JP2021536137A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

発光装置が提供される。発光装置は、第１ｎ型半導体層と、第１活性層と、第１ｐ型半導体層とを有する第１発光部と、第１発光部の第１面上に配置され、第２ｎ型半導体層と、第２活性層と、第２ｐ型半導体層とを有する第２発光部とを含み、第２ｎ型半導体層は第１面と、第１面に対向する第２面とを有し、第２発光部の第１面上に配置され、第３ｎ型半導体層と、第３活性層と、第３ｐ型半導体層とを有する第３発光部を含み、第２ｎ型半導体層の第１面に接触する第１接触構造体と、第２ｎ型半導体層の第２面に接触する第２接触構造体とを含む。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明の例示的実施形態は一般に、発光装置に関し、より詳細には、複数の発光層が積層された発光装置に関する。
発光ダイオードは、無機光源として、表示装置、車両用ランプ、総合照明など様々な分野で多用されている。発光ダイオードは、寿命が長く、消費電力が少なく、既存の光源に比べて応答速度が速いため、既存の光源に急速に置き換わりつつある。
特に、表示装置は、青色、緑色、赤色の混合色を利用して様々な色を表示することが一般的である。表示装置の各画素は青色、緑色、及び赤色のサブ画素を含み、特定の画素の色はこれらのサブ画素の色を通して決定され、画像は画素の組合せによって実現される。
発光ダイオードは、主に表示装置のバックライト光源として使用されてきた。しかし、近年、発光ダイオードを用いて画像を直接実現する次世代ディスプレイとしてマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。
本発明の例示的な実施形態に従って構成された発光装置は、優れた光再現性を有する。
本発明の概念のさらなる特徴は以下の説明に記載され、一部は説明から明らかになるか、又は本発明の概念の実施によって知ることができる。
本開示の例示的な実施形態による発光装置は以下を含む。
第１ｎ型半導体層と、第１活性層と、第１ｐ型半導体層とを含み、第１発光部の第１面上に配置され、第２ｎ型半導体層と、第２活性層と、第２ｐ型半導体層とを含み、第２ｎ型半導体層は第１面と対向する第２面と、第２発光部の第１面上に配置された第３発光部と、第３ｎ型半導体層と、第３活性層と、第３ｐ型半導体層とを含み、第２ｎ型半導体層の第１面に接触する第１接触構造体と、第２ｎ型半導体層の第２面に接触する第２接触構造体とを含む、第１発光部。
第１接触構造体は第１ｎ型半導体層に電気的に接続するように第１発光部内に延在してもよく、第２接触構造体は第３ｎ型半導体層と電気的に接続するように第２発光部内に延在してもよい。
発光装置はさらに、第３ｎ型半導体層と電気的に接続するように第３発光部内に延在する第３接触構造体を含んでもよい。
発光装置はさらに、発光装置の第１角部に配置され、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、発光装置の第２角部に配置され、第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、発光装置の第３角部に配置され、第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、発光装置の第４角部に配置され、第１、第２、及び第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとを含み、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層は、第１乃至第３接触構造体によって互いに電気的に接続される。
第２発光部は第２角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、第３発光部は、第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有してもよい。
発光装置はさらに、第１接触構造体の外側壁を取り囲み、第１ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、第１カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、第２接触構造体の外側壁を取り囲み、第２ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、第２カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層とを含んでもよい。
第１接触構造体は第２発光部内に延在してもよく、第２接触構造体は第３発光部内に延在してもよく、第３ｎ型半導体層と電気的に接続されてもよい。
第１接触構造体の一方の面は第２ｎ型半導体層と電気的に接続してもよく、第１接触構造体の他方の面は第１ｎ型半導体層と電気的に接続してもよい。
発光装置はさらに、発光装置の第１角部に配置され、第１、第２、第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、発光装置の第２角部に配置され、第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、発光装置の第３角部に配置され、第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、発光装置の第４角部に配置され、第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとを含んでもよく、第１、第２、第３ｎ型半導体層は、第１及び第２接触構造体によって互いに電気的に接続される。
第１発光部は第２角部の少なくとも一部に第１ｎ型半導体層及び第２活性層が形成されないようにメサ構造体を有し、第２発光部は第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、第３発光部は、第４角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有してもよい。
発光装置はさらに、第１接触構造体の外側壁を取り囲み、第２ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、第１カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、第２接触構造体の外側壁を取り囲み、第３ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、第２カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第１発光部内に延在し、第１ｎ型半導体層に電気的に接続する第３接触構造体を含んでもよい。
第１接触構造体及び第３接触構造体は、互いに電気的に接続していてもよい。
第１、第２、及び第３接触構造体のそれぞれはオーミック層、第１導電層、バリア層、第２導電層、及び接着層を含んでもよく、第１接触構造体の接着層と第３接触構造体の接着層とは互いに接触してもよい。
発光装置はさらに、発光装置の第１角部に配置され、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、発光装置の第２角部に配置され、第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、発光装置の第３角部に配置され、第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、発光装置の第４角部に配置され、第１、第２、及び第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとを含み、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層は、第１、第２、及び第３接触構造体によって互いに電気的に接続されてもよい。
