BR112021004875A2

BR112021004875A2 - dispositivo emissor de luz

Info

Publication number: BR112021004875A2
Application number: BR112021004875-8A
Authority: BR
Inventors: Seong Kyu JANG; Ho Joon Lee; Jong Hyeon Chae
Original assignee: Seoul Viosys Co., Ltd.
Priority date: 2018-09-14
Filing date: 2019-09-10
Publication date: 2021-07-20
Also published as: US10886447B2; CN210224057U; CN112689904A; JP7371089B2; US20200091390A1; WO2020055091A1; JP2022500842A; EP3852154A1; EP3852154A4; KR20210049780A; US11876156B2; US20240113272A1; US20210091286A1

Abstract

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ. A presente invenção trata de dispositivo emissor de luz que inclui uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada ôhmica, uma segunda peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada ôhmica, uma terceira peça emissora de luz incluindo primeiro e segundo padrões de metal, respectivamente, em contato com as camadas semicondutoras, um primeiro pad eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica, um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica, um terceiro pad eletricamente acoplado com o primeiro padrão de metal, um pad comum eletricamente acoplado com uma camada semicondutora da primeira e da segunda peças emissoras de luz e do segundo padrão de metal, e uma estrutura de passagem acoplando eletricamente o segundo padrão de metal e o pad comum entre o segundo padrão de metal e o pad comum, em que o segundo padrão de metal tem uma primeira porção em contato com a primeira estrutura de passagem e uma segunda porção em contato com a camada semicondutora da terceira peça emissora de luz.

Description

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ Campo de Aplicação

[001] A presente invenção trata de um dispositivo emissor de luz e, mais especificamente, de um dispositivo emissor de luz em que uma pluralidade de camadas emissoras de luz são empilhadas.

Estado da técnica

[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica , estão sendo amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido a sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta do que as fontes de luz existentes.

[003] Em particular, um dispositivo de exibição geralmente exibe várias cores geral usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel do dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, e a cor de um pixel específico é determinada pela cor desses subpixels e uma imagem é implementada por uma combinação desses pixels.

[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um visor de micro LED foi desenvolvido como um dispositivo de próxima geração, que diretamente implementa imagens usando diodos emissores de luz.

Descrição da Invenção Problema técnico

[005] Dispositivos emissores de luz construídos de acordo com modalidades exemplificativas da invenção têm eficiência de luz e extração de luz melhoradas.

[006] Recursos adicionais dos conceitos inventivos serão apresentados na descrição a seguir e, em parte, serão evidentes a partir da descrição ou podem ser aprendidos pela prática dos conceitos inventivos.

Solução técnica

[007] Um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui uma primeira peça emissora de luz incluindo uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma primeira camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo e uma primeira camada ôhmica, uma segunda peça emissora de luz disposta na primeira peça emissora de luz e incluindo uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma segunda camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo e uma segunda camada ôhmica, uma terceira peça emissora de luz disposta na segunda peça emissora de luz e incluindo uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma terceira camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo, um primeiro padrão de metal tendo uma primeira superfície em contato elétrico com a camada semicondutora de segundo tipo da terceira peça emissora de luz e um segundo padrão de metal tendo uma primeira superfície em contato elétrico com a camada semicondutora de primeiro tipo da terceira parte emissora de luz, um primeiro pad eletricamente acoplado à primeira camada ôhmica, um segundo pad eletricamente acoplado à segunda camada ôhmica, um terceiro pad eletricamente acoplado com o primeiro padrão de metal, um pad comum eletricamente acoplado com a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira e da segunda peças emissoras de luz e o segundo padrão de metal e uma primeira estrutura de passagem eletricamente acoplando o segundo padrão de metal e o pad comum entre o segundo padrão de metal e o pad comum, em que a primeira superfície do segundo padrão de metal tem uma primeira porção em contato com a primeira estrutura de passagem e uma segunda porção em contato com a camada semicondutora de primeiro tipo da terceira peça emissora de luz.

[008] Uma área da segunda porção do segundo padrão de metal pode ser cerca de uma a cerca de cinco vezes de uma área da primeira porção.

[009] A segunda porção do segundo padrão de metal pode envolver a primeira porção.

[010] Uma condutividade elétrica de cada um dos primeiro e segundo padrões de metal pode ser maior do que uma condutividade elétrica de cada uma das primeira e segunda camadas ôhmicas.

[011] O primeiro padrão de metal pode entrar em contato com a camada semicondutora do segundo tipo da terceira peça emissora de luz e tem uma primeira espessura e o segundo padrão de metal pode passar através da camada semicondutora do segundo tipo da terceira peça emissora de luz e da terceira camada ativa, e pode ter uma segunda espessura maior do que a primeira espessura.

[012] Cada um do primeiro padrão de metal e do segundo padrão de metal pode ter uma segunda superfície oposta à primeira superfície e a segunda superfície do primeiro padrão de metal pode ser disposta em um nível que é pelo menos o mesmo ou mais alto do que a segunda superfície do segundo padrão de metal.

[013] O segundo padrão de metal pode ter uma segunda superfície oposta à primeira superfície, uma largura da primeira superfície pode ser maior do que uma largura da segunda superfície e a largura da segunda superfície pode ser maior do que uma largura da primeira estrutura de passagem.

[014] Uma porção de uma parede lateral externa do segundo padrão de metal adjacente à primeira estrutura de passagem pode se projetar para fora.

[015] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma segunda estrutura de passagem que acopla eletricamente o primeiro padrão de metal e o terceiro pad entre o primeiro padrão de metal e o terceiro pad, em que a segunda superfície do primeiro padrão de metal pode ter uma primeira porção em contato com a segunda estrutura de passagem e uma segunda porção contatando a camada semicondutora de segundo tipo da terceira peça emissora de luz.

[016] Uma área da segunda porção do primeiro padrão de metal pode ser cerca de uma a cerca de cinco vezes uma área da primeira porção.

[017] A segunda porção do primeiro padrão de metal pode envolver a primeira porção.

[018] O primeiro padrão de metal pode ter uma largura maior do que a segunda estrutura de passagem.

[019] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda estrutura de passagem acoplando eletricamente a primeira camada ôhmica e o primeiro pad, uma terceira estrutura de passagem acoplando eletricamente a segunda camada ôhmica e o segundo pad, uma quarta estrutura de passagem acoplando eletricamente o primeiro padrão de metal e o terceiro pad e uma primeira camada de passivação isolando eletricamente a primeira, a segunda, a terceira e a quarta estruturas de passagem da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, nas quais a primeira camada de passivação pode ter uma primeira porção circundando as paredes laterais externas da respectiva primeira, segunda, terceira e quarta estruturas de passagem e uma segunda porção disposta entre a camada semicondutora de primeiro tipo da terceira peça emissora de luz e o primeiro, segundo, terceiro pads e o pad comum e a segunda porção da primeira camada de passivação pode ter uma espessura igual ou maior do que a primeira porção.

[020] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma quinta estrutura de passagem que acopla eletricamente o pad comum e a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira peça emissora de luz e uma sexta estrutura de passagem que acopla eletricamente o pad comum e a camada semicondutora do primeiro tipo da segunda peça emissora de luz, na qual a primeira porção da primeira camada de passivação pode envolver as paredes laterais externas da quinta e sexta estruturas de via.

[021] Cada uma das estruturas de primeira, segunda, terceira, quarta, quinta e sexta vias pode incluir uma camada de revestimento e uma camada semente em torno de uma parede lateral externa da camada de revestimento.

[022] O segundo padrão de metal pode ter uma primeira superfície em contato com a primeira estrutura de passagem e o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma quinta estrutura de passagem incluindo um primeiro padrão em contato elétrico com uma segunda superfície do segundo padrão de metal em oposição à primeira superfície e à camada semicondutora do primeiro tipo da segunda peça emissora de luz e um segundo padrão acoplando eletricamente o primeiro padrão e a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira peça emissora de luz.

[023] Cada uma das estruturas de primeira, segunda, terceira, quarta e quinta vias pode incluir uma camada de revestimento e uma camada semente em torno de uma parede lateral externa da camada de revestimento.

[024] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada de passivação em torno das paredes laterais externas das respectivas primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz e uma camada semente externa circundando as paredes laterais externas da camada de passivação.

[025] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma primeira camada semente externa circundando as paredes laterais externas de pelo menos uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, uma primeira camada de passivação disposta entre pelo menos uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz partes e a primeira camada semente externa, uma segunda camada semente externa circundando as paredes laterais externas de outra da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz e uma segunda camada de passivação disposta entre a outra da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz e a segunda camada semente externa.

[026] Pelo menos uma superfície da camada semicondutora do primeiro tipo das peças emissoras de luz pode ter uma pluralidade de saliências.

[027] A camada semicondutora do primeiro tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz pode incluir um semicondutor do tipo n e a camada semicondutora do segundo tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz pode incluir um semicondutor tipo p.

[028] A camada semicondutora do primeiro tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz pode incluir um semicondutor tipo p e a camada semicondutora do segundo tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz pode incluir um semicondutor tipo n.

[029] Deve ser entendido que tanto a descrição geral acima como a descrição detalhada a seguir são exemplificativas e explicativas e se destinam a fornecer explicações adicionais da invenção como reivindicada.

Efeitos vantajosos

[030] De acordo com as modalidades exemplificativas, um dispositivo emissor de luz inclui padrões de metal que são formados em uma camada semicondutora do tipo n e uma camada semicondutora do tipo p em uma luz de cor vermelha emissora de luz para melhorar uma propriedade ôhmica.

[031] Além disso, como uma camada semicondutora de primeiro tipo de cada peça emissora de luz é eletricamente acoplada em comum a um pad comum, é possível fornecer estavelmente corrente ao dispositivo emissor de luz, em comparação com o acoplamento de uma camada semicondutora de segundo tipo de cada peça emissora de luz em comum.

[032] Além disso, porque uma camada semente é formada nas paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz, a luz gerada a partir do dispositivo emissor de luz pode ser refletida, melhorando assim a eficiência da luz do dispositivo emissor de luz.

Descrição das Figuras

[033] A Fig. 1A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[034] A Fig. 1B é uma vista em seção transversal tomada ao longo das linhas A-A’ e B-B’ da Fig. 1A.

[035] A Fig. 1C é uma vista ampliada de A da Fig. 1B.

[036] A Fig. 1D é uma vista ampliada de B da Fig. 1B.

[037] A Fig. 1E é uma vista superior de um primeiro padrão condutor do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1B.

[038] A Fig. 1F é uma vista superior de um segundo padrão condutor do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1B.

[039] A Fig. 1G é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[040] A Fig. 1H é uma vista em seção transversal tomada ao longo das linhas A-A’ e B-B’ da Fig. 1G. A Fig. 1I é um gráfico que mostra a eficiência quântica externa normalizada do dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[041] A Fig. 2A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade exemplificativa.

[042] A Fig. 2B é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha C-C’ da Fig. 2A.

[043] As Figs. 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, e 28 são vistas em seção transversal que ilustram um método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[044] As Figs. 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, e 46 são vistas em seção transversal ilustrando um método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade exemplificativa.

Melhor Modo de Realizar a Invenção

[045] A fim de compreender a configuração e o efeito da divulgação suficientemente, as modalidades da divulgação serão descritas com referência às figuras anexas. No entanto, a divulgação não está limitada às modalidades aqui estabelecidas e pode ser implementada de várias formas, e uma variedade de mudanças podem ser adicionadas.

[046] Salvo definido em contrário, todos os termos aqui utilizados possuem os mesmos significados que os comumente entendidos por um técnico especialista no assunto aos quais a presente divulgação é parte.

[047] A seguir, um dispositivo emissor de luz será descrito abaixo com referência às figuras anexas através de várias modalidades exemplificativas.

[048] A Fig. 1A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa, Fig. 1B é uma vista em seção transversal tomada ao longo das linhas A-A’ e B-B’ da Fig. 1A, Fig. 1C é uma vista ampliada de A da Fig. 1B, a Fig. 1D é uma vista ampliada de B da Fig. 1B, a Fig. 1E é uma vista superior de um primeiro padrão condutor do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1B e Fig. 1F é uma vista superior de um segundo padrão condutor do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1B. A Fig. 1G é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a Fig. 1H é uma vista em seção transversal tomada ao longo das linhas A-A’ e B-B’ da Fig. 1G. A Fig. 1I é um gráfico que mostra a eficiência quântica externa normalizada em relação à densidade de corrente por uma área de unidade de cada uma da primeira à terceira peças emissoras de luz do dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[049] Referindo às Figs. 1A a 1H, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3.

[050] Quando vista de cima, a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ter estruturas substancialmente quadrangulares, que têm paredes laterais externas posicionadas nos mesmos planos. Quando visto de cima, o dispositivo emissor de luz pode incluir um primeiro canto CN1, um segundo canto CN2, um terceiro canto CN3 e um quarto canto CN4.

