico. Embora a terceira camada de isolamento 318 seja ilustrada como circundando apenas a parede lateral externa do sétimo padrão de passagem 320, no entanto, em algumas modalidades exemplificativas, a terceira camada de isolamento 318 pode se estender para a terceira camada semicondutora de tipo n 302.
[063] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma segunda estrutura de passagem TVP2, que é eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora de tipo n 102 na segunda área AR2.
[064] A segunda estrutura de passagem TVP2 pode incluir padrões de passagem 114, 216 e 322, que são eletricamente acoplados com a primeira camada semicondutora tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 e passam através da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz parte LE2, a terceira peça emissora de luz LE3, a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2 e a terceira camada de adesão AD3 e padrões de acoplamento 118 e 314, que são eletricamente acoplados com os padrões de passagem 114, 216 e
322.
[065] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda estrutura de passagem TVP2 pode incluir um segundo padrão de passagem 114, que passa através da primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, o primeiro eletrodo transparente 108 e o primeiro filtro de cor CF1 e é colocado em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102, um segundo padrão de acoplamento 118, que passa através da primeira camada de adesão AD1 e é colocado em contato elétrico com o segundo padrão de passagem 114, um quarto padrão de passagem 216, que passa através da segunda camada de adesão AD2, o segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 e é colocada em contato elétrico com o segundo padrão de acoplamento 118, um quinto padrão de acoplamento 314, que passa através da terceira camada de adesão AD3 e é colocado em contato elétrico com o quarto padrão de passagem 216 e um oitavo padrão de passagem 322, que passa através do terceiro eletrodo transparente 308, a terceira camada semicondutora tipo p 306, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo n 302 e a camada de passivação PA e é colocada em contato elétrico com o quinto padrão de acoplamento 314 e o primeiro pad de eletrodo EL1. De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda área AR2, o oitavo padrão de passagem 322 pode ser disposto entre a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3 e a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2. O primeiro filtro de cor CF1 pode circundar a parede lateral externa do segundo padrão de passagem 114.
[066] Cada um do segundo padrão de passagem 114, o quarto padrão de passagem 216 e o oitavo padrão de passagem 322 da segunda estrutura de passagem TVP2 pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, Cr, Cu, TiW ou Mo. Cada um do segundo padrão de acoplamento 118 e do quinto padrão de acoplamento 314 da segunda estrutura de passagem TVP2 pode incluir metal com baixa temperatura de fusão, como Sn ou In, que também tem uma propriedade de adesão e uma condutividade elétrica.
[067] Na segunda estrutura de passagem TVP2, o segundo padrão de passagem 114 pode ser alinhado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 na segunda área AR2 e o segundo padrão de acoplamento 118 pode ser alinhado com o segundo padrão de passagem 114. O quarto padrão de passagem 216 pode ser alinhado com o segundo padrão de acoplamento 118 e o quinto padrão de acoplamento 314 pode ser alinhado com o quarto padrão de passagem 216. O oitavo padrão de passagem 322 pode ser disposto para ser alinhado com o quinto padrão de acoplamento 314 e o primeiro pad de eletrodo EL1.
[068] De acordo com outra modalidade exemplificativa, como mostrado na FIG. 1C, cada um do segundo padrão de passagem 114, o quarto padrão de passagem 216 e o oitavo padrão de passagem 322 da segunda estrutura de passagem TVP2 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que uma largura da mesma diminua gradualmente na direção descendente. De acordo com outra modalidade mostrada na FIG. 1D, cada um do segundo padrão de passagem 114, do quarto padrão de passagem 216 e do oitavo padrão de passagem 322 da segunda estrutura de passagem TVP2 pode ter uma superfície lateral escalonada, de modo que uma largura da mesma diminua na direção para baixo. Por exemplo, o segundo padrão de passagem 114 pode incluir uma primeira porção, que passa através da primeira camada ativa 104 e a primeira camada semicondutora tipo p 106, uma segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e passa através do primeiro transparente eletrodo 108, e uma terceira porção que tem uma largura maior do que a segunda porção e passa através do primeiro filtro de cor CF1. O quarto padrão de passagem 216 pode incluir uma primeira porção disposta na segunda camada de adesão AD2, uma segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e passa através do segundo eletrodo transparente 208 e uma terceira porção que tem uma largura maior que a segunda porção e passa através da segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202. Cada um do segundo padrão de passagem 114, do quarto padrão de passagem 216 e do oitavo padrão de passagem 322 podem ser formados para ter uma superfície lateral com uma estrutura escalonada, porque uma vez que camadas formadas de diferentes componentes são gravadas, a seletividade de gravação das camadas formadas dos diferentes componentes pode ser diferente dependendo do tipo de um processo de gravação ou de um meio ácido.
[069] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de isolamento 110, que circunda a parede lateral externa do segundo padrão de passagem 114. A primeira camada de isolamento 110 pode isolar o segundo padrão de passagem 114 da primeira camada ativa 104, da primeira camada semicondutora tipo p 106 e do primeiro eletrodo transparente
108. Em algumas modalidades exemplificativas, a primeira camada de isolamento 110 pode se estender para o primeiro filtro de cor CF1 e circundar a superfície lateral do primeiro padrão de passagem 112. Neste caso, uma vez que o primeiro filtro de cor CF1 inclui um material de isolamento, a primeira camada de isolamento 110 pode não circundar a superfície lateral do primeiro padrão de passagem 112. A primeira camada de isolamento 110 pode incluir, por exemplo, SiO2, Al2O3, Si3N4, ou outros, que tem alta transmitância de luz e uma propriedade de isolamento elétrico. Além disso, a segunda camada de isolamento 212 pode circundar a parede lateral externa do terceiro padrão de passagem 214 na primeira área AR1, estender-se na segunda camada semicondutora de tipo n 202 e circundar a parede lateral externa do quarto padrão de passagem 216 na segunda área AR2.