第２発光部は第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、第３発光部は、第４角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有してもよい。
発光装置はさらに、第３接触構造体の外側壁を取り囲み、第１ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、第１カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、第２接触構造体の外側壁を取り囲み、第３ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、第２カラーフィルタの外側壁を取り囲み、第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第１発光部の第１面に対向する第２面上に配置された基板を含んでもよい。
発光装置はさらに、第３発光部上に配置され、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層を電気的に接続する共通パッドと、第３発光部上に配置され、第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、第３発光部上に配置され、第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、第３発光部上に配置され、第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとを含んでもよい。
発光装置はさらに、第３発光部上に配置され、共通パッド、第１パッド、第２パッド、及び第３パッドとそれぞれ電気的に接続された貫通電極を含む支持基板を含んでもよい。
前述した一般的な説明と、以下の詳細な説明とは、どちらも例示的及び説明的であり、特許請求される本発明のさらなる説明を提供するように意図されていることを理解されたい。
例示的な実施形態によれば、第１ｎ型半導体層、第２ｎ型半導体層、及び第３ｎ型半導体層は、共通パッドに対して、共通して電気的に接続され、第１ｐ型半導体層、第２ｐ型半導体層、及び第３ｐ型半導体層が共通して接続される場合と比較して、電流が安定して供給されてもよい。
例示的な一実施形態による発光装置の上面図である。 例示的な実施形態による図１ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。 例示的な実施形態による図１ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。 例示的な実施形態による図１ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。 別の例示的な実施形態による発光装置の上面図である。 図２ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。 さらに他の実施形態による発光装置の断面図である。 さらに他の実施形態による発光装置の断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。 例示的な実施形態による発光装置の製造方法を説明する断面図である。
本開示の構成及び効果を十分に理解するために、本開示の実施形態について、添付図面を参照しながら説明する。しかしながら、本開示は、本明細書に記載された実施形態に限定されず、様々な形態で実施されてもよく、様々な変更が追加されてもよい。
別段の定義がない限り、本明細書で使用されるすべての用語は、本開示がその一部である当業者によって一般に理解されるものと同じ意味を有する。
以下、図面を参照して、様々な実施形態による発光装置を説明する。
図１Ａは例示的な実施形態による発光装置の上面図であり、図１Ｂ及び図１Ｃは、例示的な実施形態による図１ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。
図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、発光装置は、基板１００上に垂直に積層された第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、及び第３発光部ＬＥ３を含んでもよい。
基板１００は窒化ガリウム系半導体層を成長させることで得ることができ、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、又はシリコンを含むことができる。また、基板１００は、パターン化されたサファイア基板であってもよい。
基板１００の一方の面が第１発光部ＬＥ１に接し、他方の対向面が発光装置の光抽出面であってもよい。いくつかの例示的な実施形態では、基板１００が除去されてもよい。このとき、第１発光部ＬＥ１の基板１００側の面は、発光装置の光抽出面であってもよい。光抽出面が基板１００の他方の面又は第１発光部ＬＥ１の一方の面である場合、第１発光部ＬＥ１から出射される光の波長は最も短くてもよく、第２発光部ＬＥ２から出射される光の波長は、第１発光部ＬＥ１から出射される光の波長よりも長くてもよく、第３発光部ＬＥ３から出射される光の波長よりも短くてもよく、第３発光部ＬＥ３から出射される光の波長は最も長くてもよい。例えば、第１発光部ＬＥ１は青色光を、第２発光部ＬＥ２は緑色光を、第３発光部ＬＥ３は赤色光をそれぞれ発光してもよい。
第１発光部ＬＥ１は、第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１透明電極１０８を含んでもよい。第２発光部ＬＥ２は、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２ｐ型半導体層２０６、及び第２透明電極２０８を含んでもよい。第３発光部ＬＥ３は、第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６、及び第３透明電極３０８を含んでもよい。
第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２の各々は、Ｓｉドープ窒化ガリウム系半導体層であってもよい。第１ｐ型半導体層１０６、第２ｐ型半導体層２０６、及び第３ｐ型半導体層３０６の各々は、Ｍｇドープ窒化ガリウム系半導体層であってもよい。第１活性層１０４、第２活性層２０４、及び第３活性層３０４は多重量子井戸（ＭＱＷ）を含んでもよく、その構成比率は、所望のピーク波長の光を発するように決定される。第１透明電極１０８、第２透明電極２０８及び第３透明電極３０８のそれぞれとして、ＺｎＯ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、亜鉛ドープインジウム錫酸化物（ＺＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＺＩＯ）、酸化ガリウムインジウム（ＧＩＯ）、酸化亜鉛錫（ＺＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）が用いられてもよい。
発光装置はさらに、第１発光部ＬＥ１の一部を貫通する第１接触構造体ＣＴ１と、第２発光部ＬＥ２の一部を貫通する第２接触構造体ＣＴ２と、第３発光部ＬＥ３の一部を貫通する第３接触構造体ＣＴ３とを含んでもよい。
第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３は、それぞれ、オーミック層１１０、２１０、及び３１０、第１導電層１１２、２１２、及び３１２、バリア層１１４、２１４、及び３１４、第２導電層１１６、２１６、及び３１６、ならびに接着層１１８、２１８、及び３１８を含んでもよい。オーミック層１１０、２１０、３１０のうち少なくとも一つはＣｒを含み、第１導電層１１２、２１４、３１４のうち少なくとも一つはＡｌを含み、バリア層１１４、２１４、３１４のうち少なくとも一つはＴｉとＮｉを含み、複数回積層され、第２導電層１１６、２１６、３１６のうち少なくとも一つはＡｕを含み、接着層１１８、２１８、３１８のうち少なくとも一つはＩｎ又はＳｎを含んでもよい。