[051] Quando a segunda peça emissora de luz LE2 está disposta na primeira peça emissora de luz LE1 para ser assimétrica em uma direção, e a terceira peça emissora de luz LE3 está disposta na segunda peça emissora de luz LE2 para ser assimétrica em uma direção, uma vez que alguns da luz emitida a partir da primeira peça emissora de luz LE1 pode passar através da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3, enquanto parte da luz pode não passar através da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3, uma mistura de cor pode ocorrer. De acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, uma vez que a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 têm estruturas substancialmente quadrangulares tendo as paredes laterais externas coplanares, uma mistura de cores que pode ocorrer quando a primeira peça emissora de luz a parte LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 são empilhadas para serem assimétricas em uma ou mais direções.

[052] Quando uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1 está voltada para a segunda peça emissora de luz LE2, a outra superfície da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Quando a outra superfície da primeira peça emissora de luz LE1 é a superfície de extração de luz, o comprimento de onda da luz emitida da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser o mais curto, o comprimento de onda de luz emitida da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior que o comprimento de onda da primeira peça emissora de luz LE1 e ser menor que o comprimento de onda da terceira peça emissora de luz LE3, e o comprimento de onda de luz emitida da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o maior. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha.

[053] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108, que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206 e uma segunda camada ôhmica 208, que são verticalmente empilhados. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora tipo n 302, que são empilhadas verticalmente, um primeiro padrão condutor CP1 eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306 e um segundo padrão condutor CP2 eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo n 302.

[054] Cada uma da primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Si. Cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg, por exemplo. Cada uma da primeira camada ativa 104, a segunda camada ativa 204 e a terceira camada ativa 304 podem incluir um poço multiquântico (MQW) e a proporção da composição dos mesmos pode ser determinada para emitir luz de um comprimento de onda de pico desejado. Cada uma da primeira camada ôhmica 108 e da segunda camada ôhmica 208 pode ser formada usando um óxido condutor transparente (TCO), como um ZnO, um SnO2, um InO2, um óxido de índio estanho (ITO), um índio zinco óxido (IZO), um óxido de índio-estanho-zinco (ITZO) ou outros. Cada um do primeiro padrão condutor CP1 e do segundo padrão condutor CP2 pode incluir um material, que tem uma propriedade de condução elétrica mais elevada do que a primeira camada ôhmica 108 e a segunda camada ôhmica 208. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro padrão condutor CP1 pode ser acoplado eletricamente com a terceira camada semicondutora tipo p 306 no lugar de um TCO e pode incluir uma liga Au/Ge. O segundo padrão condutor CP2 pode ser acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora tipo n 302 no lugar de um TCO e pode incluir uma liga Au/Be. Como a terceira peça emissora de luz LE3 inclui o primeiro padrão condutivo CP1 e o segundo padrão condutor CP2 como uma camada ôhmica no lugar de um TCO, uma propriedade ôhmica pode ser melhorada.

[055] Referindo às Figs. 1B e 1D, o primeiro padrão condutor CP1 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo p 306 posicionada em um canto (por exemplo, o terceiro canto CN3) do dispositivo emissor de luz. O primeiro padrão condutor CP1 pode ser disposto entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira camada semicondutora tipo p 306, com uma superfície do primeiro padrão condutor CP1 contatando uma superfície da terceira camada semicondutora tipo p 306. Por exemplo, o primeiro padrão condutor CP1 pode ter uma primeira espessura TH1, que pode ser de cerca de 0,3 µm a cerca de 0,4 µm, sem estar limitado a esta.

[056] O segundo padrão condutor CP2 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 302 posicionada em outro canto (por exemplo, o quarto canto CN4) do dispositivo emissor de luz. O segundo padrão condutor CP2 pode se estender para a terceira peça emissora de luz LE3 e pode ter uma estrutura de pilar, que passa através da terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304. Por uma primeira camada de passivação PV1, que circunda a parede lateral externa do segundo padrão condutor CP2, o segundo padrão condutor CP2 pode ser isolado da terceira camada semicondutora tipo p 306 e da terceira camada ativa 304. A primeira camada de passivação PV1 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlOx e SiOx. A primeira camada de passivação PV1 pode se estender para a terceira camada semicondutora tipo p 306. Além disso, a primeira camada de passivação PV1 pode ser disposta enquanto envolve o primeiro padrão condutor CP1.

[057] Uma superfície do segundo padrão condutor CP2 pode entrar em contato com uma superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302 e a superfície oposta do segundo padrão condutor CP2 pode ser posicionada em um nível inferior ou igual à superfície da terceira camada semicondutora do tipo p 306, que é adjacente à segunda peça emissora de luz LE2. Por exemplo, o segundo padrão condutor CP2 pode ter uma segunda espessura TH2 maior do que o primeiro padrão condutor CP1 e pode ter uma espessura de, por exemplo, cerca de 3 µm a cerca de 4 µm. Ao formar o segundo padrão condutor CP2 para se estender para a terceira peça emissora de luz LE3 com a espessura TH2 maior do que a espessura TH1 do primeiro padrão condutor CP1, uma diferença de nível entre as superfícies inferiores do primeiro padrão condutor CP1 e a outra superfície do segundo padrão condutivo CP2 pode ser reduzida.

[058] De acordo com a modalidade exemplificativa mostrada nas Figs. 1B e 1C, no segundo padrão condutor CP2, uma primeira largura WT1 de uma porção superior UP adjacente a uma sexta estrutura de passagem VA6 pode ser maior do que uma segunda largura WT2 de uma porção inferior LP passando através da terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304. A porção inferior LP do segundo padrão condutor CP2 pode ter a segunda largura WT2 que é constante, enquanto a porção superior UP do segundo padrão condutor CP2 pode ter uma largura gradualmente crescente ao longo de uma direção para cima. A primeira largura WT1 pode ser a largura mais longa do segundo padrão condutor CP2. A parede lateral externa da porção superior UP do segundo padrão condutor CP2, que é adjacente à sexta estrutura de passagem VA6, pode se projetar para ter uma borda afiada SP.

[059] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma superfície em contato com a segunda camada ativa 204. Uma pluralidade de saliências finas (ver Fig. pode ser formada na outra, oposta à superfície da segunda camada semicondutora tipo n 202. As saliências finas podem ser uniformes ou não uniformes. Em algumas modalidades exemplificativas, uma pluralidade de saliências finas pode ser formada em uma superfície de cada uma da primeira camada semicondutora de tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3.

[060] Referindo às Figs. 1A a 1H, as paredes laterais exteriores da primeira peça emissora de luz LE1, da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3 podem ser coplanares umas com as outras. Nas descrições a seguir, as paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz se referem às paredes laterais externas da respectiva primeira peça emissora de luz LE1, segunda peça emissora de luz LE2 e terceira peça emissora de luz LE3.

[061] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira peça de adesão CF1 e um primeiro filtro de cor AD1, que estão dispostos entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 e uma segunda peça de adesão AD2 e um segundo filtro de cor CF2, que estão dispostos entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3.

[062] Cada uma da primeira peça de adesão AD1 e da segunda peça de adesão AD2 pode incluir um material que tem uma propriedade adesiva e alta transmitância, como SOG (silício em vidro), SiO2, um fotorresiste, BCB (benzo ciclo butino) ou HSQ (silsesquioxanos de hidrogênio). Cada um do primeiro filtro de cor CF1 e do segundo filtro de cor CF2 pode incluir um DBR (refletor de Bragg distribuído) tendo uma estrutura, no qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente. Por exemplo, o primeiro filtro de cor CF1 e o segundo filtro de cor CF2 podem ser diferentes em termos de proporção de composição e ordem de empilhamento alternada e número de TiO2 e SiO2. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro filtro de cor CF1 pode passar seletivamente a luz gerada a partir da segunda peça emissora de luz LE2 e a luz gerada da terceira peça emissora de luz LE3 e pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1. O segundo filtro de cor CF2 pode seletivamente passar a luz gerada a partir da terceira peça emissora de luz LE3, e pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e a luz gerada a partir da segunda pela emissora de luz LE2.

[063] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme o segundo padrão condutor CP2 é disposto para passar através da terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304, e o primeiro padrão condutor CP1 é disposto na terceira camada semicondutora tipo p 306, o segundo padrão condutor CP2 pode ser formado para ter uma espessura maior do que o primeiro padrão condutor CP1 para reduzir a diferença de nível entre o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2. Quando a segunda peça de adesão AD2 disposta nas outras superfícies do primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 são ligados com o segundo filtro de cor CF2, a segunda peça de adesão AD2 pode ser formada substancialmente uniforme sem uma peça dentada ou saliente, devido à diferença de nível reduzida entre o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2. Quando a segunda peça de adesão AD2 é dentada ou saliente, um espaço de ar pode ser formado na parte dentada ou saliente, que pode ser expandida e delaminar a segunda peça de adesão AD2 e o segundo filtro de cor CF2 quando a segunda peça de adesão AD2 é ligada através processo de compressão térmica ou semelhante. De acordo com uma modalidade exemplificativa, reduzindo a diferença de nível entre o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2, que são colocados em contato com a segunda peça de adesão AD2, através do estabelecimento de uma diferença de espessura entre o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2, é possível evitar que a segunda peça de adesão AD2 seja formada com uma parte dentada ou saliente, evitando assim a delaminação devido à presença de uma lacuna de ar.

[064] Na terceira peça emissora de luz LE3, um primeiro pad PD1 pode ser disposto no primeiro canto CN1 e eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica 108, um segundo pad PD2 pode ser disposto no segundo canto CN2 e eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica 208, um terceiro pad PD3 pode ser disposto no terceiro canto CN3 e eletricamente acoplado com o primeiro padrão condutor CP1 e um pad comum CPD pode ser disposto no quarto canto CN4 e eletricamente acoplado em comum com a primeira à terceira camadas semicondutoras tipo n 102, 202 e 302.

[065] Por exemplo, cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem incluir pelo menos um de Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu, ou uma liga dos mesmos.

[066] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem ter substancialmente a mesma largura WT e forma quando vista de cima. Por exemplo, quando o dispositivo emissor de luz é de 10x10 µm, cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem ter uma largura de cerca de 3 µm a 4 µm, e a largura entre o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem ser de cerca de 2 µm a cerca de 4 µm.

[067] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira estrutura de passagem VA1, que está disposta no primeiro canto CN1 e acopla eletricamente a primeira camada ôhmica 108 e o primeiro pad PD1, uma segunda estrutura de passagem VA2, que está disposta no segundo canto CN2 e acopla eletricamente a segunda camada ôhmica 208 e o segundo pad PD2, e uma terceira estrutura de passagem VA3, que está disposta no terceiro canto CN3 e acopla eletricamente o primeiro padrão condutor CP1 e o terceiro pad PD3. Além disso, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma quarta estrutura de passagem VA4, que está disposta no quarto canto CN4 e acopla eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n 102 e o pad comum CPD, uma quinta estrutura de passagem VA5, que está disposta no quarto canto CN4 e acopla eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n 202 e o pad comum CPD, e a sexta estrutura de passagem VA6, que está disposta no quarto canto CN4 e acopla eletricamente o segundo padrão condutor CP2 e o pad comum CPD.

[068] A primeira estrutura de passagem VA1 pode passar através da terceira peça emissora de luz LE3, a segunda peça de adesão AD2, o segundo filtro de cor CF2, a segunda peça emissora de luz LE2, a primeira peça de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1. A segunda via da estrutura VA2 pode passar pela terceira peça emissora de luz LE3, a segunda peça de adesão AD2 e o segundo filtro de cor CF2. A terceira via da estrutura VA3 pode passar através da terceira peça emissora de luz LE3. A quarta via da estrutura VA4 pode passar através da terceira peça emissora de luz LE3, a segunda peça de adesão AD2, o segundo filtro de cor CF2, a segunda peça emissora de luz LE2, a primeira peça de adesão AD1, o primeiro filtro de cor CF1, a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104. A quinta estrutura de passagem VA5 pode passar através da terceira peça emissora de luz LE3, a segunda peça de adesão AD2, o segundo filtro de cor CF2, a segunda camada ôhmica 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a segunda camada ativa 204. A sexta estrutura de passagem VA6 pode passar através da terceira camada semicondutora tipo n 302. Referindo às Figs. 1A e 1B, cada uma da primeira estrutura de passagem VA1, a segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3, a quarta estrutura de passagem VA4, a quinta estrutura de passagem VA5 e a sexta estrutura de passagem VA6 podem ter a mesma terceira largura WT3. A terceira largura WT3 pode ser igual ou inferior a cerca de 1 µm.

[069] Referindo às Figs. 1G e 1H, de acordo com outra modalidade exemplificativa, a primeira estrutura de passagem VA1, a segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3, a quarta estrutura de passagem VA4, a quinta estrutura de passagem VA, 5 e a sexta estrutura de passagem VA6 podem ter diferentes larguras. Por exemplo, cada um da primeira estrutura de passagem VA1, a segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3, a quarta estrutura de passagem VA4 e a quinta estrutura de passagem VA5 podem ter a mesma terceira largura WT3 e a sexta estrutura de passagem VA6 pode ter uma quarta largura WT4 maior do que a terceira largura WT3. Quando a primeira peça emissora de luz LE1 emite luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 emite luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 emite luz vermelha, eficiências quânticas externas máximas (EQE) dependendo das densidades de corrente por área na primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser diferentes umas das outras. Na Fig. 1I, o eixo x representa uma densidade de corrente por unidade de área do dispositivo emissor de luz e o eixo y representa um EQE normalizado. Referindo à Fig. 1I, a fim de atingir a eficiência quântica externa máxima de 100%, corrente de aproximadamente 2 A/cm2 por unidade de área é necessária na primeira peça emissora de luz LE1 e na segunda peça emissora de luz LE2, mas corrente de aproximadamente 20A/cm2 por área da unidade é necessária na terceira peça emissora de luz LE3. No dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é preferencial que a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 sejam empilhadas verticalmente e uma eficiência quântica externa máxima seja alcançada pela aplicação de mesma corrente.