[070] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma terceira estrutura de passagem TVP3, que é eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora de tipo n 202 na terceira área AR3.
[071] A terceira estrutura de passagem TVP3 pode incluir padrões de passagem 218 e 324, que são eletricamente acoplados com a segunda camada semicondutora de tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 e passam através da terceira peça emissora de luz LE3 e uma porção da segunda peça emissora de luz parte LE2 e um sexto padrão de acoplamento 316 que passa através da terceira camada de adesão AD3 ligando a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 e está eletricamente acoplado com os padrões de passagem 218 e
324.
[072] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a terceira estrutura de passagem TVP3 pode incluir um quinto padrão de passagem 218 que é colocado em contato elétrico com a segunda camada semicondutora tipo n 202, o sexto padrão de acoplamento 316 que é colocado em contato elétrico com o quinto padrão de passagem 218 e passa através da terceira camada de adesão AD3, e um nono padrão de passagem 324 que passa através do terceiro eletrodo transparente 308, a terceira camada semicondutora do tipo p 306, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora do tipo n 302, e a camada de passivação PA e é colocada em contato elétrico com o sexto padrão de acoplamento 316 e o segundo pad de eletrodo EL2. De acordo com uma modalidade exemplificativa, na terceira área AR3, o nono padrão de passagem 324 pode ser disposto entre a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3 e a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2.
[073] Cada um do quinto padrão de passagem 218 e do nono padrão de passagem 324 da terceira estrutura de passagem TVP3 pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, Cr, Cu, TiW ou Mo. O sexto padrão de acoplamento 316 da terceira estrutura de passagem TVP3 pode incluir metal com baixa temperatura de fusão, como Sn ou In, que também tem uma propriedade de adesão e uma condutividade elétrica. Cada um do quinto padrão de passagem 218 e do nono padrão de passagem 324 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que uma largura da mesma diminua gradualmente na direção para baixo.
[074] Na estrutura da terceira de passagem TVP3, o quinto padrão de passagem 218 pode ser alinhado com a segunda camada semicondutora do tipo n 202 na terceira área AR3, e o sexto padrão de acoplamento 316 pode ser alinhado com o quinto padrão de acoplamento de passagem 218. O nono padrão de passagem 324 pode ser disposto para ser alinhado com o sexto padrão de acoplamento 316 e o segundo pad de eletrodo EL2.
[075] A segunda camada de isolamento 212 pode circundar a parede lateral externa do terceiro padrão de passagem 214 na primeira área AR1, circundar a parede lateral externa do quarto padrão de passagem 216 na segunda área AR2, estender-se à segunda camada semicondutora tipo n 202 e circundar uma porção superior da parede lateral externa do quinto padrão de passagem 218 na terceira área AR3.
[076] Na quarta área AR4, o terceiro pad de eletrodo EL3 pode ser colocado em contato elétrico diretamente com a terceira camada semicondutora tipo n 302, sem formar um padrão de passagem ou um padrão de acoplamento na terceira camada semicondutora tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3.
[077] Desta maneira, pela pluralidade de padrões de passagem 112, 114, 214, 216, 218, 310, 320, 322 e 324, que passam através da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira luz parte de emissão LE3 e os padrões de acoplamento 116, 118, 210, 312, 314 e 316, que passam através da primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2 e a terceira camada de adesão AD3 e têm condutividades elétricas, o pad do eletrodo comum CEL, o primeiro pad de eletrodo EL1, o segundo pad de eletrodo EL2 e o terceiro pad de eletrodo EL3 podem ser acoplados à primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3, que são verticalmente empilhados. Desta forma, uma vez que o pad de eletrodo comum CEL, o primeiro pad de eletrodo EL1, o segundo pad de eletrodo EL2 e o terceiro pad de eletrodo EL3 de um dispositivo emissor de luz são acoplados à primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2, e a terceira peça emissora de luz LE3, sem gravar todas as peças emissoras de luz para formar padrões de passagem nas mesmas, a área emissora de luz do dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, pode ser formada maior.
[078] Além disso, em comparação com um caso em que passagens via padrões, que passam verticalmente através da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 e o pad de eletrodo comum CEL, o primeiro pad de eletrodo EL1, o segundo pad de eletrodo EL2 e o terceiro pad de eletrodo EL3 são acopladas à primeira peça emissora de luz LE1, à segunda peça emissora de luz LE2 e à terceira peça emissora de luz LE3, o grau de dificuldade no processamento do dispositivo emissor de luz, por exemplo, o grau de dificuldade em um processo de gravação para formar vias de contato e o grau de dificuldade em um processo de deposição para preencher as vias de contato devido a uma grande razão de aspecto de vias de contato gravadas pode ser reduzido e, assim, a fabricação de dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada pode ser facilitada.
[079] A FIG. 2 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[080] Referindo à FIG. 2, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3, que são empilhadas verticalmente.
[081] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108, que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir um segundo eletrodo transparente 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, que são empilhadas sequencialmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente 308, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, que são empilhadas sequencialmente.