例示的な実施形態によれば、第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３は、互いに重なるように配置されてもよい。発光装置が上面から見て略四角形の構造体を有する場合には第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２及び第３接触構造体ＣＴ３は発光装置の第１角部ＣＮ１において互いに重なるように順次配置されてもよい。
発光装置はさらに、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２との間に配置された第１カラーフィルタＣＦ１、第１接着層ＡＤ１、及び第２接着層ＡＤ２と、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３との間に配置された第２カラーフィルタＣＦ２及び第３接着層ＡＤ３とを含むことができる。
第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に積層された構造体を有する分散ブラッグ反射鏡を含むことができる。しかしながら、本発明の概念はこれに限定されず、カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２は、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５などの他の誘電体物質を含んでもよい。例えば、第１カラーフィルタＣＦ１と第２カラーフィルタＣＦ２とは、構成比率、交互の積層順、並びにＴｉＯ２及びＳｉＯ２の個数に関して異なっていてもよい。例示的な一実施形態によれば、第１カラーフィルタＣＦ１は、第２発光部ＬＥ２から発生する光と第３発光部ＬＥ３から発生する光とを選択的に通過させ、第１発光部ＬＥ１から発生する光を反射させてもよい。第２カラーフィルタＣＦ２は第３発光部ＬＥ３から発生する光を選択的に通過させ、第１発光部ＬＥ１から発生する光及び第２発光部ＬＥ２から発生する光を反射させてもよい。第１カラーフィルタＣＦ１及び第２カラーフィルタＣＦ２は、絶縁層として機能してもよい。
第１接着層ＡＤ１、第２接着層ＡＤ２、及び第３接着層ＡＤ３の各々は接着性を有し、高い透過率を有する材料、例えば、シリコンオンガラス（ＳＯＧ）、エポキシ樹脂、ポリイミド、ＳＵ８、ベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）などを含んでもよい。
なお、第１発光部ＬＥ１において、第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１透明電極１０８を順次積層してもよい。第１発光部ＬＥ１は、第１透明電極１０８、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１活性層１０４を通過する第１孔Ｈ１（図６参照）を有してもよい。第１孔Ｈ１は、一定の幅又は下向きに徐々に減少する幅を有してもよい。このように、第１透明電極１０８の面積は第１ｐ型半導体層１０６の面積と同じであってもよく、それ未満であってもよく、第１ｐ型半導体層１０６の面積は第１活性層１０４の面積と同じであってもよく、それ未満であってもよい。
第１孔Ｈ１は、第１ｎ型半導体層１０２を部分的に露出させてもよい。第１接触構造体ＣＴ１は、第１孔Ｈ１内に配置されてもよく、第１透明電極１０８から突出する構造体を有してもよい。より詳細には、第１接触構造体ＣＴ１の上面が第１透明電極１０８の上面よりも高い位置に配置されてもよい。例示的な実施形態によれば、第１接触構造体ＣＴ１において、オーミック層１１０、第１導電層１１２、バリア層１１４、第２導電層１１６、及び接着層１１８は、順次積層されてもよい。
第１接着層ＡＤ１は第１孔Ｈ１内の第１接触構造体ＣＴ１の外側側壁を囲み、第１透明電極１０８上に延在してもよい。第１カラーフィルタＣＦ１は第１孔Ｈ１における第１接着層ＡＤ１の外側側壁を囲み、第１透明電極１０８上に延在し、第１透明電極１０８と第１接着層ＡＤ１との間に配置されてもよい。
なお、第２発光部ＬＥ２では、第２透明電極２０８、第２ｐ型半導体層２０６、第２活性層２０４、及び第２ｎ型半導体層２０２を順次積層してもよい。第２発光部ＬＥ２は、第２透明電極２０８、第２ｐ型半導体層２０６、及び第２活性層２０４を通過する第２孔Ｈ２（図１１参照）を有してもよい。第２孔Ｈ２は、一定であるか又は下向きに徐々に増加する幅を有してもよい。したがって、第２活性層２０４は第２ｐ型半導体層２０６よりも大きい幅または一定の幅を有してもよく、第２ｐ型半導体層２０６は、第２透明電極２０８よりも大きい幅または一定の幅を有してもよい。
第２孔Ｈ２は、第２ｎ型半導体層２０２を部分的に露出させてもよい。第２接触構造体ＣＴ２は、第２孔Ｈ２内に配置されてもよく、第２透明電極２０８から突出する構造体を有してもよい。より具体的には、第２接触構造体ＣＴ２の底面が第２透明電極２０８の面よりも低い位置に配置されてもよい。第２接触構造体ＣＴ２では、接着層２１８、第２導電層２１６、バリア層２１４、第１導電層２１２、及びオーミック層２１０を順次積層してもよい。
第２接着層ＡＤ２は第２接触構造体ＣＴ２の外側側壁を囲み、第２透明電極２０８上に延在してもよい。
第１カラーフィルタＣＦ１は第１透明電極１０８と第１接着層ＡＤ１との間に配置されるように図示されているが、本発明の概念はこれに限定されない。例えば、第１カラーフィルタＣＦ１は、第２透明電極２０８と第２接着層ＡＤ２との間に配置されてもよい。
例示的な実施形態によれば、第１接触構造体ＣＴ１及び第２接触構造体ＣＴ２が互いに電気的に接続させられ、第１ｎ型半導体層１０２及び第２ｎ型半導体層２０２は、互いに電気的に接続されてもよい。第１接触構造体ＣＴ１の接着層１１８と第２接触構造体ＣＴ２の接着層２１８とは、互いに接合されていてもよい。第１接触構造体（ＣＴ１）と第２接触構造体（ＣＴ２）の接合面に関して、第１接触構造体（ＣＴ１）と第２接触構造体（ＣＴ２）は互いに対称的な構造体を有してもよい。特に、接着層１１８、第２導電層１１６、バリア層１１４、第１導電層１１２、及びオーミック層１１０は第１接触構造体ＣＴ１における接合面から配置されてもよく、接着層２１８、第２導電層２１６、バリア層２１４、第１導電層２１２、及びオーミック層２１０は第２接触構造体ＣＴ２における接合面から配置されてもよい。このようにして、第２発光部ＬＥ２に印加される電流と第１発光部ＬＥ１に印加される電流とを等しくしてもよい。
第１接着層ＡＤ１と第２接着層ＡＤ２とが接合されることにより、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とが物理的に接合されてもよい。
また、第３発光部ＬＥ３では、第３透明電極３０８、第３ｐ型半導体層３０６、第３活性層３０４、及び第３ｎ型半導体層３０２を順次積層してもよい。第３発光部ＬＥ３は、第３透明電極３０８、第３ｐ型半導体層３０６、及び第３活性層３０４を通過する第３孔Ｈ３（図１４参照）を有してもよい。第３孔Ｈ３は、下方に向かって次第に増加する幅を有してもよい。したがって、第３活性層３０４は第３ｐ型半導体層３０６よりも大きい幅を有してもよく、第３ｐ型半導体層３０６は第３透明電極３０８よりも大きい幅を有してもよい。
第３孔Ｈ３は、第３ｎ型半導体層３０２を部分的に露出させてもよい。第３接触構造体ＣＴ３は、第３孔Ｈ３に配置され、第３透明電極３０８から突出した構造体を有してもよい。より具体的には、第３接触構造体ＣＴ３の底面が第３透明電極３０８の面よりも低い位置に配置されてもよい。第３接触構造体ＣＴ３では、接着層３１８、第２導電層３１６、バリア層３１４、第１導電層３１２、及びオーミック層３１０を順次積層してもよい。例示的な実施形態によれば、第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３は実質的に同じ構造体を有するため、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２に転送される電流を等しくしてもよい。
