BR112021004888A2 - dispositivo emissor de luz - Google Patents

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Jong Min JANG
Chang Yeon Kim
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Seoul Viosys Co., Ltd.
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Abstract

DISPOSITIVOEMISSORDELUZ. A presente invenção trata de dispositivo emissor de luz, que inclui uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora de tipo n, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora de tipo p, uma segunda peça emissora de luz disposta em uma primeira superfície da primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo p, a segunda camada semicondutora do tipo n tendo uma primeira superfície e uma segunda superfície oposta à primeira superfície, uma terceira peça emissora de luz disposta sobre uma primeira superfície da segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora tipo n, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora tipo p, uma primeira estrutura de contato em contato com a primeira superfície da segunda camada semicondutora tipo n e uma segunda estrutura de contato em contato com a segunda superfície da segunda camada semicondutora tipo n.

Description

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ Campo de Aplicação
[001] A presente invenção trata de um dispositivo emissor de luz e, mais particularmente, a um dispositivo emissor de luz em que uma pluralidade de camadas emissoras de luz são empilhadas.
Estado da técnica
[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica, estão sendo amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido a sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta do que as fontes de luz existentes.
[003] Em particular, um dispositivo de exibição geralmente exibe várias cores geral usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel do dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, e a cor de um pixel específico é determinada pela cor desses subpixels e uma imagem é implementada por uma combinação desses pixels.
[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um visor de micro LED foi desenvolvido como um dispositivo de próxima geração, que diretamente implementa imagens usando diodos emissores de luz.
Descrição da Invenção Problema Técnico
[005] Dispositivos emissores de luz construídos de acordo com modalidades exemplificativas da invenção têm excelente reprodutibilidade de luz.
[006] Recursos adicionais dos conceitos inventivos serão apresentados na descrição a seguir e, em parte, serão evidentes a partir da descrição ou podem ser aprendidos pela prática dos conceitos inventivos.
Solução Técnica
[007] Um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa da presente invenção, incluindo:
[008] uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora de tipo n, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora de tipo p, uma segunda peça emissora de luz disposta em uma primeira superfície da primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo p, a segunda camada semicondutora do tipo n tendo uma primeira superfície e uma segunda superfície oposta à primeira superfície, uma terceira peça emissora de luz disposta sobre uma primeira superfície da segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora tipo n, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora tipo p, uma primeira estrutura de contato em contato com a primeira superfície da segunda camada semicondutora tipo n e uma segunda estrutura de contato em contato com a segunda superfície da segunda camada semicondutora tipo n.
[009] A primeira estrutura de contato pode se estender para a primeira peça emissora de luz para contatar eletricamente a primeira camada semicondutora de tipo n e a segunda estrutura de contato pode se estender para a segunda peça emissora de luz para contatar eletricamente a terceira camada semicondutora de tipo n.
[010] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma terceira estrutura de contato que se estende para a terceira peça emissora de luz para contatar eletricamente a terceira camada semicondutora do tipo n.
[011] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplada com a primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras de tipo n, um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo emissor de luz dispositivo e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p, um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p e um terceiro pad disposto em um quarto canto de o dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo p, na qual a primeira, a segunda e a terceira camadas semicondutoras do tipo n são eletricamente acopladas uma à outra pela primeira às terceiras estruturas de contato.
[012] A segunda peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, de modo que uma parte da mesma no segundo canto seja removida, e a terceira peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, de modo que as porções no segundo e terceiro cantos sejam removidas.
[013] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da primeira estrutura de contato e se estendendo sobre a primeira camada semicondutora do tipo p, uma primeira camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor e se estendendo para o primeiro filtro de cor, um segundo filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a segunda camada semicondutora do tipo p e uma segunda camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do segundo filtro de cor e se estendendo para o segundo filtro de cor.
[014] A primeira estrutura de contato pode se estender para a segunda peça emissora de luz e a segunda estrutura de contato pode se estender para a terceira peça emissora de luz e é eletricamente acoplada com a terceira camada semicondutora do tipo n.
[015] Uma superfície da primeira estrutura de contato pode contatar eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n e a outra superfície da primeira estrutura de contato pode contatar eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n.
[016] O dispositivo de emissão de luz pode incluir ainda um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo de emissão de luz e eletricamente acoplado com a primeira, segunda, terceira camadas semicondutoras tipo n, um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo de emissão de luz , e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p, um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p e um terceiro pad disposto em um quarto canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo p, em que a primeira, segunda, terceira camadas semicondutoras do tipo n são eletricamente acopladas uma à outra pela primeira e segunda estruturas de contato.
[017] A primeira peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, de modo que a primeira camada semicondutora de tipo n e a segunda camada ativa não sejam formadas em pelo menos uma porção do segundo canto, a segunda peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, tal que as porções do segundo e terceiro cantos são removidas e a terceira peça emissora de luz tem uma estrutura em mesa, de modo que uma porção da mesma no quarto canto é removida.
[018] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da primeira estrutura de contato e se estendendo sobre a segunda camada semicondutora do tipo p, uma primeira camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor e se estendendo para o primeiro filtro de cor, um segundo filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a terceira camada semicondutora do tipo p e uma segunda camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do segundo filtro de cor e se estendendo para o segundo filtro de cor.
[019] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma terceira estrutura de contato que se estende para a primeira peça emissora de luz e contatar eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo n.
[020] A primeira estrutura de contato e a terceira estrutura de contato podem estar em contato elétrico uma com a outra.
[021] Cada uma das primeira, segunda e terceira estruturas de contato podem incluir uma camada ôhmica, uma primeira camada condutora, uma camada de barreira, uma segunda camada condutora e uma camada de ligação e a camada de ligação da primeira estrutura de contato e a camada de ligação da terceira estrutura de contato pode entrar em contato uma com a outra.
[022] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplada com a primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras de tipo n, um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo emissor de luz dispositivo e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p, um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p e um terceiro pad disposto em um quarto canto de o dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo p, na qual a primeira, a segunda e a terceira camadas semicondutoras do tipo n podem estar eletricamente acopladas uma à outra pela primeira, segunda e terceiras estruturas de contato.
[023] A segunda peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, de modo que as porções da mesma no segundo e terceiro cantos sejam removidas, e a terceira peça emissora de luz pode ter uma estrutura em mesa, de modo que uma porção da mesma no quarto canto seja removida.
[024] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da terceira estrutura de contato e se estendendo sobre a primeira camada semicondutora do tipo p, uma primeira camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor e se estendendo para o primeiro filtro de cor, um segundo filtro de cor em torno de uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a terceira camada semicondutora do tipo p e uma segunda camada de adesão em torno de uma parede lateral externa do segundo filtro de cor e se estendendo para o segundo filtro de cor.