[082] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um pad de eletrodo comum CEL, que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda camada semicondutora do tipo p 206 da segunda peça emissora de luz LE2, e a terceira camada semicondutora tipo p 306 da terceira peça emissora de luz LE3 em uma primeira área AR1, um primeiro pad de eletrodo EL1 que está eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 em uma segunda área AR2, um segundo pad de eletrodo EL2 que é eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora de tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 em uma terceira área AR3 e um terceiro pad de eletrodo EL3 que é eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3 em uma quarta área AR4.
[083] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1 e uma primeira camada de adesão AD1, que estão dispostos entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 e um segundo filtro de cor CF2 e uma segunda camada de adesão AD2, que estão dispostos entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3.
[084] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeiro estrutura de passagem TVP1, que inclui um primeiro padrão de passagem 112, um primeiro padrão de acoplamento 116, um terceiro padrão de acoplamento 210, um terceiro padrão de passagem 214, um quarto padrão de acoplamento 312, um sexto padrão de passagem 310, e um sétimo padrão de passagem 320 na primeira área AR1, uma segunda estrutura de passagem TVP2 que inclui um segundo padrão de passagem 114, um segundo padrão de acoplamento 118, um quarto padrão de passagem 216, um quinto padrão de acoplamento 314 e um oitavo padrão de passagem 322 na segunda área AR2 e uma terceira estrutura de passagem TVP3 que inclui um quinto padrão de acoplamento 218, um sexto padrão de acoplamento 316 e um nono padrão de passagem 324 na terceira área AR3. O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de isolamento 110, uma segunda camada de isolamento 212 e uma terceira camada de isolamento
318.
[085] O primeiro padrão de passagem 112 da primeira estrutura de passagem TVP1 pode incluir uma primeira porção que está disposta no primeiro filtro de cor CF1 e uma segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e se estende para o primeiro filtro de cor CF1. Pela segunda porção do primeiro padrão de passagem 112, uma margem para alinhar o primeiro padrão de acoplamento 116 com o primeiro padrão de passagem 112 pode ser aumentada.
[086] O terceiro padrão de passagem 214 da primeira estrutura de passagem TVP1 pode incluir uma primeira porção que está disposta na segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a segunda camada de isolamento 212, e uma segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e se estende sobre a segunda camada de isolamento 212. Pela segunda porção do terceiro padrão de passagem 214, uma margem para alinhar o quarto padrão de acoplamento 312 com o terceiro padrão de passagem 214 pode ser aumentada.
[087] Além disso, um eixo central vertical cruzando um centro do primeiro padrão de passagem 112 pode ser afastado lateralmente de um eixo central vertical cruzando um centro do terceiro padrão de passagem 214. Um eixo central vertical cruzando um centro do sexto ou sétimo padrão de passagem 310 ou 312 pode ser espaçado lateralmente do eixo central vertical cruzando um centro do terceiro padrão de passagem 214. O eixo central vertical cruzando o centro do sexto ou sétimo padrão de passagem 310 ou 312 pode ser consistente com ou lateralmente espaçado do eixo central vertical cruzando o centro do primeiro padrão de passagem 112.
[088] O segundo padrão de passagem 114 da segunda estrutura de passagem TVP2 pode incluir uma primeira porção que está disposta na primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, o primeiro eletrodo transparente 108 e o primeiro filtro de cor CF1, e um segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e se estende para o primeiro filtro de cor CF1. Pela segunda porção do segundo padrão de passagem 114, uma margem para alinhar o segundo padrão de acoplamento 118 com o segundo padrão de passagem 114 pode ser aumentada.
[089] O segundo padrão de acoplamento 118 pode estar em contato com a segunda porção do segundo padrão de passagem 114 e ser estendido em direção ao exterior da segunda porção.
[090] O quarto padrão de passagem 216 da segundo estrutura de passagem TVP2 pode incluir uma primeira porção que está disposta na segunda camada de adesão AD2, o segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora do tipo n 202 e a segunda camada de isolamento 212 e uma segunda porção que tem uma largura maior do que a primeira porção e se estende para a segunda camada de isolamento 212. Pela segunda porção do quarto padrão de passagem 216, uma margem para alinhar o quinto padrão de acoplamento 314 com o quarto padrão de passagem 216 pode ser aumentada.
[091] Como mostrado na Fig. 2, a primeira porção do quarto padrão de passagem 216 pode ser espaçada da primeira porção do segundo padrão de passagem 114. A primeira porção do quarto padrão de passagem 216 pode ser conectada eletricamente à extensão do segundo padrão de acoplamento 118.
[092] Por conseguinte, um eixo central vertical cruzando um centro do segundo padrão de passagem 114 pode ser afastado lateralmente de um eixo central vertical cruzando um centro do quarto padrão de passagem 216. Um eixo central vertical cruzando um centro do oitavo padrão de passagem 322 pode ser consistente com ou lateralmente afastado de um eixo central vertical cruzando o centro do segundo padrão de passagem 114.
[093] Embora não seja mostrado em detalhes, cada um do quinto padrão de passagem 218 e do sexto padrão de passagem 310 pode ter uma porção superior e uma porção inferior que tem uma largura maior e, assim, uma margem de acoplamento para um padrão de acoplamento a ser empilhado na porção superior pode ser aumentada.