第３接着層ＡＤ３は第３孔Ｈ３で第３接触構造体ＣＴ３の外側側壁を取り囲み、第３透明電極３０８上に延在する。第２カラーフィルタＣＦ２は第３接着層ＡＤ３の第３孔Ｈ３の外側側壁を囲み、第３透明電極３０８上に延在し、第３透明電極３０８と第３接着層ＡＤ３との間に配置される。
上述したように、例示的な実施形態によれば、第１接触構造体ＣＴ１及び第２接触構造体ＣＴ２を互いに電気的に接続させることによって、第１ｎ型半導体層１０２及び第２ｎ型半導体層２０２を互いに電気的に接続させることができる。第１接触構造体ＣＴ１の接着層と第２接触構造体ＣＴ２の接着層とは、互いに接合されていてもよい。また、第１接着層ＡＤ１と第２接着層ＡＤ２とが接着されることにより、第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２とが物理的に接着されてもよい。
別の例示的な実施形態によれば、図１Ｄに示されるように、第２接触構造体ＣＴ２及び第３接触構造体ＣＴ３が互いに電気的に接続させられるとき、第２ｎ型半導体層２０２及び第３ｎ型半導体層３０２は、互いに電気的に接続されてもよい。第２接触構造体ＣＴ２の接着層と第３接触構造体ＣＴ３の接着層とは、互いに接合されていてもよい。また、第２接着層ＡＤ２と第３接着層ＡＤ３とが接着されるので、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３とが物理的に接着されてもよい。
発光装置はさらに、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２及び第３ｎ型半導体層３０２を電気的に接続する共通パッドＣＰＤ、第１透明電極１０８と電気的に接続された第１パッドＰＤ１、第２透明電極２０８と電気的に接続された第２パッドＰＤ２、及び第３透明電極３０８と電気的に接続された第３パッドＰＤ３を含んでもよい。共通パッドＣＰＤ、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、及び第３パッドＰＤ３の各々は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔｉ、及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。発光装置はさらに、第３ｎ型半導体層３０２から、共通パッドＣＰＤ、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、及び第３パッドＰＤ３を電気的に絶縁するための絶縁層ＩＤＬを含んでもよい。絶縁層ＩＤＬは例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含んでもよい。
発光装置が上面から見て略四角形の構造体を有する場合には共通パッドＣＰＤが第１角部ＣＮ１に配置されてもよく、第１パッドＰＤ１は第２角部ＣＮ２に配置されてもよく、第２パッドＰＤ２は第３角部ＣＮ３に配置されてもよく、第３パッドＰＤ３は第４角部ＣＮ４に配置されてもよい。
共通パッドＣＰＤは、第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３によって、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２と共通に電気的に接続されてもよい。共通パッドＣＰＤが第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２と共通して接続されているので、電流を安定して供給することができる。上述のように、第１ｐ型半導体層１０６、第２ｐ型半導体層２０６、及び第３ｐ型半導体層３０６の各々はＭｇドープ窒化ガリウム系半導体層を含むが、Ｍｇのドープ濃度が低いため、第１ｐ型半導体層１０６、第２ｐ型半導体層２０６、及び第３ｐ型半導体層３０６の各々の接触抵抗は大きい。このように、共通パッドＣＰＤが、第１ｐ型半導体層１０６、第２ｐ型半導体層２０６、及び第３ｐ型半導体層３０６に、共通して電気的に接続する場合に比べて、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２に、共通して電気的に接続することにより、電流を安定して供給することができる。
図１Ａ〜図１Ｃを参照すると、絶縁層ＥＤＬ上に配置された第１パッドＰＤ１は第３発光部ＬＥ３、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２発光部ＬＥ２、第１接着層ＡＤ１及び第１カラーフィルタＣＦ１を通過し、第１透明電極１０８まで延びる第１ビア構造体ＶＳ１を介して、第１透明電極１０８と電気的に接続されていてもよい。絶縁層ＩＤＬは第３ｎ型半導体層３０２上に延在し、第１ビア構造体ＶＳ１の外側側壁を取り囲む構造体を有していてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第１パッドＰＤ１及び第１ビア構造体ＶＳ１が互いに一体化されてもよい。
絶縁層ＩＤＬ上に配置された第２パッドＰＤ２は第３発光部ＬＥ３、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、及び第２ｐ型半導体層２０６を通過し、第２透明電極２０８まで延びる第２ビア構造体ＶＳ２を介して、第２透明電極２０８と電気的に接続されてもよい。絶縁層ＩＤＬは第３ｎ型半導体層３０２上に延在し、第２ビア構造体ＶＳ２の外側側壁を取り囲む構造体を有していてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、第２パッドＰＤ２及び第２ビア構造体ＶＳ２が互いに一体化されてもよい。
絶縁層ＩＤＬ上に配置された第３パッドＰＤ３は第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、及び第３ｐ型半導体層３０６を通過し、第３透明電極３０８まで延びる第３ビア構造体ＶＳ３を介して、第３透明電極３０８と電気的に接続されてもよい。いくつかの例示的な実施形態では、前記第３パッドＰＤ３及び第３ビア構造体ＶＳ３が互いに一体化されてもよい。
図１Ｃを参照すると、基板１００は選択的に除去されてもよい。基板１００が除去された発光装置は、第３発光部ＬＥ３上に支持基板ＳＵＢをさらに備えてもよい。支持基板ＳＵＢは、基板１００が取り外された発光装置が屈曲（または湾曲）する現象を抑制することができる。支持基板ＳＵＢは、シリコンを含んでいてもよい。
このとき、発光装置はさらに、第１ビア構造体ＶＳ１と電気的に接続された第７ビア構造体ＶＳ７と、第２ビア構造体ＶＳ２と電気的に接続された第６ビア構造体ＶＳ６と、第３ビア構造体ＶＳ３と電気的に接続された第５ビア構造体ＶＳ５と、共通パッドＣＰＤと電気的に接続された第４ビア構造体ＶＳ４とを含んでもよい。
図２Ａは別の例示的な実施形態による発光装置の上面図であり、図２Ｂは、図２ＡのラインＡ−Ａ’に沿った断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、発光装置は、第１発光部ＬＥ１、第１カラーフィルタＣＦ１、第１接着層ＡＤ１、第２接着層ＡＤ２、第２発光部ＬＥ２、第３接着層ＡＤ３、第２カラーフィルタＣＦ２、及び第３発光部ＬＥ３を含むことができる。
第１発光部ＬＥ１では、第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１透明電極１０８を順次積層してもよい。第２発光部ＬＥ２では、第２透明電極２０８、第２ｐ型半導体層２０６、第２活性層２０４及び第２ｎ型半導体層２０２を順次積層してもよい。第３発光部ＬＥ３では、第３透明電極３０８、第３ｐ型半導体層３０６、第３活性層３０４及び第３ｎ型半導体層３０２を順次積層してもよい。
発光装置は第１発光部ＬＥ１と第２発光部ＬＥ２との間に配置された第１カラーフィルタＣＦ１、第１接着層ＡＤ１及び第２接着層ＡＤ２を含み、第２発光部ＬＥ２と第３発光部ＬＥ３との間に配置された第２カラーフィルタＣＦ２及び第３接着層ＡＤ３を含むことができる。発光装置はさらに、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２と電気的に接続された共通パッドＣＰＤ、第１ｐ型半導体層１０６と電気的に接続された第１パッドＰＤ１、第２ｐ型半導体層２０６と電気的に接続された第２パッドＰＤ２、及び第３ｐ型半導体層３０６と電気的に接続された第３パッドＰＤ３を含んでもよい。