[025] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um substrato disposto sobre uma segunda superfície da primeira peça emissora de luz oposta à primeira superfície da mesma.
[026] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad comum disposto na terceira peça emissora de luz e acoplando eletricamente a primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo n, um primeiro pad disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p, um segundo pad disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora tipo p e um terceiro pad disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplada com a terceira camada semicondutora tipo p.
[027] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um substrato de suporte disposto na terceira peça emissora de luz e incluindo eletrodos eletricamente acoplados com o pad comum, o primeiro pad, o segundo pad e o terceiro pad, respectivamente
[028] Deve ser entendido que tanto a descrição geral acima como a descrição detalhada a seguir são exemplificativas e explicativas e se destinam a fornecer explicações adicionais da invenção como reivindicada.
[029] Efeitos vantajosos
[030] De acordo com modalidades exemplificativas, como uma primeira camada semicondutora de tipo n, uma segunda camada semicondutora de tipo n e uma terceira camada semicondutora de tipo n são eletricamente acopladas em comum a um pad comum, a corrente pode ser fornecida de forma estável às mesmas em comparação com quando uma primeira camada semicondutora do tipo p, uma segunda camada semicondutora do tipo p e uma terceira camada semicondutora do tipo p são acopladas em comum.
Descrição das Figuras
[031] A Fig. 1A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[032] As Figs. 1B e 1C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1B, de acordo com modalidades exemplificativas.
[033] A Fig. 2A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[034] A Fig. 2B é uma vista em seção transversal esquemática tomada ao longo de uma linha A-A’ da Fig. 2A.
[035] A Fig. 3 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[036] A Fig. 4 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[037] As Figs. 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, e 17 são vistas em seção transversal ilustrando um método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
Melhor Modo de Realizar a Invenção
[038] A fim de compreender a configuração e o efeito da invenção suficientemente, as modalidades da invenção serão descritas com referência às figuras anexas. No entanto, a invenção não está limitada às modalidades aqui estabelecidas e pode ser implementada de várias formas, e uma variedade de mudanças podem ser adicionadas.
[039] Salvo definido em contrário, todos os termos aqui utilizados possuem os mesmos significados que os comumente entendidos por um técnico especialista no assunto aos quais a presente invenção é parte.
[040] A seguir, um dispositivo emissor de luz será descrito abaixo com referência às figuras anexas através de várias modalidades exemplificativas.
[041] A Fig. 1A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa, e as Figs. 1B e 1C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1B, de acordo com modalidades exemplificativas.
[042] Referindo às Figs. 1A a 1C, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3, que são empilhadas verticalmente sobre um substrato 100.
[043] O substrato 100 pode ser capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio sobre o mesmo e pode incluir uma safira (Al2O3), um carboneto de silício (SiC), um nitreto de gálio (GaN), um nitreto de índio e gálio (InGaN) , um nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), um nitreto de alumínio (AlN), um óxido de gálio (Ga2O3), ou silício. Além disso, o o substrato 100 pode ser um substrato de safira padronizado.
[044] Uma superfície do substrato 100 pode ser colocada em contato com a primeira peça emissora de luz LE1 e a outra superfície em oposição pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Em algumas modalidades exemplificativas, o substrato 100 pode ser removido. Neste caso, uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1 está voltada para o substrato 100 pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Quando a superfície de extração de luz é a outra superfície do substrato 100 ou uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1, o comprimento de onda da luz emitida da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser o mais curto, o comprimento de onda de luz emitida da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior que o comprimento de onda de luz emitido da primeira peça emissora de luz LE1 e ser menor que o comprimento de onda da luz emitida da terceira peça emissora de luz LE3, e o comprimento de onda de luz emitida da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o maior. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha.
[045] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206 e um segundo eletrodo transparente 208. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306 e um terceiro eletrodo transparente 308.
[046] Cada uma da primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Si. Cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg. Cada uma da primeira camada ativa 104, a segunda camada ativa 204 e a terceira camada ativa 304 podem incluir um poço multiquântico (MQW) e a proporção da composição dos mesmos pode ser determinada para emitir luz de um comprimento de onda de pico desejado. Cada um do primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308, uma camada de óxido condutor transparente (TCO), tal como um ZnO, óxido de índio e estanho (ITO), óxido de índio e estanho dopado com zinco (ZITO), óxido de zinco e índio (ZIO), óxido de gálio e índio (GIO), óxido de zinco e estanho (ZTO), óxido de estanho dopado com flúor (FTO), óxido de zinco dopado com gálio (GZO), óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) podem ser usados.
[047] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma primeira estrutura de contato CT1, que se estende através de uma porção da primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda estrutura de contato CT2, que se estende através de uma porção da segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira estrutura de contato CT3, que se estende através de uma porção da terceira peça emissora de luz LE3.
[048] A primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 podem incluir camadas ôhmicas 110, 210 e 310, primeiras camadas condutoras 112, 212 e 312, camadas de barreira 114, 214 e 314, segundas camadas condutoras 116, 216 e 316 e camadas de ligação 118, 218 e 318, respectivamente. Pelo menos uma da camada ôhmica 110, 210 e 310 pode incluir Cr, pelo menos uma da primeira camada condutora 112, 214 e 314 pode incluir Al, pelo menos uma da camada de barreira 114, 214 e 314 pode incluir Ti e Ni, que são empilhados uma pluralidade de vezes, pelo menos uma da segunda camada condutora 116, 216 e 316 pode incluir Au e pelo menos uma das camadas de ligação 118, 218 e 318 pode incluir In ou Sn.
[049] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 podem ser dispostas para se sobreporem. Quando o dispositivo emissor de luz tem uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima,
a primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 podem ser dispostas sequencialmente para se sobreporem em um primeiro canto CN1 do dispositivo emissor de luz.
[050] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1, uma primeira camada de adesão AD1 e uma segunda camada de adesão AD2, que estão dispostas entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2, e um segundo filtro de cor CF2 e uma terceira camada de adesão AD3, que estão dispostas entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3.
[051] Cada um do primeiro filtro de cor CF1 e do segundo filtro de cor CF2 pode incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR) tendo uma estrutura, no qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados aos mesmos e, em algumas modalidades exemplificativas, os filtros de cor CF1 e CF2 podem incluir outros materiais dielétricos, como SiNx, Al2O3, Ta2O5 ou semelhantes. Por exemplo, o primeiro filtro de cor CF1 e o segundo filtro de cor CF2 podem ser diferentes em termos de proporção de composição e ordem de empilhamento alternada e número de TiO2 e SiO2. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro filtro de cor CF1 pode passar seletivamente a luz gerada a partir da segunda peça emissora de luz LE2 e a luz gerada da terceira peça emissora de luz LE3 e pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1. O segundo filtro de cor CF2 pode seletivamente passar a luz gerada a partir da terceira peça emissora de luz LE3, e pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e a luz gerada a partir da segunda pela emissora de luz LE2. O primeiro filtro de cor CF1 e o segundo filtro de cor CF2 podem funcionar como camadas de isolamento.