[094] Uma vez que o dispositivo emissor de luz da FIG. 2 inclui componentes substancialmente iguais aos do dispositivo emissor de luz mostrado nas FIGS. 1A a 1D, as descrições repetidas dos mesmos serão omitidas.
[095] A FIG. 3 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[096] Referindo à FIG. 3, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz
LE3, que são empilhadas verticalmente.
[097] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108, que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir um segundo eletrodo transparente 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, que são empilhadas sequencialmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente 308, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, que são empilhadas sequencialmente.
[098] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um pad de eletrodo comum CEL que é eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora do tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda camada semicondutora do tipo p 206 da segunda peça emissora de luz LE2, e a terceira camada semicondutora tipo p 306 da terceira peça emissora de luz LE3 em uma primeira área AR1, um primeiro pad de eletrodo EL1 que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 em uma segunda área AR2, um segundo pad de eletrodo EL2 que é eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora de tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 em uma terceira área AR3 e um terceiro pad de eletrodo EL3 que é eletricamente acoplado com o terceiro semicondutor de tipo n camada 302 da terceira peça emissora de luz LE3 em uma quarta área AR4.
[099] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1 e uma primeira camada de adesão AD1, que estão dispostos entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 e um segundo filtro de cor CF2 e uma segunda camada de adesão AD2, que estão dispostos entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3.
[0100] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira estrutura de passagem TVP1 que inclui um primeiro padrão de passagem 112, um primeiro padrão de acoplamento 116, um terceiro padrão de acoplamento 210, um terceiro padrão de passagem 214, um quarto padrão de acoplamento 312, um sexto padrão de passagem 310, e um sétimo padrão de passagem 320 na primeira área AR1, uma segunda estrutura de passagem TVP2 que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n 102 e o primeiro pad de eletrodo EL1 na segunda área AR2 e uma terceira estrutura de passagem TVP3 que acopla eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n 202 e o segundo pad de eletrodo EL2 na terceira área AR3.
[0101] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda camada de isolamento 212, uma terceira camada de isolamento 318 e uma quarta camada de isolamento 326.
[0102] A segunda camada de isolamento 212 pode circundar a parede lateral externa do terceiro padrão de passagem 214 e se estender para a segunda camada semicondutora de tipo n 202. A terceira camada de isolamento 318 pode circundar a parede lateral externa do sétimo padrão de passagem 320. A quarta camada de isolamento 326 pode circundar a parede lateral externa da segunda estrutura de passagem TVP2. A quarta camada de isolamento 326 pode isolar a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora do tipo p 106, o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada semicondutora do tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda estrutura de passagem TVP2.
[0103] Uma vez que o primeiro eletrodo de passagem TVP1 acopla eletricamente uma superfície e as outras superfícies do primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308 através da pluralidade de padrões de passagem 112, 214, 310 e 320, e o pluralidade de padrões de acoplamento 116, 210 e 312, sem gravar o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308, áreas através das quais o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo 308 são colocados em contato com os padrões de passagem 112, 214, 310 e 320 e os padrões de acoplamento 116, 210 e 312 podem ser aumentados, pelo que a resistência elétrica pode ser reduzida. Por outro lado, uma vez que a segunda estrutura de passagem TVP2 e a terceira estrutura de passagem TVP3 acopla diretamente a primeira camada semicondutora tipo n 102 com o primeiro pad de eletrodo EL1 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 com o segundo pad de eletrodo EL2 sem usar padrões de passagem e padrões de acoplamento, os processos de fabricação podem ser simplificados.
[0104] Uma vez que o dispositivo emissor de luz da FIG. 3 inclui componentes substancialmente iguais aos do dispositivo emissor de luz mostrado nas FIGS. 1A a 1D, as descrições repetidas dos mesmos serão omitidas.
[0105] As FIGs. 4 à 19 são vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa. Daqui em diante, o método de fabricação será descrito exemplificativamente com referência ao dispositivo emissor de luz das FIGS. 1A e 1C, no entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes.
[0106] Referindo à FIG. 4, uma primeira camada semicondutora tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108 podem ser sequencialmente formados em um substrato 100 para formar uma primeira peça emissora de luz LE1. Um primeiro filtro de cor CF1 pode ser formado na primeira peça emissora de luz LE1.
[0107] O substrato 100 pode incluir uma primeira área AR1, uma segunda área AR2, uma terceira área AR3 e uma quarta área AR4. Por exemplo, o substrato 100 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima, e a primeira área AR1, a segunda área AR2, a terceira área AR3 e a quarta área AR4 podem corresponder, respectivamente, às porções de canto do substrato 100.
[0108] A primeira camada semicondutora do tipo n 102, a primeira camada ativa 104, e a primeira camada semicondutora do tipo p 106 podem ser sequencialmente crescidas no substrato 100 através de um processo, como uma deposição de vapor químico de metal orgânico (MOCVD) ou epitaxia de feixe molecular (MBE). Então, o primeiro eletrodo transparente 108 pode ser formado na primeira camada semicondutora tipo p 106 usando deposição química de vapor (CVD) ou semelhante. O primeiro filtro de cor CF1 pode ser formado no primeiro eletrodo transparente 108 usando CVD, por exemplo.
[0109] Referindo à FIG. 5, gravando o primeiro filtro de cor CF1 e a primeira peça emissora de luz LE1, um primeiro orifício H1 pode ser formado na primeira área AR1 e um segundo orifício H2 pode ser formado na segunda área AR2. O primeiro orifício H1 pode expor o primeiro eletrodo transparente 108 e o segundo orifício H2 pode expor a primeira camada semicondutora tipo n 102.