図示された実施形態によれば、第２発光部ＬＥ２及び第３発光部ＬＥ３は、それぞれメサ構造体を有してもよい。
発光装置は上面から見て略四角形の構造体を有していてもよく、それぞれの角は第１角部ＣＮ１、第２角部ＣＮ２、第３角部ＣＮ３、及び第４角部ＣＮ４と称されてもよい。第２発光部ＬＥ２は、第２角部ＣＮ２及び第３角部ＣＮ３に配置された部分が除去されたメサ構造体を有してもよく、第３発光部ＬＥ３は、第２角部ＣＮ２、第３角部ＣＮ３及び第４角部ＣＮ４に配置された部分が除去されたメサ構造体を有してもよい。
特に、第２発光部ＬＥ２は、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２ｎ型半導体層２０２及び第２角部ＣＮ２に配置された第２透明電極２０８がエッチングされ、第３角部ＣＮ３に配置された第２ｐ型半導体層２０６、第２活性層２０４及び第２ｎ型半導体層２０２がエッチングされた構造体を有していてもよい。第２角部ＣＮ２では、第２接着層ＡＤ２、第１カラーフィルタＣＦ１及び第２角部ＣＮ２に配置された第１接着層ＡＤ１がエッチングされるようにして、第１発光部ＬＥ１の第１透明電極１０８が露出されていてもよい。第３角部ＣＮ３では、第２発光部ＬＥ２の第２透明電極２０８が露出されていてもよい。
第３発光部ＬＥ３は、第２角部ＣＮ２及び第３角部ＣＮ３に配置された第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６及び第３透明電極３０８がエッチングされ、第４角部ＣＮ４に配置された第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４及び第３ｐ型半導体層３０６がエッチングされた構造体であってもよい。第２角部ＣＮ２では、第２角部ＣＮ２に配置された第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６、第３透明電極３０８、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２ｐ型半導体層２０６、第２透明電極２０８、第２接着層ＡＤ２、第１接着層ＡＤ１、及び第１カラーフィルタＣＦ１がエッチングされ、第１発光部ＬＥ１の第１透明電極１０８が露出していてもよい。第３角部ＣＮ３では、第３角部ＣＮ３に配置された第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６、第３透明電極３０８、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、及び第２ｐ型半導体層２０６がエッチングされ、第２発光部ＬＥ２の第２透明電極２０８が露出していてもよい。第４角部ＣＮ４において、第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４及び第３ｐ型半導体層３０６がエッチングされるにつれて、第３発光部ＬＥ３の第３透明電極３０８が露出されてもよい。
また、発光装置は、メサ構造体を有する第２発光部ＬＥ２及び第３発光部ＬＥ３において、メサ構造体の形成からエッチングされた部分を充填するパッシベーション層ＰＡＬをさらに有してもよい。第１ビア構造体ＶＳ１、第２ビア構造体ＶＳ２、及び第３ビア構造体ＶＳ３は、パッシベーション層ＰＡＬを介して、それぞれ、第１透明電極１０８、第２透明電極２０８、及び第３透明電極３０８と電気的に接続されてもよい。
図示された実施形態では、第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、第３発光部ＬＥ３、第１接着層ＡＤ１、第２接着層ＡＤ２、第３接着層ＡＤ３、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、共通パッドＣＰＤ、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、第１ビア構造体ＶＳ１、第２ビア構造体ＶＳ２、及び第３ビア構造体ＶＳ３は図１〜図１Ｃを用いて説明したものと実質的に同一であるので、重複を避けるため、繰り返しの説明は省略する。
図３は、本発明のさらに他の実施形態による発光装置の断面図である。
図３を参照すると、発光装置は、基板１００上に積層された第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、及び第３発光部ＬＥ３を含んでもよい。
第１発光部ＬＥ１は順次積層された第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１ｐ型半導体層１０６、第１透明電極１０８を含んでもよく、第２発光部ＬＥ２は順次積層された第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２ｐ型半導体層２０６、第２透明電極２０８を含んでもよく、第３発光部ＬＥ３は、順次積層された第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６、第３透明電極３０８を含んでもよい。
発光装置はさらに、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２と電気的に接続された共通パッドＣＰＤ、第１ｐ型半導体層１０６と電気的に接続された第１パッドＰＤ１、第２ｐ型半導体層２０６と電気的に接続された第２パッドＰＤ２、及び第３ｐ型半導体層３０６と電気的に接続された第３パッドＰＤ３を含んでもよい。
発光装置は、第１発光部ＬＥ１の一部を貫通する第１接触構造体ＣＴ１と、第２発光部ＬＥ２の一部を貫通する第２接触構造体ＣＴ２と、第３発光部ＬＥ３の一部を貫通する第３接触構造体ＣＴ３とをさらに含んでもよい。第１接触構造体ＣＴ１の一方の面は、第１ｎ型半導体層１０２と電気的に接続させてもよい。第２ｎ型半導体層２０２は、当該一方の面とは反対側の第１接触構造体ＣＴ１の他方の面と第２接触構造体ＣＴ２との間に配置され、第１接触構造体ＣＴ１及び第２接触構造体ＣＴ２に電気的に接続させられてもよい。第３ｎ型半導体層３０２は、第２接触構造体ＣＴ２と第３接触構造体ＣＴ３との間に配置され、第２接触構造体ＣＴ２と第３接触構造体ＣＴ３に電気的に接触させられてもよい。
第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３では、オーミック層１１０、２１０及び３１０、第１導電層１１２、２１２及び３１２、バリア層１１４、２１４及び３１４、第２導電層１１６、２１６及び３１６、並びに接着層１１８、２１８及び３１８を順次積層してもよい。第１接触構造体（ＣＴ１）、第２接触構造体（ＣＴ２）、及び第３接触構造体（ＣＴ３）の各々は、下方に向かって次第に減少する幅を有してもよい。
発光装置はさらに、第１接触構造体ＣＴ１の外側壁を取り囲み、第１透明電極１０８上に延在する第１カラーフィルタＣＦ１と、第１カラーフィルタＣＦ１の外側壁を取り囲み、第１透明電極１０８上に延在し、第１発光部ＬＥ１及び第２発光部ＬＥ２を互いに接合する第１接着層ＡＤ１とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第２接触構造体ＣＴ２の外側壁を取り囲み、第２透明電極２０８上に延在する第２カラーフィルタＣＦ２と、第２カラーフィルタＣＦ２の外側壁を取り囲み、第２透明電極２０８上に延在し、第２発光部ＬＥ２及び第３発光部ＬＥ３を互いに接合する第２接着層ＡＤ２とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第３接触構造体ＣＴ３の外側側壁を囲み、第３透明電極３０８上に延在する絶縁層ＩＤＬを含んでもよい。絶縁層ＩＤＬは例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを含んでもよい。