[070] Como tal, reduzindo a área da terceira peça emissora de luz LE3, a quantidade de corrente a ser aplicada à terceira peça emissora de luz LE3 pode ser reduzida ao nível da quantidade de corrente a ser aplicada a cada um dos primeiros emissores de luz parte LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Ao formar a sexta estrutura de passagem VA6 da terceira peça emissora de luz LE3 para ser maior do que o tamanho de cada uma da primeira à quinta estruturas de passagem VA1, VA2, VA3, VA4 e VA5, a área da terceira peça emissora de luz LE3 para a emissão de luz vermelha pode ser reduzida, o que pode resultar na aplicação substancialmente da mesma quantidade de corrente a cada uma da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Desta forma, uma eficiência quântica externa máxima pode ser alcançada.

[071] Em algumas modalidades exemplificativas, pela mesma razão, a terceira estrutura de passagem VA3 eletricamente acoplada à terceira camada semicondutora de tipo p 306 da terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma quarta largura WT4 maior do que a terceira largura WT3 de cada uma da primeira estrutura de passagem VA1, a segunda estrutura de passagem VA2, a quarta estrutura de passagem VA4, quinta estrutura de passagem VA5 e a sexta estrutura de passagem VA6.

[072] Referindo às Figs. 1B e 1E, uma superfície da terceira estrutura de passagem VA3 pode ser colocada em contato com a superfície do primeiro padrão condutor CP1. O primeiro padrão condutor CP1 pode ter uma largura maior do que a terceira largura WT3. A única superfície do primeiro padrão condutor CP1 pode ser colocada em contato simultaneamente com a superfície da terceira estrutura de passagem VA3 e a terceira camada semicondutora tipo p 306. O primeiro padrão condutor CP1 pode incluir uma primeira porção PT1 em contato com a terceira estrutura de passagem VA3 e uma segunda porção PT2 em contato com a terceira camada semicondutora tipo p 306. A segunda porção PT2 pode ter uma estrutura que circunda a primeira porção PT1. A área da segunda porção PT2 pode ser cerca de 1 a cerca de 5 vezes a área da primeira porção PT1.

[073] Referindo às Figs. 1B e 1F, uma superfície da sexta estrutura de passagem VA6 pode ser colocada em contato com a superfície do segundo padrão condutor CP2. O segundo padrão condutor CP2 pode ter uma largura maior do que a terceira largura WT3. Referindo à Fig. 1C, o segundo padrão condutor CP2 pode ter a primeira largura WT1 e a segunda largura WT2, e a terceira largura WT3 da sexta estrutura de passagem VA6 pode ser menor do que a primeira largura WT1 e a segunda largura WT2. A segunda largura WT2 pode ser menor que a primeira largura WT1 e maior que a terceira largura WT3. A uma superfície do segundo padrão condutor CP2 pode ser colocada em contato simultaneamente com a sexta estrutura de passagem VA6 e a terceira camada semicondutora tipo n 302. O segundo padrão condutor CP2 pode incluir uma primeira porção PT1 em contato com a sexta estrutura de passagem VA6 e uma segunda porção PT2 em contato com a terceira camada semicondutora tipo n 302. A segunda porção PT2 pode ter uma estrutura que circunda a primeira porção PT1. A área da segunda porção PT2 pode ser cerca de 1 a cerca de 5 vezes a área da primeira porção PT1.

[074] Referindo às Figs. 1A a 1H, cada um da primeira estrutura de passagem VA1, a segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3, a quarta estrutura de passagem VA4, a quinta estrutura de passagem VA5 e a sexta estrutura de passagem VA6 podem incluir uma camada semente SD e um camada de revestimento ML e a camada semente SD podem circundar a camada de revestimento ML. Por exemplo, cada uma da camada semente SD e da camada de revestimento ML pode incluir cobre e uma densidade do cobre na camada semente SD pode ser maior do que na camada de revestimento ML.

[075] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda camada de passivação PV2 que circunda as paredes laterais externas da respectiva primeira estrutura de passagem VA1, segunda estrutura de passagem VA2, terceira estrutura de passagem VA3, quarta estrutura de passagem VA4, quinta estrutura de passagem VA5 e sexta estrutura de passagem VA6, e se estende até a superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302. Conforme a segunda camada de passivação PV2 se estende até a superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302, a segunda camada de passivação PV2 pode isolar a terceira camada semicondutora tipo n 302 do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3, e o pad comum CPD. A segunda camada de passivação PV2 pode incluir um material transparente que tem uma propriedade de isolamento. Por exemplo, a segunda camada de passivação PV2 pode incluir pelo menos um dentre SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlOx e SiOx.

[076] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda camada de passivação PV2, a espessura de uma porção que se estende até a superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser maior ou igual à espessura de uma porção que circunda as paredes laterais externas da respectiva primeira estrutura de passagem VA1, segunda estrutura de passagem VA2, terceira estrutura de passagem VA3, quarta estrutura de passagem VA4, quinta estrutura de passagem VA5 e sexta estrutura de passagem VA6.

[077] Ao separar o dispositivo emissor de luz de um substrato durante a fabricação, o substrato pode ser dobrado. Como tal, uma vez que a segunda camada de passivação PV2 de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui uma porção disposta na superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302 que tem uma espessura maior ou igual à espessura da porção que circunda as paredes laterais externas da respectiva primeira estrutura de passagem VA1, segunda estrutura de passagem VA2, terceira estrutura de passagem VA3, quarta estrutura de passagem VA4, quinta estrutura de passagem VA5 e sexta estrutura de passagem VA6, a segunda camada de passivação PV2 que está disposta na superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode impedir que o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD sejam delaminados do dispositivo emissor de luz.

[078] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada semente externa SSD, que está disposta para circundar as paredes laterais do dispositivo emissor de luz 114. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada de passivação PV2 pode ser disposta para se estender entre a camada semente externa SSD e o dispositivo emissor de luz. Ambas as superfícies de extremidade da camada semente externa SSD podem ser substancialmente coplanares com ambas as superfícies de extremidade da quarta estrutura de passagem VA4. De acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, entre a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3, a luz emitida em direção aos lados do dispositivo emissor de luz pode ser refletida pela camada semente externa SSD, melhorando assim a eficiência da luz do dispositivo emissor de luz.

[079] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um padrão de mascaramento MP5 que circunda as paredes laterais externas da camada semente externa SSD. O dispositivo emissor de luz pode ser eletricamente isolado do lado de fora pelo padrão de mascaramento MP5. O padrão de mascaramento MP5 pode incluir um material opaco que tem uma propriedade de isolamento, como um fotorresiste, uma poli-imida, um epóxi ou outros.

[080] De acordo com uma modalidade exemplificativa, um fenômeno de arqueamento pode ocorrer entre um substrato (não mostrado) a ser removido após o dispositivo emissor de luz ser concluído e a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1. Como tal, uma rachadura pode ocorrer em um dispositivo de emissão de luz durante um processo de separação de dispositivo de separação de uma pluralidade de dispositivos de emissão de luz dispostos no substrato. Neste caso, a ocorrência de uma rachadura pode ser evitada pelo padrão de mascaramento MP5, que circunda as paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz.

[081] Embora o dispositivo emissor de luz ilustrado com com referência à Figs. 1A a 1H tenha sido descrito como a primeira camada semicondutora de tipo n 102, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302 sendo eletricamente acoplada ao pad comum CPD, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Por exemplo, em algumas modalidades exemplificativas, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser eletricamente acopladas ao pad comum CPD.

[082] A Fig. 2A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade exemplificativa. A Fig. 2B é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha C-C’ da Fig. 2A.

[083] Referindo às Figs. 2A e 2B, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3.

[084] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108, que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma camada ôhmica 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, que são empilhadas verticalmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, que são empilhadas verticalmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir ainda um primeiro padrão condutor CP1, que é eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306 e um segundo padrão condutor CP2, que é eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo n 302.

[085] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1 e uma primeira peça de adesão AD1, que estão dispostos entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 e um segundo filtro de cor CF2, uma segunda peça de adesão AD2, uma terceira peça de adesão AD3, que estão dispostos entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. O primeiro filtro de cor CF1 pode ser disposto entre a primeira camada ôhmica 108 e a primeira peça de adesão AD1. Alternativamente, o primeiro filtro de cor CF1 pode ser disposto entre a primeira camada ôhmica 108 e a primeira peça de adesão AD1. O segundo filtro de cor CF2 pode ser disposto entre a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira peça de adesão

AD3. A primeira peça de adesão AD1 pode ser disposta entre o primeiro filtro de cor CF1 e a segunda camada ôhmica 208, e pode ligar a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 uma à outra. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira peça de adesão AD1 pode ser disposta para se estender para a parede lateral interna de um orifício, que passa através do primeiro filtro de cor CF1, a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104. A segunda peça de adesão AD2 pode ser disposta entre a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira peça de adesão AD3. A terceira peça de adesão AD3 pode ser disposta entre a segunda peça de adesão AD2 e o segundo filtro de cor CF2. A terceira peça de adesão AD3 pode ser disposta para se estender para a parede lateral interna de um orifício, que passa através do segundo filtro de cor CF2, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304.

[086] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro padrão condutor CP1 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo p 306. O primeiro padrão condutor CP1 pode ser disposto entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira camada semicondutora tipo p 306, com uma superfície do primeiro padrão condutor CP1 contatando a terceira camada semicondutora tipo p 306. Por exemplo, o primeiro padrão condutor CP1 pode ter uma estrutura de pilar que passa através do segundo filtro de cor CF2 e da terceira peça de adesão AD3.

[087] O segundo padrão condutor CP2 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n

302. O segundo padrão condutor CP2 pode ter uma estrutura de pilar, que se estende para a terceira peça emissora de luz LE3 e passa através da terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304. O segundo padrão condutor CP2 pode ter uma espessura maior do que o primeiro padrão condutor CP1. Por exemplo, o segundo padrão condutor CP2 pode ter uma estrutura de pilar, que passa através da terceira peça de adesão AD3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304.

[088] Enquanto uma superfície do segundo padrão condutor CP2 está posicionada a um nível mais alto do que a superfície do primeiro padrão condutor CP1, a outra superfície do segundo padrão condutor CP2 e a outra superfície do primeiro padrão condutor CP1 podem ser dispostas no mesmo plano. A outra superfície do primeiro padrão condutor CP1 e a outra superfície do segundo padrão condutor CP2 são superfícies em contato com a segunda peça emissora de luz LE2 quando a terceira peça emissora de luz LE3 está ligada à segunda peça emissora de luz LE2. Como a outra superfície do primeiro padrão condutor CP1 e a outra superfície do segundo padrão condutor CP2 são coplanares entre si, uma característica de ligação pode ser melhorada.

[089] O dispositivo emissor de luz pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima e pode incluir um primeiro canto CN1, um segundo canto CN2, um terceiro canto CN3 e um quarto canto CN4. Na terceira peça emissora de luz LE3, um primeiro pad PD1 pode ser disposto no primeiro canto CN1 e eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica 108, um segundo pad PD2 pode ser disposto no segundo canto CN2 e eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica 208, um terceiro pad PD3 pode ser disposto no terceiro canto CN3 e eletricamente acoplado com o primeiro padrão condutor CP1 e um pad comum CPD pode ser disposto no quarto canto CN4 e eletricamente acoplado em comum com a primeira camada semicondutora de tipo n 102, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302.

[090] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira estrutura de passagem VA1 que acopla eletricamente o primeiro pad PD1 e a primeira camada ôhmica 108, uma segunda estrutura de passagem VA2 que acopla eletricamente o segundo pad PD2 e a segunda camada ôhmica 208, uma terceira estrutura de passagem VA3 que acopla eletricamente o terceiro pad PD3 e o primeiro padrão condutor CP1 e uma quarta estrutura de passagem VA4 que acopla eletricamente o pad comum CPD com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302.