[0110] Em seguida, uma primeira pré-camada de isolamento pode ser conformada em conformidade no primeiro filtro de cor CF1 formado com o primeiro orifício H1 e o segundo orifício H2, continuamente ao longo das superfícies do primeiro filtro de cor CF1 e a primeira peça emissora de luz LE1, embora não preenchendo completamente o primeiro orifício H1 e o segundo orifício H2. Ao gravar a primeira pré-camada de isolamento, uma primeira camada de isolamento 110 disposta na parede lateral interna do primeiro orifício H1 pode ser formada.
[0111] Em algumas modalidades exemplificativas, a primeira camada de isolamento 110 também pode ser formada na parede lateral interna do primeiro orifício H1. No entanto, quando o primeiro filtro de cor CF1 inclui um material isolante, a primeira camada de isolamento 110 pode ou não ser formada no primeiro orifício H1.
[0112] Referindo à FIG. 6, um primeiro padrão de passagem 112 e um segundo padrão de passagem 114, que preenchem o primeiro orifício H1 e o segundo orifício H2, respectivamente, podem ser formados.
[0113] Em particular, uma primeira camada condutora pode ser formada na primeira camada de isolamento 110, no primeiro filtro de cor CF1 e na primeira peça emissora de luz LE1, que são formadas com o primeiro orifício H1 e o segundo orifício H2, para preencher substancialmente o primeiro orifício H1 e o segundo orifício H2. A primeira camada condutora pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Cr, Cu, TiW ou Mo.
[0114] Ao gravar a primeira camada condutora, de modo que a superfície do primeiro filtro de cor CF1 seja exposta, o primeiro padrão de passagem 112 substancialmente preenchendo (ou enterrando) o primeiro orifício H1 e o segundo padrão de passagem 114 substancialmente preenchendo o segundo orifício H2 pode ser formado. O primeiro padrão de passagem 112 pode ser formado na primeira área AR1 e o segundo padrão de passagem 114 pode ser formado na segunda área AR2.
[0115] Referindo à FIG. 7, uma primeira camada de adesão AD1 incluindo um primeiro padrão de acoplamento 116 alinhado com o primeiro padrão de passagem 112 e um segundo padrão de acoplamento 118 alinhado com o segundo padrão de passagem 114 pode ser formado.
[0116] Em particular, uma primeira pré-camada de adesão pode ser formada no primeiro filtro de cor CF1 formado com o primeiro padrão de passagem 112 e o segundo padrão de passagem
114. A primeira pré-camada de adesão pode ser formada usando um processo de revestimento por rotação, por exemplo, que pode incluir SOG (rotação em vidro), epóxi, poli-imida, SU8, BCB ou outros. Ao gravar a primeira pré-camada de adesão, a primeira camada de adesão AD1 tendo uma primeira abertura expondo o primeiro padrão de passagem 112 e uma segunda abertura expondo o segundo padrão de passagem 114 pode ser formada. Uma segunda camada condutora pode ser formada à primeira camada de adesão AD1. A segunda camada condutora pode incluir um material metálico com uma baixa temperatura de fusão, uma propriedade de adesão e uma condutividade elétrica, por exemplo, como Sn ou In. Ao gravar a segunda camada condutora, de modo que a superfície da primeira camada de adesão AD1 seja exposta, o primeiro padrão de acoplamento 116 e o segundo padrão de acoplamento 118 podem ser formados, respectivamente. O primeiro padrão de acoplamento 116 pode ser formado na primeira área AR1 e o segundo padrão de acoplamento 118 pode ser formado na segunda área AR2.
[0117] Referindo à FIG. 8, uma segunda camada semicondutora tipo n 202, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora tipo p 206 podem ser formadas sequencialmente em um segundo substrato 200 usando MOCVD ou MBE, e um segundo eletrodo transparente 208 pode ser formado na segunda camada semicondutora tipo p 206 usando um método de síntese PVD, CVD, sol-gel ou hidrotérmico para formar uma segunda peça emissora de luz LE2.
[0118] Referindo à FIG. 9, uma segunda camada de adesão AD2 incluindo um terceiro padrão de acoplamento 210 pode ser formada no segundo eletrodo transparente 208. Em particular, uma segunda pré-camada de adesão pode ser formada no segundo eletrodo transparente 208 usando um processo de revestimento por rotação ou semelhante. Por exemplo, a segunda pré-camada de adesão pode incluir SOG, epóxi, poli-imida, SU8, BCB ou outros. Ao gravar a segunda pré-camada de adesão, a segunda camada de adesão AD2 incluindo uma terceira abertura pode ser formada. Uma terceira camada condutora pode ser formada na segunda camada de adesão AD2 para preencher substancialmente a terceira abertura. A terceira camada condutora pode incluir um material com baixa temperatura de fusão, uma propriedade de adesão e uma condutividade elétrica, por exemplo, como Sn ou
In. Ao gravar a terceira camada condutora até a superfície superior exposta da segunda camada de adesão AD2, o terceiro padrão de acoplamento 210 substancialmente preenchendo a terceira abertura pode ser formado.
[0119] Então, o segundo substrato 200 pode ser virado de modo que a segunda camada de adesão AD2 incluindo o terceiro padrão de acoplamento 210 fique voltada para baixo. Então, o segundo substrato 200 pode ser removido por de elevação a laser ou semelhante.