図示された実施形態では第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、第３発光部ＬＥ３、第１接着層ＡＤ１、第２接着層ＡＤ２、第３接着層ＡＤ３、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、絶縁層ＩＤＬ、共通パッドＣＰＤ、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、第１ビア構造体ＶＳ１、及び第２ビア構造体ＶＳ２については図１Ａ〜図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂを用いて上述したものと略同じであるため、ここでは繰り返しの説明を省略する。
図４は、さらに他の実施形態に係る発光装置の断面図である。
図４を参照すると、発光装置は、基板１００上に積層された第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、及び第３発光部ＬＥ３を含んでもよい。
第１発光部ＬＥ１は順次積層された第１透明電極１０８と、第１ｐ型半導体層１０６と、第１活性層１０４と、第１ｎ型半導体層１０２とを含んでもよく、第２発光部ＬＥ２は順次積層された第２透明電極２０８と、第２ｐ型半導体層２０６と、第２活性層２０４と、第２ｎ型半導体層２０２とを含んでもよく、第３発光部ＬＥ３は順次積層された第３透明電極３０８と、第３ｐ型半導体層３０６と、第３活性層３０４と、第３ｎ型半導体層３０２とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第１ｎ型半導体層１０２、第２ｎ型半導体層２０２、及び第３ｎ型半導体層３０２と電気的に接続された共通パッドＣＰＤ、第１ｐ型半導体層１０６と電気的に接続された第１パッドＰＤ１、第２ｐ型半導体層２０６と電気的に接続された第２パッドＰＤ２、及び第３ｐ型半導体層３０６と電気的に接続された第３パッドＰＤ３を含んでもよい。
発光装置は、前記第２発光部ＬＥ２の一部を貫通する第２接触構造体ＣＴ２と、前記第３発光部ＬＥ３の一部を貫通する第３接触構造体ＣＴ３とをさらに含んでもよい。第２接触構造体ＣＴ２の一方の面は第１ｎ型半導体層１０２と電気的に接続させてもよく、一方の面とは反対を向いている第２接触構造体ＣＴ２の他方の面は第２ｎ型半導体層２０２に電気的に接続させられてもよい。第３接触構造体ＣＴ３の一方の面は第２ｎ型半導体層２０２に電気的に接続させられてもよく、当該一方の面とは反対側の第３接触構造体ＣＴ３の他方の面は第３ｎ型半導体層３０２に電気的に接続させられてもよい。第２ｎ型半導体層２０２は、第２接触構造体ＣＴ２と第３接触構造体ＣＴ３との間に配置されてもよい。
第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３において、接着層、第２導電層、バリア層、第１導電層、及びオーミック層を順次積層することができる。第１接触構造体ＣＴ１、第２接触構造体ＣＴ２、及び第３接触構造体ＣＴ３の各々は、下方に向かって次第に増加する幅を有してもよい。
発光装置はさらに、第２接触構造体ＣＴ２の外側壁を取り囲み、第２透明電極２０８上に延在する第１カラーフィルタＣＦ１と、第１カラーフィルタＣＦ１の外側壁を取り囲み、第１カラーフィルタＣＦ１上に延在し、第１発光部ＬＥ１及び第２発光部ＬＥ２を互いに接合する第１接着層ＡＤ１とを含んでもよい。
発光装置はさらに、第３接触構造体ＣＴ３の外側壁を取り囲み、第３透明電極３０８上に延在する第２カラーフィルタＣＦ２と、第２カラーフィルタＣＦ２の外側壁を取り囲み、第２カラーフィルタＣＦ２上に延在し、第２発光部ＬＥ２及び第３発光部ＬＥ３を互いに接合する第２接着層ＡＤ２とを含んでもよい。
図示された実施形態では第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、第３発光部ＬＥ３、第１接着層ＡＤ１、第２接着層ＡＤ２、第３接着層ＡＤ３、第１カラーフィルタＣＦ１、第２カラーフィルタＣＦ２、絶縁層ＩＤＬ、共通パッドＣＰＤ、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、第３パッドＰＤ３、第１ビア構造体ＶＳ１、第２ビア構造体ＶＳ２、及び第３ビア構造体ＶＳ３は、図１Ａ〜図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂを用いて上述したものと略同じであるため、繰り返しの説明は省略する。
以下、図１を参照して上述した発光装置の製造方法について、より詳細に説明する。
図５〜図１７は、本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を示す断面図である。
図５を参照すると、第１発光部ＬＥ１を形成するために、第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１透明電極１０８が第１基板１００上に形成されてもよい。
第１ｎ型半導体層１０２、第１活性層１０４、及び第１ｐ型半導体層１０６は、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などのプロセスを通じて基板１００上に順次成長される。次いで、第１透明電極１０８は、化学蒸着法（ＣＶＤ）プロセス、又は物理蒸着法（ＰＶＤ）プロセスを使用することによって、第１ｐ型半導体層１０６上に形成されてもよい。
図６を参照すると、第１発光部ＬＥ１をエッチングして第１ｎ型半導体層１０２を露出させることにより、第１透明電極１０８、第１ｐ型半導体層１０６、及び第１活性層１０４を通過する第１接触孔Ｈ１を形成してもよい。
例えば、第１発光部ＬＥ１は上面から見て略四角形の構造体を有していてもよく、第１孔Ｈ１は第１角部ＣＮ１に配置されていてもよい。第１孔Ｈ１は、下方に向かって次第に減少する幅を有してもよい。したがって、第１活性層１０４は第１ｐ型半導体層１０６よりも小さい幅を有してもよく、第１ｐ型半導体層１０６は、第１透明電極１０８よりも小さい幅を有してもよい。
図７を参照すると、第１カラーフィルタＣＦ１は第１孔Ｈ１を満たさないように、第１発光部ＬＥ１の面に沿って連続的に形成されていてもよい。第１カラーフィルタＣＦ１は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２が交互に積層される構造体を有するＤＢＲを含んでもよい。
図８を参照すると、第１カラーフィルタＣＦ１が形成された第１発光部ＬＥ１上に、第１孔Ｈ１を埋め込むように第１接着層ＡＤ１が形成されてもよい。第１接着層ＡＤ１は、ＳＯＧを含んでもよい。
図９を参照すると、第１孔Ｈ１を充填した第１接着層ＡＤ１及び第１カラーフィルタＣＦ１をエッチングすることにより、第１ｎ型半導体層１０２を露出させる第１接触孔ＣＨ１が形成されていてもよい。例えば、第１接触孔ＣＨ１は、下方に向かって次第に減少する幅を有してもよい。
図１０を参照すると、第１接触孔ＣＨ１の内部を満たす第１接触構造体ＣＴ１が形成されてもよい。第１接触構造体ＣＴ１として、オーミック層１１０、第１導電層１１２、バリア層１１４、第２導電層１１６、及び接着層１１８が順次積層されてもよい。オーミック層１１０はＣｒを含んでもよく、第１導電層１１２はＡｌを含んでもよく、バリア層１１４は複数回積層されたＴｉ及びＮｉを含んでもよく、第２導電層１１６はＡｕを含んでもよく、接着層１１８はＩｎ又はＳｎを含んでもよい。
図１１を参照すると、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、第２ｐ型半導体層２０６、及び第２透明電極２０８を含む第２発光部ＬＥ２が、第２基板２００上に形成されてもよい。そして、第２ｎ型半導体層２０２を露出させる第２孔Ｈ２を形成し、第２孔Ｈ２の内部を満たす第２接着層ＡＤ２を形成してもよい。
図１２を参照すると、第２ｎ型半導体層２０２を露出する第２接触孔ＣＨ２を形成した後、第２孔Ｈ２を充填する第２接着層ＡＤ２をエッチングして、第２接触孔ＣＨ２を充填する第２接触構造体ＣＴ２を形成してもよい。第２接触構造体ＣＴ２として、オーミック層２１０、第１導電層２１２、バリア層２１４、第２導電層２１６、及び接着層２１８が順次積層されてもよい。