[052] Cada uma da primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2 e a terceira camada de adesão AD3 podem incluir um material, que tem uma propriedade de adesão e alta transmitância, tal como silício sobre vidro (SOG), epóxi, poli-imida, SU8, benzo ciclo butano (BCB) ou outros.
[053] Na primeira peça emissora de luz LE1, a primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e o primeiro eletrodo transparente 108 podem ser empilhados sequencialmente. A primeira peça emissora de luz LE1 pode ter um primeiro orifício H1 (ver Fig. que passa pelo primeiro eletrodo transparente 108, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e a primeira camada ativa 104. O primeiro orifício H1 pode ter uma largura constante ou uma largura que diminui gradualmente em uma direção para baixo. Como tal, uma área do primeiro eletrodo transparente 108 pode ser igual ou menor que uma área da primeira camada semicondutora tipo p 106 e uma área da primeira camada semicondutora tipo p 106 pode ser igual ou menor que um área da primeira camada ativa 104.
[054] O primeiro orifício PV1 pode se expor parcialmente a primeira camada semicondutora tipo n 102. A primeira estrutura de contato CT1 pode ser disposta no primeiro orifício H1 e pode ter uma estrutura que se projeta para fora do primeiro eletrodo transparente 108. Mais particularmente, a superfície superior da primeira estrutura de contato CT1 pode ser disposta em um nível mais alto do que a superfície superior do primeiro eletrodo transparente 108. De acordo com uma modalidade exemplificativa, na primeira estrutura de contato CT1, a camada ôhmica 110, a primeira camada condutora 112, a camada de barreira 114, a segunda camada condutora 116 e a camada de ligação 118 podem ser sequencialmente empilhadas.
[055] A primeira camada de adesão AD1 pode circundar a parede lateral externa da primeira estrutura de contato CT1 no primeiro orifício H1 e se estender para o primeiro eletrodo transparente 108. O primeiro filtro de cor CF1 pode circundar a parede lateral externa da primeira camada de adesão AD1 no primeiro orifício H1, estender-se sobre o primeiro eletrodo transparente 108 e ser disposto entre o primeiro eletrodo transparente 108 e a primeira camada de adesão AD1.
[056] Na segunda peça emissora de luz LE2, o segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada semicondutora do tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora do tipo n 202 podem ser empilhadas sequencialmente. A segunda peça emissora de luz LE2 pode ter um segundo orifício H2 (ver Fig. 11), que passa através do segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a segunda camada ativa 204. O segundo orifício H2 pode ter uma largura que é constante ou aumenta gradualmente na direção descendente. Com tal, a segunda camada ativa 204 pode ter uma largura constante ou maior do que a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a segunda camada semicondutora tipo p 206 pode ter uma largura constante ou maior do que o segundo eletrodo transparente 208.
[057] O segundo orifício H2 pode parcialmente expor a segunda camada semicondutora tipo n 202. A segunda estrutura de contato CT2 pode ser disposta no segundo orifício H2 e pode ter uma estrutura que se projeta para fora do segundo eletrodo transparente 208. Mais particularmente, a superfície inferior da segunda estrutura de contato CT2 pode ser disposta em um nível mais baixo do que a superfície do segundo eletrodo transparente 208. Na segunda estrutura de contato CT2, a camada de ligação 218, a segunda camada condutora 216, a camada de barreira 214, a primeira camada condutora 212 e a camada ôhmica 210 podem ser empilhadas sequencialmente.
[058] A segunda camada de adesão AD2 pode circundar a parede lateral externa da segunda estrutura de contato CT2, e se estende para o segundo eletrodo transparente 208.
[059] Embora o primeiro filtro de cor CF1 seja ilustrado como sendo disposto entre o primeiro eletrodo transparente 108 e a primeira camada de adesão AD1, no entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Por exemplo, em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor CF1 pode ser disposto entre o segundo eletrodo transparente 208 e a segunda camada de adesão AD2.
[060] De acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme a primeira estrutura de contato CT1 e a segunda estrutura de contato CT2 são colocadas em contato elétrico uma com a outra, a primeira camada semicondutora tipo n 102 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser eletricamente acopladas com cada outra. A camada de ligação 118 da primeira estrutura de contato CT1 e a camada de ligação 218 da segunda estrutura de contato CT2 podem ser ligadas entre si. No que diz respeito à superfície de ligação da primeira estrutura de contato CT1 e da segunda estrutura de contato CT2, a primeira estrutura de contato CT1 e a segunda estrutura de contato CT2 podem ter uma estrutura substancialmente simétrica entre si. Em particular, a camada de ligação 118, a segunda camada condutora 116, a camada de barreira 114, a primeira camada condutora 112 e a camada ôhmica 110 podem ser dispostas a partir da superfície de ligação na primeira estrutura de contato CT1 e na camada de ligação 218, a segunda camada condutora 216, a camada de barreira 214, a primeira camada condutora 212 e a camada ôhmica 210 podem ser dispostas a partir da superfície de ligação na segunda estrutura de contato CT2. Desta maneira, a corrente aplicada à segunda peça emissora de luz LE2 e a corrente aplicada à primeira peça emissora de luz LE1 podem ser uniformes.
[061] Como a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2 são ligadas uma à outra, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas uma à outra.
[062] Na terceira peça emissora de luz LE3, o terceiro eletrodo transparente 308, a terceira camada semicondutora do tipo p 306, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora do tipo n 302 podem ser empilhadas sequencialmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode ter um terceiro orifício H3 (ver Fig. 14), que passa através do terceiro eletrodo transparente 308, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ativa 304. O terceiro orifício H3 pode ter uma largura que aumenta gradualmente no sentido descendente. Como tal, a terceira camada ativa 304 pode ter uma largura maior do que a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 pode ter uma largura maior do que o terceiro eletrodo transparente 308.
[063] O terceiro orifício H3 pode parcialmente expor a terceira camada semicondutora tipo n 302. A terceira estrutura de contato CT3 pode ser disposta no terceiro orifício H3 e pode ter uma estrutura que se projeta para fora do terceiro eletrodo transparente 308. Mais particularmente, a superfície inferior da terceira estrutura de contato CT3 pode ser disposta em um nível mais baixo do que a superfície do terceiro eletrodo transparente 308. Na terceira estrutura de contato CT3, a camada de ligação 318, a segunda camada condutora 316, a camada de barreira 314, a primeira camada condutora 312 e a camada ôhmica 310 podem ser empilhadas sequencialmente. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que a primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 têm substancialmente a mesma estrutura, corrente transferida para a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202, e a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser uniforme.