[0120] Referindo à FIG. 10, ligando a primeira camada de adesão AD1 formada na primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda camada de adesão AD2 formada na segunda peça emissora de luz LE2, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas com cada outro. Quando cada uma da primeira camada de adesão AD1 e a segunda camada de adesão AD2 inclui SOG, realizando termo-compressão após colocar a primeira camada de adesão AD1 e a segunda camada de adesão AD2 em contato uma com a outra, a primeira camada de adesão AD1 e a segunda adesão a camada AD2 podem ser ligadas uma à outra. O primeiro padrão de acoplamento 116 na primeira área AR1 pode ser ligado com o terceiro padrão de acoplamento 210 e o segundo padrão de acoplamento 118 na segunda área AR2 pode ser ligado com a segunda camada de adesão AD2.
[0121] Em seguida, um terceiro orifício H3 e um quarto orifício H4 podem ser formados para expor o segundo eletrodo transparente 208 e o segundo padrão de acoplamento 118, respectivamente. Em particular, gravando a segunda camada semicondutora do tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora do tipo p 206 na primeira área
AR1, o terceiro orifício H3 que expõe o segundo eletrodo transparente 208 pode ser formado. Ao gravar a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo p 206, o segundo eletrodo transparente 208 e a segunda camada de adesão AD2 na segunda área AR2, o quarto orifício H4 que expõe o segundo padrão de acoplamento 118 pode ser formado.
[0122] Referindo à FIG. 11, uma segunda camada de isolamento 212 pode ser formada de uma maneira semelhante à primeira camada de isolamento 110 e um quinto orifício H5 pode ser formado na terceira área AR3.
[0123] Referindo à FIG. 12, um terceiro padrão de passagem 214, um quarto padrão de passagem 216 e um quinto padrão de passagem 218, que preenchem substancialmente o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4 e o quinto orifício H5 podem ser formados, respectivamente.
[0124] Em particular, uma quarta camada condutora pode ser formada na segunda camada de isolamento 212 para preencher substancialmente o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4 e o quinto orifício H5. A quarta camada condutora pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, e Cr. Ao gravar a quarta camada condutora para expor a superfície da segunda camada de isolamento 212, o terceiro padrão de passagem 214 que preenche substancialmente o terceiro orifício H3, o quarto padrão de passagem 216 que preenche substancialmente o quarto orifício H4 e o quinto padrão de passagem 218 que preenche substancialmente o quinto orifício H5 pode ser formado, respectivamente. O terceiro padrão de passagem 214 pode ser formado na primeira área AR1, o quarto padrão de passagem 216 pode ser formado na segunda área AR2 e o quinto padrão de passagem 218 pode ser formado na terceira área AR3.
[0125] Referindo à FIG. 13, uma terceira camada semicondutora tipo n 302, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser formadas sequencialmente em um terceiro substrato 300 usando MOCVD ou MBE, e um terceiro eletrodo transparente 308 pode ser formado na terceira camada semicondutora do tipo p 306 usando CVD ou semelhante para formar uma terceira pré-peça emissora de luz. Então, um segundo filtro de cor CF2 pode ser formado na terceira pré-peça emissora de luz.
[0126] Referindo à FIG. 14, o segundo filtro de cor CF2 é gravado para formar um sexto orifício H6 que expõe o terceiro eletrodo transparente 308 na primeira área AR1, uma quinta camada condutora preenchendo substancialmente o sexto orifício H6 pode ser formada. A quinta camada condutora pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, e Cr. Ao gravar a quinta camada condutora para expor a superfície do segundo filtro de cor CF2, pode ser formado um sexto padrão de passagem 310 que preenche substancialmente o sexto orifício H6.
[0127] Referindo à FIG. 15, uma terceira pré-camada de adesão pode ser formada no segundo filtro de cor CF2, usando um processo de revestimento por rotação ou semelhante. A terceira pré- camada de adesão pode incluir SOG.
[0128] Depois de formar uma quarta abertura expondo o sexto padrão de passagem 310 na primeira área AR1, uma quinta abertura expondo o segundo filtro de cor CF2 na segunda área AR2 e uma sexta abertura expondo o segundo filtro de cor CF2 na terceira área AR3, por gravação da terceira pré- camada de adesão, uma sexta camada condutora pode ser formada no segundo filtro de cor CF2 para preencher substancialmente a quarta abertura, a quinta abertura e a sexta abertura. A sexta camada condutora pode incluir metal com uma temperatura de fusão baixa, como Sn ou In.
[0129] Ao gravar a sexta camada condutora para expor o segundo filtro de cor CF2, um quarto padrão de acoplamento 312 preenchendo substancialmente a quarta abertura, um quinto padrão de acoplamento 314 preenchendo substancialmente a quinta abertura e um sexto padrão de acoplamento 316 preenchendo substancialmente a sexta abertura podem ser respectivamente formados. O quarto padrão de acoplamento 312 pode ser formado na primeira área AR1, o quinto padrão de acoplamento 314 pode ser formado na segunda área AR2 e o sexto padrão de acoplamento 316 pode ser formado na terceira área AR3.
[0130] O terceiro substrato 300 pode ser removido por um processo de elevação a laser ou semelhante. Em seguida, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser virada, de modo que a terceira camada de adesão AD3 possa estar voltada para baixo.