図１３を参照すると、第２接触構造体ＣＴ２の接着層２１８が第１接触構造体ＣＴ１の接着層１１８と接合するように、第２発光部ＬＥ２を裏返して第１発光部ＬＥ１に接合してもよい。
次いで、第２基板２００は、レーザーリフトオフプロセス等によって除去されてもよい。
図１４を参照すると、第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４、第３ｐ型半導体層３０６、及び第３透明電極３０８を含む第３発光部ＬＥ３が、第３基板３００上に形成されてもよい。次いで、第３ｎ型半導体層３０２を露出させる第３孔Ｈ３を形成し、第３孔Ｈ３の内部を満たす第３接着層ＡＤ３を形成してもよい。
第３ｎ型半導体層３０２を露出させる第３接触孔ＣＨ３を形成した後、第３孔Ｈ３を満たす第３接着層ＡＤ３をエッチングしてもよい。そして、第３接触孔ＣＨ３を埋め込まないように第３発光部ＬＥ３の面に沿って第２カラーフィルタＣＦ２を連続的に形成し、第２カラーフィルタＣＦ２上に第３接触孔ＣＨ３を埋め込む第３接触構造体ＣＴ３を形成してもよい。第２カラーフィルタＣＦ２は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２が交互に積層された構造体を有するＤＢＲを含んでもよい。第２カラーフィルタＣＦ２は、第１カラーフィルタＣＦ１とは構成比率、交互の積層順、並びにＴｉＯ２及びＳｉＯ２の個数の点で異なっていてもよい。第３接触構造体ＣＴ３として、オーミック層３１０、第１導電層３１２、バリア層３１４、第２導電層３１６、及び接着層３１８が、順次積層されてもよい。
図１５を参照すると、第３接触構造体ＣＴ３の接着層３１８が第２ｎ型半導体層２０２に面するように、第３発光部ＬＥ３を裏返して第２発光部ＬＥ２に接合してもよい。このように、第１発光部ＬＥ１に結合された第２発光部ＬＥ２は、第３発光部ＬＥ３に結合されてもよい。
次いで、第３基板３００は、レーザーリフトオフプロセス等によって除去されてもよい。
図１６を参照すると、第１透明電極１０８を露出する第１ビア孔ＶＩＡ１と、第２透明電極２０８を露出する第２ビア孔ＶＩＡ２と、第３透明電極３０８を露出する第３ビア孔ＶＩＡ３とが形成されてもよい。
第１ビア孔ＶＩＡ１は第３発光部ＬＥ３、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２発光部ＬＥ２、第２接着層ＡＤ２、第１接着層ＡＤ１、及び第１カラーフィルタＣＦ１を通過し、第１透明電極１０８を露出させてもよい。
第２ビア孔ＶＩＡ２は、第３発光部ＬＥ３、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２ｎ型半導体層２０２、第２活性層２０４、及び第２ｐ型半導体層２０６を通過し、第２透明電極２０８を露出してもよい。
第３ビア孔ＶＩＡ３は、第３ｎ型半導体層３０２、第３活性層３０４及び第３ｐ型半導体層３０６を通過し、第３透明電極３０８を露出させてもよい。
例示的な実施形態によれば、第１発光部ＬＥ１、第２発光部ＬＥ２、及び第３発光部ＬＥ３の各々は、上面から見て略四角形の構造体を有していてもよい。第２発光部ＬＥ２は裏返して第１発光部ＬＥ１上に配置してもよく、第３発光部ＬＥ３は裏返して第２発光部ＬＥ２上に配置してもよい。
第１ビア孔ＶＩＡ１は第２角部ＣＮ２に配置されてもよく、第２ビア孔ＶＩＡ２は第３角部ＣＮ３に配置されてもよく、第３ビア孔ＶＩＡ３は第４角部ＣＮ４に配置されてもよい。
図１７を参照すると、第３発光部ＬＥ３、第２カラーフィルタＣＦ２、第３接着層ＡＤ３、第２発光部ＬＥ２、第２接着層ＡＤ２、第１カラーフィルタＣＦ１、第１接着層ＡＤ１の面に沿って絶縁層ＩＤＬを連続して形成し、第１ビア孔ＶＩＡ１、第２ビア孔ＶＩＡ２、第３ビア孔ＶＩＡ３を充填しないようにしてもよい。絶縁層ＩＤＬは例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを含んでもよい。
次いで、第１透明電極１０８を第１ビア孔ＶＩＡ１の底部に露出させ、第２透明電極２０８を第２ビア孔ＶＩＡ２の底部に露出させ、第３透明電極３０８を第３ビア孔ＶＩＡ３の底部に露出させ、第３ｎ型半導体層３０２の一部を露出させるように、絶縁層ＩＤＬをエッチングすることができる。
図１Ｂに戻って説明すると、第１ビア孔ＶＩＡ１を充填し、第１透明電極１０８に電気的に接続する第１ビア構造体ＶＳ１と、第２ビア孔ＶＩＡ２を充填し、第２透明電極２０８に電気的に接続する第２ビア構造体ＶＳ２と、第３ビア孔ＶＩＡ３を充填し、第３透明電極３０８に電気的に接続する第３ビア構造体ＶＳ３とが、それぞれ形成されてもよい。
第１ビア構造体ＶＳ１に電気的に接続された第１パッドＰＤ１と、第２ビア構造体ＶＳ２に電気的に接続された第２パッドＰＤ２と、第３ビア構造体ＶＳ３に電気的に接続された第３パッドＰＤ３と、第３ｎ型半導体層３０２に電気的に接続された共通パッドＣＰＤとが、追加的に形成されてもよい。
いくつかの例示的な実施形態において、第１パッドＰＤ１、第２パッドＰＤ２、及び第３パッドＰＤ３は、それぞれ、第１ビア構造体ＶＳ１、第２ビア構造体ＶＳ２、及び第３ビア構造体ＶＳ３と一体化されてもよい。
本明細書では特定の例示的な実施形態及び実装形態を説明したが、他の実施形態及び修正はこの説明から明らかになるであろう。したがって、本発明の概念は、そのような実施形態に限定されるものではなく、むしろ、添付の特許請求の範囲のより広い範囲、ならびに当業者には明らかであろう様々な自明な修正形態及び同等の構成に限定される。

Claims (20)

  1. 第１ｎ型半導体層と、第１活性層と、第１ｐ型半導体層とを有する第１発光部と、
    前記第１発光部の第１面上に配置され、第２ｎ型半導体層と、第２活性層と、第２ｐ型半導体層とを有し、前記第２ｎ型半導体層は、第１面と、第１面に対向する第２面とを有する第２発光部と、
    前記第２発光部の第１面上に配置され、第３ｎ型半導体層、第３活性層と、第３ｐ型半導体層とを有する第３発光部と、
    前記第２ｎ型半導体層の第１面に接触する第１接触構造体と、
    前記第２ｎ型半導体層の第２面に接触する第２接触構造体と、を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 前記第１接触構造体は、前記第１発光部内に延在して前記第１ｎ型半導体層と電気的に接続し、
    前記第２接触構造体は、前記第２発光部内に延在して第３ｎ型半導体層と電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第３ｎ型半導体層と電気的に接続するように前記第３発光部に延在する第３接触構造体をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記発光装置の第１角に配置され、第１、第２、及び第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、
    前記発光装置の第２角に配置され、前記第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、
    前記発光装置の第３角部に配置され、前記第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、
    前記発光装置の第４角部に配置され、前記第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとをさらに含み、
    前記第１、第２、及び第３ｎ型半導体層は、前記第１乃至第３接触構造体によって互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記第２発光部は第２角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、