[064] A terceira camada de adesão AD3 pode circundar a parede lateral externa da terceira estrutura de contato CT3 no terceiro orifício H3 e se estender para o terceiro eletrodo transparente 308. O segundo filtro de cor CF2 pode circundar a parede lateral externa da terceira camada de adesão AD3 no terceiro orifício H3, estender-se para o terceiro eletrodo transparente 308 e ser disposto entre o terceiro eletrodo transparente 308 e a terceira camada de adesão AD3.
[065] Conforme descrito acima, de acordo com uma modalidade exemplificativa, conforme a primeira estrutura de contato CT1 e a segunda estrutura de contato CT2 são colocadas em contato elétrico uma com a outra, a primeira camada semicondutora tipo n 102 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser eletricamente acopladas uma à outra. A camada de ligação da primeira estrutura de contato CT1 e a camada de ligação da segunda estrutura de contato CT2 podem ser ligadas uma à outra. Além disso, como a primeira camada de adesão AD1 e a segunda camada de adesão AD2 estão ligadas uma à outra, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem estar fisicamente ligadas uma à outra.
[066] De acordo com outra modalidade exemplificativa, como mostrado na Fig. 1D, conforme a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 são colocadas em contato elétrico uma com a outra, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser eletricamente acopladas uma à outra. A camada de ligação da segunda estrutura de contato CT2 e a camada de ligação da terceira estrutura de contato CT3 podem ser ligadas uma à outra. Além disso, como a segunda camada de adesão AD2 e a terceira camada de adesão AD3 estão ligadas uma à outra, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem estar fisicamente ligadas uma à outra.
[067] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad comum CPD, que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302, um primeiro pad PD1 eletricamente acoplado com o primeiro eletrodo transparente 108, um segundo pad PD2 eletricamente acoplado com o segundo eletrodo transparente 208 e um terceiro pad PD3 eletricamente acoplado com o terceiro eletrodo transparente 308. Cada um do pad comum CPD, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2 e o terceiro pad PD3 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Ag, Ni, Al, Rh,
Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, Cr, Ti e Cu. O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada de isolamento IDL para isolar eletricamente o pad comum CPD, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2 e o terceiro pad PD3 da terceira camada semicondutora tipo n 302. A camada de isolamento IDL pode incluir um óxido de silício ou um nitreto de silício, por exemplo.
[068] Quando o dispositivo emissor de luz tem uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima, o pad comum CPD pode ser disposto no primeiro canto CN1, o primeiro pad PD1 pode ser disposto em um segundo canto CN2, o segundo pad PD2 pode ser disposto em um terceiro canto CN3 e o terceiro pad PD3 podem ser dispostos em um quarto canto CN4.
[069] O pad comum CPD pode ser eletricamente acoplado em comum com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 pela primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 , e a terceira estrutura de contato CT3. Como o pad comum CPD é acoplado em comum com a primeira camada semicondutora do tipo n 102 e a segunda camada semicondutora do tipo n 202 e a terceira camada semicondutora do tipo n 302, é possível estabilizar o fornecimento de corrente. Como descri acima, embora cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 incluem uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg, uma vez que a concentração da dopagem de Mg é baixa, cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 pode incluir uma resistência de contato grande. Como tal, em comparação com um caso em que o CPD de pad comum eletricamente acoplo em comum a primeira camada semicondutora de tipo p 106, a segunda camada semicondutora de tipo p 206 e a terceira camada semicondutora de tipo p 306, por acoplamento elétrico em comum a primeira camada semicondutora de tipo n 102, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302, é possível fornecer corrente de forma estável.
[070] Referindo às Figs. 1A a 1C, o primeiro pad PD1 disposto na camada de isolamento EDL pode ser eletricamente acoplado com o primeiro eletrodo transparente 108 através de uma primeira estrutura de passagem VS1, que passa através da terceira peça emissora de luz LE3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira adesão camada AD3, a segunda peça emissora de luz LE2, a primeira camada de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1 e se estende até o primeiro eletrodo transparente
108. A camada de isolamento IDL pode ter uma estrutura que se estende na terceira camada semicondutora tipo n 302 e circunda a parede lateral externa da primeira estrutura de passagem VS1. Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro pad PD1 e a primeira estrutura de passagem VS1 podem ser integrados um ao outro.
[071] O segundo pad PD2 disposto na camada de isolamento IDL pode ser eletricamente acoplado ao segundo eletrodo transparente 208 através de uma segunda estrutura de passagem VS2, que passa através da terceira peça emissora de luz LE3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206 e se estende até o segundo eletrodo transparente 208. A camada de isolamento IDL pode ter uma estrutura que se estende na terceira camada semicondutora tipo n 302 e circunda a parede lateral externa da segunda estrutura de passagem VS2. Em algumas modalidades exemplificativas, o segundo pad PD2 e a segunda estrutura de passagem VS2 podem ser integrados um ao outro.
[072] O terceiro pad PD3 disposto na camada de isolamento IDL pode ser eletricamente acoplado com o terceiro eletrodo transparente 308 através de uma terceira estrutura de passagem VS3, que passa através da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 e se estende até o terceiro eletrodo transparente 308. Em algumas modalidades exemplificativas, o terceiro pad PD3 e a terceira estrutura de passagem VS3 podem ser integrados um ao outro.
[073] Referindo à Fig. 1C, o substrato 100 pode ser seletivamente removido. O dispositivo emissor de luz removido com o substrato 100 pode ser adicionalmente fornecido com um substrato de suporte SUB na terceira peça emissora de luz LE3. O substrato de suporte SUB pode suprimir um fenômeno, no qual o dispositivo emissor de luz removido com o substrato 100 é dobrado (ou arqueado). O substrato de suporte SUB pode incluir Si.
[074] Neste caso, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma sétima estrutura de passagem VS7 eletricamente acoplada com a primeira estrutura de passagem VS1, uma sexta estrutura de passagem VS6 eletricamente acoplada com a segunda estrutura de passagem VS2, uma quinta estrutura de passagem VS5 eletricamente acoplada com a terceiro estrutura de passagem VS3, e uma quarta estrutura de passagem VS4 eletricamente acoplada com o pad comum CPD.
[075] A Fig. 2A é uma vista superior de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade exemplificativa, e a Fig. 2B é uma vista em seção transversal esquemática tomada ao longo de uma linha A-A’ da Fig. 2A.
[076] Referindo às Figs. 2A e 2B, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, um primeiro filtro de cor CF1, uma primeira camada de adesão AD1, uma segunda camada de adesão AD2, uma segunda peça emissora de luz LE2, uma terceira camada de adesão AD3, uma segunda filtro de cor CF2 e uma terceira peça emissora de luz LE3.