[091] A primeira estrutura de passagem VA1 pode incluir um primeiro padrão PT1_1 contatando eletricamente a primeira camada ôhmica 108 e passando através do primeiro filtro de cor CF1, a primeira peça de adesão AD1 e a segunda peça emissora de luz LE2, um segundo padrão PT2_1 contatando eletricamente o primeiro padrão PT1_1 e disposto entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3, e um terceiro padrão PT3_1 passando através da terceira peça emissora de luz LE3 entre o segundo padrão PT2_1 e o primeiro pad PD1 e acoplando eletricamente o segundo padrão PT2_1 e o primeiro pad PD1. Por exemplo, o primeiro padrão PT1_1 pode incluir uma primeira camada de revestimento ML1 e uma primeira camada semente SD1, que circunda a parede lateral externa da primeira camada de revestimento ML1. Neste caso, o primeiro padrão PT1_1 pode incluir metal, como cobre. A parede lateral externa do primeiro padrão PT1_1 pode ser cercada por uma primeira camada de passivação PV1 a ser eletricamente isolada da segunda peça emissora de luz LE2. A primeira camada de passivação PV1 pode ter uma estrutura que circunda a parede lateral externa do primeiro padrão PT1_1 e se estende até a superfície da segunda camada semicondutora do tipo n 202. A primeira camada de passivação PV1 pode incluir um material transparente que tem uma propriedade de isolamento, como SiO2 ou SiN. A parede lateral externa do segundo padrão PT2_1 pode ser cercada pela segunda peça de adesão AD2. Uma superfície do segundo padrão PT2_1 é colocada em contato com o primeiro padrão PT1_1 e a outra superfície oposta pode ser colocada em contato com o terceiro padrão PT3_1. O segundo padrão PT2_1 pode incluir metal, como Au. A espessura do segundo padrão PT2_1 e a espessura da segunda peça de adesão AD2 podem ser substancialmente iguais. O terceiro padrão PT3_1 pode incluir uma segunda camada de revestimento ML2 e uma segunda camada semente SD2 que circunda a parede lateral externa da segunda camada de revestimento ML2. Nesse caso, o terceiro padrão PT3_1 pode incluir metal, como cobre. O terceiro padrão PT3_1 pode ser rodeado por uma segunda camada de passivação PV2 e ser eletricamente isolado da terceira peça emissora de luz LE3. A segunda camada de passivação PV2 pode incluir um material transparente que tem uma propriedade de isolamento, como SiO2 ou SiN.

[092] A segunda estrutura de passagem VA2 pode incluir um primeiro padrão PT1_2, que passa através da segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206 e é colocada em contato elétrico com a segunda camada ôhmica 208, um segundo padrão PT2_2, que está disposto entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 e é colocado em contato elétrico com o primeiro padrão PT1_2, e um terceiro padrão PT3_2, que passa através da terceira peça de adesão AD3, o segundo filtro de cor CF2 e a terceira peça emissora de luz LE3 e acopla eletricamente o segundo padrão PT2_2 e o segundo pad PD2. Por exemplo, o primeiro padrão PT1_2 pode incluir uma primeira camada de revestimento ML1 e uma primeira camada semente SD1, que circunda a parede lateral externa da primeira camada de revestimento ML1. Neste caso, o primeiro padrão PT1_2 pode incluir metal, como cobre. A parede lateral externa do primeiro padrão PT1_2 pode ser cercada pela primeira camada de passivação PV1 para ser eletricamente isolada da segunda peça emissora de luz LE2.

[093] A primeira camada de passivação PV1 pode ter uma estrutura que circunda a parede lateral externa do primeiro padrão PT1_1 da primeira estrutura de passagem VA1 e a parede lateral externa do primeiro padrão PT1_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e se estende até a superfície da segunda camada semicondutora do tipo n 202. A parede lateral externa do segundo padrão PT2_2 pode ser cercada pela segunda peça de adesão AD2. Uma superfície do segundo padrão PT2_2 pode ser colocada em contato com o primeiro padrão PT1_2 e a outra superfície oposta pode ser colocada em contato com o terceiro padrão PT3_2. O segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1 e o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 podem ser posicionados no mesmo nível. A espessura do segundo padrão PT2_2 e a espessura da segunda peça de adesão AD2 podem ser substancialmente iguais. O segundo padrão PT2_2 pode incluir metal, como Au. O terceiro padrão PT3_2 pode incluir uma segunda camada de revestimento ML2 e uma segunda camada semente SD2, que circunda a parede lateral externa da segunda camada de revestimento ML2. Nesse caso, o terceiro padrão PT3_2 pode incluir metal, como cobre. O terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1 podem ter substancialmente a mesma estrutura. O terceiro padrão PT3_2 pode ser circundado pela segunda camada de passivação PV2 para ser eletricamente isolado da terceira peça emissora de luz LE3. A segunda camada de passivação PV2 pode ter uma estrutura que circunda a parede lateral externa do terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1 e a parede lateral externa do terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e se estende até a superfície da terceira camada semicondutora de tipo n 302.

[094] A terceira estrutura de passagem VA3 pode passar através da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 e pode acoplar eletricamente o primeiro padrão condutor CP1 e o terceiro pad PD3. A terceira estrutura de passagem VA3 pode incluir uma segunda camada de revestimento ML2 e uma segunda camada semente SD2, que circunda a parede lateral externa da segunda camada de revestimento ML2. Neste caso, a terceira estrutura de passagem VA3 pode incluir metal, como cobre.

[095] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma superfície da terceira estrutura de passagem VA3 pode ser colocada em contato com a superfície do primeiro padrão condutor CP1. O primeiro padrão condutor CP1 pode ter uma largura maior do que a largura da terceira estrutura de passagem VA3. A única superfície do primeiro padrão condutor CP1 pode ser colocada em contato simultaneamente com a superfície da terceira estrutura de passagem VA3 e a terceira camada semicondutora tipo p 306. O primeiro padrão condutor CP1 pode incluir uma primeira porção PT1, que é colocada em contato com a terceira estrutura de passagem VA3, e uma segunda porção PT2, que é colocada em contato com a terceira camada semicondutora tipo p 306. A segunda porção PT2 pode ter uma estrutura que circunda a primeira porção PT1. A área da segunda porção PT2 pode ser cerca de 1 a cerca de 5 vezes a área da primeira porção PT1.

[096] A quarta estrutura de passagem VA4 pode incluir um primeiro padrão PT1_4, que é colocado em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102 e passa através da primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ôhmica 108, o primeiro filtro de cor CF1 e a segunda peça emissora de luz LE2, um segundo padrão PT2_4, que tem uma superfície colocada em contato elétrico com o primeiro padrão PT1_4 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a outra superfície colocada em contato elétrico com o segundo padrão condutor CP2 e disposta na segunda peça de adesão AD2, e um terceiro padrão PT3_4, que acopla eletricamente o segundo padrão condutor CP2 e o pad comum CPD. O primeiro padrão PT1_4 pode incluir uma primeira camada de revestimento ML1 e uma primeira camada semente SD1, que circunda a parede lateral externa da primeira camada de revestimento ML1. A primeira camada de passivação PV1 pode circundar a parede lateral externa do segundo padrão PT1_4. A primeira peça de adesão AD1 pode ter uma estrutura que circunda uma porção da parede lateral externa do primeiro padrão PT1_4 circundada pela primeira camada de passivação PV1 e se estende até a superfície do primeiro filtro de cor CF1. A parede lateral externa do segundo padrão PT2_4 pode ter uma estrutura, que é circundada pela segunda peça de adesão AD2. O terceiro padrão PT3_4 pode incluir uma segunda camada de revestimento ML2 e uma segunda camada semente SD2, que circunda a parede lateral externa da segunda camada de revestimento ML2, e pode ter uma estrutura na qual a parede lateral externa da mesma é circundada pela segunda camada de passivação PV2. A segunda camada de passivação PV2 pode ter uma estrutura que se estende até a terceira camada semicondutora tipo n 302 e circunda as respectivas paredes laterais externas do terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3 e o terceiro padrão PT3_4 da quarta estrutura de passagem VA4.

[097] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma superfície da quarta estrutura de passagem VA4 pode ser colocada em contato com a superfície do segundo padrão condutor CP2. O segundo padrão condutor CP2 pode ter uma largura maior do que a largura da quarta estrutura de passagem VA4. A única superfície do segundo padrão condutor CP2 pode incluir uma primeira porção PT1, que é colocada em contato com a quarta estrutura de passagem VA4, e uma segunda porção PT2, que é colocada em contato com a terceira camada semicondutora tipo n 302. A segunda porção PT2 pode ter uma estrutura que circunda a primeira porção PT1. A área da segunda porção PT2 pode ser cerca de 1 a cerca de 5 vezes a área da primeira porção PT1.

[098] As respectivas paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2 podem ser coplanares uma com a outra. Uma primeira camada semente externa SSD1 pode ser fornecida ao longo das paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2. A primeira camada de passivação PV1 pode se estender entre a primeira camada semente externa SSD1 e as paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Pela primeira camada de passivação PV1, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser isoladas da primeira camada semente externa SSD1. Além disso, um padrão de mascaramento MP3 pode ser fornecido adicionalmente nas paredes laterais externas da primeira camada semente externa SSD1.

[099] As paredes laterais externas da segunda peça de adesão AD2 podem se projetar das respectivas paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1, da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3. Uma segunda camada externa de sementes SSD2, que está disposta nas paredes laterais externas da terceira peça emissora de luz LE3 e se estende às superfícies superiores das porções periféricas expostas da segunda peça de adesão AD2, pode ser fornecida adicionalmente. A segunda camada de passivação PV2 pode se estender entre a segunda camada semente externa SSD2 e as paredes laterais externas da terceira peça emissora de luz LE3. Pela segunda camada de passivação PV2, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser isolada da segunda camada semente externa SSD2. Além disso, um padrão de mascaramento MP4 pode ser fornecido adicionalmente nas paredes laterais externas da segunda camada semente externa SSD2.

[0100] Embora o dispositivo emissor de luz ilustrado com com referência à Figs. 2A e 2B sejam descritos como tendo a primeira camada semicondutora de tipo n 102, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302 eletricamente acoplado ao pad comum CPD, no entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Em algumas modalidades exemplificativas, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser eletricamente acoplados ao pad comum CPD.

[0101] Daqui em diante, um método para fabricar o dispositivo emissor de luz das Figs. 1A a 1F será descrito.

[0102] As Figs. 3 à 28 são vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.

[0103] Referindo à Fig. 3, uma primeira peça emissora de luz LE1 incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108 podem ser formadas em um primeiro substrato. Um primeiro filtro de cor CF1 pode ser formado na primeira peça emissora de luz LE1. Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor CF1 pode ser seletivamente omitido.

[0104] Quando visto de cima, o primeiro substrato 100 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular e pode incluir um primeiro canto CN1, um segundo canto CN2, um terceiro canto CN3 e um quarto canto CN4. Cada uma da primeira peça emissora de luz LE1 e o primeiro filtro de cor CF1 podem ter uma estrutura substancialmente quadrangular correspondente ao primeiro substrato 100 e as paredes laterais externas do primeiro substrato 100 e as paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1 e a primeira o filtro de cor CF1 podem ser coplanares uma com a outra.

[0105] Referindo à Fig. 4, uma segunda peça emissora de luz LE2 incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206 e uma segunda camada ôhmica 208 podem ser formadas em um segundo substrato.

[0106] De acordo com uma modalidade exemplificativa, antes de crescer a segunda camada semicondutora tipo n 202 no segundo substrato 200, uma camada de nitreto de gálio que não é dopada com um dopante pode ser cultivada.

[0107] O segundo substrato 200 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima, e a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular correspondente ao segundo substrato 200. Como tal, as paredes laterais externas do segundo substrato 200 e as paredes laterais externas da segunda peça emissora de luz LE2 podem ser coplanares uma com a outra. O segundo substrato 200 pode ter uma estrutura e um tamanho correspondente ao primeiro substrato 100.

[0108] Referindo à Fig. 5, ao virar a segunda peça emissora de luz LE2, um substrato de suporte SS pode ser ligado à segunda camada ôhmica 208 usando um adesivo removível RA. O segundo substrato 200 pode então ser removido a partir da segunda peça emissora de luz LE2 usando um processo de elevação a laser ou semelhante. Em uma região onde o segundo substrato 200 é removido, a segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser exposta ou a camada de nitreto de germânio que não é dopada com um dopante pode ser exposta.

[0109] Referindo à Fig. 6, gravando a camada de nitreto de gálio exposta por meio de um processo de gravação e realizando o tratamento químico, uma pluralidade de saliências pode ser formada. A pluralidade de saliências pode ser formada na camada de nitreto de gálio que não é dopada com um dopante ou pode ser formada na segunda camada semicondutora do tipo n

202.

[0110] Como a pluralidade de saliências é formada na segunda camada semicondutora tipo n 202 ou a camada de nitreto de gálio não dopada com um dopante, a luz gerada a partir da primeira camada ativa 104 ou da segunda camada ativa 204 pode ser espalhada na pluralidade de saliências, melhorando assim a eficiência da extração de luz.

[0111] Em algumas modalidades exemplificativas, o processo mostrado na Fig. 6 pode ser omitido. Além disso, em algumas modalidades exemplificativas, uma pluralidade de saliências também pode ser formada na primeira camada semicondutora de tipo n 102.

[0112] Daqui em diante, as explicações e ilustrações serão feitas assumindo que o processo mostrado na Fig. 6 foi omitido.

[0113] Referindo à Fig. 7, uma primeira peça de adesão AD1 pode ser depositada no primeiro filtro de cor CF1 do primeiro substrato 100. Então, depois de virar novamente a segunda peça emissora de luz LE2 ligada ao primeiro substrato de suporte SS, a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 é colocada em contato com a primeira peça de adesão AD1, de modo que a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas uma à outra aplicando calor. Em seguida, removendo o substrato de suporte SS da segunda peça emissora de luz LE2 e removendo o adesivo removível RA, a segunda camada ôhmica 208 pode ser exposta.