    前記第３発光部は前記第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有する、請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記第１接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第１ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、
    前記第１カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、
    前記第２接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第２ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、
    前記第２カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層と、をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
  7. 前記第１接触構造体は前記第２発光部内に延在し、
    前記第２接触構造体は前記第３発光部内に延在し、前記第３ｎ型半導体層と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  8. 前記第１接触構造体の一方の面は前記第２ｎ型半導体層に電気的に接続し、
    前記第１接触構造体の他方の面は前記第１ｎ型半導体層に電気的に接続することを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記発光装置の第１角部に配置され、前記第１、第２、第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、
    前記発光装置の第２角部に配置され、前記第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、
    前記発光装置の第３角部に配置され、前記第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、
    前記発光装置の第４角部に配置され、前記第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとをさらに含み、
    前記第１、第２、第３ｎ型半導体層は、前記第１及び第２接触構造体によって互いに電気的に接続される
    ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  10. 前記第１発光部は、前記第１ｎ型半導体層及び前記第２活性層が前記第２角部の少なくとも一部に形成されないようなメサ構造体を有し、
    前記第２発光部は、前記第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、
    前記第３発光部は、前記第４角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有することを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
  11. 前記第１接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第２ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、
    前記第１カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、
    前記第２接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第３ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、
    前記第２カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層と、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  12. 前記第１発光部内に延在し、前記第１ｎ型半導体層と電気的に接続する第３接触構造体をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
  13. 前記第１接触構造体と前記第３接触構造体とは互いに電気的に接続していることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置。
  14. 前記第１、第２、及び第３接触構造体のそれぞれは、オーミック層、第１導電層、バリア層、第２導電層、及び接着層を含み、
    前記第１接触構造体の接着層と前記第３接触構造体の接着層とは互いに接触することを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
  15. 前記発光装置の第１角部に配置され、前記第１、第２、及び第３ｎ型半導体層と電気的に接続された共通パッドと、
    前記発光装置の第２角部に配置され、前記第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、
    前記発光装置の第３角部に配置され、前記第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、
    前記発光装置の第４角部に配置され、前記第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドとをさらに含み、
    前記第１、第２、第３ｎ型半導体層は、前記第１、第２、及び第３接触構造体によって互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
  16. 前記第２発光部は、前記第２及び第３角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有し、
    前記第３発光部は、前記第４角部の一部が除去されたようなメサ構造体を有することを特徴とする請求項１５に記載の発光装置。
  17. 前記第３接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第１ｐ型半導体層上に延在する第１カラーフィルタと、
    前記第１カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第１カラーフィルタ上に延在する第１接着層と、
    前記第２接触構造体の外側側壁を取り囲み、前記第３ｐ型半導体層上に延在する第２カラーフィルタと、
    前記第２カラーフィルタの外側側壁を取り囲み、前記第２カラーフィルタ上に延在する第２接着層と、をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
  18. 前記第１発光部の前記第１面に対向する第２面上に配置された基板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  19. 前記第３発光部上に配置され、前記第１、第２、及び第３ｎ型半導体層を電気的に接続する共通パッドと、
    前記第３発光部上に配置され、前記第１ｐ型半導体層と電気的に接続された第１パッドと、
    前記第３発光部上に配置され、前記第２ｐ型半導体層と電気的に接続された第２パッドと、
    前記第３発光部上に配置され、前記第３ｐ型半導体層と電気的に接続された第３パッドと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  20. 前記第３発光部上に配置され、それぞれ前記共通パッド、前記第１パッド、前記第２パッド、及び前記第３パッドと電気的に接続された貫通電極を有する支持基板をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載の発光装置。
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