[0131] Referindo à FIG. 16, um sétimo orifício H7 expondo o terceiro eletrodo transparente 308 pode ser formado por gravação da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 na primeira área AR1. Então, uma terceira pré- camada de isolamento pode ser conformada continuamente ao longo da superfície da terceira pré- peça emissora de luz de modo a não preencher completamente o sétimo orifício H7. Ao gravar a terceira pré-camada de isolamento, uma terceira camada de isolamento 318 disposta na parede lateral interna do sétimo orifício H7 pode ser formada.
[0132] Uma sétima camada condutora pode ser formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 para preencher substancialmente o sétimo orifício H7 formado na terceira camada de isolamento 318. A sétima camada condutora pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au, , e Cr. Ao gravar a sétima camada condutora para expor a superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302, um sétimo padrão de passagem 320 que preenche substancialmente o sétimo orifício H7 pode ser formado.
[0133] Referindo à FIG. 17, gravando a terceira pré-peça emissora de luz, uma terceira peça emissora de luz LE3 com uma estrutura em mesa pode ser formada. Ao remover os cantos, que estão respectivamente posicionados na segunda área AR2 e na terceira área AR3, a terceira peça emissora de luz LE3 incluindo uma estrutura em mesa que expõe o quinto padrão de acoplamento 314 e o sexto padrão de acoplamento 316 pode ser formada.
[0134] Referindo à FIG. 18, uma camada de passivação PA, que cobre o quinto padrão de acoplamento 314 e o sexto padrão de acoplamento 316, pode ser formada na terceira camada de adesão AD3 e na terceira peça emissora de luz LE3. A camada de passivação PA pode ser gravada para expor a superfície da terceira peça emissora de luz LE3.
[0135] Referindo à FIG. 19, um oitavo orifício que expõe o quinto padrão de acoplamento 314 e um nono orifício que expõe o sexto padrão de acoplamento 316 podem ser formados gravando a camada de passivação PA. Então, uma oitava camada condutora pode ser formada na camada de passivação PA para preencher substancialmente o oitavo orifício e o nono orifício. A oitava camada condutora pode incluir pelo menos um de Ti, Ni, Au e Cr. Ao gravar a oitava camada condutora para expor a superfície da camada de passivação PA, um oitavo padrão de passagem 322 substancialmente preenchendo o oitavo orifício e um nono padrão de passagem 324 substancialmente preenchendo o nono orifício H9 podem ser formados respectivamente. O oitavo padrão de passagem 322 pode ser formado na segunda área AR2 e o nono padrão de passagem 324 pode ser formado na terceira área AR3.
[0136] Em seguida, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser ligada a uma estrutura, na qual a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 são ligadas uma à outra, usando a terceira camada de adesão AD3. A terceira camada de adesão AD3 pode incluir SOG e ser ligada à segunda camada de isolamento 212 por meio de um processo de termo-compressão. O quarto padrão de acoplamento 312 pode ser alinhado com o terceiro padrão de passagem 214, o quinto padrão de acoplamento 314 pode ser alinhado com o quarto padrão de passagem 216 e o sexto padrão de acoplamento 316 pode ser alinhado com o quinto padrão de passagem 218.
[0137] Desta forma, uma primeira estrutura de passagem TVP1 que inclui o primeiro padrão de passagem 112, o primeiro padrão de acoplamento 116, o terceiro padrão de acoplamento 210, o terceiro padrão de passagem 214, o quarto padrão de acoplamento 312, o sexto padrão de passagem 310 e o sétimo padrão de passagem 320, uma segunda estrutura de passagem TVP2 que inclui o segundo padrão de passagem 114, o segundo padrão de acoplamento 118, o quarto padrão de passagem 216, o quinto padrão de acoplamento 314 e o oitavo padrão de passagem 322 e uma terceira estrutura de passagem TVP3 que inclui o quinto padrão de passagem 218, o sexto padrão de acoplamento 316 e o nono padrão de passagem 324 podem ser formados, respectivamente. A primeira estrutura de passagem TVP1 pode ser formada na primeira área AR1, a segunda estrutura de passagem TVP2 pode ser formada na segunda área AR2 e a terceira estrutura de passagem TVP3 pode ser formada na terceira área AR3.
[0138] Referindo de volta à FIG. 1B, um pad de eletrodo comum CEL que é colocado em contato elétrico com a primeira estrutura de passagem TVP1 na primeira área AR1, um primeiro pad de eletrodo EL1 que é colocado em contato elétrico com a segunda estrutura de passagem TVP2 na segunda área AR2, um segundo pad de eletrodo EL2 que é colocado em contato elétrico com a terceira estrutura de passagem TVP3 na terceira área AR3 e um terceiro pad de eletrodo EL3 que é colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 302 na quarta área AR4 podem ser respectivamente formados.
[0139] Embora certas modalidades e implementações exemplificativas tenham sido descritas aqui, outras modalidades e modificações serão evidentes a partir desta descrição. Por conseguinte, os conceitos inventivos não se limitam a essas modalidades, mas ao escopo mais amplo das reivindicações anexas e a várias modificações óbvias e arranjos equivalentes, como seria evidente para um especialista na técnica.