[0114] Desta forma, a primeira camada semicondutora tipo n 102, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ôhmica 108, o primeiro filtro de cor CF1, a primeira peça de adesão AD1, a segunda camada semicondutora do tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora do tipo p 206 e a segunda camada ôhmica 208 podem ser empilhadas sequencialmente no primeiro substrato 100.

[0115] Referindo à Fig. 8, um segundo filtro de cor CF2 pode ser formado na segunda camada ôhmica exposta 208. Em algumas modalidades exemplificativas, o segundo filtro de cor CF2 pode ser seletivamente omitido.

[0116] Referindo à Fig. 9, uma terceira peça emissora de luz LE3 incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, e uma terceira camada semicondutora do tipo p 306 podem ser formadas em um terceiro substrato 300. O terceiro substrato 300 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular correspondente ao terceiro substrato 300. Como tal, as paredes laterais externas do terceiro substrato 300 e as paredes laterais externas da terceira peça emissora de luz LE3 podem ser coplanares entre si. Enquanto isso, o terceiro substrato 300 pode ter uma estrutura e um tamanho correspondente ao primeiro substrato 100 e ao segundo substrato 200.

[0117] Referindo à Fig. 10, gravando a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304, um primeiro orifício H1 que expõe a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser formado. O primeiro orifício H1 pode ser formado no quarto canto CN4. Por exemplo, o primeiro orifício H1 pode ter uma profundidade de cerca de 3 µm a cerca de 3,5 µm.

[0118] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro orifício H1 pode ter uma porção superior que tem uma largura constante e uma porção inferior que tem uma largura gradualmente crescente. A porção inferior do primeiro orifício H1 pode ter uma borda afiada, como mostrado na Fig. 1C.

[0119] Referindo à Fig. 11, uma primeira camada de passivação PV1 pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 através da qual o primeiro orifício H1 é formado, de modo que o primeiro orifício H1 não seja enterrado. A primeira camada de passivação PV1 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiN, TiN, TiO2, Ta2O5, ZrOx, HfOx e SiO2. Por exemplo, a primeira camada de passivação PV1 pode incluir SiN.

[0120] Ao gravar parcialmente a primeira camada de passivação

PV1 posicionada no terceiro canto CN3, um segundo orifício H2 que expõe a terceira camada semicondutora tipo p 306 pode ser formado. A profundidade do segundo orifício H2 pode ser menor do que o primeiro orifício H1 e pode ser de cerca de 0,3 µm.

[0121] Enquanto o segundo orifício H2 é formado, a primeira camada de passivação PV1 formada na superfície inferior do primeiro orifício H1 pode ser gravada em conjunto, de modo que a terceira camada semicondutora tipo n 302 possa ser exposta.

[0122] Em algumas modalidades exemplificativas, a primeira camada de passivação PV1 pode ser omitida. Quando a primeira camada de passivação PV1 é omitida, um segundo padrão condutor CP2 a ser subsequentemente formado pode ser formado para ser separado da parede lateral interna do primeiro orifício H1.

[0123] Referindo à Fig. 12, um segundo padrão condutor CP2 pode ser formado no primeiro orifício e um primeiro padrão condutor CP1 pode ser formado no segundo orifício H2.

[0124] O primeiro padrão condutor CP1 pode incluir uma liga Au/Be e o segundo padrão condutor CP2 pode incluir uma liga Au/Ge. A espessura do primeiro padrão condutor CP1 pode ser igual ou maior do que a profundidade do segundo orifício H2. A espessura do segundo padrão condutor CP2 pode ser igual ou maior que a profundidade do primeiro orifício H1. Por exemplo, o segundo padrão condutor CP2 pode ter uma espessura de cerca de 3 µm a cerca de 4 µm.

[0125] Referindo à Fig. 13, o terceiro substrato 300 que é formado com o primeiro padrão condutor CP1, o segundo padrão condutor CP2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser virados e podem ser posicionados de modo que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 faceiem o segundo filtro de cor CF2. A segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser ligadas uma à outra usando uma segunda peça de adesão AD2.

[0126] Desta forma, a primeira camada semicondutora tipo n 102, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ôhmica 108, o primeiro filtro de cor CF1, a primeira peça de adesão AD1, a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ôhmica 208, o segundo filtro de cor CF2, a segunda peça de adesão AD2, a terceira camada semicondutora tipo p 306, a terceira camada ativa camada 304, e a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser empilhadas sequencialmente no primeiro substrato 100. O primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 podem ser dispostos entre a segunda peça de adesão AD2 e a terceira peça emissora de luz LE3.

[0127] Depois de ligar a terceira peça emissora de luz LE3, o terceiro substrato 300 pode ser removido um processo de elevação a laser ou semelhante.

[0128] Referindo de volta à Fig. 11, quando a primeira camada de passivação PV1 não é formada e o segundo padrão condutor CP2 é formado para ser separado da parede lateral interna do primeiro orifício H1, a segunda peça de adesão AD2 pode ser formada para preencher o espaço entre o primeiro orifício H1 e o segundo padrão condutor CP2.

[0129] Referindo à Fig. 14, gravando a terceira peça emissora de luz LE3, a segunda peça de adesão AD2 e o segundo filtro de cor CF2, que estão dispostos no segundo canto CN2, no primeiro canto CN1 e no quarto canto CN4, um terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, um quinto orifício H5 e um sexto orifício H6 expondo a segunda camada ôhmica 208 podem ser formados. O terceiro orifício H3 pode ser disposto no segundo canto CN2, o quarto orifício H4 pode ser disposto no primeiro canto CN1 e o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6 podem estar dispostos no quarto canto CN4.

[0130] O terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6 podem ter substancialmente a mesma largura.

[0131] Ao formar o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6, as porções periféricas da respectiva terceira peça emissora de luz LE3, segunda peça de adesão AD2 e segundo filtro de cor CF2 podem ser gravadas para expor porções da segunda camada ôhmica 208. Quando vista de cima, a segunda camada ôhmica exposta 208 pode ter uma estrutura que circunda as paredes laterais externas do segundo filtro de cor CF2.

[0132] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme as porções periféricas da respectiva terceira peça emissora de luz LE3, segunda peça de adesão AD2 e segundo filtro de cor CF2 são gravadas, uma tensão induzida entre o primeiro substrato 100 e a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser mitigada.

[0133] Referindo à Fig. 15, um primeiro padrão de mascaramento MP1 pode ser formado no terceiro orifício H3. O primeiro padrão de mascaramento MP1 pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação em relação a um gravador para ser usado em um processo de gravação subsequente de modo a não ser substancialmente gravado. Por exemplo, o primeiro padrão de mascaramento MP1 pode incluir um fotorresiste.

[0134] Referindo à Fig. 16, gravando a segunda camada ôhmica 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a segunda camada ativa 204, que estão dispostas nas superfícies de fundo do quarto orifício H4, o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6, a segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser parcialmente exposta. Através do processo de gravação, cada um do quarto orifício H4, o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6 podem ter uma estrutura se estendendo para baixo.

[0135] Enquanto se estende para baixo o quarto orifício H4, o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6, as porções periféricas da respectiva segunda camada ôhmica 208, segunda camada semicondutora tipo p 206 e segunda camada ativa 204 podem ser gravadas para expor porções da segunda camada semicondutora tipo n 202. Quando vista de cima, a segunda camada semicondutora de tipo n exposta 202 pode ter uma estrutura que circunda as paredes laterais externas da segunda camada ativa 204.

[0136] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme as porções periféricas da respectiva segunda camada ôhmica 208, segunda camada semicondutora tipo p 206 e segunda camada ativa 204 são gravadas, uma tensão induzida entre o primeiro substrato 100 e a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser mitigada.

[0137] Então, um segundo padrão de mascaramento MP2 pode ser formado no quinto orifício H5. O segundo padrão de mascaramento MP2 pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação em relação a um gravador para ser usado em um processo de gravação subsequente de modo a não ser substancialmente gravado, como um fotorresiste.

[0138] Referindo à Fig. 17, gravando a segunda camada semicondutora tipo n 202, a primeira peça de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1 dispostos nas superfícies de fundo do quarto orifício H4 e o sexto orifício H6, a primeira camada ôhmica 108 pode ser parcialmente exposta. Através do processo de gravação, cada um do quarto orifício H4 e do sexto orifício H6 pode ter uma estrutura se estendendo para baixo.

[0139] Enquanto se estende para baixo o quarto orifício H4 e o sexto orifício H6, as porções periféricas da respectiva segunda camada semicondutora tipo n 202, primeira peça de adesão AD1 e primeiro filtro de cor CF1 podem ser gravadas para expor porções da primeira camada ôhmica 108. Quando vista de cima, a primeira camada ôhmica exposta 108 pode ter uma estrutura que circunda as paredes laterais externas do primeiro filtro de cor CF1.

[0140] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme as porções periféricas da respectiva segunda camada semicondutora tipo n 202, primeira peça de adesão AD1 e primeiro filtro de cor CF1 são gravadas, uma tensão induzida entre o primeiro substrato 100 e a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser mitigada.

[0141] Então, um terceiro padrão de mascaramento MP3 pode ser formado no quarto orifício H4. O terceiro padrão de mascaramento MP3 pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação em relação a um gravador para ser usado em um processo de gravação subsequente de modo a não ser substancialmente gravado, como um fotorresiste.

[0142] Referindo à Fig. 18, gravando a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 disposta na superfície inferior do sexto orifício H6, a primeira camada semicondutora tipo n 102 pode ser parcialmente exposta. Através do processo de gravação, o sexto orifício H6 pode ter uma estrutura que se estende para baixo.

[0143] Enquanto se estende para baixo o sexto orifício H6, as porções periféricas da primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 podem ser gravadas para expor porções da primeira camada semicondutora tipo n 102. Quando vista de cima, a primeira camada semicondutora de tipo n exposta 102 pode ter uma estrutura que circunda as paredes laterais externas da primeira camada ativa 104.

[0144] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme as porções periféricas da respectiva primeira camada ôhmica 108, primeira camada semicondutora tipo p 106 e primeira camada ativa 104 são gravadas, uma tensão induzida entre o primeiro substrato 100 e a primeira camada semicondutora tipo p 106 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser mitigada.

[0145] Então, um quarto padrão de mascaramento MP4 pode ser formado no sexto orifício H6. O quarto padrão de mascaramento MP4 pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação em relação a um gravador para ser usado em um processo de gravação subsequente de modo a não ser substancialmente gravado, como um fotorresiste.

[0146] Referindo à Fig. 19, um sétimo orifício H7 e um oitavo orifício H8 podem ser formados no terceiro canto CN3 e no quarto canto CN4, respectivamente, de modo que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 sejam expostos. No sétimo orifício H7, como a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 são gravadas, o primeiro padrão condutor CP1 pode ser exposto. No oitavo orifício H8, quando a terceira camada semicondutora tipo n 302 é gravada, o segundo padrão condutor CP2 pode ser exposto.

[0147] Durante ou após o processo de gravação para formar o sétimo orifício H7 e o oitavo orifício H8, um processo de gravação da primeira camada semicondutora tipo n 102 no primeiro substrato 100 pode ser conduzido para individualizar uma pluralidade de dispositivos emissores de luz. Ao separar individualmente os dispositivos emissores de luz no processo da Fig. 19, uma tensão devido a um fenômeno de arqueamento entre o primeiro substrato 100 e a primeira peça emissora de luz LE1, em particular, a primeira camada semicondutora tipo p 106, pode ser mitigada.

[0148] Depois de formar o sétimo orifício H7 e o oitavo orifício H8, e separar individualmente os dispositivos emissores de luz, o primeiro padrão de mascaramento MP1, o segundo padrão de mascaramento MP2, o terceiro padrão de mascaramento MP3 e o quarto padrão de mascaramento MP4 podem ser removidos.

[0149] Referindo à Fig. 20, uma segunda camada de passivação PV2 pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora tipo n 302, de modo que o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, o quinto orifício H5, o sexto orifício

H6, o sétimo orifício H7 e o oitavo buraco H8 não são preenchidos. A segunda camada de passivação PV2 pode cobrir as paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz, das quais porções periféricas são gravadas.

[0150] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda camada de passivação PV2, uma espessura TH1 da segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser maior do que uma espessura TH2 da segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies inferiores e paredes laterais dos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8. Por exemplo, a espessura TH1 da segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser cerca de duas a quatro vezes maior do que a espessura TH2 da segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies inferiores e nas paredes laterais dos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8.

[0151] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada de passivação PV2 pode incluir um material que é excelente em transmitância de luz e tem uma propriedade de isolamento, tal como SiO2.

[0152] Referindo à Fig. 21, gravando a segunda camada de passivação PV2 em uma direção perpendicular à superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302, a segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies de fundo dos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, o sexto orifício H6, o sétimo orifício H7 e o oitavo orifício H8 podem ser removidos seletivamente.

[0153] Porque a espessura TH1 da segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 é maior do que a espessura TH2 da segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies inferiores e nas paredes laterais dos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8, mesmo se a segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies de fundo dos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e o oitavo orifício H8 é gravada, a segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser mantida. Além disso, gravando verticalmente a segunda camada de passivação PV2, a segunda camada de passivação PV2 formada nas paredes laterais do respectivo terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8 pode não ser gravada e pode ser mantida.