[077] Na primeira peça emissora de luz LE1, uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108 podem ser empilhados sequencialmente. Na segunda peça emissora de luz LE2, um segundo eletrodo transparente 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202 podem ser empilhadas sequencialmente. Na terceira peça emissora de luz LE3, um terceiro eletrodo transparente 308, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302 podem ser empilhadas sequencialmente.
[078] O dispositivo emissor de luz pode incluir o primeiro filtro de cor CF1, a primeira camada de adesão AD1 e a segunda camada de adesão AD2, que estão dispostas entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2, e pode incluir um segundo filtro de cor CF2 e a terceira camada de adesão AD3, que estão dispostas entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad CPD comum, que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302, um primeiro pad PD1 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p 106, um segundo pad PD2 eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p 206 e um terceiro pad PD3 eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306.
[079] De acordo da com a modalidade exemplificativa ilustrada, cada uma segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ter uma estrutura em mesa.
[080] O dispositivo emissor de luz pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando visto de cima e cantos respectivos podem ser referidos como um primeiro canto CN1, um segundo canto CN2, um terceiro canto CN3 e um quarto canto CN4. A segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma estrutura em mesa removendo uma porção da mesma disposta no segundo canto CN2 e no terceiro canto CN3, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma estrutura em mesa removendo uma porção da mesma disposta no segundo canto CN2, o terceiro canto CN3 e o quarto canto CN4.
[081] Em particular, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma estrutura, na qual a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e o segundo eletrodo transparente 208 dispostos no segundo canto CN2 são gravados, e a segunda camada semicondutora tipo p 206, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 disposta no terceiro canto CN3 são gravados. No segundo canto CN2, conforme a segunda camada de adesão AD2, o primeiro filtro de cor CF1 e a primeira camada de adesão AD1 disposta no segundo canto CN2 são gravados, o primeiro eletrodo transparente 108 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser exposto. No terceiro canto CN3, o segundo eletrodo transparente 208 da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser exposto.
[082] A terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma estrutura, na qual a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e o terceiro eletrodo transparente 308 dispostos no segundo canto CN2 e o terceiro canto CN3 é gravado e a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 disposta no quarto canto CN4 são gravados. No segundo canto CN2, como a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306, o terceiro eletrodo transparente 308, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo p 206, o segundo eletrodo transparente 208, a segunda camada de adesão AD2, a primeira camada de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1 disposto no segundo canto CN2 são gravados, o primeiro eletrodo transparente 108 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser exposto. No terceiro canto CN3, como a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306, o terceiro eletrodo transparente 308, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206 disposta no terceiro canto CN3 são gravadas, o segundo eletrodo transparente 208 da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser exposto. No quarto cano CN4, como a terceira camada semicondutora tipo n 304, e a terceira camada semicondutora tipo p 306 são gravadas, o primeiro eletrodo transparente 308 da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser exposto.
[083] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir, na segunda peça emissora de luz LE2 e na terceira peça emissora de luz LE3 tendo as estruturas em mesa, uma camada de passivação PAL que preenche as porções gravadas para formar as estruturas em mesa. Uma primeira estrutura de passagem VS1, uma segunda estrutura de passagem VS2 e uma terceira estrutura de passagem VS3 podem ser eletricamente acopladas com o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 208 e o terceiro eletrodo transparente 308, respectivamente, através da camada de passivação PAL.
[084] Na modalidade exemplificativa ilustrada, uma vez que a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2, a terceira peça emissora de luz LE3, a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2, a terceira camada de adesão AD3, o primeiro filtro de cor CF1, o segundo filtro de cor CF2, o pad comum CPD, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3, a primeira estrutura de passagem VS1, a segunda estrutura de passagem VS2 e a terceira estrutura de passagem VS3 são substancialmente as mesmas como aquelas descritas acima com referência às FIGS. 1A a 1C, descrições repetidas dos mesmos serão omitidas para evitar redundância.
[085] A Fig. 3 é uma seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[086] Referindo à Fig. 3, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3, que são empilhadas sobre um substrato 100.
[087] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108, que são sequencialmente empilhados, a segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma segunda camada semicondutora tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora tipo p 206 e um segundo eletrodo transparente 208, que são sequencialmente empilhados, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306 e um terceiro eletrodo transparente 308, que são sequencialmente empilhados.
[088] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad CPD comum, que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302, um primeiro pad PD1 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p 106, um segundo pad PD2 eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p 206 e um terceiro pad PD3 eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306.
[089] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma primeira estrutura de contato CT1 que se estende através de uma porção da primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda estrutura de contato CT2 que se estende através de uma porção da segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira estrutura de contato CT3 que se estende através de uma porção da terceira peça emissora de luz LE3. Uma superfície da primeira estrutura de contato CT1 pode ser colocada em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102. A segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser disposta entre a outra superfície da primeira estrutura de contato CT1 voltada para longe de uma superfície e a segunda estrutura de contato CT2 e ser colocada em contato elétrico com a primeira estrutura de contato CT1 e a segunda estrutura de contato CT2. A terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser disposta entre a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 e ser colocada em contato elétrico com a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3.
[090] Na primeira estrutura de contato CT1, na segunda estrutura de contato CT2 e na terceira estrutura de contato CT3, as camadas ôhmicas 110, 210 e 310, as primeiras camadas condutoras 112, 212 e 312, as camadas de barreira 114, 214 e 314, as segundas camadas condutoras 116, 216 e 316 e as camadas de ligação 118, 218 e 318 podem ser empilhadas sequencialmente. Cada uma da primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 podem ter uma largura que diminui gradualmente em uma direção para baixo.
[091] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1, que circunda a parede lateral externa da primeira estrutura de contato CT1 e se estende para o primeiro eletrodo transparente 108 e uma primeira camada de adesão AD1, que circunda a parede lateral externa do primeiro filtro de cor CF1, se estende para o primeiro eletrodo transparente 108 e liga a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 uma à outra.
[092] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um segundo filtro de cor CF2, que circunda a parede lateral externa da segunda estrutura de contato CT2 e se estende para o segundo eletrodo transparente 208 e uma segunda camada de adesão AD2, que circunda a parede lateral externa do segundo filtro de cor CF2, se estende para o segundo eletrodo transparente 208 e liga a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 uma à outra.
[093] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada de isolamento IDL, que circunda a parede lateral externa da terceira estrutura de contato CT3 e se estende para o terceiro eletrodo transparente 308. A camada de isolamento IDL pode incluir um óxido de silício ou um nitreto de silício, por exemplo.