Claims (20)

REIVINDICAÇÕES
1. Dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender: - uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa, uma primeira camada semicondutora do tipo p e um primeiro eletrodo transparente; - uma segunda peça emissora de luz disposta sobre a primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n, uma segunda camada ativa, uma segunda camada semicondutora do tipo p e um segundo eletrodo transparente; - uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n, uma terceira camada ativa, uma terceira camada semicondutora do tipo p e um terceiro eletrodo transparente; - uma primeira camada de adesão disposta entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz e incluindo primeiros padrões de acoplamento que são adesivos e condutores; e - uma segunda camada de adesão disposta entre a segunda e a terceira peças emissoras de luz e incluindo segundos padrões de acoplamento que são adesivos e condutores, em que a terceira peça emissora de luz tem uma estrutura em mesa expondo uma porção dos segundos padrões de acoplamento da segunda camada de adesão.
2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender um pad de eletrodo comum eletricamente conectado aos primeiro, segundo e terceiro eletrodos transparentes, um primeiro pad de eletrodo eletricamente conectado à primeira camada semicondutora de tipo n, um segundo pad de eletrodo conectado eletricamente à segunda camada semicondutora tipo n e um terceiro pad de eletrodo conectado eletricamente à terceira camada semicondutora tipo n.
3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por cada uma das primeira e segunda peças emissoras de luz ter uma forma substancialmente quadrangular, incluindo primeiro, segundo, terceiro e quarto cantos, respectivamente, correspondendo ao primeiro, segundo, terceiro e quarto cantos do dispositivo emissor de luz, e a terceira peça emissora de luz ter uma forma substancialmente quadrangular, a terceira peça emissora de luz tendo porções cortadas em áreas que correspondem ao segundo e terceiro cantos do dispositivo emissor de luz.
4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelos segundos padrões de acoplamento serem expostos pela terceira peça emissora de luz em áreas que correspondem ao segundo e terceiro cantos do dispositivo emissor de luz.
5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo fato de o primeiro pad de eletrodo estar disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz; e o segundo pad de eletrodo estar disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado pelo fato de um comprimento da terceira peça emissora de luz entre as porções cortadas ser mais curto do que um comprimento da terceira peça emissora de luz entre dois cantos opostos da terceira peça emissora de luz que correspondem ao primeiro e ao quarto cantos do dispositivo emissor de luz.
7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por compreender uma primeira estrutura de passagem que acopla eletricamente o primeiro, segundo e terceiro eletrodos transparentes com o pad de eletrodo comum, uma segunda estrutura de passagem que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo n e o primeiro pad de eletrodo e uma terceira estrutura de passagem que acopla eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n e o segundo pad de eletrodo.
8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pela primeira estrutura de passagem compreender um primeiro padrão de passagem eletricamente acoplando o primeiro eletrodo transparente e o primeiro padrão de acoplamento, um segundo padrão de passagem eletricamente acoplando o segundo eletrodo transparente e o segundo padrão de acoplamento e um terceiro padrão de passagem eletricamente acoplando o terceiro eletrodo transparente e o pad do eletrodo comum.
9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pela primeira estrutura de passagem compreender ainda um quarto padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o terceiro eletrodo transparente, o segundo padrão de acoplamento estar disposto entre o segundo e o quarto padrões de passagem para acoplar eletricamente o segundo e o quarto padrões de passagem e o primeiro padrão de acoplamento estar disposto entre o primeiro padrão de passagem e o segundo eletrodo transparente para acoplar eletricamente o primeiro padrão de passagem e o segundo eletrodo transparente.
10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado por compreender uma primeira camada de isolamento circundando uma parede lateral externa do segundo padrão de passagem e se estendendo para a segunda camada semicondutora de tipo n e uma segunda camada de isolamento em torno de uma parede lateral externa do terceiro padrão de passagem.
11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo padrão de passagem compreender uma parte superior mais larga do que uma parte inferior do mesmo e o primeiro padrão de acoplamento estar conectado à parte superior.
12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pela segunda estrutura de passagem compreender um primeiro padrão de passagem que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n e um primeiro padrão de acoplamento, um segundo padrão de passagem que acopla eletricamente o primeiro padrão de acoplamento e um segundo padrão de acoplamento e um terceiro padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o primeiro pad de eletrodo.
13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo terceiro padrão de passagem estar disposto entre uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz e uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz.
14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por compreender uma camada de passivação disposta sobre o segundo padrão de acoplamento e circundando o terceiro padrão de passagem e tendo uma superfície superior que é coplanar com uma superfície superior da terceira camada semicondutora do tipo n.
15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo primeiro padrão de acoplamento compreender uma extensão estendida em direção a uma parte externa do primeiro padrão de passagem e o segundo padrão de passagem estar conectado à extensão do primeiro padrão de acoplamento.
16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo fato de um primeiro eixo central vertical cruzando um centro do primeiro padrão de passagem estar lateralmente afastado de um segundo eixo central vertical que cruza um centro do segundo padrão de passagem.
17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pela terceira estrutura de passagem compreender um primeiro padrão de passagem que acopla eletricamente a terceira camada semicondutora tipo n e um segundo padrão de acoplamento e um segundo padrão de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de acoplamento e o segundo pad de eletrodo.
18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 17, caracterizado pelo segundo padrão de passagem estar disposto entre uma parede lateral externa da terceira peça emissora de luz e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 18, caracterizado por compreender ainda uma camada de passivação envolvendo o segundo padrão de passagem ao longo do segundo padrão de acoplamento e tendo uma superfície superior que é coplanar com uma superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n.
20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo primeiro padrão de acoplamento estar disposto na mesma elevação que a primeira camada de adesão e o segundo padrão de acoplamento estar disposto na mesma elevação que a segunda camada de adesão.
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