[0154] De acordo com uma modalidade exemplificativa, após o processo de gravação, a espessura da segunda camada de passivação PV2 restante na terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser maior ou igual à espessura da segunda camada de passivação PV2 permaneceu nos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8.

[0155] Ao separar um dispositivo emissor de luz completo do primeiro substrato 100 em um processo subsequente, o primeiro substrato 100 pode ser dobrado (ou arqueado). No entanto, porque a espessura da segunda camada de passivação PV2 remanescente na terceira camada semicondutora tipo n 302 é maior ou igual à espessura da segunda camada de passivação PV2 remanescente nos respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8, a segunda camada de passivação PV2 disposta na superfície da terceira camada semicondutora de tipo n 302 de acordo com uma modalidade exemplificativa pode impedir um primeiro pad PD1 (ver Fig. 26), um segundo pad PD2 (ver Fig. 26), um terceiro pad PD3 (ver Fig. 26), e um pad comum CPD (ver Fig. 26) de ser delaminado do dispositivo emissor de luz.

[0156] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada ôhmica 208 pode ser exposta na superfície inferior do terceiro orifício H3, a primeira camada ôhmica 108 pode ser exposta na superfície inferior do quarto orifício H4, a segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser exposta na superfície inferior do quinto orifício H5, a primeira camada semicondutora tipo n 102 pode ser exposta na superfície inferior do sexto orifício H6, o primeiro padrão condutor CP1 pode ser exposto na superfície inferior do sétimo orifício H7, e o segundo padrão condutor CP2 pode ser exposto na superfície inferior do oitavo orifício H8.

[0157] Referindo à Fig. 22, uma camada semente SD pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora tipo n 302, que é formada com o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, o quinto orifício H5, o sexto orifício H6, o sétimo orifício H7, e o oitavo orifício H8, de modo a não preencher o terceiro orifício H3, o quarto orifício H4, o quinto orifício H5, o sexto orifício H6, o sétimo orifício H7 e o oitavo orifício H8 formados com a segunda camada de passivação PV2. A camada semente SD pode incluir metal, como cobre. Por exemplo, a camada semente SD pode ser formada com uma espessura de cerca de 20 nm a cerca de 30 nm.

[0158] A camada semente SD pode ser formada enquanto circunda as paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz formado com a segunda camada de passivação PV2. Daqui em diante, a camada semente SD formada nas paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz pode ser referida como uma camada semente externa SSD.

[0159] Referindo à Fig. 23, um quinto padrão de mascaramento MP5 pode ser formado nas paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz formado com a camada semente externa SSD. O quinto padrão de mascaramento MP5 pode incluir um fotorresiste, que é de baixa transmitância de luz e tem uma propriedade de isolamento.

[0160] Referindo à Fig. 24, usando a camada semente SD, uma camada de revestimento ML pode ser formada para preencher os respectivos terceiro orifício H3, quarto orifício H4, quinto orifício H5, sexto orifício H6, sétimo orifício H7 e oitavo orifício H8. A camada de revestimento ML pode ser formada usando revestimento eletrolítico ou semelhante. A camada de revestimento ML pode incluir metal, como cobre.

[0161] Embora a camada de revestimento ML seja formada, a camada de revestimento ML pode não ser formada nas paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz devido à presença do quinto padrão de mascaramento MP5 formado nas paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz. Como tal, é possível evitar que o dispositivo emissor de luz seja eletricamente acoplado a um dispositivo emissor de luz adjacente ou externo.

[0162] De acordo com uma modalidade exemplificativa, embora a tensão entre o primeiro substrato 100 e o dispositivo emissor de luz tenha sido mitigada conforme os dispositivos emissores de luz no primeiro substrato 100 são separados individualmente um do outro, uma tensão pode ainda permanecer entre os dispositivos emissores de luz no primeiro substrato 100, o que pode causar uma rachadura no dispositivo emissor de luz. Como tal, o quinto padrão de mascaramento MP5 de acordo com uma modalidade exemplificativa pode mitigar a tensão remanescente.

[0163] Referindo à Fig. 25, a camada de revestimento ML e a camada semente SD podem ser gravadas, de modo que a superfície superior da segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 seja exposta. A segunda camada de passivação PV2 pode funcionar como uma camada de parada de gravação durante o processo de gravação da camada de revestimento ML e da camada semente SD. Como processo de corrosão para a camada de revestimento ML e para a camada semente SD, pode-se utilizar um processo de polimento químico-mecânico (CMP), sem limitação ao mesmo.

[0164] Desta forma, uma primeira estrutura de passagem VA1 preenchendo o quarto orifício H4, uma terceira estrutura de passagem VA3 preenchendo o sétimo orifício H7, uma segunda estrutura de passagem VA2 preenchendo o terceiro orifício H3, uma quinta estrutura de passagem VA5 preenchendo o quinto orifício H5, uma sexta estrutura de passagem VA6 preenchendo o oitavo orifício H8 e uma quarta estrutura de passagem VA4 preenchendo o sexto orifício H6 podem ser formadas, respectivamente.

[0165] A primeira estrutura de passagem VA1 pode ser formada em um primeiro canto CN1, a segunda estrutura de passagem VA2 pode ser formada no segundo canto CN2 e a terceira estrutura de passagem VA3 pode ser formada no terceiro canto CN3. A quarta estrutura de passagem VA4, a quinta estrutura de passagem VA5 e a sexta estrutura de passagem VA6 podem ser formadas no quarto canto CN4.

[0166] Referindo à Fig. 26, na segunda camada de passivação PV2, o primeiro pad PD1 contatando eletricamente a primeira estrutura de passagem VA1, o segundo pad PD2 contatando eletricamente a segunda estrutura de passagem VA2, o terceiro pad PD3 contatando eletricamente a terceira estrutura de passagem VA3 e o pad comum CPD contatando eletricamente em comum com a quarta estrutura de passagem VA4, a quinta estrutura de passagem VA5 e a sexta estrutura de passagem VA6 podem ser formados.

[0167] Uma voltagem positiva pode ser aplicada a cada um do primeiro bloco PD1, o segundo bloco PD2 e o terceiro bloco PD3 e uma voltagem negativa pode ser aplicada ao bloco comum CPD.

[0168] Referindo à Fig. 27, uma pluralidade de dispositivos emissores de luz LED formados através das Figs. 3 a 26 pode ser montada em uma placa de montagem alvo MB.

[0169] Os pads de colagem BPD que devem ser eletricamente ligados com o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD, respectivamente, podem ser formados na placa de montagem MB. As esferas de adesão BL podem ser formadas respectivamente nos pads de colagem BPD. Cada uma das esferas de adesão BL pode incluir In, Sn, AuSn, InAu ou outros.

[0170] Os pads de ligação BPD e as esferas de adesão BL podem ser formadas para corresponder às posições onde os dispositivos emissores de luz LED devem ser montados.

[0171] O primeiro substrato 100 formado com a pluralidade de dispositivos emissores de luz LED pode ser virado e, assim, os dispositivos emissores de luz LED podem ser posicionados de frente para a placa de montagem MB formada com os pads de ligação BPD.

[0172] Um padrão de mascaramento MSK, que expõe dispositivos emissores de luz LED a serem separados do primeiro substrato 100, pode ser formado no primeiro substrato 100 revirado.

[0173] Referindo à Fig. 28, ao realizar um processo seletivo de remoção a laser (LLO) para o primeiro substrato 100 através do uso do padrão de mascaramento MSK, os dispositivos emissores de luz LED dispostos para facear as posições de montagem alvo da placa de montagem MB podem ser separados do primeiro substrato 100. A distância de separação entre os dispositivos emissores de luz separados pode ser alterada dependendo da placa de montagem MB.

[0174] O primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad CPD comum de cada um dos dispositivos emissores de luz separados podem ser respectivamente ligados com as esferas de adesão BL formadas nos pads de ligação BPD. Desta forma, os dispositivos emissores de luz LED podem ser montados na placa de montagem MB.

[0175] Quando cada um dos dispositivos emissores de luz LED é montado em posições alvo, o primeiro substrato 100 pode ser separado dos dispositivos emissores de luz LED sem um processo separado de remoção do primeiro substrato 100.

[0176]

[0177] Daqui em diante, um método para fabricar o dispositivo emissor de luz das Figs. 2A e 2B será descrito.

[0178] As Figs. 29 à 46 são vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade exemplificativa.

[0179] Referindo à Fig. 29, uma primeira camada semicondutora tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108 podem ser formados em um substrato 100 para formar uma primeira peça emissora de luz LE1. Então, um primeiro filtro de cor CF1 pode ser formado na primeira peça emissora de luz LE1. Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor CF1 pode ser seletivamente omitido.

[0180] O primeiro substrato 100 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima e pode incluir um primeiro canto CN1, um segundo canto CN2, um terceiro canto CN3 e um quarto canto CN4.

[0181] Ao gravar o primeiro filtro de cor CF1, a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104, um primeiro orifício H1 expondo a primeira camada semicondutora tipo n 102 pode ser formado no quarto canto CN4.

[0182] Durante o processo de gravação, uma pluralidade de primeiras peças emissoras de luz LE1 pode ser separada de cada outra no primeiro substrato 100. Mais particularmente, como as porções periféricas da primeira camada semicondutora tipo n 102, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ôhmica 108 e o primeiro filtro de cor CF1 são gravados, adjacente às primeiras peças emissoras de luz LE1 podem ser separadas umas das outras.

[0183] Ao separar as primeiras peças emissoras de luz LE1, uma tensão devido a um fenômeno de arqueamento entre o primeiro substrato 100 e a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser mitigada.

[0184] Referindo à Fig. 30, uma primeira peça de adesão AD1 pode ser formada no primeiro filtro de cor CF1 para preencher o primeiro orifício H1. A primeira peça de adesão AD1 pode cobrir a superfície superior do primeiro substrato 100, que é exposta pelo processo de separação, e cobrir as paredes laterais externas de um primeiro dispositivo emissor de luz individualizado.

[0185] Referindo à Fig. 31, uma segunda camada semicondutora tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora tipo p 206 e uma segunda camada ôhmica 208 podem ser formados em um segundo substrato 200 para formar uma segunda peça emissora de luz LE2.

[0186] Referindo à Fig. 32, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser virada, de modo que a segunda camada ôhmica 208 fique voltada para a primeira peça de adesão AD1. Ao realizar o tratamento térmico, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas uma à outra usando a primeira peça de adesão AD1. Então, o segundo substrato 200 pode ser removido a partir da segunda peça emissora de luz LE2 usando um processo de remoção a laser ou semelhante.

[0187] Desta forma, a primeira camada semicondutora tipo n 102, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ôhmica 108, o primeiro filtro de cor CF1, a primeira peça de adesão AD1, a segunda camada ôhmica 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser empilhadas sequencialmente no primeiro substrato 100.

[0188] Referindo à Fig. 33, gravando a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206, um segundo orifício H2 expondo a segunda camada ôhmica 208 no segundo canto CN2, um terceiro orifício H3 expondo a segunda camada ôhmica 208 no primeiro canto CN1 e um quarto orifício H4 expondo a segunda camada ôhmica 208 no quarto canto CN4 podem ser formados. Por exemplo, o segundo orifício H2 e o terceiro orifício H3 podem ter a mesma largura e o quarto orifício H4 pode ter uma largura maior do que o segundo orifício H2 ou o terceiro orifício H3.

[0189] Enquanto o segundo orifício H2, o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4 são formados, as porções periféricas da respectiva segunda camada semicondutora tipo n 202, segunda camada ativa 204 e segunda camada semicondutora tipo p 206 podem ser gravadas para expor as porções periféricas da segunda camada ôhmica 208. Quando vista de cima, a segunda camada ôhmica exposta 208 pode ter uma estrutura que circunda a segunda camada semicondutora tipo p 206. Conforme as porções periféricas da respectiva segunda camada semicondutora tipo n 202, segunda camada ativa 204 e segunda camada semicondutora tipo p 206 são gravadas, uma tensão a ser aplicada ao primeiro substrato 100 pode ser mitigada.

[0190] Então, um primeiro padrão de mascaramento MP1 pode ser formado no segundo orifício H2. O primeiro padrão de mascaramento MP1 pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação em relação a um gravador para ser usado em um processo de gravação subsequente de modo a não ser substancialmente gravado. Por exemplo, o primeiro padrão de mascaramento MP1 pode incluir um fotorresiste.

[0191] Referindo à Fig. 34, ao gravar a segunda camada ôhmica 208, a primeira peça de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1 posicionados nas superfícies inferiores do terceiro orifício H3 e do quarto orifício H4, a primeira camada ôhmica 108 podem ser expostos.

[0192] Depois de preencher o interior do terceiro orifício H3 por um segundo padrão de mascaramento MP2, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 posicionada na superfície inferior do quarto orifício H4 e a primeira camada semicondutora tipo n 102 podem ser expostas gravando a primeira camada ôhmica 108. A primeira peça de adesão AD1 pode ser mantida na parede lateral interna da porção inferior do quarto orifício H4.