[094] Na modalidade exemplificativa ilustrada, uma vez que a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2, a terceira peça emissora de luz LE3, a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2, uma terceira camada de adesão AD3, o primeiro filtro de cor CF1, o segundo filtro de cor CF2, a camada de isolamento IDL, o pad comum CPD, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3, o primeiro estrutura de passagem VS1 e a segunda estrutura de passagem VS2 são substancialmente as mesmas que aquelas descritas acima com referência às Figs. 1A a 1C, 2A e 2B, as descrições repetidas das mesmas serão omitidas.
[095] A Fig. 4 é uma vista em seção transversal de um dispositivo emissor de luz de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[096] Referindo à Fig. 4, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3, que são empilhadas sobre um substrato 100.
[097] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir um primeiro eletrodo transparente 108, uma primeira camada semicondutora tipo p 106, uma primeira camada ativa 104 e uma primeira camada semicondutora tipo n 102, que são sequencialmente empilhadas, a segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir um segundo eletrodo transparente 208, uma segunda camada semicondutora tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora tipo n 202, que são sequencialmente empilhadas, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada transparente eletrodo 308, uma terceira camada semicondutora tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora tipo n 302, que são sequencialmente empilhadas.
[098] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad CPD comum, que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302, um primeiro pad PD1 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo p 106, um segundo pad PD2 eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo p 206 e um terceiro pad PD3 eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p 306.
[099] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda estrutura de contato CT2, que se estende através de uma porção da segunda peça emissora de luz LE2, e uma terceira estrutura de contato CT3, que se estende através de uma porção da terceira peça emissora de luz LE3. Uma superfície da segunda estrutura de contato CT2 pode ser colocada em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102 e a outra superfície da segunda estrutura de contato CT2 voltada para longe de uma superfície pode ser colocada em contato elétrico com a segunda camada semicondutora do tipo n 202. Uma superfície da terceira estrutura de contato CT3 pode ser colocada em contato elétrico com a segunda camada semicondutora de tipo n 202 e a outra superfície da terceira estrutura de contato CT3 voltada para longe de uma superfície pode ser colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora do tipo n 302. A segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser disposta entre a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3.
[0100] Em uma primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3, camadas de ligação, segundas camadas condutoras, camadas de barreira, primeiras camadas condutoras e camadas ôhmicas podem ser sequencialmente empilhadas. Cada uma da primeira estrutura de contato CT1, a segunda estrutura de contato CT2 e a terceira estrutura de contato CT3 podem ter uma largura que aumenta gradualmente em uma direção para baixo.
[0101] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro filtro de cor CF1, que circunda a parede lateral externa da segunda estrutura de contato CT2 e se estende para o segundo eletrodo transparente 208 e uma primeira camada de adesão AD1, que circunda a parede lateral externa do primeiro filtro de cor CF1, se estende para o primeiro filtro de cor CF1 e liga a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 a cada outra.
[0102] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um segundo filtro de cor CF2, que circunda a parede lateral externa da terceira estrutura de contato CT3 e se estende para o terceiro eletrodo transparente 308 e uma segunda camada de adesão AD2, que circunda a parede lateral externa do segundo filtro de cor CF2, estende-se para o segundo filtro de cor CF2 e liga a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 a cada outra.
[0103] Na modalidade exemplificativa ilustrada, uma vez que a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2, a terceira peça emissora de luz LE3, a primeira camada de adesão AD1, a segunda camada de adesão AD2, a terceira camada de adesão AD3, o primeiro filtro de cor CF1, o segundo filtro de cor CF2, a camada de isolamento IDL, o pad comum CPD, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3, a primeira estrutura de passagem VS1, a segunda estrutura de passagem VS2 e a terceira estrutura de passagem VS3 são substancialmente iguais aos descritos acima com referência às FIGS. 1A a 1C, 2A e 2B, as descrições repetidas das mesmas serão omitidas.
[0104] Daqui em diante, um método para fabricar o dispositivo emissor de luz descrito acima com referência às FIGS. 1A e 1B serão descritas em mais detalhes.
[0105] As Figs. 5 à 17 são vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0106] Referindo à Fig. 5, uma primeira camada semicondutora tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108 podem ser formados em um primeiro substrato 100, para formar uma primeira peça emissora de luz LE1.
[0107] A primeira camada semicondutora do tipo n 102, a primeira camada ativa 104, e a primeira camada semicondutora do tipo p 106 podem ser sequencialmente crescidas no substrato 100 através de um processo, como uma deposição de vapor químico de metal orgânico (MOCVD) ou epitaxia de feixe molecular (MBE). Então, o primeiro eletrodo transparente 108 pode ser formado na primeira camada semicondutora tipo p 106 usando processo de deposição química de vapor (CVD), ou um processo de deposição de vapor físico.
[0108] Referindo à Fig. 6, gravando a primeira peça emissora de luz LE1 para expor a primeira camada semicondutora tipo n 102, um primeiro orifício de contato H1 passando através do primeiro eletrodo transparente 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 pode ser formado.
[0109] Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima e o primeiro orifício H1 pode estar disposto em um primeiro canto CN1. O primeiro orifício H1 pode ter uma largura que diminui gradualmente em uma direção para baixo. Como tal, a primeira camada ativa 104 pode ter uma largura maior do que a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada semicondutora tipo p 106 pode ter uma largura maior do que o primeiro eletrodo transparente 108.
[0110] Referindo à Fig. 7, um primeiro filtro de cor CF1 pode ser continuamente formado ao longo da superfície da primeira peça emissora de luz de LE1 de modo a não preencher o primeiro orifício H1. O primeiro filtro de cor CF1 pode incluir um DBR com uma estrutura, na qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente.
[0111] Referindo à Fig. 8, uma primeira camada de adesão AD1 pode ser formada na primeira peça emissora de luz LE1 formada com o primeiro filtro de cor CF1, de modo a preencher (ou enterrar) o primeiro orifício H1. A primeira camada de adesão AD1 pode incluir SOG.
[0112] Referindo à Fig. 9, ao gravar a primeira camada de adesão AD1 e o primeiro filtro de cor CF1 preenchendo o primeiro orifício H1, um primeiro orifício de contato CH1 expondo a primeira camada semicondutora tipo n 102 pode ser formado. Por exemplo, o primeiro orifício de contato CH1 pode ter uma largura que diminui gradualmente na direção para baixo.
[0113] Referindo à Fig. 10, uma primeira estrutura de contato CT1, que preenche o interior do primeiro orifício de contato CH1, pode ser formada. Como a primeira estrutura de contato CT1, uma camada ôhmica 110, uma primeira camada condutora 112, uma camada de barreira 114, uma segunda camada condutora 116 e uma camada de ligação 118 podem ser sequencialmente empilhadas. A camada ôhmica 110 pode incluir Cr, a primeira camada condutora 112 pode incluir Al, a camada de barreira 114 pode incluir Ti e Ni, que são empilhados uma pluralidade de vezes, a segunda camada condutora 116 pode incluir Au e a camada de ligação 118 pode incluem In ou Sn.