[0193] Através dos processos de gravação, o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4 podem ter estruturas que se estendem para baixo. Enquanto o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4 são estendidos para baixo, a segunda camada ôhmica 208, a primeira peça de adesão AD1, o primeiro filtro de cor CF1, a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ativa 104, e a primeira camada semicondutora tipo n 102 são gravadas, de modo que a primeira peça emissora de luz LE1 empilhada e a segunda peça emissora de luz LE2 possam ser separadas.

[0194] Conforme a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 são separadas, uma tensão a ser aplicada ao primeiro substrato 100 pode ser mitigada.

[0195] Referindo à Fig. 35, depois de remover o primeiro padrão de mascaramento MP1 e o segundo padrão de mascaramento MP2, uma primeira camada de passivação PV1 pode ser conformalmente formada na segunda camada semicondutora tipo n 202 através da qual o segundo orifício H2, o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4 são formados, de modo a não preencher o segundo orifício H2, o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4. A primeira camada de passivação PV1 pode cobrir as paredes laterais externas da respectiva primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2, que são gravadas. A primeira camada de passivação PV1 pode incluir SiO2, por exemplo.

[0196] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na primeira camada de passivação PV1, a espessura da primeira camada de passivação PV1 que é formada na superfície superior da segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser maior do que a espessura da primeira camada de passivação PV1 que é formada nas paredes laterais e nas superfícies inferiores do respectivo segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4. Por exemplo, a espessura da primeira camada de passivação PV1 que é formada na superfície superior da segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser duas a quatro vezes maior do que a espessura da primeira camada de passivação PV1 que é formada nas paredes laterais e superfícies inferiores dos respectivos segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4.

[0197] Em seguida, a primeira camada de passivação PV1 formada nas superfícies inferiores do respectivo segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4 pode ser removida. A primeira camada de passivação PV1 pode ser gravada em uma direção perpendicular à superfície da segunda camada semicondutora tipo n 202.

[0198] Como a espessura da primeira camada de passivação PV1 formada na superfície superior da segunda camada semicondutora tipo n 202 é maior do que a espessura da primeira camada de passivação PV1 formada nas paredes laterais e nas superfícies de fundo dos respectivos segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4, quando a primeira camada de passivação PV1 é gravada em uma direção perpendicular à superfície da segunda camada semicondutora tipo n 202, a primeira camada de passivação PV1 formada na segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser mantida enquanto a primeira camada de passivação PV1 formada nas superfícies de fundo dos respectivos segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4 é removida. Além disso, porque a primeira camada de passivação PV1 é gravada na direção vertical, a primeira camada de passivação PV1 formada nas paredes laterais dos respectivos segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4 pode não ser gravada e permanecer.

[0199] Além disso, a primeira camada de passivação PV1 pode permanecer nas paredes laterais externas da respectiva primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2.

[0200] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a espessura da primeira camada de passivação PV1 formada na superfície superior da segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser maior ou igual à espessura da primeira camada de passivação PV1 remanescente nas paredes laterais do respectivo segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4.

[0201] Referindo à Fig. 36, uma primeira camada semente SD1 pode ser conformalmente formada na segunda camada semicondutora tipo n 202 formada com a primeira camada de passivação PV1, de modo a não preencher o respectivo segundo orifício H2, terceiro orifício H3 e quarto orifício H4. Uma primeira camada semente externa SSD1, que cobre as paredes laterais externas da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2, pode ser formada em conjunto.

[0202] Então, um terceiro padrão de mascaramento MP3 cobrindo a primeira camada semente externa SSD1 pode ser formado adicionalmente. O terceiro padrão de mascaramento MP3 pode incluir um fotorresiste, que tem baixa transmissão de luz e uma propriedade de isolamento.

[0203] Desta forma, é possível evitar que o dispositivo emissor de luz se rache durante o processo subsequente de remoção do primeiro substrato 100 pelo terceiro padrão de mascaramento MP3, que circunda as paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz.

[0204] Referindo à Fig. 37, uma primeira camada de revestimento ML1 pode ser formada na primeira camada semente SD1 para preencher o segundo orifício H2, o terceiro orifício H3 e o quarto orifício H4, que são formados com a primeira camada semente SD1. A primeira camada de revestimento ML1 pode não ser formada na primeira camada semente externa SSD1, devido à presença do terceiro padrão de mascaramento MP3.

[0205] Em seguida, a primeira camada de revestimento ML1 e a primeira camada semente SD1 podem ser gravadas, de modo que a superfície superior da primeira camada de passivação PV1 seja exposta. A primeira camada de passivação PV1 pode funcionar como uma camada de parada de gravação durante o processo de gravação da primeira camada de revestimento ML1 e da primeira camada semente SD1. Como processo de gravação da primeira camada de revestimento ML1 e da primeira camada semente SD1, um processo de polimento químico-mecânico pode ser usado, sem estar limitado a isso.

[0206] Desta forma, um primeiro padrão PT1_2 de uma segunda estrutura de passagem VA2 (ver Fig. 46) preenchendo o segundo orifício H2, um primeiro padrão PT1_1 de uma primeira estrutura de passagem VA1 (ver Fig. 46) preenchendo o terceiro orifício H3 e um primeiro padrão PT1_4 de um quarto estrutura de passagem VA4 (ver Fig. 46) preenchendo o quarto orifício H4 pode ser formado, respectivamente.

[0207] Cada um do primeiro padrão PT1_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o primeiro padrão PT1_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o primeiro padrão PT1_4 da quarta estrutura de passagem VA4 pode ter uma estrutura, na qual a primeira camada semente SD1 envolve a primeira camada de revestimento ML1 e pode incluir cobre.

[0208] Por exemplo, os cristais de cobre da primeira camada semente SD1 podem ser mais densos do que os cristais de cobre da primeira camada de revestimento ML1.

[0209] Referindo à Fig. 38, um segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, um segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e um segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 podem ser formados no primeiro padrão PT1_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o primeiro padrão PT1_2 da segunda estrutura de passagem VA2, e o primeiro padrão PT1_4 da quarta estrutura de passagem VA4, respectivamente. Cada um do segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 podem incluir Au.

[0210] Na primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_1 pode ter uma largura maior do que o primeiro padrão PT1_1, uma superfície do primeiro padrão PT1_1 pode ser colocada em contato elétrico com a primeira camada ôhmica 108 e a outra superfície oposta pode ser colocada em contato elétrico com uma superfície do segundo padrão PT2_1. A primeira camada de passivação PV1 pode envolver a parede lateral externa do primeiro padrão PT1_1 e pode isolar o segundo padrão PT2_1 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 uma da outra. Pelo menos uma porção do primeiro padrão PT1_1 formado com a primeira camada de passivação PV1 pode ter uma estrutura, que é circundada pela primeira peça de adesão AD1. Por exemplo, a primeira peça de adesão AD1 pode envolver a porção intermediária do primeiro padrão PT1_1 formado com a primeira camada de passivação PV1.

[0211] Na segunda estrutura de passagem VA2, o segundo padrão PT2_2 pode ter uma largura maior do que o primeiro padrão PT1_2, uma superfície do primeiro padrão PT1_2 pode ser colocada em contato elétrico com a segunda camada ôhmica 208 e a outra superfície oposta pode ser colocada em contato elétrico com uma superfície do segundo padrão PT2_2. A primeira camada de passivação PV1 pode envolver a parede lateral externa do primeiro padrão PT1_2 e pode isolar o segundo padrão PT2_2 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 uma da outra.

[0212] Na quarta estrutura de passagem VA4, o segundo padrão PT2_4 pode ter uma largura maior do que o primeiro padrão PT1_4, uma superfície do primeiro padrão PT1_4 pode ser colocada em contato elétrico com a primeira camada semicondutora de tipo n 102 e a outra, oposta superfície pode ser colocada em contato elétrico com uma superfície do segundo padrão PT2_4. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a superfície do segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 pode incluir uma primeira porção PT1 contatando o primeiro padrão PT1_4 e uma segunda porção PT2 contatando a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a segunda porção PT2 pode ser cerca de uma a cerca de cinco vezes maior do que a primeira porção PT1. A primeira camada de passivação PV1 pode circundar a parede lateral externa do segundo padrão PT2_4, enquanto é removida entre o segundo padrão PT2_4 e a segunda camada semicondutora tipo n 202, de modo que o segundo padrão PT2_4 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser colocados em contato elétrico um com o outro. Além disso, o primeiro padrão PT1_4 da quarta estrutura de passagem VA4 pode ter uma estrutura que se estende para a primeira peça de adesão AD1 e a primeira peça de adesão AD1 pode ter uma estrutura que circunda a parede lateral externa da porção inferior do primeiro padrão PT1_4 da quarta estrutura de passagem VA4.

[0213] Referindo à Fig. 39, uma segunda peça de adesão AD2 pode ser formada na primeira camada de passivação PV, 1 na qual o segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 são formados. A superfície superior da segunda peça de adesão AD2 pode ser coplanar com as respectivas superfícies superiores do segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4.

[0214] Por exemplo, cada um do segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 pode incluir metal, como Au, e a segunda passivação a camada PV2 pode incluir SiO2.

[0215] Referindo à Fig. 40, uma terceira peça emissora de luz LE3 incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, e uma terceira camada semicondutora do tipo p 306 podem ser formadas em um terceiro substrato 300. Um segundo filtro de cor CF2 pode ser formado na terceira camada semicondutora tipo p 306.

[0216] No terceiro canto CN3, ao gravar o segundo filtro de cor CF2, um quinto orifício H5 pode ser formado para expor a terceira camada semicondutora do tipo p 306. No quarto canto CN4, ao gravar o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304, um sexto orifício H6 expondo a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser formado.

[0217] Em seguida, uma terceira peça de adesão AD3 que preenche o quinto orifício H5 e o sexto orifício H6 pode ser formada no segundo filtro de cor CF2. A terceira peça de adesão AD3 pode cobrir a parte superior do segundo filtro de cor CF2.

[0218] Referindo à Fig. 41, ao gravar a terceira peça de adesão AD3 no quinto orifício H5 e no sexto orifício H6, o quinto orifício H5 pode ser aberto novamente para expor a terceira camada semicondutora tipo p 306 e um sétimo orifício H7 expondo uma porção da terceiro camada semicondutora tipo n 302 e tendo uma largura menor do que o sexto orifício H6 pode ser formado. A terceira peça de adesão AD3 pode ser mantida na parede lateral interna do sétimo orifício H7.

[0219] Referindo à Fig. 42, um primeiro padrão condutor CP1 preenchendo o quinto orifício H5 e um segundo padrão condutor CP2 preenchendo o sétimo orifício H7 podem ser formados, respectivamente. O primeiro padrão condutor CP1 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo p 306, pode incluir uma liga Au/Be e pode funcionar como uma camada ôhmica da terceira camada semicondutora tipo p 306. A parede lateral externa do primeiro padrão condutor CP1 pode ter uma estrutura, que é circundada pela terceira peça de adesão AD3. O segundo padrão condutor CP2 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 302, pode incluir uma liga Au/Ge e pode funcionar como uma camada ôhmica da terceira camada semicondutora tipo n 302. A parede lateral externa do segundo padrão condutor CP2 pode ser isolada da terceira camada semicondutora tipo p 306 e da terceira camada ativa 304 pela terceira peça de adesão AD3 remanescente no sétimo orifício H7. Desta forma, uma vez que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 que incluem metal são usados como camadas ôhmicas da terceira camada semicondutora tipo p 306 e terceira camada semicondutora tipo n 302, é possível melhorar a propriedade ôhmica da terceira peça emissora de luz LE3.

[0220] Um processo de polimento pode ser realizado, de modo que as superfícies superiores do primeiro padrão condutor CP1, o segundo padrão condutor CP2 e a terceira peça de adesão AD3 possam ser coplanares entre si. Neste caso, cada um do primeiro padrão condutor CP1 e do segundo padrão condutor CP2 pode incluir metal e a terceira peça de adesão AD3 pode incluir SiO2.

[0221] Referindo à Fig. 43, o terceiro substrato 300 pode ser virado, de modo que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 fiquem virados para o segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 e o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4, que estão dispostos na segunda peça emissora de luz LE2.

[0222] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2, o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 e a segunda peça de adesão AD2 podem estar voltados para o primeiro padrão condutor CP1, o segundo padrão condutor CP2 e a terceira peça de adesão AD3, e ser unidos por meio de um processo de tratamento térmico. Em particular, o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 e o segundo padrão condutor CP2 podem ser ligados, a segunda peça de adesão AD2 e a terceira peça de adesão AD3 podem ser ligadas e o segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1 e o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2 pode ser ligado com a terceira peça de adesão AD3.

[0223] A ligação entre a segunda peça de adesão AD2 e a terceira peça de adesão AD3, que podem ser isolantes, e a ligação entre o segundo padrão PT2_4 da quarta estrutura de passagem VA4 e o segundo padrão condutor CP2, que pode ser metais, pode ser realizada simultaneamente para simplificar o processo de fabricação.

[0224] Então, o terceiro substrato 300 pode ser removido a partir da terceira peça emissora de luz LE3 realizando um processo de remoção a laser ou semelhante. Ao remover o terceiro substrato 300, a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser exposta.