[0114] Referindo à Fig. 11, uma segunda peça emissora de luz LE2 incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206 e um segundo eletrodo transparente 208 podem ser formadas em um segundo substrato 200. Em seguida, um segundo orifício H2, que expõe a segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser formado, e uma segunda camada de adesão AD2, que preenche o interior do segundo orifício H2 pode ser formada.
[0115] Referindo à Fig. 12, depois de formar o segundo orifício de contato CH2 expondo a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada de adesão AD2 que preenche o segundo orifício H2 pode ser gravada para formar uma segunda estrutura de contato CT2 para preencher o segundo orifício de contato CH2. Como a segunda estrutura de contato CT2, uma camada ôhmica 210, uma primeira camada condutora 212, uma camada de barreira 214, uma segunda camada condutora 216 e uma camada de ligação 218 podem ser sequencialmente empilhadas.
[0116] Referindo à Fig. 13, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser virada e ligada à primeira peça emissora de luz LE1, de modo que a camada de ligação 218 da segunda estrutura de contato CT2 seja ligada com a camada de ligação 118 da primeira estrutura de contato CT1.
[0117] Então, o segundo substrato 200 pode ser removido por processo de remoção a laser, ou semelhante.
[0118] Referindo à Fig. 14, uma terceira peça emissora de luz LE3 incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, uma terceira camada semicondutora do tipo p e 306 e um terceiro eletrodo transparente 308 podem formados em um terceiro substrato 300. Em seguida, um terceiro orifício H3, que expõe a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser formado, e uma terceira camada de adesão AD3, que preenche o interior do terceiro orifício H3 pode ser formada.
[0119] Depois de formar um terceiro orifício de contato CH3 expondo a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada de adesão AD3 que preenche o terceiro orifício H3 pode ser gravada. Em seguida, um segundo filtro de cor CF2 pode ser continuamente formado ao longo da superfície da terceira peça emissora de luz LE3 de modo a não preencher o terceiro orifício de contato CH3 e uma terceira estrutura de contato CT3 que preenche o terceiro orifício de contato CH3 pode ser formada no segundo filtro de cor CF2. O segundo filtro de cor CF2 pode incluir um DBR com uma estrutura, na qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente. O segundo filtro de cor CF2 pode ser diferente do primeiro filtro de cor CF1 em termos de proporção de composição e ordem de empilhamento alternada e número de TiO2 e SiO2. Como a terceira estrutura de contato CT3, uma camada ôhmica 310, uma primeira camada condutora 312, uma camada de barreira 314, uma segunda camada condutora 316 e uma camada de ligação 318 podem ser empilhadas sequencialmente.
[0120] Referindo à Fig. 15, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser virada e ligada à segunda peça emissora de luz LE2, de modo que a camada de ligação 318 da terceira estrutura de contato CT3 fique voltada para a segunda camada semicondutora tipo n 202. Como tal, a segunda peça emissora de luz LE2 ligada com a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser ligada com a terceira peça emissora de luz LE3.
[0121] Então, o terceiro substrato 300 pode ser removido por processo de remoção a laser, ou semelhante.
[0122] Referindo à Fig. 16, um primeiro orifício de via VIA1 expondo o primeiro eletrodo transparente 108, um segundo orifício de passagem VIA2 expondo o segundo eletrodo transparente 208 e um terceiro orifício de passagem VIA3 expondo o terceiro eletrodo transparente 308 podem ser formados.
[0123] A primeira estrutura de passagem VIA1 pode passar através da terceira peça emissora de luz LE3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda peça emissora de luz LE2, a segunda camada de adesão AD2, a primeira camada de adesão AD1, e o primeiro filtro de cor CF1, e podem expor o primeiro eletrodo transparente 108.
[0124] A segunda estrutura de passagem VIA2 pode passar pela terceira peça emissora de luz LE3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206, e pode expor o segundo eletrodo transparente 208.
[0125] A terceira estrutura de passagem VIA3 pode passar através da terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 e pode expor o terceiro eletrodo transparente 308.
[0126] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada uma da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vistas de cima. A segunda peça emissora de luz LE2 pode ser virada e disposta na primeira peça emissora de luz LE1 e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser virada e disposta na segunda peça emissora de luz LE2.
[0127] O primeiro orifício de passagem VIA1 pode ser disposto em um segundo canto CN2, o segundo orifício de passagem VIA2 pode ser disposto no terceiro canto CN3 e o terceiro orifício de passagem VIA3 pode ser disposto no quarto canto CN4.
[0128] Referindo à Fig. 17, uma camada de isolamento IDL pode ser formada continuamente ao longo das superfícies da terceira peça emissora de luz LE3, o segundo filtro de cor CF2, a terceira camada de adesão AD3, a segunda peça emissora de luz LE2, a segunda camada de adesão AD2, o primeiro filtro de cor CF1 e a primeira camada de adesão AD1, de modo a não preencher o primeiro orifício de passagem VIA1, o segundo orifício de passagem VIA2 e o terceiro orifício de passagem VIA3. A camada de isolamento IDL pode incluir um óxido de silício ou um nitreto de silício, por exemplo.
[0129] Em seguida, a camada de isolamento IDL pode ser gravada, de modo que o primeiro eletrodo transparente 108 possa ser exposto no fundo do primeiro orifício de passagem
VIA1, o segundo eletrodo transparente 208 pode ser exposto no fundo do segundo orifício de passagem VIA2, o terceiro eletrodo transparente 308 pode ser exposto na parte inferior do terceiro orifício de passagem VIA3 e uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser exposta.
[0130] Referindo de volta à Fig. 1B, uma primeira estrutura de passagem VS1 preenchendo o primeiro orifício de passagem VIA1 e contatando eletricamente o primeiro eletrodo transparente 108, uma segunda estrutura de passagem VS2 preenchendo o segundo orifício de passagem VIA2 e contatando eletricamente o segundo eletrodo transparente 208 e uma terceira estrutura de passagem VS3 preenchendo o terceiro orifício de passagem VIA3 e em contato elétrico com o terceiro eletrodo transparente 308 podem ser formados, respectivamente.
[0131] Então, um primeiro pad PD1 eletricamente acoplado com a primeira estrutura de passagem VS1, um segundo pad PD2 eletricamente acoplado com a segunda estrutura de passagem VS2, um terceiro pad PD3 eletricamente acoplado com a terceira estrutura de passagem VS3 e um pad comum CPD eletricamente acoplado com o a terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser formada adicionalmente.
[0132] Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2 e o terceiro pad PD3 podem ser integrados com a primeira estrutura de passagem VS1, a segunda estrutura de passagem VS2 e a terceira estrutura de passagem VS3, respectivamente.
[0133] Embora certas modalidades e implementações exemplificativas tenham sido descritas aqui, outras modalidades e modificações serão evidentes a partir desta descrição.
Por conseguinte, os conceitos inventivos não se limitam a essas modalidades, mas ao escopo mais amplo das reivindicações anexas e a várias modificações óbvias e arranjos equivalentes, como seria evidente para um especialista na técnica.

Claims (20)

REIVINDICAÇÕES
1. Dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender: - uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa, e uma primeira camada semicondutora do tipo p; - uma segunda peça emissora de luz disposta sobre uma primeira peça emissora de luz da primeira peça emissora de luz, e incluindo uma segunda camada semicondutora do tipo n, uma segunda camada ativa, e uma segunda camada semicondutora do tipo p, a segunda camada semicondutora do tipo n tendo uma primeira superfície e uma segunda superfície em oposição à primeira superfície; - uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a primeira superfície da segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora do tipo n, uma terceira camada ativa, uma terceira camada semicondutora do tipo p; - uma primeira estrutura de contato contatando a primeira superfície da segunda camada semicondutora tipo n; e - uma segunda estrutura de contato em contato com a segunda superfície da segunda camada semicondutora tipo n.
2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela primeira estrutura de contato se estender para a primeira peça emissora de luz para contatar eletricamente a primeira camada semicondutora de tipo n, e a segunda estrutura de contato se estender para a segunda peça emissora de luz para contatar eletricamente a terceira camada semicondutora de tipo n.
3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por compreender ainda uma terceira estrutura de contato que se estende para a terceira peça emissora de luz para contatar eletricamente a terceira camada semicondutora do tipo n.
4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado por compreender: - um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo n; - um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo p; - um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo p; e - um terceiro pad disposto em um quarto canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p, em que a primeira, a segunda e a terceira camadas semicondutoras do tipo n são eletricamente acopladas uma à outra pela primeira à terceira estruturas de contato.
5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pela segunda peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que uma parte da mesma no segundo canto é removida, e a terceira peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que as partes do segundo e terceiro cantos são removidas.
6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por compreender - um primeiro filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da primeira estrutura de contato, e se estendendo para a primeira camada semicondutora de tipo p; e - uma primeira camada de adesão que circunda uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor, e se estendendo para o primeiro filtro de cor; - um segundo filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a segunda camada semicondutora de tipo p; e - uma segunda camada de adesão circundando uma parede lateral externa do segundo filtro de cor, e se estendendo para o segundo filtro de cor.
7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pela primeira estrutura de contato se estender para a segunda peça emissora de luz, e a segunda estrutura de contato se estender para a terceira peça emissora de luz e é eletricamente acoplada com a terceira camada semicondutora de tipo n.
8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por uma superfície da primeira estrutura de contato contatar eletricamente a segunda camada semicondutora tipo n, e a outra superfície da primeira estrutura de contato contatar eletricamente a primeira camada semicondutora tipo n.
9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por compreender:
- um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplada com a primeira, segunda, terceira camadas semicondutoras de tipo n; - um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo p; - um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo p; e - um terceiro pad disposto em um quarto canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p, em que a primeira, a segunda, a terceira camadas semicondutoras tipo n são eletricamente acopladas uma à outra pela primeira e segunda estruturas de contato.
10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado pela primeira peça emissora de luz ter uma estrutura de mesa, de modo que a primeira camada semicondutora de tipo n e a segunda camada ativa não sejam formadas em pelo menos uma porção do segundo canto, a segunda peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que as porções do segundo e terceiro cantos são removidas, e a terceira peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que uma porção da mesma no quarto canto é removida.
11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por compreender - um primeiro filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da primeira estrutura de contato, e se estendendo para a segunda camada semicondutora de tipo p; e - uma primeira camada de adesão que circunda uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor, e se estendendo para o primeiro filtro de cor; - um segundo filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a terceira camada semicondutora de tipo p; e - uma segunda camada de adesão circundando uma parede lateral externa do segundo filtro de cor, e se estendendo para o segundo filtro de cor.
12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por compreender ainda uma terceira estrutura de contato que se estende para a primeira peça emissora de luz e contatar eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo n.
13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pela primeira estrutura de contato e a terceira estrutura de contato estarem em contato elétrico uma com a outra.
14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado por cada uma das primeira, segunda e terceira estruturas de contato compreender uma camada ôhmica, uma primeira camada condutora, uma camada de barreira, uma segunda camada condutora e uma camada de ligação, e a camada de ligação da primeira estrutura de contato e a camada de ligação da terceira estrutura de contato entrarem em contato uma com a outra.
15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado por compreender: - um pad comum disposto em um primeiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo n; - um primeiro pad disposto em um segundo canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo p; - um segundo pad disposto em um terceiro canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo p; e - um terceiro pad disposto em um quarto canto do dispositivo emissor de luz e eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p, em que a primeira, a segunda e a terceira camadas semicondutoras do tipo n são eletricamente acopladas uma à outra pela primeira, segunda e terceira estruturas de contato.
16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 15, caracterizado pela segunda peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que as porções do segundo e terceiro cantos são removidas, e a terceira peça emissora de luz ter uma estrutura em mesa, de modo que uma parte da mesma no quarto canto é removida.
17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado por compreender: - um primeiro filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da terceira estrutura de contato, e se estendendo para a primeira camada semicondutora de tipo p; e - uma primeira camada de adesão que circunda uma parede lateral externa do primeiro filtro de cor, e se estendendo para o primeiro filtro de cor; - um segundo filtro de cor que circunda uma parede lateral externa da segunda estrutura de contato e se estendendo para a terceira camada semicondutora de tipo p; e - uma segunda camada de adesão circundando uma parede lateral externa do segundo filtro de cor, e se estendendo para o segundo filtro de cor.
18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender ainda um substrato disposto sobre uma segunda superfície da primeira peça emissora de luz oposta à primeira superfície da mesma.
19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por compreender: - um pad comum disposto na terceira peça emissora de luz e acoplando eletricamente a primeira, a segunda e a terceira camadas semicondutoras do tipo n; - um primeiro pad disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo p; - um segundo pad disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo p; e - um terceiro pad disposto em uma terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo p.
20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 19, caracterizado por compreender ainda um substrato de suporte disposto na terceira peça emissora de luz e incluindo por meio de eletrodos eletricamente acoplados com o pad comum, o primeiro pad, o segundo pad e o terceiro pad, respectivamente.
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