[0225] Referindo à Fig. 44, um oitavo orifício H8, que expõe o segundo padrão PT2_2 da segunda estrutura de passagem VA2, pode ser formado ao gravar a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306, o segundo filtro de cor CF2, e a terceira peça de adesão AD3. Um nono orifício H9, que expõe o primeiro padrão condutor CP1, pode ser formado por gravação da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306. Um décimo orifício H10, que expõe o segundo padrão PT2_1 da primeira estrutura de passagem VA1, pode ser formado ao gravar a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306, o segundo filtro de cor CF2 e a terceira peça de adesão AD3. Um décimo primeiro orifício H11, que expõe o segundo padrão condutor CP2, pode ser formado ao gravar a terceira camada semicondutora tipo n 302.

[0226] Enquanto o oitavo orifício H8, o nono orifício H9, o décimo orifício H10 e o décimo primeiro orifício H11 são formados, as porções periféricas da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306, o segundo filtro de cor CF2 e a terceira peça de adesão AD3 podem ser gravados para expor as porções periféricas da segunda peça de adesão AD2. A segunda peça de adesão AD2 tendo porções periféricas expostas pode ter uma estrutura, que circunda as paredes laterais externas da terceira peça de adesão AD3 quando vista de cima.

[0227] Em seguida, uma segunda camada de passivação PV2 pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora de tipo n 302 de modo a não preencher o oitavo orifício H8, o nono orifício H9, o décimo orifício H10 e o décimo primeiro orifício H11. De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda camada de passivação PV2, a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada na superfície superior da terceira camada semicondutora de tipo n 302 pode ser maior do que a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada no paredes laterais e superfícies inferiores dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11. Por exemplo, a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser cerca de duas a cerca de quatro vezes maior do que a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada nas paredes laterais e superfícies inferiores dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11.

[0228] Ao gravar a segunda camada de passivação PV2 em uma direção perpendicular à superfície da terceira camada semicondutora tipo n 302, a segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies de fundo do respectivo oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10, e o décimo primeiro orifício H11 pode ser removida.

[0229] Neste caso, uma vez que a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 é maior do que a espessura da segunda camada de passivação PV2 formada nas paredes laterais e nas superfícies inferiores dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11, mesmo se a segunda camada de passivação PV2 formada nas superfícies de fundo do respectivo oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11 for removida, a segunda camada de passivação PV2 formada na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 e nas paredes laterais dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11 pode ser mantida.

[0230] Ao separar um dispositivo emissor de luz completo do primeiro substrato 100 em um processo subsequente, o primeiro substrato 100 pode ser dobrado. Neste caso, uma vez que a espessura da segunda camada de passivação PV2 remanescente na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 é maior ou igual à espessura da segunda camada de passivação PV2 remanescente nas paredes laterais dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11, de acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada de passivação PV2 formada na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode impedir um primeiro pad PD1 (ver Fig. 2B), um segundo pad PD2 (ver Fig. 2B), um terceiro pad PD3 (ver Fig. 2B), e um pad comum CPD (ver Fig. 2B) de serem delaminados do dispositivo emissor de luz.

[0231] A segunda camada de passivação PV2 formada nas paredes laterais externas da terceira peça de adesão AD3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada semicondutora do tipo p 306, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora do tipo n 302 expondo as porções periféricas da segunda peça de adesão AD2 podem ser retidas.

[0232] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a espessura da segunda camada de passivação PV2 que permanece na superfície superior da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser maior ou igual à espessura da segunda camada de passivação PV2 que permanece nas paredes laterais dos respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11.

[0233] Referindo à Fig. 45, uma segunda camada semente SD2 pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora tipo n 302 de modo a não preencher o oitavo orifício H8, o nono orifício H9, o décimo orifício H10 e o décimo primeiro orifício H11, que são formados com a segunda camada de passivação PV2.

[0234] Uma segunda camada semente externa SSD2 pode ser estendida para as paredes laterais externas da terceira peça de adesão AD3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada semicondutora tipo p 306, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo n 302, que expõe as porções periféricas da segunda peça de adesão AD2 e na qual a segunda camada de passivação PV2 é formada.

[0235] Então, um quarto padrão de mascaramento MP4 cobrindo a segunda camada semente externa SSD2 pode ser formado. O quarto padrão de mascaramento MP4 pode incluir um fotorresiste, que é de baixa transmitância de luz e tem uma propriedade de isolamento.

[0236] De acordo com uma modalidade exemplificativa, devido à presença do quarto padrão de mascaramento MP4 em torno das paredes laterais externas do dispositivo emissor de luz, uma rachadura no dispositivo emissor de luz que pode de outra forma provavelmente ocorrer durante um processo subsequente pode ser evitada.

[0237] Referindo à Fig. 46, usando a segunda camada semente SD2, uma segunda camada de revestimento ML2 pode ser formada na segunda camada semente SD2 para preencher os respectivos oitavo orifício H8, nono orifício H9, décimo orifício H10 e décimo primeiro orifício H11.

[0238] Em seguida, ao gravar a segunda camada semente SD2 e a segunda camada de revestimento ML2 para expor a superfície superior da segunda camada de passivação PV2, um terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2 preenchendo o oitavo orifício H8, uma terceira estrutura de passagem VA3 preenchendo o nono orifício H9, um terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1 preenchendo o décimo orifício H10 e um terceiro padrão PT3_4 da quarta estrutura de passagem VA4 preenchendo o décimo primeiro orifício H11 podem ser formados, respectivamente.

[0239] As respectivas superfícies superiores do terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2, a terceira estrutura de passagem VA3 e o terceiro padrão PT3_4 da quarta estrutura de passagem VA4 podem ser substancialmente coplanares com o superfície superior da segunda camada de passivação PV2.

[0240] Como o quarto padrão de mascaramento MP4 está disposto na segunda camada semente externa SSD2, a segunda camada de revestimento ML2 não pode ser formada na segunda camada semente externa SSD2.

[0241] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada semente externa SSD2 e a segunda camada de revestimento ML2 podem incluir cobre. Por exemplo, os cristais de cobre da segunda camada semente externa SSD2 podem ter uma densidade mais alta do que os cristais de cobre da segunda camada de revestimento ML2.

[0242] Referindo de volta à Fig. 2B, na segunda camada de passivação PV2, o primeiro pad PD1 contatando eletricamente o terceiro padrão PT3_1 da primeira estrutura de passagem VA1, o segundo pad PD2 contatando eletricamente o terceiro padrão PT3_2 da segunda estrutura de passagem VA2, o terceiro pad PD3 contatando eletricamente a terceira estrutura de passagem VA3, e o CPD de pad comum em contato elétrico com o terceiro padrão PT3_4 da quarta estrutura de passagem VA4 pode ser formado.

[0243] Embora certas modalidades e implementações exemplificativas tenham sido descritas aqui, outras modalidades e modificações serão evidentes a partir desta descrição. Por conseguinte, os conceitos inventivos não se limitam a essas modalidades, mas ao escopo mais amplo das reivindicações anexas e a várias modificações óbvias e arranjos equivalentes, como seria evidente para um especialista na técnica.

Claims

REIVINDICAÇÕES

1. Dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender: - uma primeira peça emissora de luz incluir uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma primeira camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo e uma primeira camada ôhmica; - uma segunda peça emissora de luz disposta na primeira peça emissora de luz, e incluindo uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma segunda camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo e uma segunda camada ôhmica; - uma terceira peça emissora de luz disposta na segunda peça emissora de luz e incluindo uma camada semicondutora de primeiro tipo, uma terceira camada ativa, uma camada semicondutora de segundo tipo, um primeiro padrão de metal tendo uma primeira superfície em contato elétrico com a camada semicondutora de segundo tipo da terceira peça emissora de luz e um segundo padrão de metal tendo uma primeira superfície em contato elétrico com a camada semicondutora do primeiro tipo da terceira peça emissora de luz; - um primeiro pad eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica; - um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica; - um terceiro pad eletricamente acoplado com o primeiro padrão de metal;

- um pad comum eletricamente acoplado com a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira e da segunda peças emissoras de luz e o segundo padrão de metal; e - uma primeira estrutura de passagem que acopla eletricamente o segundo padrão de metal e o pad comum entre o segundo padrão de metal e o pad comum, em que a primeira superfície do segundo padrão de metal tem uma primeira porção em contato com a primeira estrutura de passagem e uma segunda porção em contato com a camada semicondutora do primeiro tipo da terceira peça emissora de luz.

2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por uma área da segunda porção do segundo padrão de metal ser cerca de uma a cerca de cinco vezes de uma área da primeira porção.

3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pela segunda porção do segundo padrão de metal circundar a primeira porção.

4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo primeiro padrão de metal contatar a camada semicondutora do segundo tipo da terceira peça emissora de luz e ter uma primeira espessura, e o segundo padrão de metal passar através da camada semicondutora do segundo tipo da terceira peça emissora de luz e da terceira camada ativa e ter uma segunda espessura maior do que a primeira espessura.

5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado por cada um do primeiro padrão de metal e do segundo padrão de metal ter uma segunda superfície oposta à primeira superfície, e a segunda superfície do primeiro padrão de metal estar disposta em um nível que é pelo menos o mesmo ou mais alto que a segunda superfície do segundo padrão de metal.

6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo segundo padrão de metal ter uma segunda superfície oposta à primeira superfície, uma largura da primeira superfície ser maior do que uma largura da segunda superfície, e a largura da segunda superfície ser maior do que a largura da primeira estrutura de passagem.

7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por uma porção de uma parede lateral externa do segundo padrão de metal adjacente à primeira estrutura de passagem se projetar para fora.

8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender ainda uma segunda estrutura de passagem que acopla eletricamente o primeiro padrão de metal e o terceiro pad entre o primeiro padrão de metal e o terceiro pad, em que a segunda superfície do primeiro padrão de metal tem uma primeira porção em contato com a segunda estrutura de passagem e uma segunda porção em contato com a camada semicondutora do segundo tipo da terceira peça emissora de luz.

9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado por uma área da segunda porção do primeiro padrão de metal ser cerca de uma a cerca de cinco vezes uma área da primeira porção.

10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pela segunda porção do primeiro padrão de metal circundar a primeira porção.

11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo primeiro padrão de metal ter uma largura maior do que a segunda estrutura de passagem.

12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender: - uma segunda estrutura de passagem que acopla eletricamente a primeira camada ôhmica e o primeiro pad; - uma terceira estrutura de passagem que acopla eletricamente a segunda camada ôhmica e o segundo pad; - uma quarta estrutura de passagem que acopla eletricamente o primeiro padrão de metal e o terceiro pad; e - uma primeira camada de passivação isolando eletricamente a primeira, a segunda, a terceira e a quarta estruturas por estruturas de passagem da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, em que a primeira camada de passivação tem uma primeira porção circundando as paredes laterais externas das respectivas primeira, segunda, terceira e quarta estruturas de passagem e uma segunda porção disposta entre a camada semicondutora do primeiro tipo da terceira peça emissora de luz e o primeiro, segundo, terceiro pads e o pad comum, e em que a segunda porção da primeira camada de passivação tem uma espessura igual ou maior do que a primeira porção.

13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por compreender uma quinta estrutura de passagem que acopla eletricamente o pad comum e a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira peça emissora de luz, e uma sexta estrutura de passagem que acopla eletricamente o pad comum e a camada semicondutora de primeiro tipo da segunda peça emissora de luz, em que a primeira porção da primeira camada de passivação circunda as paredes laterais externas da quinta e da sexta estruturas de passagem.

14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado por cada uma das primeira, segunda, terceira, quarta, quinta e sexta estruturas de passagem inclui uma camada de revestimento e uma camada semente em torno de uma parede lateral externa da camada de revestimento.

15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo segundo padrão de metal ter uma primeira superfície em contato com a primeira estrutura de passagem, e em que o dispositivo emissor de luz compreende ainda uma quinta estrutura de passagem incluindo um primeiro padrão em contato elétrico com uma segunda superfície do segundo padrão de metal oposto à primeira superfície e a camada semicondutora do primeiro tipo da segunda peça emissora de luz e um segundo padrão de que acopla eletricamente o primeiro padrão e a camada semicondutora do primeiro tipo da primeira peça emissora de luz.

16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 15, caracterizado por cada uma das primeira, segunda, terceira, quarta e quinta estruturas de passagem incluir uma camada de revestimento e uma camada semente em torno de uma parede lateral externa da camada de revestimento.

17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender uma camada de passivação circundando as paredes laterais externas das respectivas primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, e uma camada semente externa circundando as paredes laterais externas da camada de passivação.

18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender uma primeira camada semente externa circundando as paredes laterais externas de pelo menos uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, uma primeira camada de passivação disposta entre pelo menos uma da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz e a primeira camada semente externa uma segunda camada semente externa circundando as paredes laterais externas de outra das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz, e uma segunda camada de passivação disposta entre a outra da primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz e a segunda camada semente externa.

19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por pelo menos uma superfície da camada semicondutora do primeiro tipo das peças emissoras de luz ter uma pluralidade de saliências.

20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela camada semicondutora do primeiro tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz compreender um semicondutor do tipo n, e a camada semicondutora do segundo tipo de cada uma das primeira, segunda e terceira peças emissoras de luz compreender um semicondutor do tipo p.